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FET，MOSFET（6056）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs （ciss）（最大（ciss） @ vds fet
DMN3012LDG-7 Diodes Incorporated DMN3012LDG-7 -
RFQ
 ECAD 6193 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Powerldfn DMN3012 MOSFET （金属 o化物） 2.2W（TC） POWERDI3333-8（d型） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 2 n 通道（双） 30V 10A（10A），20A （TC） 12mohm @ 15a，5v，6mohm @ 15a，5v 2.1V @ 250µA，1.15V @ 250µA 6.1nc @ 4.5V，12.6nc @ 4.5V 850pf @ 15V，1480pf @ 15V -
2SB808F-SPA-ON onsemi 2SB808F-SPA-ON 0.0500
RFQ
 ECAD 35 0.00000000 Onmi * 大部分 积极的 2SB808 - - 不适用 （1 （无限） 供应商不确定 Ear99 8541.21.0075 1 -
IRF7306PBF Infineon Technologies IRF7306PBF -
RFQ
 ECAD 9086 0.00000000 Infineon技术 Hexfet® 管子 在sic中停产 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） IRF73 MOSFET （金属 o化物） 2W 8-so 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 SP001564984 Ear99 8541.29.0095 95 2（p 通道（双） 30V 3.6a 100mohm @ 1.8A，10V 1V @ 250µA 25nc @ 10V 440pf @ 25V 逻辑级别门
SI4931DY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4931DY-T1-GE3 1.2300
RFQ
 ECAD 13 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） SI4931 MOSFET （金属 o化物） 1.1W 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 2,500 2（p 通道（双） 12V 6.7a 18mohm @ 8.9a，4.5V 1V @ 350µA 52nc @ 4.5V - 逻辑级别门
DMC2057UVT-7 Diodes Incorporated DMC2057UVT-7 0.1084
RFQ
 ECAD 9515 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-23-6薄，TSOT-23-6 DMC2057 MOSFET （金属 o化物） 700MW（TA） TSOT-26 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 n和p通道互补 20V 4A（4A），3.3a（ta） 42MOHM @ 5A，4.5V，70MOHM @ 3.5A，4.5V 1.2V @ 250µA，1V @ 250µA 10.5nc @ 10V，6.5NC @ 4.5V 416pf @ 10V，536pf @ 10V -
UPA2383T1P-E1-A#YW Renesas Electronics America Inc UPA2383T1P-E1-A YW -
RFQ
 ECAD 6604 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 托盘 过时的 UPA2383 - - rohs3符合条件 3（168）） 过时的 0000.00.0000 1 -
DMHC4035LSDQ-13-52 Diodes Incorporated DMHC4035LSDQ-13-52 0.4578
RFQ
 ECAD 8702 0.00000000 二极管合并 汽车，AEC-Q101 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） DMHC4035 MOSFET （金属 o化物） 1.5W（TA） 8-so 下载 31-DMHC4035LSDQ-13-52 Ear99 8541.29.0095 2,500 2n和2p通道（半桥） 40V 4.5a（ta），3.7a（ta） 45mohm @ 3.9a，10v，65mohm @ 4.2a，10v 3V @ 250µA 12.5nc @ 10v，11.1nc @ 10v 574pf @ 20v，587pf @ 20V 标准
FD6M043N08 onsemi FD6M043N08 -
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 ECAD 8824 0.00000000 Onmi Power-SPM™ 管子 过时的 -40°C〜150°C（TJ） 通过洞 EPM15 FD6M043 MOSFET （金属 o化物） - EPM15 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 19 2 n 通道（双） 75V 65a 4.3mohm @ 40a，10v 4V @ 250µA 148nc @ 10V 6180pf @ 25V -
AOC3860 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOC3860 -
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 ECAD 9237 0.00000000 Alpha＆欧米茄半导体公司 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-XDFN AOC386 MOSFET （金属 o化物） 2.5W 6-DFN（3.05x1.77） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 8,000 2 n 通道（双）公共排水 - - - 900mv @ 250µA 44NC @ 4.5V - -
SI5908DC-T1-E3 Vishay Siliconix SI5908DC-T1-E3 1.3900
RFQ
 ECAD 18 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-SMD，平坦的铅 SI5908 MOSFET （金属 o化物） 1.1W 1206-8 chipfet™ 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 20V 4.4a 40mohm @ 4.4a，4.5V 1V @ 250µA 7.5NC @ 4.5V - 逻辑级别门
FF17MR12W1M1HB11BPSA1 Infineon Technologies FF17MR12W1M1HB11BPSA1 141.7000
RFQ
 ECAD 24 0.00000000 Infineon技术 COOLSIC™ 托盘 积极的 - 底盘安装 模块 FF17MR12 MOSFET （金属 o化物） - ag-easy1b - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 24 - 1200V（1.2kV） - - - - - -
MSCM20XM10T3XG Microchip Technology MSCM20XM10T3XG 257.1800
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 -40°C〜125°C（TC） 底盘安装 模块 MSCM20 MOSFET （金属 o化物） 341W（TC） SP3X 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 150-MSCM20XM10T3XG Ear99 8541.29.0095 1 6 n通道（3相桥） 200V 108a（TC） 9.7MOHM @ 81A，10V 5V @ 250µA 161nc @ 10V 10700pf @ 50V -
CTLDM7120-M832DS BK Central Semiconductor Corp CTLDM7120-M832DS BK -
RFQ
 ECAD 1124 0.00000000 中央半导体公司 - 大部分 过时的 -65°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-tdfn暴露垫 CTLDM7120 MOSFET （金属 o化物） 1.65W TLM832DS 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 1 2 n 通道（双） 20V 1A（1A） 100mohm @ 500mA，4.5V 1.2V @ 1mA 2.4NC @ 4.5V 220pf @ 10V 逻辑级别门
IRFHE4250DTRPBF International Rectifier IRFHE4250DTRPBF 1.9300
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 国际整流器 Hexfet® 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 32-PowerVFQFN IRFHE4250 MOSFET （金属 o化物） 156W（TC） 32-PQFN （6x6） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 0000.00.0000 3,000 2 n 通道（双） 25V 86A（TC），303A （TC） 2.75mohm @ 27a，10v，900µhm @ 27A，10V 2.1V @ 35µA，2.1V @ 100µA 20nc @ 4.5V，53nc @ 4.5V 1735pf @ 13V，4765pf @ 13V -
SH8KB6TB1 Rohm Semiconductor SH8KB6TB1 0.9100
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 ECAD 4 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） SH8KB6 MOSFET （金属 o化物） 2W（TA） 8-sop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（双） 40V 8.5a（ta） 19.4mohm @ 8.5a，10v 2.5V @ 1mA 10.6nc @ 10V 530pf @ 20V -
BSL306NL6327HTSA1 Infineon Technologies BSL306NL6327HTSA1 -
RFQ
 ECAD 6539 0.00000000 Infineon技术 Optimos™ 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-23-6薄，TSOT-23-6 BSL306 MOSFET （金属 o化物） 500MW PG-TSOP6-6 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道（双） 30V 2.3a 57MOHM @ 2.3a，10V 2V @ 11µA 1.6NC @ 5V 275pf @ 15V 逻辑级别门
FDC6327C onsemi FDC6327C 0.5700
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Onmi PowerTrench® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-23-6薄，TSOT-23-6 FDC6327 MOSFET （金属 o化物） 700MW SuperSot™-6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 n和p通道 20V 2.7a，1.9a 80Mohm @ 2.7a，4.5V 1.5V @ 250µA 4.5NC @ 4.5V 325pf @ 10V 逻辑级别门
MCS8820-TP Micro Commercial Co MCS8820-TP -
RFQ
 ECAD 3270 0.00000000 微商业公司 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度） MCS8820 MOSFET （金属 o化物） - 8-tssop 下载 rohs3符合条件 353-MCS8820-TPTR Ear99 8541.29.0095 5,000 2 n 通道（双） 20V 7a 21mohm @ 7a，10v 1.1V @ 250µA 8NC @ 4.5V 650pf @ 10V -
NX6020NBKS,115 Nexperia USA Inc. NX6020NBK，115 -
RFQ
 ECAD 3931 0.00000000 Nexperia USA Inc. * 胶带和卷轴（（tr） 过时的 NX6020N - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000
SP8J66FRATB Rohm Semiconductor SP8J66FRATB 1.2240
RFQ
 ECAD 1793年 0.00000000 Rohm半导体 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） SP8J66 MOSFET （金属 o化物） 8-sop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2（p 通道（双） 9a（9a） 18.5mohm @ 9a，10v 2.5V @ 1mA -
RFF70N06/3 Harris Corporation RFF70N06/3 51.7600
RFQ
 ECAD 40 0.00000000 哈里斯公司 * 大部分 积极的 RFF70 - - 不适用 （1 （无限） 供应商不确定 Ear99 8541.29.0095 1 -
SSM6L12TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6L12TU，LF 0.5100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C 表面安装 6-SMD，平坦的铅 SSM6L12 MOSFET （金属 o化物） 500MW UF6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 n和p通道 30V，20V 500mA（ta） 145MOHM @ 500mA，4.5V，260MOHM @ 250mA，4V 1.1V @ 100µA - 245pf @ 10V，218pf @ 10V -
SIL2301-TP Micro Commercial Co SIL2301-TP 0.4400
RFQ
 ECAD 33 0.00000000 微商业公司 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-23-6 SIL2301 MOSFET （金属 o化物） 350MW SOT-23-6L 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2（p 通道（双） 20V 2.3a 90MOHM @ 2.5A，4.5V 1V @ 250µA 10NC @ 4.5V 405pf @ 10V -
SSF7120 Good-Ark Semiconductor SSF7120 0.3900
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 好公园的半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-563，SOT-666 MOSFET （金属 o化物） 312MW（TC） SOT-563 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0080 3,000 n和p通道 20V 800mA（TC），400mA （TC） 300MOHM @ 500mA，4.5V，600MOHM @ 300mA，4.5V 1V @ 250µA 2NC @ 4.5V 75pf @ 10v，78pf @ 10V 标准
CSD87330Q3D Texas Instruments CSD87330Q3D 1.5600
RFQ
 ECAD 33 0.00000000 Texas Instruments NexFet™ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Powerldfn CSD87330 MOSFET （金属 o化物） 6W 8-lson（3.3x3.3） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（半桥） 30V 20a - 2.1V @ 250µA 5.8NC @ 4.5V 900pf @ 15V 逻辑级别门
PJL9801_R2_00001 Panjit International Inc. PJL9801_R2_00001 0.5100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Panjit International Inc. - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） PJL9801 MOSFET （金属 o化物） 2W（TA） 8-sop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 3757-PJL9801_R2_001DKR Ear99 8541.29.0095 2,500 2（p 通道（双） 30V 5A（5A） 54mohm @ 5A，10V 1.3V @ 250µA 9.1nc @ 4.5V 816pf @ 15V -
STS8DN6LF6AG STMicroelectronics STS8DN6LF6AG 1.7200
RFQ
 ECAD 3261 0.00000000 Stmicroelectronics 汽车，AEC-Q101，StripFet™F6 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） STS8DN6 MOSFET （金属 o化物） 3.2W 8-so 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（双） 60V 8a（8a） 24mohm @ 4A，10V 2.5V @ 250µA 27nc @ 10V 1340pf @ 25V 逻辑级别门
EFC4601-M-TR onsemi EFC4601-m-tr -
RFQ
 ECAD 2152 0.00000000 Onmi - 大部分 过时的 150°C 表面安装 4-ufbga，fcbga MOSFET （金属 o化物） 1.6W（TA） EFCP1818-4CA-055 - Rohs不合规 供应商不确定 2156-EFC4601-M-TR-488 1 2 n通道 24V 6a（6a） 44mohm @ 3A，4.5V 1.3V @ 1mA 8.1nc @ 10V 950pf @ 10V -
G06NP06S2 Goford Semiconductor G06NP06S2 0.8300
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 戈福德半导体 Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-sop G06N MOSFET （金属 o化物） 2W（TC），2.5W（TC） 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 4,000 n和p通道 6A（TC） 35MOHM @ 6A，10V，45MOHM @ 5A，10V 2.5V @ 250µA，3.5V @ 250µA 22nc @ 10v，25nc @ 10V 标准
G170P03S2 Goford Semiconductor G170P03S2 0.6700
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TC） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） G170 - 1.4W（TC） 8-sop 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 4,000 2（p 通道（双） 30V 9A（TC） 25mohm @ 5A，4.5V 2.5V @ 250µA 18NC @ 10V 1786pf @ 4.5V -
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    2000+

    每日平均RFQ量

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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