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FET，MOSFET（6056）
| 参考图片 | 产品编号 | （（（） | 数量 | ECAD | 可用数量 | （kg） | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | （MSL） | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | （VDSS） | 电流 -id（ID） @ 25°C | RDS（最大值） @ ID，VGS | VGS（TH）（最大） @ ID | （QG））（最大） @ vgs | （ciss）（最大（ciss） @ vds | fet |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SIZ900DT-T1-GE3 | - |  | 2301 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 6-PowerPair™ | SIZ900 | MOSFET （金属 o化物） | 48W，100W | 6-PowerPair™ | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 通道（半桥） | 30V | 24a，28a | 7.2MOHM @ 19.4a，10V | 2.4V @ 250µA | 45nc @ 10V | 1830pf @ 15V | 逻辑级别门 | |||
 | BUK9K30-80EX | 1.5900 | | 8297 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 汽车，AEC-Q101 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 表面安装 | SOT-12205，8-LFPAK56 | buk9k30 | MOSFET （金属 o化物） | 53W | LFPAK56D | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,500 | 2 n 通道（双） | 80V | 17A（TA） | 26mohm @ 5a，10v | 2.1V @ 1mA | 17.5nc @ 5V | 2297pf @ 25V | 逻辑级别门 | ||
 | BSS84AKS/ZLX | - | | 3609 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 汽车，AEC-Q101，Trenchmos™ | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | BSS84 | MOSFET （金属 o化物） | 445MW | 6-TSSOP | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | 934070249115 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2（p 通道（双） | 50V | 160mA（TA） | 7.5OHM @ 100mA，10V | 2.1V @ 250µA | 0.35nc @ 5V | 36pf @ 25V | 逻辑级别门 | |
 | SI7998DP-T1-GE3 | 1.5900 | | 9071 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | POWERPAK®SO-8 | SI7998 | MOSFET （金属 o化物） | 22W，40W | POWERPAK®SO-8 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 通道（双） | 30V | 25a，30a | 9.3mohm @ 15a，10v | 2.5V @ 250µA | 26NC @ 10V | 1100pf @ 15V | 逻辑级别门 | |||
 | IRF9358PBF | - | | 4534 | 0.00000000 | Infineon技术 | Hexfet® | 管子 | 在sic中停产 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | IRF9358 | MOSFET （金属 o化物） | 2W | 8-so | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 95 | 2（p 通道（双） | 30V | 9.2a | 16.3mohm @ 9.2a，10v | 2.4V @ 25µA | 38nc @ 10V | 1740pf @ 25V | 逻辑级别门 | ||
 | PMDT290UCE，115 | 0.4200 | | 2 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 汽车，AEC-Q101，Trenchmos™ | 胶带和卷轴（（tr） | 不适合新设计 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | SOT-563，SOT-666 | PMDT290 | MOSFET （金属 o化物） | 500MW | SOT-666 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 4,000 | n和p通道 | 20V | 800mA，550mA | 380MOHM @ 500mA，4.5V | 950mv @ 250µA | 0.68nc @ 4.5V | 83pf @ 10V | 逻辑级别门 | ||
 | AO4854 | 0.2148 | | 8719 | 0.00000000 | Alpha＆欧米茄半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | AO485 | MOSFET （金属 o化物） | 2W | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 通道（双） | 30V | 8a | 19mohm @ 8a，10v | 2.4V @ 250µA | 18NC @ 10V | 888pf @ 15V | 逻辑级别门 | ||
 | FDG6308P | - | | 6550 | 0.00000000 | Onmi | PowerTrench® | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | FDG6308 | MOSFET （金属 o化物） | 300MW | SC-88 （SC-70-6） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2（p 通道（双） | 20V | 600mA | 400mohm @ 600mA，4.5V | 1.5V @ 250µA | 2.5NC @ 4.5V | 153pf @ 10V | 逻辑级别门 | ||
 | PMV30XPEA，215 | - | | 1765年 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | * | 大部分 | 积极的 | PMV30 | - | - | 不适用 | （1 （无限） | 供应商不确定 | 1 | - | ||||||||||||||||
 | EMH2407-S-TL-H | - | | 6738 | 0.00000000 | Onmi | - | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | - | 表面安装 | 8-SMD，平坦的铅 | EMH2407 | - | - | 8-emh | - | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | - | - | - | - | - | - | - | - | |||
| IRF7389TRPBF | 1.3500 | | 25 | 0.00000000 | Infineon技术 | Hexfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | IRF738 | MOSFET （金属 o化物） | 2.5W | 8-so | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 4,000 | n和p通道 | 30V | - | 29mohm @ 5.8A，10V | 1V @ 250µA | 33nc @ 10V | 650pf @ 25V | 逻辑级别门 | ||
 | SI7911DN-T1-E3 | - | | 9645 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | （CT） | 过时的 | 表面安装 | POWERPAK®1212-8 | SI7911 | MOSFET （金属 o化物） | 1.3W | POWERPAK®1212-8 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2（p 通道（双） | 20V | 4.2a | 51MOHM @ 5.7A，4.5V | 1V @ 250µA | 15nc @ 4.5V | - | 逻辑级别门 | |||
 | SH8K15TB1 | 0.5880 | | 7763 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 不适合新设计 | 150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | SH8K15 | MOSFET （金属 o化物） | 2W | 8-sop | - | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 n 通道（双） | 30V | 9a | 21mohm @ 9a，10v | 2.5V @ 1mA | 8.5nc @ 5V | 630pf @ 10V | 逻辑级别门 | ||
 | SI5515DC-T1-E3 | - | | 8862 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-SMD，平坦的铅 | SI5515 | MOSFET （金属 o化物） | 1.1W | 1206-8 chipfet™ | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n和p通道 | 20V | 4.4a，3a | 40mohm @ 4.4a，4.5V | 1V @ 250µA | 7.5NC @ 4.5V | - | 逻辑级别门 | ||
| APTC60DAM45CT1G | - | | 6698 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | coolmos™ | 大部分 | 过时的 | -40°C〜150°C（TJ） | 底盘安装 | SP1 | APTC60 | MOSFET （金属 o化物） | 250W | SP1 | 下载 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 n 通道（双） | 600V | 49a | 45MOHM @ 24.5A，10V | 3.9V @ 3mA | 150nc @ 10V | 7200pf @ 25V | - | ||||
 | FDW2511NZ | - | | 3232 | 0.00000000 | Onmi | PowerTrench® | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度） | FDW25 | MOSFET （金属 o化物） | 1.6W | 8-tssop | 下载 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 n 通道（双）公共排水 | 20V | 7.1a | 20mohm @ 7.1a，4.5V | 1.5V @ 250µA | 17.3nc @ 4.5V | 1000pf @ 10V | 逻辑级别门 | |||
 | SIZ918DT-T1-GE3 | 1.7200 | | 24 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Powerwdfn | SIZ918 | MOSFET （金属 o化物） | 29W，100W | 8-Powerpair®（6x5） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 通道（半桥） | 30V | 16a，28a | 12mohm @ 13.8a，10v | 2.2V @ 250µA | 21NC @ 10V | 790pf @ 15V | 逻辑级别门 | |||
 | STS3DNE60L | - | | 3030 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | StripFet™ | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | 150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | STS3D | MOSFET （金属 o化物） | 2W | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | 3（168）） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 n 通道（双） | 60V | 3a | 80MOHM @ 1.5A，10V | 1V @ 250µA | 13.5nc @ 4.5V | 815pf @ 25V | 逻辑级别门 | ||
 | EFC4618R-P-Tr | - | | 4266 | 0.00000000 | Onmi | - | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | 150°C（TJ） | 表面安装 | 4-XFBGA，FCBGA | EFC4618 | MOSFET （金属 o化物） | 1.6W | EFCP1818-4CC-037 | - | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 5,000 | 2 n 通道（双）公共排水 | - | - | - | - | 25.4NC @ 4.5V | - | 逻辑水平门，2.5V | |||
| FDG6303N_D87Z | - | | 6047 | 0.00000000 | Onmi | - | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | FDG6303 | MOSFET （金属 o化物） | 300MW | SC-88 （SC-70-6） | 下载 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 10,000 | 2 n 通道（双） | 25V | 500mA | 450MOHM @ 500mA，4.5V | 1.5V @ 250µA | 2.3nc @ 4.5V | 50pf @ 10V | 逻辑级别门 | |||
 | NVMFD5C478NWFT1G | 0.8122 | | 6839 | 0.00000000 | Onmi | 汽车，AEC-Q101 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 表面安装 | 8-POWERTDFN | NVMFD5 | MOSFET （金属 o化物） | 3.1W（TA），23W（tc） | 8-dfn（5x6）（SO8FL偶） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | 2832-NVMFD5C478NWFT1G-488 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,500 | 2 n 通道（双） | 40V | 9.8A（ta），27a （TC） | 17mohm @ 7.5a，10v | 3.5V @ 20µA | 6.3nc @ 10V | 325pf @ 25V | - | |
 | IPG20N06S415ATMA2 | 1.3800 | | 5402 | 0.00000000 | Infineon技术 | 汽车，AEC-Q101，Optimos™ | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 表面安装 | 8-Powervdfn | IPG20N | MOSFET （金属 o化物） | 50W | PG-TDSON-8-4 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 5,000 | 2 n 通道（双） | 60V | 20a | 15.5mohm @ 17a，10v | 4V @ 20µA | 29nc @ 10V | 2260pf @ 25V | - | ||
 | EPC2111 | 3.0600 | | 6 | 0.00000000 | EPC | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C〜150°C（TJ） | 表面安装 | 死 | EPC211 | ganfet（n化岩） | - | 死 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 n 通道（半桥） | 30V | 16A（TA） | 19mohm @ 15a，5v，8mohm @ 15a，5v | 2.5V @ 5mA | 2.2nc @ 5V，5.7nc @ 5V | 230pf @ 15V，590pf @ 15V | - | ||
 | IPG20N10S4L22AATMA1 | 1.7600 | | 5357 | 0.00000000 | Infineon技术 | Optimos™ | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 表面安装，可润湿的侧面 | 8-Powervdfn | IPG20N | MOSFET （金属 o化物） | 60W | PG-TDSON-8-10 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 5,000 | 2 n 通道（双） | 100V | 20a | 22mohm @ 17a，10v | 2.1V @ 25µA | 27nc @ 10V | 1755pf @ 25V | 逻辑级别门 | ||
| SI7904DN-T1-GE3 | - | | 7903 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | POWERPAK®1212-8 | SI7904 | MOSFET （金属 o化物） | 1.3W | POWERPAK®1212-8 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 通道（双） | 20V | 5.3a | 30mohm @ 7.7a，4.5V | 1V @ 935µA | 15nc @ 4.5V | - | 逻辑级别门 | ||
| SI7946DP-T1-GE3 | - | | 4183 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | POWERPAK®SO-8 | SI7946 | MOSFET （金属 o化物） | 1.4W | POWERPAK®SO-8 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 通道（双） | 150V | 2.1a | 150mohm @ 3.3a，10v | 4V @ 250µA | 20NC @ 10V | - | 逻辑级别门 | ||
| efc4622r-rwe-tr | - | | 8486 | 0.00000000 | Onmi | - | 大部分 | 过时的 | - | - | - | EFC4622 | - | - | - | - | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | - | - | - | - | - | - | - | - | |||
 | ZXMP6A18DN8TA | 1.5600 | | 4 | 0.00000000 | 二极管合并 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | ZXMP6A18 | MOSFET （金属 o化物） | 1.8W | 8-so | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | 2（p 通道（双） | 60V | 3.7a | 55MOHM @ 3.5A，10V | 1V @ 250µA（250µA） | 44NC @ 10V | 1580pf @ 30V | 逻辑级别门 | ||
 | NDS8858H | - | | 4176 | 0.00000000 | Onmi | - | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | NDS885 | MOSFET （金属 o化物） | 1W | 8-SOIC | 下载 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n和p通道 | 30V | 6.3a，4.8a | 35MOHM @ 4.8A，10V | 2.8V @ 250µA | 30nc @ 10V | 720pf @ 15V | 逻辑级别门 | |||
 | SIL2308-TP | 0.3700 | | 147 | 0.00000000 | 微商业公司 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | SOT-23-6 | SIL2308 | MOSFET （金属 o化物） | - | SOT-23-6L | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n和p通道 | 20V | 5a，4a | 38mohm @ 4.5A，4.5V，90MOHM @ 500mA，4.5V | 1V @ 250µA | 11NC @ 4.5V，12nc @ 2.5V | 800pf，405pf @ 8v，10v | - |
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