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FET，MOSFET（6056）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs （ciss）（最大（ciss） @ vds fet
APTM100H80FT1G Microsemi Corporation APTM100H80FT1G -
RFQ
 ECAD 9861 0.00000000 Microsemi Corporation - 大部分 过时的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 SP1 APTM100 MOSFET （金属 o化物） 208W SP1 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 4（n n 通道（半桥） 1000V （1kV） 11a 960MOHM @ 9A，10V 5V @ 1mA 150nc @ 10V 3876pf @ 25V -
APTC60HM83FT2G Microsemi Corporation APTC60HM83FT2G -
RFQ
 ECAD 4019 0.00000000 Microsemi Corporation coolmos™ 大部分 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 模块 APTC60 MOSFET （金属 o化物） 250W 模块 - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 2 n 通道（半桥） 600V 36a 83mohm @ 18a，10v 5V @ 3mA 255nc @ 10V 7290pf @ 25V -
NTJD2152PT4 onsemi NTJD2152PT4 -
RFQ
 ECAD 1492 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 NTJD21 MOSFET （金属 o化物） 270MW SC-88/SC70-6/SOT-363 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 10,000 2（p 通道（双） 8V 775MA 300MOHM @ 570mA，4.5V 1V @ 250µA 4NC @ 4.5V 225pf @ 8V 逻辑级别门
UPA1764G(0)-E1-AZ Renesas Electronics America Inc UPA1764G（0）-e1-az -
RFQ
 ECAD 2493 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 UPA1764 - 下载 rohs3符合条件 供应商不确定 Ear99 8541.29.0095 3,000 -
CSD87384M Texas Instruments CSD87384M 1.7800
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 ECAD 239 0.00000000 Texas Instruments NexFet™ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 5-lga CSD87384 MOSFET （金属 o化物） 8W 5-ptab（5x3.5） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（半桥） 30V 30a 7.7MOHM @ 25a，8v 1.9V @ 250µA 9.2nc @ 4.5V 1150pf @ 15V 逻辑级别门
DMN5010VAK-7 Diodes Incorporated DMN5010VAK-7 -
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 ECAD 5853 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-563，SOT-666 DMN5010 MOSFET （金属 o化物） 250MW SOT-563 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道（双） 50V 280mA 2ohm @ 50mA，5v 1V @ 250µA - 50pf @ 25V 逻辑级别门
FDMB3900N onsemi FDMB3900N -
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 ECAD 4895 0.00000000 Onmi - 大部分 过时的 FDMB3900 - - 不适用 到达不受影响 过时的 0000.00.0000 1 -
TT8M2TR Rohm Semiconductor tt8m2tr 0.3578
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 ECAD 4924 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 150°C（TJ） 表面安装 8-SMD，平坦的铅 TT8M2 MOSFET （金属 o化物） 1.25W 8-TSST 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n和p通道 30V，20V 2.5a 90MOHM @ 2.5A，4.5V 1.5V @ 1mA 3.2nc @ 4.5V 180pf @ 10V 逻辑级别门
SI4804CDY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4804CDY-T1-GE3 0.7600
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 ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） SI4804 MOSFET （金属 o化物） 3.1W 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（双） 30V 8a 22mohm @ 7.5a，10v 2.4V @ 250µA 23nc @ 10V 865pf @ 15V -
SI6924AEDQ-T1-GE3 Vishay Siliconix SI6924AEDQ-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 9759 0.00000000 Vishay Siliconix - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度） SI6924 MOSFET （金属 o化物） 1W 8-tssop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双）公共排水 28V 4.1a 33mohm @ 4.6A，4.5V 1.5V @ 250µA 10NC @ 4.5V - 逻辑级别门
MSCSM120HRM311AG Microchip Technology MSCSM120HRM311AG 156.8300
RFQ
 ECAD 3496 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 -40°C〜175°C（TJ） 底盘安装 模块 （SIC） 395W（TC），365W （TC） - - 150-MSCSM120HRM311AG 1 （4 n 通道（三级逆变器） 1200V（1.2kV），700V 89A（TC），124A （TC） 31mohm @ 40a，20v，19mohm @ 40a，20v 2.8V @ 3mA，2.4V @ 4mA 232nc @ 20v，215nc @ 20V 3020pf @ 1000V，4500pf @ 700V （SIC）
MSCSM70AM07T3AG Microchip Technology MSCSM70AM07T3AG 283.3800
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 ECAD 2599 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 -40°C〜175°C（TJ） 底盘安装 模块 MSCSM70 （SIC） 988W（TC） - 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 150-MSCSM70AM07T3AG Ear99 8541.29.0095 1 2 n 通道（相腿） 700V 353A（TC） 6.4MOHM @ 120A，20V 2.4V @ 12mA 645nc @ 20V 13500pf @ 700V -
DMN52D0UVA-13 Diodes Incorporated DMN52D0UVA-13 0.4700
RFQ
 ECAD 8081 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-563，SOT-666 DMN52 MOSFET （金属 o化物） 480MW SOT-563 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 10,000 2 n 通道（双） 50V 480ma（ta） 2ohm @ 50mA，5v 1V @ 250µA 1.5NC @ 10V 39pf @ 25V -
APTC60TAM24TPG Microchip Technology APTC60TAM24TPG 351.5525
RFQ
 ECAD 9432 0.00000000 微芯片技术 coolmos™ 托盘 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 SP6 APTC60 MOSFET （金属 o化物） 462W sp6-p 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 6 n通道（3相桥） 600V 95a 24mohm @ 47.5A，10V 3.9V @ 5mA 300NC @ 10V 14400pf @ 25V 超交界处
UPA2375T1P-E1-A Renesas Electronics America Inc UPA2375T1P-E1-A -
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 ECAD 1073 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 表面安装 6-xflga UPA2375 MOSFET （金属 o化物） 1.75W 6-eflip-lga 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 5,000 2 n 通道（双）公共排水 - - - - - - 逻辑水平门，2.5V
DMC2991UDJ-7 Diodes Incorporated DMC2991UDJ-7 0.3700
RFQ
 ECAD 6345 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-963 DMC2991 MOSFET （金属 o化物） 380MW（TA） SOT-963 下载 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 10,000 n和p通道互补 20V 500mA（ta），360mA（ta） 990MOHM @ 100mA，4.5V，1.9OHM @ 100mA，4.5V 1V @ 250µA 0.35nc @ 4.5V，0.3NC @ 4.5V 21.5pf @ 15V，17pf @ 16V -
EPC2105 EPC EPC2105 8.7500
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 EPC Egan® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 表面安装 死 EPC210 ganfet（n化岩） - 死 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 500 2 n 通道（半桥） 80V 9.5a，38a 14.5mohm @ 20a，5v，3.4MOHM @ 20a，5v 2.5V @ 2.5mA，2.5V @ 10mA 2.5nc @ 5v，10nc @ 5v 300pf @ 40V，1100pf @ 40V -
ALD110908SAL Advanced Linear Devices Inc. ALD110908SAL 4.7014
RFQ
 ECAD 2643 0.00000000 高级线性设备公司 epad® 管子 积极的 0°C 〜70°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） ALD110908 MOSFET （金属 o化物） 500MW 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 1014-1041 Ear99 8541.21.0095 50 2（n n 通道（双） 10.6V 12mA，3mA 500OHM @ 4.8V 820mv @ 1µA - 2.5pf @ 5V -
NVMFD5485NLWFT1G onsemi NVMFD5485NLWFT1G 1.2055
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 ECAD 7009 0.00000000 Onmi 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 8-POWERTDFN NVMFD5483 MOSFET （金属 o化物） 2.9W 8-dfn（5x6）（SO8FL偶） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,500 2 n 通道（双） 60V 5.3a 44mohm @ 15a，10v 2.5V @ 250µA 20NC @ 10V 560pf @ 25V 逻辑级别门
NVMD3P03R2G Fairchild Semiconductor NVMD3P03R2G -
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 ECAD 3256 0.00000000 Fairchild半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） NVMD3 MOSFET （金属 o化物） 730MW（TA） 8-SOIC 下载 Ear99 8542.39.0001 1 2（p 通道（双） 30V 2.34a（TJ） 85MOHM @ 3.05a，10V 2.5V @ 250µA 25nc @ 10V 750pf @ 24V -
CAS530M12BM3 Wolfspeed, Inc. CAS530M12BM3 947.7000
RFQ
 ECAD 2946 0.00000000 Wolfspeed，Inc。 - 盒子 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 模块 CAS530 （SIC） - - 下载 不适用 Ear99 8541.29.0095 1 2 n 通道（双）公共来源 1200V（1.2kV） 630a（TC） 3.47mohm @ 530a，15v 3.6V @ 127mA 1362nc @ 15V 38900pf @ 800V -
AO7600 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AO7600 -
RFQ
 ECAD 4091 0.00000000 Alpha＆欧米茄半导体公司 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 AO760 MOSFET （金属 o化物） 300MW SC-70-6 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 n和p通道 20V 900mA，600mA 300MOHM @ 900mA，4.5V 900mv @ 250µA 1.9nc @ 4.5V 120pf @ 10V 逻辑级别门
2SK4085LS-CBC11 onsemi 2SK4085LS-CBC11 1.2800
RFQ
 ECAD 239 0.00000000 Onmi * 大部分 积极的 2SK4085 - 下载 不适用 （1 （无限） 供应商不确定 Ear99 8541.29.0095 1 -
SI5903DC-T1-E3 Vishay Siliconix SI5903DC-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 3675 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-SMD，平坦的铅 SI5903 MOSFET （金属 o化物） 1.1W 1206-8 chipfet™ 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2（p 通道（双） 20V 2.1a 155mohm @ 2.1a，4.5V 600mv @ 250µA（250µA）） 6NC @ 4.5V - 逻辑级别门
SI7214DN-T1-E3 Vishay Siliconix SI7214DN-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 1688年 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 POWERPAK®1212-8 SI7214 MOSFET （金属 o化物） 1.3W POWERPAK®1212-8 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 30V 4.6a 40mohm @ 6.4a，10v 3V @ 250µA 6.5nc @ 4.5V - 逻辑级别门
APTML202UM18R010T3AG Microsemi Corporation APTML202UM18R010T3AG -
RFQ
 ECAD 7447 0.00000000 Microsemi Corporation - 大部分 过时的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 SP3 APTML202 MOSFET （金属 o化物） 480W SP3 - （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 2 n 通道（双） 200V 109a（TC） 19mohm @ 50a，10v 4V @ 2.5mA - 9880pf @ 25V -
PMGD175XNEX Nexperia USA Inc. PMGD175XNEX 0.4400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 PMGD175 MOSFET （金属 o化物） 260MW（TA） 6-TSSOP 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道（双） 30V 870ma（ta） 252MOHM @ 900mA，4.5V 1.25V @ 250µA 1.65nc @ 4.5V 81pf @ 15V -
RJM0603JSC-00#13 Renesas Electronics America Inc RJM0603JSC-00 ＃13 -
RFQ
 ECAD 7417 0.00000000 Renesas Electronics America Inc 汽车，AEC-Q101 - 过时的 175°C 表面安装 20-SOIC （0.433英寸，11.00mm宽度） RJM0603 MOSFET （金属 o化物） 54W 20-hsop - rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 1 3n和3p 通道（3相桥） 60V 20a 20mohm @ 10a，10v 2.5V @ 1mA 43nc @ 10V 2600pf @ 10V 逻辑级别门，4.5V驱动器
FDS6975 onsemi FDS6975 1.4700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Onmi PowerTrench® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） FDS69 MOSFET （金属 o化物） 900MW 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 2,500 2（p 通道（双） 30V 6a 32MOHM @ 6A，10V 3V @ 250µA 20nc @ 5V 1540pf @ 15V 逻辑级别门
DMC3026LSD-13 Diodes Incorporated DMC3026LSD-13 0.6600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 二极管合并 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） DMC3026 MOSFET （金属 o化物） 1.6W 8-so 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n和p通道互补 30V 8.2a（ta），8a ta（8a ta） 25mohm @ 6a，10v，28mohm @ 6a，10v 3V @ 250µA 6NC @ 4.5V，10.9nc @ 4.5V 641pf @ 15V，1241pf @ 15V -
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    2000+

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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