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FET，MOSFET（6056）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs （ciss）（最大（ciss） @ vds fet
FDS4895C Fairchild Semiconductor FDS4895C 1.0000
RFQ
 ECAD 5000 0.00000000 Fairchild半导体 PowerTrench® 大部分 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） FDS48 MOSFET （金属 o化物） 900MW 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 Ear99 8541.21.0095 2,500 n和p通道 40V 5.5a，4.4a 39mohm @ 5.5A，10V 5V @ 250µA 10NC @ 10V 410pf @ 20V -
NVMJD015N06CLTWG onsemi NVMJD015N06CLTWG 0.7189
RFQ
 ECAD 9564 0.00000000 Onmi 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 SOT-12205，8-LFPAK56 NVMJD015 - 3.1W（37W），37W（tc） 8-lfpak 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 488-NVMJD015N06CLTWGTR Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 60V 10.1a（ta），35a tc） 14.4mohm @ 17a，10v 2.2V @ 25µA 9.4NC @ 10V 643pf @ 30V -
TSM250NB06DCR RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM250NB06DCR RLG 2.6000
RFQ
 ECAD 17 0.00000000 台湾半导体公司 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-POWERTDFN TSM250 MOSFET （金属 o化物） 2W（TA），48W（tc） 8-pdfn（5x6） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（双） 60V （7a ta），30a （TC） 25mohm @ 7a，10v 4V @ 250µA 22nc @ 10V 1461pf @ 30V -
MSCSM120AM042CD3AG Microchip Technology MSCSM120AM042CD3AG 936.0500
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 微芯片技术 - 盒子 积极的 -40°C〜175°C（TJ） 底盘安装 模块 MSCSM120 （SIC） 2.031kW（TC） D3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 150-MSCSM120AM042CD3AG Ear99 8541.29.0095 1 2 n 通道（相腿） 1200V（1.2kV） 495a（TC） 5.2MOHM @ 240A，20V 2.8V @ 6mA 1392NC @ 20V 18.1pf @ 1000V -
ZXMD65P02N8TA Diodes Incorporated ZXMD65P02N8TA -
RFQ
 ECAD 7395 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 - 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） ZXMD65P02 MOSFET （金属 o化物） 1.75W 8-so 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 500 2（p 通道（双） 20V 4a 50mohm @ 2.9a，4.5V 700mv @ 250µA（250µA）） 20NC @ 4.5V 960pf @ 15V -
NTMFD5C680NLT1G onsemi NTMFD5C680NLT1G 2.9300
RFQ
 ECAD 8515 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 8-POWERTDFN NTMFD5 MOSFET （金属 o化物） 3W（TA），19w（tc） 8-dfn（5x6）（SO8FL偶） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,500 2 n 通道（双） 60V 7.5a（ta），26a（tc） 28mohm @ 5a，10v 2.2V @ 13µA 5NC @ 10V 350pf @ 25V -
SQJ910AEP-T1_GE3 Vishay Siliconix SQJ910AEP-T1_GE3 1.4100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix 汽车，AEC-Q101，Trenchfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 POWERPAK®SO-8 SQJ910 MOSFET （金属 o化物） 48W POWERPAK®SO-8 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 30V 30A（TC） 7mohm @ 12a，10v 2.5V @ 250µA 39nc @ 10V 1869pf @ 15V -
TQM150NB04DCR RLG Taiwan Semiconductor Corporation TQM150NB04DCR RLG 3.1900
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 台湾半导体公司 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装，可润湿的侧面 8-POWERTDFN TQM150 MOSFET （金属 o化物） 2.4W（ta），48W（tc） 8-pdfnu（5x6） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（双） 40V （9A）（ta），39A （TC） 15mohm @ 9a，10v 4V @ 250µA 18NC @ 10V 1135pf @ 20V -
AOE6920 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOE6920 -
RFQ
 ECAD 9473 0.00000000 Alpha＆欧米茄半导体公司 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 AOE692 - - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 785-AOE6920TR 过时的 3,000 -
SI5933CDC-T1-GE3 Vishay Siliconix SI5933CDC-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 9300 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-SMD，平坦的铅 SI5933 MOSFET （金属 o化物） 2.8W 1206-8 chipfet™ 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2（p 通道（双） 20V 3.7a 144mohm @ 2.5a，4.5V 1V @ 250µA 6.8NC @ 5V 276pf @ 10V -
DMP58D1LV-13 Diodes Incorporated DMP58D1LV-13 0.4100
RFQ
 ECAD 6952 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-563，SOT-666 DMP58 MOSFET （金属 o化物） 490MW（TA） SOT-563 - rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 10,000 2（p 通道（双） 50V 220mA（ta） 8ohm @ 100mA，5v 2V @ 250µA 1.2NC @ 10V 37pf @ 25V 标准
IRF5810TR Infineon Technologies IRF5810TR -
RFQ
 ECAD 7775 0.00000000 Infineon技术 Hexfet® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-23-6薄，TSOT-23-6 IRF58 MOSFET （金属 o化物） 960MW 6-TSOP 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2（p 通道（双） 20V 2.9a 90MOHM @ 2.9a，4.5V 1.2V @ 250µA 9.6nc @ 4.5V 650pf @ 16V 逻辑级别门
RJK03K3DPA-00#J5A Renesas Electronics America Inc RJK03K3DPA-00＃j5a 0.5100
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Renesas Electronics America Inc * 大部分 积极的 RJK03K3 - - 不适用 （1 （无限） 供应商不确定 Ear99 8542.39.0001 3,000 -
BSM400D12P3G002 Rohm Semiconductor BSM400D12P3G002 1.0000
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Rohm半导体 - 大部分 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 模块 BSM400 （SIC） 1570W（TC） 模块 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 846-BSM400D12P3G002 Ear99 8541.29.0095 4 2 n 通道（半桥） 1200V（1.2kV） 400A（TC） - 5.6V @ 109.2mA - 17000pf @ 10V -
VMM300-03F IXYS VMM300-03F -
RFQ
 ECAD 4646 0.00000000 ixys Hiperfet™ 盒子 过时的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 Y3-DCB VMM300 MOSFET （金属 o化物） 1500W Y3-DCB 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2 2 n 通道（双） 300V 290a 8.6mohm @ 145a，10v 4V @ 30mA 1440NC @ 10V 40000pf @ 25V -
TPCP8407,LF Toshiba Semiconductor and Storage TPCP8407，LF 0.7400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C 表面安装 8-SMD，平坦的铅 TPCP8407 MOSFET （金属 o化物） 690MW（TA） PS-8 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 264-TPCP8407LFCT Ear99 8541.21.0095 3,000 n和p通道 40V （5a ta），4a ta（4a ta） 36.3mohm @ 2.5a，10v，56.8mohm @ 2a，10v 3V @ 1mA 11.8nc @ 10v，18nc @ 10v 505pf @ 10V，810pf @ 10V -
SQ4532AEY-T1_GE3 Vishay Siliconix SQ4532AEY-T1_GE3 0.8800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix 汽车，AEC-Q101，Trenchfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） SQ4532 MOSFET （金属 o化物） 3.3W 8-SOIC 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 2,500 n和p通道 30V 7.3A（TC），5.3a tc） 31mohm @ 4.9a，10v，70Mohm @ 3.5a，10v 2.5V @ 250µA 7.8NC @ 10V，10.2NC @ 10V 535pf @ 15V，528pf @ 15V -
FDMS9600S onsemi FDMS9600S 2.4900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Onmi PowerTrench® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Powerwdfn FDMS9600 MOSFET （金属 o化物） 1W 8-MLP（5x6），Power56 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 30V 12a，16a 8.5mohm @ 12a，10v 3V @ 250µA 13nc @ 4.5V 1705pf @ 15V 逻辑级别门
SSM6L16FETE85LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6L16FETE85LF 0.3800
RFQ
 ECAD 29 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 150°C（TA） 表面安装 SOT-563，SOT-666 SSM6L16 MOSFET （金属 o化物） 150MW ES6 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 4,000 n和p通道 20V 100mA 3ohm @ 10mA，4V 1.1V @ 100µA - 9.3pf @ 3V -
APTM50AM35FTG Microchip Technology APTM50AM35FTG 186.1014
RFQ
 ECAD 7642 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 SP4 APTM50 MOSFET （金属 o化物） 781W SP4 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 2 n 通道（半桥） 500V 99a 39mohm @ 49.5a，10v 5V @ 5mA 280NC @ 10V 14000pf @ 25V -
FDC6020C_F077 onsemi FDC6020C_F077 -
RFQ
 ECAD 1062 0.00000000 Onmi PowerTrench® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-SSOT平高，Supersot™-6 FLMP FDC6020 MOSFET （金属 o化物） 1.2W supersot™-6 flmp 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n和p通道 20V 5.9a，4.2a 27mohm @ 5.9a，4.5V 1.5V @ 250µA 8NC @ 4.5V 677pf @ 10V 逻辑级别门
2SK2596BXTL-E Renesas Electronics America Inc 2SK2596BXTL-E 1.9000
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Renesas Electronics America Inc * 大部分 积极的 2SK2596 - 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 0000.00.0000 1,000 -
ZXMD63N02XTA Diodes Incorporated ZXMD63N02XTA -
RFQ
 ECAD 2892 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-tssop，8-msop（0.118英寸，3.00mm宽度） ZXMD63 MOSFET （金属 o化物） 1.04W 8-msop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 2 n 通道（双） 20V 2.5a 130MOHM @ 1.7A，4.5V 3V @ 250µA 6NC @ 4.5V 700pf @ 15V 逻辑级别门
FF17MR12W1M1HB70BPSA1 Infineon Technologies FF17MR12W1M1HB70BPSA1 148.3900
RFQ
 ECAD 24 0.00000000 Infineon技术 COOLSIC™ 托盘 积极的 - 底盘安装 模块 FF17MR12 MOSFET （金属 o化物） - ag-easy1b - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 24 - 1200V（1.2kV） - - - - - -
NTLJD2104PTAG onsemi NTLJD2104PTAG -
RFQ
 ECAD 2357 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-WDFN暴露垫 NTLJD21 MOSFET （金属 o化物） 700MW 6-WDFN（2x2） 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2（p 通道（双） 12V 2.4a 90MOHM @ 3A，4.5V 800MV @ 250µA 8NC @ 4.5V 467pf @ 6V 逻辑级别门
ALD110802SCL Advanced Linear Devices Inc. ALD110802SCL 5.8548
RFQ
 ECAD 7664 0.00000000 高级线性设备公司 epad® 管子 积极的 0°C 〜70°C（TJ） 表面安装 16-Soic（0.154英寸，宽度为3.90mm） ALD110802 MOSFET （金属 o化物） 500MW 16-Soic 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 1014-1021 Ear99 8541.21.0095 50 4 n n通道，匹配对 10.6V - 500OHM @ 4.2V 220mv @ 1µA - 2.5pf @ 5V -
MSCSM70HM05CAG Microchip Technology MSCSM70HM05CAG 792.4000
RFQ
 ECAD 3596 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 MSCSM70 - - rohs3符合条件 到达不受影响 150-MSCSM70HM05CAG Ear99 8541.29.0095 1 -
DF14MR12W1M1HFB67BPSA1 Infineon Technologies DF14MR12W1M1HFB67BPSA1 158.8800
RFQ
 ECAD 24 0.00000000 Infineon技术 COOLSIC™ 托盘 积极的 - 底盘安装 模块 DF14MR12 MOSFET （金属 o化物） - ag-easy1b 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 24 - 1200V（1.2kV） - - - - - -
DMN63D1LV-7 Diodes Incorporated DMN63D1LV-7 0.1474
RFQ
 ECAD 9517 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-563，SOT-666 DMN63 MOSFET （金属 o化物） 940MW SOT-563 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道（双） 60V 550mA（ta） 2ohm @ 500mA，10v 2.5V @ 1mA 0.392NC @ 4.5V 30pf @ 25V -
DMN2053UVTQ-7 Diodes Incorporated DMN2053UVTQ-7 0.1020
RFQ
 ECAD 7054 0.00000000 二极管合并 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-23-6薄，TSOT-23-6 DMN2053 MOSFET （金属 o化物） 700MW（TA） TSOT-26 下载 到达不受影响 31-DMN2053UVTQ-7TR Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 20V 4.6a（ta） 35mohm @ 5A，4.5V 1V @ 250µA 3.6nc @ 4.5V 369pf @ 10V -
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    2000+

    每日平均RFQ量

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    30,000,000

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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