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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | (VDSS) | 电流 -id(ID) @ 25°C | RDS(最大值) @ ID,VGS | VGS(TH)(最大) @ ID | (QG))(最大) @ vgs | (ciss)(最大(ciss) @ vds | fet |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FDW2501NZ | - | ![]() | 6691 | 0.00000000 | Onmi | PowerTrench® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-TSSOP (0.173英寸,4.40mm宽度) | FDW25 | MOSFET (金属 o化物) | 600MW | 8-tssop | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 2,500 | 2 n 通道(双) | 20V | 5.5a | 18mohm @ 5.5a,4.5V | 1.5V @ 250µA | 17nc @ 4.5V | 1286pf @ 10V | 逻辑级别门 | ||||
![]() | KGF6N05D-400 | - | ![]() | 6341 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 大部分 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 20-uflga,Csp | kgf6 | MOSFET (金属 o化物) | 2.5W(TA) | 20-WLCSP (2.48x1.17) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 n 通道(双)公共来源 | 5.5V | 12a(12a) | 3mohm @ 6a,4.5V | 900mv @ 250µA | 4NC @ 3.5V | 630pf @ 5.5V | - | |||
![]() | FX205-TL-E | 0.5200 | ![]() | 25 | 0.00000000 | Sanyo | * | 大部分 | 积极的 | FX205 | - | - | 不适用 | (1 (无限) | 供应商不确定 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,000 | - | ||||||||||||||
![]() | cmxdm7002a bk pbfree | - | ![]() | 5002 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SOT-23-6 | CMXDM7002 | MOSFET (金属 o化物) | 350MW(TA) | SOT-26 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 1514-CMXDM7002ABKPBFRE | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,500 | 2 n 通道(双) | 60V | 280mA(TA) | 2ohm @ 500mA,10v | 2.5V @ 250µA | 0.592NC @ 4.5V | 50pf @ 25V | - | ||
![]() | JAN2N7335 | - | ![]() | 9634 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | 军事,MIL-PRF-19500/599 | 大部分 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 14 浸(0.300英寸,7.62mm) | 2N733 | MOSFET (金属 o化物) | 1.4W | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 4个p通道 | 100V | 750mA | 1.4OHM @ 500mA,10V | 4V @ 250µA | - | - | - | |||
![]() | FW906-TL-E | - | ![]() | 4336 | 0.00000000 | Onmi | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | 8-SOIC (0.173“,4.40mm宽度) | FW906 | MOSFET (金属 o化物) | 2.5W | 8-sop | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n和p通道 | 30V | 8a,6a | 24mohm @ 8a,10v | - | 12nc @ 10V | 690pf @ 10V | 逻辑级别门 | |||
![]() | IRF9910pbf | - | ![]() | 1179 | 0.00000000 | Infineon技术 | Hexfet® | 管子 | 在sic中停产 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | IRF99 | MOSFET (金属 o化物) | 2W | 8-so | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 95 | 2 n 通道(双) | 20V | 10a,12a | 13.4mohm @ 10a,10v | 2.55V @ 250µA | 11NC @ 4.5V | 900pf @ 10V | 逻辑级别门 | ||
CAS325M12HM2 | - | ![]() | 2308 | 0.00000000 | Wolfspeed,Inc。 | Z-Rec™ | 大部分 | 过时的 | 175°C(TJ) | 模块 | CAS325 | (SIC) | 3000W | 模块 | 下载 | Rohs符合条件 | 不适用 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 n 通道(半桥) | 1200V(1.2kV) | 444a(TC) | 4.3MOHM @ 400A,20V | 4V @ 105mA | 1127nc @ 20V | 19500pf @ 1000V | - | |||||
![]() | 2N7002DW-7-F-79 | - | ![]() | 1541年 | 0.00000000 | 二极管合并 | * | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 2N7002 | - | - | (1 (无限) | 到达不受影响 | 2N7002DW-7-F-79DI | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | - | ||||||||||||||
![]() | ALD210800ASCL | 8.7200 | ![]() | 30 | 0.00000000 | 高级线性设备公司 | EPAD®,零阈值™ | 管子 | 积极的 | 0°C 〜70°C(TJ) | 表面安装 | 16-Soic(0.154英寸,宽度为3.90mm) | ALD210800 | MOSFET (金属 o化物) | 500MW | 16-Soic | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 1014-1214 | Ear99 | 8541.21.0095 | 50 | 4 n n通道,匹配对 | 10.6V | 80mA | 25欧姆 | 10MV @ 10µA | - | 15pf @ 5V | 逻辑级别门 | |
![]() | TMC1420-LA | - | ![]() | 1622 | 0.00000000 | Trinamic Motion Control GmbH | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-POWERTDFN | TMC1420 | MOSFET (金属 o化物) | 3.57W | PQFN(5x6) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n和p通道 | 40V | 8.8a,7.3a | 26.5MOHM @ 7A,10V | 3V @ 250µA | 11.2nc @ 4.5V | 1050pf @ 15V | - | |||
![]() | SI4204DY-T1-GE3 | 1.8900 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | SI4204 | MOSFET (金属 o化物) | 3.25W | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 n 通道(双) | 20V | 19.8a | 4.6mohm @ 10a,10v | 2.4V @ 250µA | 45nc @ 10V | 2110pf @ 10V | - | |||
![]() | OP528,005 | 0.1922 | ![]() | 7196 | 0.00000000 | Ween半导体 | * | 托盘 | 积极的 | OP528 | - | - | (1 (无限) | 0000.00.0000 | 1 | - | |||||||||||||||||
![]() | AON4605_001 | - | ![]() | 9788 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-SMD,平坦的铅 | AON460 | MOSFET (金属 o化物) | 1.9W | 8-DFN (3x2) | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | n和p通道 | 30V | 4.3a,3.4a | 50mohm @ 4.3a,10V | 2.5V @ 250µA | 5NC @ 10V | 210pf @ 15V | 逻辑级别门 | |||
![]() | VKM60-01P1 | 66.2520 | ![]() | 6337 | 0.00000000 | ixys | Hiperfet™ | 盒子 | 不适合新设计 | -40°C〜150°C(TJ) | 通过洞 | Eco-PAC2 | VKM60 | MOSFET (金属 o化物) | 300W | Eco-PAC2 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | VKM 60-01 P1 | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | 4(n n 通道(半桥) | 100V | 75a | 25mohm @ 500mA,10v | 4V @ 4mA | 260NC @ 10V | 4500pf @ 25V | - | |
![]() | SI4936BDY-T1-GE3 | 1.3200 | ![]() | 14 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | SI4936 | MOSFET (金属 o化物) | 2.8W | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 n 通道(双) | 30V | 6.9a | 35mohm @ 5.9a,10v | 3V @ 250µA | 15nc @ 10V | 530pf @ 15V | 逻辑级别门 | |||
![]() | BUK7K13-60EX | 1.6200 | ![]() | 2142 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 汽车,AEC-Q100 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | SOT-12205,8-LFPAK56 | buk7k13 | MOSFET (金属 o化物) | 64W | LFPAK56D | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,500 | 2 n 通道(双) | 60V | 40a | 10mohm @ 10a,10v | 4V @ 1mA | 30.1nc @ 10V | 2163pf @ 25V | - | ||
![]() | SSM6P54TU,LF | 0.4100 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C | 表面安装 | 6-SMD,平坦的铅 | SSM6P54 | MOSFET (金属 o化物) | 500MW(TA) | UF6 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2(p 通道(双) | 20V | 1.2A(TA) | 228mohm @ 600mA,2.5V | 1V @ 1mA | 7.7nc @ 4V | 331pf @ 10V | 逻辑级别门,1.5V | |||
![]() | 6LN04CH-TL-E | 0.0600 | ![]() | 15 | 0.00000000 | Sanyo | * | 大部分 | 积极的 | 6LN04 | - | 下载 | 不适用 | (1 (无限) | 供应商不确定 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | - | ||||||||||||||
CSD87381P | 0.9400 | ![]() | 16 | 0.00000000 | Texas Instruments | NexFet™ | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 5-lga | CSD87381 | MOSFET (金属 o化物) | 4W | 5-PTAB(((((((((( | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 n 通道(半桥) | 30V | 15a | 16.3mohm @ 8a,8v | 1.9V @ 250µA | 5NC @ 4.5V | 564pf @ 15V | 逻辑级别门 | |||
MMDF3N04HDR2G | - | ![]() | 3061 | 0.00000000 | Onmi | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | MMDF3 | MOSFET (金属 o化物) | 1.39W | 8-SOIC | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 n 通道(双) | 40V | 3.4a | 80MOHM @ 3.4A,10V | 3V @ 250µA | 28nc @ 10V | 900pf @ 32V | 逻辑级别门 | ||||
![]() | FDS4895C | 1.0000 | ![]() | 5000 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | PowerTrench® | 大部分 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | FDS48 | MOSFET (金属 o化物) | 900MW | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8541.21.0095 | 2,500 | n和p通道 | 40V | 5.5a,4.4a | 39mohm @ 5.5A,10V | 5V @ 250µA | 10NC @ 10V | 410pf @ 20V | - | ||||
![]() | NVMJD015N06CLTWG | 0.7189 | ![]() | 9564 | 0.00000000 | Onmi | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | SOT-12205,8-LFPAK56 | NVMJD015 | - | 3.1W(37W),37W(tc) | 8-lfpak | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 488-NVMJD015N06CLTWGTR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 通道(双) | 60V | 10.1a(ta),35a tc) | 14.4mohm @ 17a,10v | 2.2V @ 25µA | 9.4NC @ 10V | 643pf @ 30V | - | |
![]() | TSM250NB06DCR RLG | 2.6000 | ![]() | 17 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-POWERTDFN | TSM250 | MOSFET (金属 o化物) | 2W(TA),48W(tc) | 8-pdfn(5x6) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 n 通道(双) | 60V | (7a ta),30a (TC) | 25mohm @ 7a,10v | 4V @ 250µA | 22nc @ 10V | 1461pf @ 30V | - | ||
![]() | MSCSM120AM042CD3AG | 936.0500 | ![]() | 9 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 盒子 | 积极的 | -40°C〜175°C(TJ) | 底盘安装 | 模块 | MSCSM120 | (SIC) | 2.031kW(TC) | D3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 150-MSCSM120AM042CD3AG | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 n 通道(相腿) | 1200V(1.2kV) | 495a(TC) | 5.2MOHM @ 240A,20V | 2.8V @ 6mA | 1392NC @ 20V | 18.1pf @ 1000V | - | |
![]() | ZXMD65P02N8TA | - | ![]() | 7395 | 0.00000000 | 二极管合并 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | - | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | ZXMD65P02 | MOSFET (金属 o化物) | 1.75W | 8-so | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | 2(p 通道(双) | 20V | 4a | 50mohm @ 2.9a,4.5V | 700mv @ 250µA(250µA)) | 20NC @ 4.5V | 960pf @ 15V | - | |||
![]() | NTMFD5C680NLT1G | 2.9300 | ![]() | 8515 | 0.00000000 | Onmi | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | 8-POWERTDFN | NTMFD5 | MOSFET (金属 o化物) | 3W(TA),19w(tc) | 8-dfn(5x6)(SO8FL偶) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,500 | 2 n 通道(双) | 60V | 7.5a(ta),26a(tc) | 28mohm @ 5a,10v | 2.2V @ 13µA | 5NC @ 10V | 350pf @ 25V | - | ||
SQJ910AEP-T1_GE3 | 1.4100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 汽车,AEC-Q101,Trenchfet® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | POWERPAK®SO-8 | SQJ910 | MOSFET (金属 o化物) | 48W | POWERPAK®SO-8 | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 通道(双) | 30V | 30A(TC) | 7mohm @ 12a,10v | 2.5V @ 250µA | 39nc @ 10V | 1869pf @ 15V | - | |||||
![]() | TQM150NB04DCR RLG | 3.1900 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装,可润湿的侧面 | 8-POWERTDFN | TQM150 | MOSFET (金属 o化物) | 2.4W(ta),48W(tc) | 8-pdfnu(5x6) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 n 通道(双) | 40V | (9A)(ta),39A (TC) | 15mohm @ 9a,10v | 4V @ 250µA | 18NC @ 10V | 1135pf @ 20V | - | ||
![]() | AOE6920 | - | ![]() | 9473 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | AOE692 | - | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 785-AOE6920TR | 过时的 | 3,000 | - |
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