SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 (VDSS) 电流 -id(ID) @ 25°C RDS(最大值) @ ID,VGS VGS(TH)(最大) @ ID (QG))(最大) @ vgs (ciss)(最大(ciss) @ vds fet
FDW2501NZ onsemi FDW2501NZ -
RFQ
ECAD 6691 0.00000000 Onmi PowerTrench® 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-TSSOP (0.173英寸,4.40mm宽度) FDW25 MOSFET (金属 o化物) 600MW 8-tssop 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 2,500 2 n 通道(双) 20V 5.5a 18mohm @ 5.5a,4.5V 1.5V @ 250µA 17nc @ 4.5V 1286pf @ 10V 逻辑级别门
KGF6N05D-400 Renesas Electronics America Inc KGF6N05D-400 -
RFQ
ECAD 6341 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 大部分 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 20-uflga,Csp kgf6 MOSFET (金属 o化物) 2.5W(TA) 20-WLCSP (2.48x1.17) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 1 2 n 通道(双)公共来源 5.5V 12a(12a) 3mohm @ 6a,4.5V 900mv @ 250µA 4NC @ 3.5V 630pf @ 5.5V -
FX205-TL-E Sanyo FX205-TL-E 0.5200
RFQ
ECAD 25 0.00000000 Sanyo * 大部分 积极的 FX205 - - 不适用 (1 (无限) 供应商不确定 Ear99 8542.39.0001 1,000 -
CMXDM7002A BK PBFREE Central Semiconductor Corp cmxdm7002a bk pbfree -
RFQ
ECAD 5002 0.00000000 中央半导体公司 - 大部分 过时的 -65°C 〜150°C(TJ) 表面安装 SOT-23-6 CMXDM7002 MOSFET (金属 o化物) 350MW(TA) SOT-26 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 1514-CMXDM7002ABKPBFRE Ear99 8541.21.0095 3,500 2 n 通道(双) 60V 280mA(TA) 2ohm @ 500mA,10v 2.5V @ 250µA 0.592NC @ 4.5V 50pf @ 25V -
JAN2N7335 Microsemi Corporation JAN2N7335 -
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ECAD 9634 0.00000000 Microsemi Corporation 军事,MIL-PRF-19500/599 大部分 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 14 浸(0.300英寸,7.62mm) 2N733 MOSFET (金属 o化物) 1.4W 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 4个p通道 100V 750mA 1.4OHM @ 500mA,10V 4V @ 250µA - - -
FW906-TL-E onsemi FW906-TL-E -
RFQ
ECAD 4336 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 过时的 150°C(TJ) 表面安装 8-SOIC (0.173“,4.40mm宽度) FW906 MOSFET (金属 o化物) 2.5W 8-sop 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 n和p通道 30V 8a,6a 24mohm @ 8a,10v - 12nc @ 10V 690pf @ 10V 逻辑级别门
IRF9910PBF Infineon Technologies IRF9910pbf -
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ECAD 1179 0.00000000 Infineon技术 Hexfet® 管子 在sic中停产 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) IRF99 MOSFET (金属 o化物) 2W 8-so 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 95 2 n 通道(双) 20V 10a,12a 13.4mohm @ 10a,10v 2.55V @ 250µA 11NC @ 4.5V 900pf @ 10V 逻辑级别门
CAS325M12HM2 Wolfspeed, Inc. CAS325M12HM2 -
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ECAD 2308 0.00000000 Wolfspeed,Inc。 Z-Rec™ 大部分 过时的 175°C(TJ) 模块 CAS325 (SIC) 3000W 模块 下载 Rohs符合条件 不适用 Ear99 8541.29.0095 1 2 n 通道(半桥) 1200V(1.2kV) 444a(TC) 4.3MOHM @ 400A,20V 4V @ 105mA 1127nc @ 20V 19500pf @ 1000V -
2N7002DW-7-F-79 Diodes Incorporated 2N7002DW-7-F-79 -
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ECAD 1541年 0.00000000 二极管合并 * 胶带和卷轴((tr) 积极的 2N7002 - - (1 (无限) 到达不受影响 2N7002DW-7-F-79DI Ear99 8541.21.0095 3,000 -
ALD210800ASCL Advanced Linear Devices Inc. ALD210800ASCL 8.7200
RFQ
ECAD 30 0.00000000 高级线性设备公司 EPAD®,零阈值™ 管子 积极的 0°C 〜70°C(TJ) 表面安装 16-Soic(0.154英寸,宽度为3.90mm) ALD210800 MOSFET (金属 o化物) 500MW 16-Soic 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 1014-1214 Ear99 8541.21.0095 50 4 n n通道,匹配对 10.6V 80mA 25欧姆 10MV @ 10µA - 15pf @ 5V 逻辑级别门
TMC1420-LA Trinamic Motion Control GmbH TMC1420-LA -
RFQ
ECAD 1622 0.00000000 Trinamic Motion Control GmbH - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-POWERTDFN TMC1420 MOSFET (金属 o化物) 3.57W PQFN(5x6) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 3,000 n和p通道 40V 8.8a,7.3a 26.5MOHM @ 7A,10V 3V @ 250µA 11.2nc @ 4.5V 1050pf @ 15V -
SI4204DY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4204DY-T1-GE3 1.8900
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) SI4204 MOSFET (金属 o化物) 3.25W 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道(双) 20V 19.8a 4.6mohm @ 10a,10v 2.4V @ 250µA 45nc @ 10V 2110pf @ 10V -
OP528,005 WeEn Semiconductors OP528,005 0.1922
RFQ
ECAD 7196 0.00000000 Ween半导体 * 托盘 积极的 OP528 - - (1 (无限) 0000.00.0000 1 -
AON4605_001 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AON4605_001 -
RFQ
ECAD 9788 0.00000000 Alpha&欧米茄半导体公司 - 大部分 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-SMD,平坦的铅 AON460 MOSFET (金属 o化物) 1.9W 8-DFN (3x2) 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 n和p通道 30V 4.3a,3.4a 50mohm @ 4.3a,10V 2.5V @ 250µA 5NC @ 10V 210pf @ 15V 逻辑级别门
VKM60-01P1 IXYS VKM60-01P1 66.2520
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ECAD 6337 0.00000000 ixys Hiperfet™ 盒子 不适合新设计 -40°C〜150°C(TJ) 通过洞 Eco-PAC2 VKM60 MOSFET (金属 o化物) 300W Eco-PAC2 - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VKM 60-01 P1 Ear99 8541.29.0095 25 4(n n 通道(半桥) 100V 75a 25mohm @ 500mA,10v 4V @ 4mA 260NC @ 10V 4500pf @ 25V -
SI4936BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4936BDY-T1-GE3 1.3200
RFQ
ECAD 14 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) SI4936 MOSFET (金属 o化物) 2.8W 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道(双) 30V 6.9a 35mohm @ 5.9a,10v 3V @ 250µA 15nc @ 10V 530pf @ 15V 逻辑级别门
BUK7K13-60EX Nexperia USA Inc. BUK7K13-60EX 1.6200
RFQ
ECAD 2142 0.00000000 Nexperia USA Inc. 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 SOT-12205,8-LFPAK56 buk7k13 MOSFET (金属 o化物) 64W LFPAK56D 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,500 2 n 通道(双) 60V 40a 10mohm @ 10a,10v 4V @ 1mA 30.1nc @ 10V 2163pf @ 25V -
SSM6P54TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6P54TU,LF 0.4100
RFQ
ECAD 1 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 150°C 表面安装 6-SMD,平坦的铅 SSM6P54 MOSFET (金属 o化物) 500MW(TA) UF6 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.21.0095 3,000 2(p 通道(双) 20V 1.2A(TA) 228mohm @ 600mA,2.5V 1V @ 1mA 7.7nc @ 4V 331pf @ 10V 逻辑级别门,1.5V
6LN04CH-TL-E Sanyo 6LN04CH-TL-E 0.0600
RFQ
ECAD 15 0.00000000 Sanyo * 大部分 积极的 6LN04 - 下载 不适用 (1 (无限) 供应商不确定 Ear99 8541.21.0095 3,000 -
CSD87381P Texas Instruments CSD87381P 0.9400
RFQ
ECAD 16 0.00000000 Texas Instruments NexFet™ 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 5-lga CSD87381 MOSFET (金属 o化物) 4W 5-PTAB(((((((((( 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道(半桥) 30V 15a 16.3mohm @ 8a,8v 1.9V @ 250µA 5NC @ 4.5V 564pf @ 15V 逻辑级别门
MMDF3N04HDR2G onsemi MMDF3N04HDR2G -
RFQ
ECAD 3061 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) MMDF3 MOSFET (金属 o化物) 1.39W 8-SOIC 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道(双) 40V 3.4a 80MOHM @ 3.4A,10V 3V @ 250µA 28nc @ 10V 900pf @ 32V 逻辑级别门
FDS4895C Fairchild Semiconductor FDS4895C 1.0000
RFQ
ECAD 5000 0.00000000 Fairchild半导体 PowerTrench® 大部分 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) FDS48 MOSFET (金属 o化物) 900MW 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 Ear99 8541.21.0095 2,500 n和p通道 40V 5.5a,4.4a 39mohm @ 5.5A,10V 5V @ 250µA 10NC @ 10V 410pf @ 20V -
NVMJD015N06CLTWG onsemi NVMJD015N06CLTWG 0.7189
RFQ
ECAD 9564 0.00000000 Onmi 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 SOT-12205,8-LFPAK56 NVMJD015 - 3.1W(37W),37W(tc) 8-lfpak 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 488-NVMJD015N06CLTWGTR Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道(双) 60V 10.1a(ta),35a tc) 14.4mohm @ 17a,10v 2.2V @ 25µA 9.4NC @ 10V 643pf @ 30V -
TSM250NB06DCR RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM250NB06DCR RLG 2.6000
RFQ
ECAD 17 0.00000000 台湾半导体公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-POWERTDFN TSM250 MOSFET (金属 o化物) 2W(TA),48W(tc) 8-pdfn(5x6) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道(双) 60V (7a ta),30a (TC) 25mohm @ 7a,10v 4V @ 250µA 22nc @ 10V 1461pf @ 30V -
MSCSM120AM042CD3AG Microchip Technology MSCSM120AM042CD3AG 936.0500
RFQ
ECAD 9 0.00000000 微芯片技术 - 盒子 积极的 -40°C〜175°C(TJ) 底盘安装 模块 MSCSM120 (SIC) 2.031kW(TC) D3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 150-MSCSM120AM042CD3AG Ear99 8541.29.0095 1 2 n 通道(相腿) 1200V(1.2kV) 495a(TC) 5.2MOHM @ 240A,20V 2.8V @ 6mA 1392NC @ 20V 18.1pf @ 1000V -
ZXMD65P02N8TA Diodes Incorporated ZXMD65P02N8TA -
RFQ
ECAD 7395 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 - 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) ZXMD65P02 MOSFET (金属 o化物) 1.75W 8-so 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 500 2(p 通道(双) 20V 4a 50mohm @ 2.9a,4.5V 700mv @ 250µA(250µA)) 20NC @ 4.5V 960pf @ 15V -
NTMFD5C680NLT1G onsemi NTMFD5C680NLT1G 2.9300
RFQ
ECAD 8515 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 8-POWERTDFN NTMFD5 MOSFET (金属 o化物) 3W(TA),19w(tc) 8-dfn(5x6)(SO8FL偶) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,500 2 n 通道(双) 60V 7.5a(ta),26a(tc) 28mohm @ 5a,10v 2.2V @ 13µA 5NC @ 10V 350pf @ 25V -
SQJ910AEP-T1_GE3 Vishay Siliconix SQJ910AEP-T1_GE3 1.4100
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix 汽车,AEC-Q101,Trenchfet® 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 POWERPAK®SO-8 SQJ910 MOSFET (金属 o化物) 48W POWERPAK®SO-8 下载 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道(双) 30V 30A(TC) 7mohm @ 12a,10v 2.5V @ 250µA 39nc @ 10V 1869pf @ 15V -
TQM150NB04DCR RLG Taiwan Semiconductor Corporation TQM150NB04DCR RLG 3.1900
RFQ
ECAD 1 0.00000000 台湾半导体公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装,可润湿的侧面 8-POWERTDFN TQM150 MOSFET (金属 o化物) 2.4W(ta),48W(tc) 8-pdfnu(5x6) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道(双) 40V (9A)(ta),39A (TC) 15mohm @ 9a,10v 4V @ 250µA 18NC @ 10V 1135pf @ 20V -
AOE6920 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOE6920 -
RFQ
ECAD 9473 0.00000000 Alpha&欧米茄半导体公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 AOE692 - - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 785-AOE6920TR 过时的 3,000 -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库