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FET，MOSFET（6056）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs （ciss）（最大（ciss） @ vds fet
CSD87330Q3DT Texas Instruments CSD87330Q3DT -
RFQ
 ECAD 6172 0.00000000 Texas Instruments NexFet™ 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Powerldfn CSD87330 MOSFET （金属 o化物） 6W（TA） 8-lson（3.3x3.3） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 296-CSD87330Q3DT Ear99 8541.29.0095 1 2 n 通道（半桥） 30V 20A（TA） 9.45mohm @ 15a，5v，3.6mohm @ 15a，5v 2.1V @ 250µA，1.15V @ 250µA 5.8nc @ 4.5V，11.5nc @ 4.5V 900pf @ 15v，1632pf @ 15V 标准
SK3991 Harris Corporation SK3991 6.1400
RFQ
 ECAD 986 0.00000000 哈里斯公司 - 大部分 积极的 - 通过洞 TO-206AF，TO-72-4金属可以 SK399 MOSFET （金属 o化物） 360MW 到72 下载 不适用 （1 （无限） 供应商不确定 Ear99 8541.21.0095 1 2 n 通道（双） 25V 30mA - - - - -
NTHD4102PT1G onsemi NTHD4102PT1G 1.0200
RFQ
 ECAD 5454 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-SMD，平坦的铅 NTHD4102 MOSFET （金属 o化物） 1.1W chipfet™ 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2（p 通道（双） 20V 2.9a 80MOHM @ 2.9a，4.5V 1.5V @ 250µA 8.6nc @ 4.5V 750pf @ 16V 逻辑级别门
SI7942DP-T1-E3 Vishay Siliconix SI7942DP-T1-E3 2.9100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 POWERPAK®SO-8 SI7942 MOSFET （金属 o化物） 1.4W POWERPAK®SO-8 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 100V 3.8a 49mohm @ 5.9a，10v 4V @ 250µA 24NC @ 10V - 逻辑级别门
BSD235N L6327 Infineon Technologies BSD235N L6327 -
RFQ
 ECAD 3190 0.00000000 Infineon技术 汽车，AEC-Q101，Optimos™2 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-VSSOP，SC-88，SOT-363 BSD235 MOSFET （金属 o化物） 500MW PG-SOT363-PO 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道（双） 20V 950mA 350MOHM @ 950mA，4.5V 1.2V @ 1.6µA 0.32NC @ 4.5V 63pf @ 10V 逻辑级别门
APTC60TAM21SCTPAG Microchip Technology APTC60TAM21SCTPAG 533.2133
RFQ
 ECAD 8148 0.00000000 微芯片技术 coolmos™ 大部分 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 模块 APTC60 MOSFET （金属 o化物） 625W sp6-p 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 6 n通道（3相桥） 600V 116a 21mohm @ 88a，10v 3.6V @ 6mA 580NC @ 10V 13000pf @ 100V -
FDC8602 onsemi FDC8602 1.5900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Onmi PowerTrench® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-23-6薄，TSOT-23-6 FDC8602 MOSFET （金属 o化物） 690MW SuperSot™-6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道（双） 100V 1.2a 350MOHM @ 1.2A，10V 4V @ 250µA 2NC @ 10V 70pf @ 50V -
UPA2560T1H-T1-AT Renesas Electronics America Inc UPA2560T1H-T1-AT 0.3900
RFQ
 ECAD 36 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 大部分 过时的 150°C（TJ） 表面安装 8-SMD，平坦的铅 UPA2560 MOSFET （金属 o化物） 2.2W 8-VSOF 下载 rohs3符合条件 Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 30V 4.5a 50MOHM @ 2A，10V 2.5V @ 1mA 6.6nc @ 10V 310pf @ 10V 逻辑级别门
DMTH4014LDVW-13 Diodes Incorporated DMTH4014LDVW-13 0.2426
RFQ
 ECAD 6964 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 8-Powervdfn DMTH4014 MOSFET （金属 o化物） 1.16W（TA） PowerDI3333-8（类型UXD） 下载 到达不受影响 31-DMTH4014LDVW-13TR Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 40V 10.2A（ta），27.5a tc） 15mohm @ 20a，10v 3V @ 250µA 11.2nc @ 10V 750pf @ 20V -
TC8220K6-G Microchip Technology TC8220K6-G 2.5800
RFQ
 ECAD 7479 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 12-VFDFN暴露垫 TC8220 MOSFET （金属 o化物） - 12-DFN （4x4） 下载 rohs3符合条件 2（1年） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,300 2n和2p通道 200V - 6ohm @ 1a，10v 2.4V @ 1mA - 56pf @ 25V -
MSCSM120HM31CT3AG Microchip Technology MSCSM120HM31CT3AG 270.3700
RFQ
 ECAD 7670 0.00000000 微芯片技术 - 管子 积极的 -40°C〜175°C（TJ） 底盘安装 模块 MSCSM120 （SIC） 395W（TC） SP3F 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 150-MSCSM120HM31CT3AG Ear99 8541.29.0095 1 4 n通道 1200V（1.2kV） 89A（TC） 31mohm @ 40a，20v 2.8V @ 1mA 232nc @ 20v 3020pf @ 1000V -
SI5513CDC-T1-GE3 Vishay Siliconix SI5513CDC-T1-GE3 0.6200
RFQ
 ECAD 7886 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-SMD，平坦的铅 SI5513 MOSFET （金属 o化物） 3.1W 1206-8 chipfet™ 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n和p通道 20V 4a，3.7a 55mohm @ 4.4A，4.5V 1.5V @ 250µA 4.2nc @ 5V 285pf @ 10V 逻辑级别门
FC8V22040L Panasonic Electronic Components FC8V22040L -
RFQ
 ECAD 9991 0.00000000 松下电子组件 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C 〜85°C（TJ） 表面安装 8-SMD，平坦的铅 FC8V2204 MOSFET （金属 o化物） 1W WMINI8-F1 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 24V 8a 15mohm @ 4A，4.5V 1.5V @ 1mA - - 逻辑级别门
SI5908DC-T1-GE3 Vishay Siliconix SI5908DC-T1-GE3 1.3900
RFQ
 ECAD 30 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-SMD，平坦的铅 SI5908 MOSFET （金属 o化物） 1.1W 1206-8 chipfet™ 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 20V 4.4a 40mohm @ 4.4a，4.5V 1V @ 250µA 7.5NC @ 4.5V - 逻辑级别门
SI5509DC-T1-E3 Vishay Siliconix SI5509DC-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 6333 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-SMD，平坦的铅 SI5509 MOSFET （金属 o化物） 4.5W 1206-8 chipfet™ 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n和p通道 20V 6.1a，4.8a 52MOHM @ 5A，4.5V 2V @ 250µA 6.6nc @ 5V 455pf @ 10V 逻辑级别门
ZXMHC10A07T8TA Diodes Incorporated ZXMHC10A07T8TA 0.9171
RFQ
 ECAD 2342 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-223-8 ZXMHC10 MOSFET （金属 o化物） 1.3W SM8 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 2n和2p通道（半桥） 100V 1A，800mA 700MOHM @ 1.5A，10V 4V @ 250µA 2.9nc @ 10V 138pf @ 60V -
MSCSM70DUM025AG Microchip Technology MSCSM70DUM025AG 623.4600
RFQ
 ECAD 1110 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 -40°C〜175°C（TJ） 底盘安装 模块 MSCSM70 （SIC） 1882W（TC） - - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 150-MSCSM70DUM025AG Ear99 8541.29.0095 1 2 n 通道（双）公共来源 700V 689a（TC） 3.2MOHM @ 240A，20V 2.4V @ 24mA 1290nc @ 20V 27000pf @ 700V -
PMCXB900UEZ NXP Semiconductors PMCXB900UEZ 0.0800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 NXP半导体 Trechfet® 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-xfdfn暴露垫 PMCXB900 MOSFET （金属 o化物） 265MW DFN1010B-6 下载 Ear99 8541.21.0095 3,557 n和p通道互补 20V 600mA，500mA 620MOHM @ 600mA，4.5V 950mv @ 250µA 0.7NC @ 4.5V 21.3pf @ 10V 逻辑级别门
APTMC120TAM12CTPAG Microchip Technology APTMC120TAM12CTPAG -
RFQ
 ECAD 5849 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 SP6 APTMC120 （SIC） 925W sp6-p 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 6 n通道（3相桥） 1200V（1.2kV） 220A（TC） 12mohm @ 150a，20v 2.4V @ 30mA ty（typ） 483nc @ 20V 8400pf @ 1000V -
FDMC6890NZ onsemi FDMC6890NZ 0.4155
RFQ
 ECAD 3695 0.00000000 Onmi PowerTrench® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-WDFN暴露垫 FDMC6890 MOSFET （金属 o化物） 1.92W，1.78W Microfet 3x3mm 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 20V 4a 68mohm @ 4A，4.5V 2V @ 250µA 3.4NC @ 4.5V 270pf @ 10V 逻辑级别门
AOCA36116C Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOCA36116C 1.0300
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Alpha＆欧米茄半导体公司 Alphadfn™ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 10-XFDFN MOSFET （金属 o化物） 3.1W（TA） 10-alphadfn（3.2x2.1） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 5,000 - 24V 30a（TA） 3.1MOHM @ 5A，4.5V 1.2V @ 250µA 35nc @ 4.5V - 标准
IRF640ACP001 Fairchild Semiconductor IRF640ACP001 0.8000
RFQ
 ECAD 47 0.00000000 Fairchild半导体 * 大部分 积极的 IRF640 - - 不适用 （1 （无限） 供应商不确定 Ear99 8542.39.0001 375 -
FDG6301N-F085 onsemi FDG6301N-F085 -
RFQ
 ECAD 6016 0.00000000 Onmi 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 FDG6301 MOSFET （金属 o化物） 300MW SC-88 （SC-70-6） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道（双） 25V 220mA 4ohm @ 220mA，4.5V 1.5V @ 250µA 0.4NC @ 4.5V 9.5pf @ 10V 逻辑级别门
DMN5L06DW-7 Diodes Incorporated DMN5L06DW-7 -
RFQ
 ECAD 6093 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 DMN5L06 MOSFET （金属 o化物） 200MW SOT-363 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道（双） 50V 280mA 3ohm @ 200ma，2.7v 1.2V @ 250µA - 50pf @ 25V 逻辑级别门
SSM6N58NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N58NU，LF 0.4600
RFQ
 ECAD 139 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 6-WDFN暴露垫 SSM6N58 MOSFET （金属 o化物） 1W 6-udfn （2x2） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 30V 4a 84mohm @ 2A，4.5V 1V @ 1mA 1.8NC @ 4.5V 129pf @ 15V 逻辑水平门，1.8V
DMC2400UV-7 Diodes Incorporated DMC2400UV-7 0.4000
RFQ
 ECAD 258 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-563，SOT-666 DMC2400 MOSFET （金属 o化物） 450MW SOT-563 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 n和p通道 20V 1.03a，700mA 480MOHM @ 200MA，5V 900mv @ 250µA 0.5NC @ 4.5V 37.1pf @ 10V 逻辑级别门
6HN04SS-TL-H Sanyo 6HN04SS-TL-H 0.0700
RFQ
 ECAD 136 0.00000000 Sanyo * 大部分 积极的 6HN04 - - 不适用 （1 （无限） 供应商不确定 Ear99 8541.21.0095 8,000 -
BSO215C Infineon Technologies BSO215C -
RFQ
 ECAD 4370 0.00000000 Infineon技术 Sipmos® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） BSO215 MOSFET （金属 o化物） 2W 8-so 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n和p通道 20V 3.7a 100mohm @ 3.7a，10v 2V @ 10µA 11.5NC @ 10V 246pf @ 25V 逻辑级别门
MCH5815-TL-E Sanyo MCH5815-TL-E 0.1200
RFQ
 ECAD 129 0.00000000 Sanyo * 大部分 积极的 MCH5815 - - 不适用 （1 （无限） 供应商不确定 Ear99 8542.39.0001 3,000 -
BUZ60BU Harris Corporation buz60bu 9.8400
RFQ
 ECAD 200 0.00000000 哈里斯公司 * 大部分 积极的 BUZ60 - - 不适用 （1 （无限） 供应商不确定 0000.00.0000 1 -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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