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FET，MOSFET（6056）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs （ciss）（最大（ciss） @ vds fet
NVMFD5C680NLT1G onsemi NVMFD5C680NLT1G 1.7500
RFQ
 ECAD 8997 0.00000000 Onmi 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 8-POWERTDFN NVMFD5 MOSFET （金属 o化物） 3W（TA），19w（tc） 8-dfn（5x6）（SO8FL偶） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,500 2 n 通道（双） 60V 7.5a（ta），26a（tc） 28mohm @ 5a，10v 2.2V @ 13µA 2NC @ 4.5V 350pf @ 25V -
IPB13N03LBG Infineon Technologies IPB13N03LBG 0.4000
RFQ
 ECAD 999 0.00000000 Infineon技术 * 大部分 积极的 IPB13N - - 不适用 （1 （无限） 供应商不确定 Ear99 8542.39.0001 1 -
PJL9606_R2_00001 Panjit International Inc. PJL9606_R2_00001 0.2830
RFQ
 ECAD 9967 0.00000000 Panjit International Inc. - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） PJL9606 MOSFET （金属 o化物） 1.7W（TA） 8-sop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 3757-PJL9606_R2_00001TR Ear99 8541.29.0095 2,500 n和p通道互补 30V （7a ta），6a（tc） 19mohm @ 6a，10v，30mohm @ 4a，10v 2.5V @ 250µA 4.8NC @ 4.5V，7.8NC @ 4.5V 429pf @ 25V，846pf @ 15V -
FDPC8011S-AU01 onsemi FDPC8011S-AU01 1.6283
RFQ
 ECAD 5189 0.00000000 Onmi PowerTrench® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Powerwdfn FDPC8 MOSFET （金属 o化物） 800MW（ta），900MW（（ PowerClip-33 - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 488-FDPC8011S-AU01TR Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道（双） 25V （13a）（20a ta）（20a tc），27a（ta（60a tc）（60a tc）（TC） 6mohm @ 13A，10V，1.8MOHM @ 27A，10V 2.2V @ 250µA，2.2V @ 1mA 19nc @ 10v，64nc @ 10v 1240pf @ 13V，4335pf @ 13V -
DMN15M5UCA6-7 Diodes Incorporated DMN15M5UCA6-7 0.2909
RFQ
 ECAD 1801年 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-XFBGA，WLCSP DMN15 MOSFET （金属 o化物） 1.2W X4-DSN2117-6 下载 到达不受影响 31-DMN15M5UCA6-7TR Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双）公共排水 12V 16.5A（TA） 5.1MOHM @ 4A，4.5V 1.3V @ 840µA 36.6nc @ 4V 59pf @ 10V -
SP8M10FRATB Rohm Semiconductor SP8M10FRATB 1.7000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm半导体 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 150°C 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） SP8M10 MOSFET （金属 o化物） 2W（TA） 8-sop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n和p通道 30V （7A）（ta），4.5a ta（4.5a） 25mohm @ 7a，10v，56mohm @ 4.5a，10v 2.5V @ 1mA 8.4nc @ 5V，8.5nc @ 5V 600pf @ 10V，850pf @ 10V 逻辑水平门，4V驱动器
DMC1028UFDB-7 Diodes Incorporated DMC1028UFDB-7 0.7900
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-udfn暴露垫 DMC1028 MOSFET （金属 o化物） 1.36W U-DFN2020-6（B型） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n和p通道 12V，20V 6a，3.4a 25mohm @ 5.2A，4.5V 1V @ 250µA 18.5nc @ 8v 787pf @ 6V -
DMN5L06VK-7-G Diodes Incorporated DMN5L06VK-7-G -
RFQ
 ECAD 3928 0.00000000 二极管合并 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-563，SOT-666 DMN5L06 MOSFET （金属 o化物） 250MW SOT-563 下载 （1 （无限） 到达不受影响 DMN5L06VK-7-GDI Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道（双） 50V 280mA（TA） 2ohm @ 50mA，5v 1.2V @ 250µA - 50pf @ 25V -
AUIRF7103Q Infineon Technologies AUIRF7103Q -
RFQ
 ECAD 2457 0.00000000 Infineon技术 Hexfet® 管子 过时的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） AUIRF7103 MOSFET （金属 o化物） 2.4W 8-so 下载 （1 （无限） 到达不受影响 SP001521578 Ear99 8541.29.0095 95 2 n 通道（双） 50V 3a 130MOHM @ 3A，10V 3V @ 250µA 15nc @ 10V 255pf @ 25V -
APTM50AM25FTG Microsemi Corporation APTM50AM25FTG -
RFQ
 ECAD 5980 0.00000000 Microsemi Corporation - 大部分 在sic中停产 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 SP4 APTM50 MOSFET （金属 o化物） 1250W SP4 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 1 2 n 通道（半桥） 500V 149a 25mohm @ 74.5a，10v 4V @ 8mA 1200NC @ 10V 29600pf @ 25V -
PJX8838_R1_00001 Panjit International Inc. PJX8838_R1_00001 0.4500
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Panjit International Inc. - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-563，SOT-666 PJX8838 MOSFET （金属 o化物） 300MW（TA） SOT-563 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 3757-PJX8838_R1_00001TR Ear99 8541.21.0095 4,000 2 n 通道（双） 50V 360ma（ta） 1.45ohm @ 500mA，10v 1V @ 250µA 0.95NC @ 4.5V 36pf @ 25V -
BSD235NH6327XTSA1 Infineon Technologies BSD235NH6327XTSA1 0.4200
RFQ
 ECAD 21 0.00000000 Infineon技术 汽车，AEC-Q101，Optimos™2 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-VSSOP，SC-88，SOT-363 BSD235 MOSFET （金属 o化物） 500MW PG-SOT363-PO 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道（双） 20V 950mA 350MOHM @ 950mA，4.5V 1.2V @ 1.6µA 0.32NC @ 4.5V 63pf @ 10V 逻辑级别门
UPA2562T1H-T1-AT Renesas Electronics America Inc UPA2562T1H-T1-AT 0.4100
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 大部分 过时的 表面安装 8-SMD，平坦的铅 UPA2562 MOSFET （金属 o化物） 2.2W 8-VSOF 下载 不适用 Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 30V 4.5a 55MOHM @ 2A，4.5V 1.5V @ 1mA 5.4NC @ 4.5V 475pf @ 10V 逻辑级别门
SSM6N48FU,RF(D Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N48FU，RF（d -
RFQ
 ECAD 1977年 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 SSM6N48 MOSFET （金属 o化物） 300MW US6 下载 （1 （无限） SSM6N48FURF（d Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道（双） 30V （100mA）（TA） 3.2OHM @ 10mA，4V 1.5V @ 100µA - 15.1pf @ 3V 逻辑水平门，2.5V
DMG1016VQ-13 Diodes Incorporated DMG1016VQ-13 0.1418
RFQ
 ECAD 8468 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-563，SOT-666 DMG1016 MOSFET （金属 o化物） 530MW SOT-563 - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 DMG1016VQ-13DI Ear99 8541.21.0095 10,000 n和p通道 20V 870mA，640mA 400mohm @ 600mA，4.5V 1V @ 250µA 0.74NC @ 4.5V 60.67pf @ 16V 逻辑级别门
FMM60-02TF IXYS FMM60-02TF 18.8696
RFQ
 ECAD 3615 0.00000000 ixys Hiperfet™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 I4-PAC™-5 FMM60 MOSFET （金属 o化物） 125W ISOPLUS I4-PAC™ 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 25 2 n 通道（双） 200V 33a 40mohm @ 30a，10v 4.5V @ 250µA 90NC @ 10V 3700pf @ 25V -
FF6MR12W2M1HPB11BPSA1 Infineon Technologies FF6MR12W2M1HPB11BPSA1 134.6156
RFQ
 ECAD 7569 0.00000000 Infineon技术 Hexfet® 托盘 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 模块 （SIC） 20mw 模块 - rohs3符合条件 448-FF6MR12W2M1HPB11BPSA1 18 2 n通道 1200V 200a（200a tj） 5.63mohm @ 200a，15v 5.55V @ 80mA 496nc @ 15V 14700pf @ 800V （SIC）
AONP36332 Alpha & Omega Semiconductor Inc. aonp36332 1.2000
RFQ
 ECAD 1594年 0.00000000 Alpha＆欧米茄半导体公司 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Powervdfn aonp363 MOSFET （金属 o化物） 3.4W（33W（ta）（33W（ta），3.1W（ta（30W）（30W to）TC） 8-DFN-EP（3.3x3.3） 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 30V （24A）（50a ta）（50a tc），20A（），50a tc（50a tc）（TC） 3.7MOHM @ 20A，10V，4.7MOHM @ 20A，10V 1.9V @ 250µA 40nc @ 10v，30nc @ 10V 1520pf @ 15V 标准
MSCSM120DDUM16CTBL3NG Microchip Technology MSCSM120DUM16CTBL3NNG -
RFQ
 ECAD 2647 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 底盘安装 模块 MSCSM120 （SIC） 560W - - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 150-MSCSM120DUM16CTBL3NG Ear99 8541.29.0095 1 4 n通道，常见来源 1200V 150a 16mohm @ 80a，20v 2.8V @ 2mA 464NC @ 20V 6040pf @ 1000V -
BSM180D12P3C007 Rohm Semiconductor BSM180D12P3C007 675.9200
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Rohm半导体 - 大部分 积极的 175°C（TJ） 表面安装 模块 BSM180 （SIC） 880W 模块 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Q9597863 Ear99 8541.29.0095 12 2 n 通道（双） 1200V（1.2kV） 180a（TC） - 5.6V @ 50mA - 900pf @ 10V -
SI4936BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4936BDY-T1-GE3 1.3200
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） SI4936 MOSFET （金属 o化物） 2.8W 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（双） 30V 6.9a 35mohm @ 5.9a，10v 3V @ 250µA 15nc @ 10V 530pf @ 15V 逻辑级别门
SSM6P54TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6P54TU，LF 0.4100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C 表面安装 6-SMD，平坦的铅 SSM6P54 MOSFET （金属 o化物） 500MW（TA） UF6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 2（p 通道（双） 20V 1.2A（TA） 228mohm @ 600mA，2.5V 1V @ 1mA 7.7nc @ 4V 331pf @ 10V 逻辑级别门，1.5V
FMM22-05PF IXYS FMM22-05PF 20.9960
RFQ
 ECAD 7229 0.00000000 ixys Hiperfet™，Polarht™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 I4-PAC™-5 FMM22 MOSFET （金属 o化物） 132W ISOPLUS I4-PAC™ 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 25 2 n 通道（双） 500V 13a 270MOHM @ 11A，10V 5V @ 1mA 50NC @ 10V 2630pf @ 25V -
NTLJD2104PTAG onsemi NTLJD2104PTAG -
RFQ
 ECAD 2357 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-WDFN暴露垫 NTLJD21 MOSFET （金属 o化物） 700MW 6-WDFN（2x2） 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2（p 通道（双） 12V 2.4a 90MOHM @ 3A，4.5V 800MV @ 250µA 8NC @ 4.5V 467pf @ 6V 逻辑级别门
ALD110802SCL Advanced Linear Devices Inc. ALD110802SCL 5.8548
RFQ
 ECAD 7664 0.00000000 高级线性设备公司 epad® 管子 积极的 0°C 〜70°C（TJ） 表面安装 16-Soic（0.154英寸，宽度为3.90mm） ALD110802 MOSFET （金属 o化物） 500MW 16-Soic 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 1014-1021 Ear99 8541.21.0095 50 4 n n通道，匹配对 10.6V - 500OHM @ 4.2V 220mv @ 1µA - 2.5pf @ 5V -
FDW2503N onsemi FDW2503N -
RFQ
 ECAD 9358 0.00000000 Onmi PowerTrench® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度） FDW25 MOSFET （金属 o化物） 600MW 8-tssop 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 2,500 2 n 通道（双） 20V 5.5a 21MOHM @ 5.5A，4.5V 1.5V @ 250µA 17nc @ 4.5V 1082pf @ 10V 逻辑级别门
APTC60HM70BT3G Microchip Technology APTC60HM70BT3G 116.5400
RFQ
 ECAD 2623 0.00000000 微芯片技术 coolmos™ 托盘 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 SP3 APTC60 MOSFET （金属 o化物） 250W SP3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 4（n n 通道（半桥） 600V 39a 70mohm @ 39a，10v 3.9V @ 2.7mA 259nc @ 10V 700pf @ 25V 逻辑级别门
SSM6N357R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N357R，LF 0.4100
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C 表面安装 6-SMD，平坦的铅 SSM6N357 MOSFET （金属 o化物） 1.5W（TA） 6-TSOP-F 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 60V 650mA（TA） 1.8ohm @ 150mA，5V 2V @ 1mA 1.5NC @ 5V 60pf @ 12V -
UPA1770G-E1-A Renesas UPA1770G-E1-A 1.6800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 肾脏 - 大部分 过时的 150°C 表面安装 8-SOIC （0.173“，4.40mm宽度） UPA1770 MOSFET （金属 o化物） 750MW（TA） 8-sop - Rohs不合规 供应商不确定 2156-UPA1770G-E1-A Ear99 8541.29.0095 1 2 n 通道（双） 20V 6a（6a） 37MOHM @ 3A，4.5V 1.5V @ 1mA 11NC @ 4.5V 1300pf @ 10V -
FDMA1024NZ onsemi FDMA1024NZ 1.3700
RFQ
 ECAD 21 0.00000000 Onmi PowerTrench® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-vdfn裸露的垫子 FDMA1024 MOSFET （金属 o化物） 700MW 6-microfet（2x2） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道（双） 20V 5a 54mohm @ 5A，4.5V 1V @ 250µA 7.3nc @ 4.5V 500pf @ 10V 逻辑级别门
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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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