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FET，MOSFET（6056）
| 参考图片 | 产品编号 | （（（） | 数量 | ECAD | 可用数量 | （kg） | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | （MSL） | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | （VDSS） | 电流 -id（ID） @ 25°C | RDS（最大值） @ ID，VGS | VGS（TH）（最大） @ ID | （QG））（最大） @ vgs | （ciss）（最大（ciss） @ vds | fet |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | NTMFD1D4N02P1E | 2.5300 |  | 2 | 0.00000000 | Onmi | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Powerwdfn | NTMFD1 | MOSFET （金属 o化物） | （960MW）（1W）（1W） | 8-pqfn（5x6） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 通道（双） | 25V | （13A）（ta），74a（tc），24a（ta（155a tc）（TC） | 3.3MOHM @ 20a，10v，1.1MOHM @ 37A，10V | 2V @ 250µA，2V @ 800µA | 7.2nc @ 4.5V，21.5nc @ 4.5V | 1180pf @ 13v，3603pf @ 13V | - | ||
 | RJK03J9DNS-00＃j5 | 0.2700 | | 5 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | 大部分 | 积极的 | RJK03J9 | - | - | 不适用 | （1 （无限） | 供应商不确定 | Ear99 | 8542.39.0001 | 5,000 | - | ||||||||||||||
 | IRF7379TRPBF | - | | 7519 | 0.00000000 | Infineon技术 | Hexfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | IRF737 | MOSFET （金属 o化物） | 2.5W | 8-so | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 4,000 | n和p通道 | 30V | 5.8a，4.3a | 45MOHM @ 5.8A，10V | 1V @ 250µA | 25nc @ 10V | 520pf @ 25V | - | ||
 | SQS966ENW-T1_GE3 | 0.9800 | | 8853 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 汽车，AEC-Q101，Trenchfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 表面安装，可润湿的侧面 | PowerPak®1212-8W双重 | SQS966 | MOSFET （金属 o化物） | 27.8W（TC） | PowerPak®1212-8W双重 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 通道（双） | 60V | 6A（TC） | 36mohm @ 1.25A，10V | 2.5V @ 250µA | 8.8nc @ 10V | 572pf @ 25V | - | |||
 | DMN16M9UCA6-7 | 0.3560 | | 7231 | 0.00000000 | 二极管合并 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 6-SMD，没有铅 | DMN16 | MOSFET （金属 o化物） | 2.4W | X3-DSN2718-6 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 通道（双） | - | - | - | 1.3V @ 1mA | 35.2NC @ 4.5V | 2360pf @ 6V | - | ||
| GWM70-01P2 | - | | 8125 | 0.00000000 | ixys | - | 管子 | 过时的 | -40°C〜175°C（TJ） | 表面安装 | 17-SMD，平坦的铅 | GWM70 | MOSFET （金属 o化物） | - | ISOPLUS-DIL™ | 下载 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 20 | 6 n通道（3相桥） | 100V | 70a | 14mohm @ 35a，10v | 4V @ 1mA | 110NC @ 10V | - | - | |||
| 2N7002DWKX-7 | - | | 7686 | 0.00000000 | 二极管合并 | * | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | 2N7002 | - | - | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | 2N7002DWKX-7DI | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | - | |||||||||||||
| RJK022222DNS-00＃j5 | 1.0600 | | 340 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 大部分 | 积极的 | 150°C（TJ） | 表面安装 | 8-WDFN暴露垫 | RJK0222 | MOSFET （金属 o化物） | 8W，10W | 8-DFN（5x6） | - | 不适用 | （1 （无限） | 供应商不确定 | Ear99 | 0000.00.0000 | 1 | 2 n 通道（半桥） | 25V | 14a，16a | 9.2MOHM @ 7A，10V | - | 6.2nc @ 4.5V | 810pf @ 10V | 逻辑级别门，4.5V驱动器 | ||
 | DMN2710UVQ-13 | 0.3400 | | 8960 | 0.00000000 | 二极管合并 | 汽车，AEC-Q101 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | SOT-563，SOT-666 | DMN2710 | MOSFET （金属 o化物） | 500MW（TA） | SOT-563 | - | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.21.0095 | 10,000 | 2 n 通道（双） | 20V | 920mA（ta） | 450MOHM @ 600mA，4.5V | 1V @ 250µA | 0.6NC @ 4.5V | 42pf @ 16V | 标准 | |||
 | SQJ963EP-T1_GE3 | 1.8600 | | 4 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 汽车，AEC-Q101，Trenchfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C〜175°C（TA） | 表面安装 | POWERPAK®SO-8 | SQJ963 | MOSFET （金属 o化物） | 27W（TC） | POWERPAK®SO-8 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2（p 通道（双） | 60V | 8A（TC） | 85MOHM @ 3.5A，10V | 2.5V @ 250µA | 40NC @ 10V | 1140pf @ 30V | - | |||
| AON6884L_002 | - | | 7479 | 0.00000000 | Alpha＆欧米茄半导体公司 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-powersmd，平面线 | AON688 | MOSFET （金属 o化物） | 21W | 8-DFN（5x6） | - | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 通道（双） | 40V | 34A（TC） | 11.3mohm @ 10a，10v | 2.7V @ 250µA | 16nc @ 4.5V | 1950pf @ 20V | - | |||
 | FDMS3606AS | 1.0900 | | 7 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | PowerTrench® | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-POWERTDFN | FDMS3606 | MOSFET （金属 o化物） | 1W | 8-pqfn（5x6） | 下载 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 2 n 通道（双） | 30V | 13a，27a | 8mohm @ 13a，10v | 2.7V @ 250µA | 29nc @ 10V | 1695pf @ 15V | 逻辑级别门 | |||||
 | DMC1030UFDB-7 | 0.4100 | | 2 | 0.00000000 | 二极管合并 | 汽车，AEC-Q101 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 6-udfn暴露垫 | DMC1030 | MOSFET （金属 o化物） | 1.36W（TA） | U-DFN2020-6（B型） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n和p通道互补 | 12V | 5.1a（ta），3.9a（ta） | 34mohm @ 4.6A，4.5V，59MOHM @ 3.6A，4.5V | 1V @ 250µA | 12.2nc @ 4.5V，13nc @ 4.5V | 1003pf @ 6v，1028pf @ 6v | - | ||
| APTM100H46FT3G | 98.7600 | | 6475 | 0.00000000 | 微芯片技术 | Power MOS 8™ | 大部分 | 积极的 | -40°C〜150°C（TJ） | 底盘安装 | SP3 | APTM100 | MOSFET （金属 o化物） | 357W | SP3 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 4（n n 通道（半桥） | 1000V （1kV） | 19a | 552MOHM @ 16a，10v | 5V @ 2.5mA | 260NC @ 10V | 6800pf @ 25V | - | ||
| DMN2012UCA6-7 | 0.5286 | | 1295 | 0.00000000 | 二极管合并 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 6-SMD，没有铅 | DMN2012 | MOSFET （金属 o化物） | 820MW | X3-DSN2718-6 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 通道（双）公共排水 | 24V | 13A（TA） | 9MOHM @ 5A，4.5V | 1.3V @ 1mA | 26NC @ 4V | 2417pf @ 10V | - | ||
| DMN2710UVQ-7 | 0.3400 | | 2 | 0.00000000 | 二极管合并 | 汽车，AEC-Q101 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | SOT-563，SOT-666 | DMN2710 | MOSFET （金属 o化物） | 500MW（TA） | SOT-563 | - | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2 n 通道（双） | 20V | 920mA（ta） | 450MOHM @ 600mA，4.5V | 1V @ 250µA | 0.6NC @ 4.5V | 42pf @ 16V | 标准 | |||
 | FDS4885C | 1.0000 | | 6937 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | PowerTrench® | 大部分 | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | FDS48 | MOSFET （金属 o化物） | 900MW | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | n和p通道 | 40V | 7.5a，6a | 22mohm @ 7.5a，10v | 5V @ 250µA | 21NC @ 10V | 900pf @ 20V | - | ||||
| UPA2387T1P-E4-A | 0.2000 | | 80 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | 大部分 | 积极的 | - | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||
| MRF8S18120HSR3,128 | - | | 2731 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 大部分 | 积极的 | MRF8S18120 | - | 下载 | 不适用 | （1 （无限） | 供应商不确定 | 1 | - | ||||||||||||||||
 | TPC8221-H，LQ（s | - | | 1370 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | 150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | TPC8221 | MOSFET （金属 o化物） | 450MW | 8-sop | 下载 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.21.0095 | 2,500 | 2 n 通道（双） | 30V | 6a | 25mohm @ 3a，10v | 2.3V @ 100µA | 12nc @ 10V | 830pf @ 10V | - | ||||
 | SP8J5FU6TB | - | | 5786 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | - | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | SP8J5 | MOSFET （金属 o化物） | 2W | 8-sop | - | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2（p 通道（双） | 30V | 7a | 28mohm @ 7a，10v | 2.5V @ 1mA | 25nc @ 5V | 2600pf @ 10V | 逻辑级别门 | ||
| APTM120H57FT3G | - | | 8333 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 大部分 | 过时的 | -40°C〜150°C（TJ） | 底盘安装 | SP3 | APTM120 | MOSFET （金属 o化物） | 390W | SP3 | 下载 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 4（n n 通道（半桥） | 1200V（1.2kV） | 17a | 684MOHM @ 8.5A，10V | 5V @ 2.5mA | 187nc @ 10V | 5155pf @ 25V | - | |||
| APTM50DUM35TG | - | | 5820 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 大部分 | 过时的 | -40°C〜150°C（TJ） | 底盘安装 | SP4 | APTM50 | MOSFET （金属 o化物） | 781W | SP4 | 下载 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 n 通道（双） | 500V | 99a | 39mohm @ 49.5a，10v | 5V @ 5mA | 280NC @ 10V | 14000pf @ 25V | - | |||
 | QH8K26TR | 0.9900 | | 1 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | 150°C（TJ） | 表面安装 | 8-SMD，平坦的铅 | QH8K26 | MOSFET （金属 o化物） | 1.1W（TA） | TSMT8 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 通道（双） | 40V | 7a（ta） | 38mohm @ 7a，10v | 2.5V @ 1mA | 2.9nc @ 5V | 275pf @ 20V | - | ||
 | AO5803E | - | | 5544 | 0.00000000 | Alpha＆欧米茄半导体公司 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -50°C〜150°C（TJ） | 表面安装 | SOT-563，SOT-666 | AO580 | MOSFET （金属 o化物） | 400MW | SC-89-6 | 下载 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2（p 通道（双） | 20V | - | 800MOHM @ 600mA，4.5V | 900mv @ 250µA | - | 100pf @ 10V | 逻辑级别门 | |||
 | FDME1034CZT | 1.0500 | | 1449 | 0.00000000 | Onmi | PowerTrench® | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 6-UFDFN暴露垫 | FDME1034 | MOSFET （金属 o化物） | 600MW | 6-microfet（1.6x1.6） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 5,000 | n和p通道 | 20V | 3.8a，2.6a | 66mohm @ 3.4a，4.5V | 1V @ 250µA | 4.2nc @ 4.5V | 300pf @ 10V | 逻辑级别门 | ||
| KGF20N05D | - | | 5698 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 20-uflga，Csp | kgf20 | MOSFET （金属 o化物） | 2.5W（TA） | 20-WLCSP （2.48x1.17） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 559-KGF20N05DTR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 通道（双）公共来源 | 5.5V | 20A（TJ） | 1.6mohm @ 10a，4.5V | 900mv @ 250µA | 6.7nc @ 4.5V | 865pf @ 5V | - | ||
| IRF7309pbf | - | | 6232 | 0.00000000 | Infineon技术 | Hexfet® | 管子 | 在sic中停产 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | IRF73 | MOSFET （金属 o化物） | 1.4W | 8-so | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 95 | n和p通道 | 30V | 4a，3a | 50mohm @ 2.4a，10v | 1V @ 250µA | 25nc @ 4.5V | 520pf @ 15V | - | ||
 | DF14MR12W1M1HFB67BPSA1 | 158.8800 | | 24 | 0.00000000 | Infineon技术 | COOLSIC™ | 托盘 | 积极的 | - | 底盘安装 | 模块 | DF14MR12 | MOSFET （金属 o化物） | - | ag-easy1b | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 24 | - | 1200V（1.2kV） | - | - | - | - | - | - | ||
| QH8KA4TCR | 1.0700 | | 23 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-SMD，平坦的铅 | QH8KA4 | - | 1.5W | TSMT8 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 通道（双） | 30V | 9a | 17MOHM @ 7A，4.5V | 1.5V @ 1mA | 12nc @ 4.5V | 1400pf @ 10V | - |
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