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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | (VDSS) | 电流 -id(ID) @ 25°C | RDS(最大值) @ ID,VGS | VGS(TH)(最大) @ ID | (QG))(最大) @ vgs | (ciss)(最大(ciss) @ vds | fet |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | ZXMD65P02N8TC | - | ![]() | 7425 | 0.00000000 | 二极管合并 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | - | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | ZXMD65P02 | MOSFET (金属 o化物) | 1.75W | 8-so | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2(p 通道(双) | 20V | 4a | 50mohm @ 2.9a,4.5V | 700mv @ 250µA(250µA)) | 20NC @ 4.5V | 960pf @ 15V | - | |||
![]() | MCQD08N03A-TP | 0.4500 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 微商业公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | MCQD08 | MOSFET (金属 o化物) | 3W | 8-sop | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 353-MCQD08N03A-TPCT | Ear99 | 8541.29.0095 | 4,000 | 2 n 通道(双) | 30V | 8.5a | 23mohm @ 8.5a,10v | 2.2V @ 250µA | 5.2nc @ 4.5V | 490pf @ 15V | - | |
![]() | FCH041N65EF | 8.3400 | ![]() | 110 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | * | 大部分 | 积极的 | FCH041 | - | - | 不适用 | (1 (无限) | 供应商不确定 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | - | ||||||||||||||
![]() | CSD87333Q3DT | 1.5500 | ![]() | 325 | 0.00000000 | Texas Instruments | NexFet™ | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 125°C(TJ) | 表面安装 | 8-POWERTDFN | CSD87333Q3 | MOSFET (金属 o化物) | 6W | 8-VSON(3.3x3.3) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 250 | 2 n 通道(双) | 30V | 15a | 14.3MOHM @ 4A,8V | 1.2V @ 250µA | 4.6NC @ 4.5V | 662pf @ 15V | 逻辑水平门,5v驱动器 | ||
![]() | NTMFD5C466NLT1G | 3.1300 | ![]() | 9803 | 0.00000000 | Onmi | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | 8-POWERTDFN | NTMFD5 | MOSFET (金属 o化物) | (3W)(40W)(40W)TC) | 8-dfn(5x6)(SO8FL偶) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,500 | 2 n 通道(双) | 40V | (14A)(52A(ta)(TC) | 7.4mohm @ 10a,10v | 2.2V @ 30µA | 16NC @ 10V | 997pf @ 25V | - | ||
![]() | CSD75211W1723 | - | ![]() | 2799 | 0.00000000 | Texas Instruments | NexFet™ | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 12-ufbga,DSBGA | CSD75211 | MOSFET (金属 o化物) | 1.5W | 12-DSBGA | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2(p 通道(双) | 20V | 4.5a | 40mohm @ 2a,4.5V | 1.1V @ 250µA | 5.9nc @ 4.5V | 600pf @ 10V | 逻辑级别门 | ||
![]() | DMP2004DWK-7 | 0.4900 | ![]() | 2167 | 0.00000000 | 二极管合并 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 | DMP2004 | MOSFET (金属 o化物) | 250MW | SOT-363 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2(p 通道(双) | 20V | 430mA | 900MOHM @ 430mA,4.5V | 1V @ 250µA | - | 175pf @ 16V | 逻辑级别门 | ||
![]() | FDS6910 | 1.2800 | ![]() | 9458 | 0.00000000 | Onmi | PowerTrench® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | FDS69 | MOSFET (金属 o化物) | 900MW | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 2,500 | 2 n 通道(双) | 30V | 7.5a | 13mohm @ 7.5a,10v | 3V @ 250µA | 24NC @ 10V | 1130pf @ 15V | 逻辑级别门 | ||
UPA2375T1P-E1-A | - | ![]() | 1073 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | 6-xflga | UPA2375 | MOSFET (金属 o化物) | 1.75W | 6-eflip-lga | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 5,000 | 2 n 通道(双)公共排水 | - | - | - | - | - | - | 逻辑水平门,2.5V | |||
![]() | IRF7331TR | - | ![]() | 6159 | 0.00000000 | Infineon技术 | Hexfet® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | IRF733 | MOSFET (金属 o化物) | 2W | 8-so | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 95 | 2 n 通道(双) | 20V | 7a | 30mohm @ 7A,4.5V | 1.2V @ 250µA | 20NC @ 4.5V | 1340pf @ 16V | 逻辑级别门 | ||
![]() | DMN2215UDM-7 | 0.5600 | ![]() | 7 | 0.00000000 | 二极管合并 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SOT-23-6 | DMN2215 | MOSFET (金属 o化物) | 650MW | SOT-26 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2 n 通道(双) | 20V | 2a | 100mohm @ 2.5a,4.5V | 1V @ 250µA | - | 188pf @ 10V | 逻辑级别门 | ||
![]() | DMC2991UDJ-7 | 0.3700 | ![]() | 6345 | 0.00000000 | 二极管合并 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SOT-963 | DMC2991 | MOSFET (金属 o化物) | 380MW(TA) | SOT-963 | 下载 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 10,000 | n和p通道互补 | 20V | 500mA(ta),360mA(ta) | 990MOHM @ 100mA,4.5V,1.9OHM @ 100mA,4.5V | 1V @ 250µA | 0.35nc @ 4.5V,0.3NC @ 4.5V | 21.5pf @ 15V,17pf @ 16V | - | ||||
![]() | NVMFD5485NLWFT1G | 1.2055 | ![]() | 7009 | 0.00000000 | Onmi | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | 8-POWERTDFN | NVMFD5483 | MOSFET (金属 o化物) | 2.9W | 8-dfn(5x6)(SO8FL偶) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,500 | 2 n 通道(双) | 60V | 5.3a | 44mohm @ 15a,10v | 2.5V @ 250µA | 20NC @ 10V | 560pf @ 25V | 逻辑级别门 | ||
SQJQ906E-T1_GE3 | 2.6800 | ![]() | 3221 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 汽车,AEC-Q101,Trenchfet® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | PowerPak®8x8二元 | SQJQ906 | MOSFET (金属 o化物) | 50W | PowerPak®8x8二元 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,000 | 2 n 通道(双) | 40V | 95A(TC) | 3.3MOHM @ 5A,10V | 3.5V @ 250µA | 42NC @ 10V | 3600pf @ 20V | - | ||||
![]() | ALD110908SAL | 4.7014 | ![]() | 2643 | 0.00000000 | 高级线性设备公司 | epad® | 管子 | 积极的 | 0°C 〜70°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | ALD110908 | MOSFET (金属 o化物) | 500MW | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 1014-1041 | Ear99 | 8541.21.0095 | 50 | 2(n n 通道(双) | 10.6V | 12mA,3mA | 500OHM @ 4.8V | 820mv @ 1µA | - | 2.5pf @ 5V | - | |
![]() | EPC2105 | 8.7500 | ![]() | 2 | 0.00000000 | EPC | Egan® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 死 | EPC210 | ganfet(n化岩) | - | 死 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | 2 n 通道(半桥) | 80V | 9.5a,38a | 14.5mohm @ 20a,5v,3.4MOHM @ 20a,5v | 2.5V @ 2.5mA,2.5V @ 10mA | 2.5nc @ 5v,10nc @ 5v | 300pf @ 40V,1100pf @ 40V | - | ||
![]() | SI8904EDB-T2-E1 | - | ![]() | 7351 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 6-microfoot®csp | SI8904 | MOSFET (金属 o化物) | 1W | 6-Micro Foot™(2.36x1.56) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 通道(双)公共排水 | 30V | 3.8a | - | 1.6V @ 250µA | - | - | 逻辑级别门 | ||
![]() | FDMA3023PZ | 0.9000 | ![]() | 7331 | 0.00000000 | Onmi | PowerTrench® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 6-vdfn裸露的垫子 | FDMA3023 | MOSFET (金属 o化物) | 700MW | 6-microfet(2x2) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2(p 通道(双) | 30V | 2.9a | 90MOHM @ 2.9a,4.5V | 1V @ 250µA | 11NC @ 4.5V | 530pf @ 15V | 逻辑级别门 | ||
![]() | NDH8521C | 0.7700 | ![]() | 39 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-tsop (0.130英寸,3.30mm) | NDH8521 | MOSFET (金属 o化物) | 800MW(TA) | Supersot™-8 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n和p通道 | 30V | 3.8A(ta),2.7a ta(2.7a) | 33MOHM @ 3.8A,10V,70MOHM @ 2.7A,10V | 2V @ 250µA | 25nc @ 10v,27nc @ 10V | 500pf @ 15V,560pf @ 15V | - | ||
![]() | Aocr32326 | 1.0608 | ![]() | 9451 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 上次购买 | -55°C〜150°C | 表面安装 | 8-SMD,没有铅 | Aocr323 | MOSFET (金属 o化物) | 2.75W | 8-rigidcsp (6x2.5) | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 785-Aocr32326Tr | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n通道 | 30V | 28a | - | 2.3V @ 250µA | 142nc @ 10V | - | 标准 | ||
![]() | BUK7230-55A | - | ![]() | 5164 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 大部分 | 积极的 | BUK7230 | - | 下载 | 不适用 | (1 (无限) | 到达受影响 | Ear99 | 0000.00.0000 | 1 | - | ||||||||||||||
![]() | F445MR12W1M1B76BPSA1 | - | ![]() | 1455 | 0.00000000 | Infineon技术 | EASYPACK™COOLSIC™ | 托盘 | 过时的 | -40°C〜150°C(TJ) | 底盘安装 | 模块 | F445MR | (SIC) | - | Ag-Easy1b-2 | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 24 | 4(n n 通道(半桥) | 1200V(1.2kV) | 25A(TJ) | 45mohm @ 25a,15v | 5.55V @ 10mA | 62nc @ 15V | 1840pf @ 800V | - | ||
![]() | SI1972DH-T1-E3 | - | ![]() | 3650 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 | SI1972 | MOSFET (金属 o化物) | 1.25W | SC-70-6 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 通道(双) | 30V | 1.3a | 225mohm @ 1.3A,10V | 2.8V @ 250µA | 2.8NC @ 10V | 75pf @ 15V | - | ||
![]() | 2SJ634-E | 1.2600 | ![]() | 13 | 0.00000000 | Onmi | * | 大部分 | 积极的 | 2SJ634 | - | - | 不适用 | (1 (无限) | 供应商不确定 | 0000.00.0000 | 238 | - | |||||||||||||||
![]() | ZXMP6A16DN8TC | 0.4851 | ![]() | 4375 | 0.00000000 | 二极管合并 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | ZXMP6A16 | MOSFET (金属 o化物) | 1.25W | 8-so | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2(p 通道(双) | 60V | 2.9a | 85mohm @ 2.9a,10v | 1V @ 250µA(250µA) | 24.2nc @ 10V | 1021pf @ 30V | - | ||
![]() | DMP2066LSD-13 | - | ![]() | 1859年 | 0.00000000 | 二极管合并 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | DMP2066LSD | MOSFET (金属 o化物) | 2W | 8-so | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2(p 通道(双) | 20V | 5.8a | 40mohm @ 4.6A,4.5V | 1.2V @ 250µA | 10.1NC @ 4.5V | 820pf @ 15V | 逻辑级别门 | ||
SQJ204EP-T1_GE3 | 1.4800 | ![]() | 1991 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 汽车,AEC-Q101,Trenchfet® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | POWERPAK®SO-8 | SQJ204 | MOSFET (金属 o化物) | 27W(TC),48W(tc) | POWERPAK®SO-8 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 通道(双) | 12V | 20A(TC),60a (TC) | 8.3MOHM @ 4A,10V,3MOHM @ 10A,10V | 1.5V @ 250µA | 20NC @ 10V,50NC @ 10V | 1400pf @ 6v,3700pf @ 6v | - | ||||
![]() | BSS138AKDW-TP | 0.4600 | ![]() | 10 | 0.00000000 | 微商业公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 | BSS138 | MOSFET (金属 o化物) | 350MW | SOT-363 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2 n 通道(双) | 50V | 220mA | 3ohm @ 500mA,10v | 1.45V @ 250µA | - | 22800pf @ 25V | - | ||
![]() | 2N7002DW-G | 0.5500 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Onmi | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 | 2N7002 | MOSFET (金属 o化物) | 200mw(ta) | SC-88/SC70-6/SOT-363 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2 n 通道(双) | 60V | 115ma(ta) | 2ohm @ 500mA,10v | 2V @ 250µA | - | 50pf @ 25V | - | ||
![]() | QH8KB6TCR | 1.1100 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | 8-SMD,平坦的铅 | QH8KB6 | MOSFET (金属 o化物) | 1.1W(TA) | TSMT8 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 通道(双) | 40V | 8a(8a) | 17.7MOHM @ 8A,10V | 2.5V @ 1mA | 10.6nc @ 10V | 530pf @ 20V | - |
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