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FET，MOSFET（6056）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet
AO4627	0.2116	RFQ	2170	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	AO462	MOSFET （金属 o化物）	2W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	n和p通道	30V	4.5a，3.5a	50MOHM @ 4.5A，10V	2.5V @ 250µA	5NC @ 10V	210pf @ 15V	逻辑级别门
STS3C2F100	-	RFQ	9169	Stmicroelectronics	StripFet™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	STS3C2	MOSFET （金属 o化物）	2W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n和p通道	100V	3a	145MOHM @ 1.5A，10V	2V @ 250µA	20NC @ 10V	460pf @ 25V	逻辑级别门
CWDM305PD TR13 PBFRE	0.1675	RFQ	8037	中央半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	CWDM305	MOSFET （金属 o化物）	2W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2（p 通道（双）	30V	5.3a	72MOHM @ 2.7A，10V	3V @ 250µA	7NC @ 5V	590pf @ 10V	-
GWM120-0075P3-SL	-	RFQ	1375	ixys	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	17-SMD，平坦的铅	GWM120	MOSFET （金属 o化物）	-	ISOPLUS-DIL™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	36	6 n通道（3相桥）	75V	118a	5.5MOHM @ 60a，10V	4V @ 1mA	100NC @ 10V	-	-
UPA2381AT1P-E1-A	-	RFQ	8867	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-	-	-	UPA2381	-	-	-	-		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	5,000	-	-	-	-	-	-	-	-
FDBL86210	-	RFQ	8016	Fairchild半导体	*	大部分	积极的				FDBL862	-			-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	2,000								-
APTM100DSK35T3G	97.3000	RFQ	2123	微芯片技术	-	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	SP3	APTM100	MOSFET （金属 o化物）	390W	SP3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	2 n 通道（双）	1000V （1kV）	22a	420MOHM @ 11a，10v	5V @ 2.5mA	186nc @ 10V	5200pf @ 25V	-
AO4614BL_201	-	RFQ	6316	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	AO4614	MOSFET （金属 o化物）	2W	8-SOIC	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	n和p通道	40V	6a（6a），5a ta（5a ta）	30mohm @ 6A，10V，45MOHM @ 5A，10V	3V @ 250µA	10.8nc @ 10v，22nc @ 10v	650pf @ 20v，1175pf @ 20V	-
IRFR21496	0.3200	RFQ	993	哈里斯公司	*	大部分	积极的				IRFR214	-			-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	993								-
DMP4026LSDQ-13	0.4078	RFQ	4354	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		MOSFET （金属 o化物）	1.3W（TA）	8-so	-	rohs3符合条件	（1 （无限）		31-DMP4026LSDQ-13TR			2,500	2个p通道	40V	6.5A（TA）	25mohm @ 3a，10v	1.8V @ 250µA	45.8NC @ 10V	2064pf @ 20V	标准
ECH8659-m-TL-H	-	RFQ	2188	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅	ECH8659	MOSFET （金属 o化物）	1.5W	8-ech	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）	30V	7a	24mohm @ 3.5A，10V	-	11.8nc @ 10V	710pf @ 10V	逻辑水平门，4V驱动器
MSCSM120AM31CTBL1NG	166.2400	RFQ	1220	微芯片技术	-	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	底盘安装	模块	MSCSM120	（SIC）	310W	-	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	150-MSCSM120AM31CTBL1NG	Ear99	8541.29.0095	1	2 n 通道（相腿）	1200V	79a	31mohm @ 40a，20v	2.8V @ 1mA	232nc @ 20v	3020pf @ 1000V	-
19mt050xf	-	RFQ	7178	Vishay通用半导体 -二极管部门	Hexfet®	大部分	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	16-MTP模块	19MT050	MOSFET （金属 o化物）	1140W	16-MTP	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*19mt050xf	Ear99	8541.29.0095	15	4（n n 通道（半桥）	500V	31a	220MOHM @ 19a，10v	6V @ 250µA	160NC @ 10V	7210pf @ 25V	-
OP529,005	0.4250	RFQ	8904	Ween半导体	*	托盘	积极的				OP529	-			-		（1 （无限）				0000.00.0000	1								-
FDR8702H	0.7500	RFQ	254	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-tsop （0.130英寸，3.30mm）	FDR87	MOSFET （金属 o化物）	800MW	Supersot™-8	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0095	3,000	n和p通道	20V	3.6a，2.6a	38mohm @ 3.6A，4.5V	1.5V @ 250µA	10NC @ 4.5V	650pf @ 10V	逻辑级别门
MCH6662-TL-W	-	RFQ	7160	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	MCH6662	MOSFET （金属 o化物）	800MW	SC-88FL/MCPH6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	2 n 通道（双）	20V	2a	160MOHM @ 1A，4.5V	1.3V @ 1mA	1.8NC @ 4.5V	128pf @ 10V	逻辑水平门，1.8V
SI4908DY-T1-GE3	-	RFQ	2840	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4908	MOSFET （金属 o化物）	2.75W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）	40V	5a	60mohm @ 4.1A，10V	2.2V @ 250µA	12nc @ 10V	355pf @ 20V	-
F411MR12W2M1HPB76BPSA1	225.0528	RFQ	5688	Infineon技术	-	托盘	积极的				F411MR				-	rohs3符合条件						18
PJL9602_R2_00001	0.6900	RFQ	2	Panjit International Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	PJL9602	MOSFET （金属 o化物）	1.7W（TA）	8-sop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	3757-PJL9602_R2_00001DKR	Ear99	8541.29.0095	2,500	n和p通道互补	30V	6.1a（6a），6a（ta）	28mohm @ 6a，10v，30mohm @ 4a，10v	2.1V @ 250µA，2.5V @ 250µA	7.8NC @ 10V，4.5V	343pf @ 15V，870pf @ 15V	-
TSM300NB06LDCR	0.9850	RFQ	9547	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	TSM300	MOSFET （金属 o化物）	2W（TA），40W（TC）	8-pdfnu（5x6）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM300NB06LDCRTR	Ear99	8541.29.0095	5,000	2 n 通道（双）	60V	5A（5A），24a （TC）	30mohm @ 5a，10v	2.5V @ 250µA	17NC @ 10V	966pf @ 30V	逻辑级别门
CSD75205W1015	-	RFQ	8868	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-ufbga，DSBGA	CSD75205	MOSFET （金属 o化物）	750MW	6-DSBGA（1x1.5）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	2（p 通道（双）	20V	1.2a	120MOHM @ 1A，4.5V	850mv @ 250µA	2.2nc @ 4.5V	265pf @ 10V	逻辑级别门
FDY2001PZ	0.0600	RFQ	161	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-563，SOT-666	FDY20	MOSFET （金属 o化物）	446MW	SOT-563F	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0095	3,000	2（p 通道（双）	20V	150mA	8ohm @ 150mA，4.5V	1.5V @ 250µA	1.4NC @ 4.5V	100pf @ 10V	逻辑级别门
FDMQ86530L	3.0800	RFQ	16	Onmi	Greenbridge™PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	12-wdfn暴露垫	FDMQ86530	MOSFET （金属 o化物）	1.9W	12-MLP（5x4.5）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	4（n n 通道（半桥）	60V	8a	17.5MOHM @ 8A，10V	3V @ 250µA	33nc @ 10V	2295pf @ 30V	逻辑级别门
SIZ270DT-T1-GE3	1.4100	RFQ	8	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	SIZ270	MOSFET （金属 o化物）	4.3W（TA），33W（tc）	8-Powerpair®（3.3x3.3）	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）	100V	7.1a（ta），19.5a（tc），6.9a ta（19.1a ta）（19.1a tc）	37.7MOHM @ 7A，10V，39.4MOHM @ 7A，10V	2.4V @ 250µA	27nc @ 10V	860pf @ 50V，845pf @ 50V	-
ISL6563CR-TK	1.6500	RFQ	912	Intersil	*	大部分	积极的				ISL6563	-			-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	1,000								-
AOMU66414Q	1.4670	RFQ	4111	Alpha＆欧米茄半导体公司	Alplosgt™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	AOMU66414	MOSFET （金属 o化物）	6.2W（68W（ta）（68W tc），6.2w（ta（65W）（65W（tc）	8-DFN（8x5）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	785-AOMU66414QTR	Ear99	8541.29.0095	5,000	2 n通道	40V	40a（40a），85a tc（85a）（TC）	2.3MOHM @ 20A，10V	2.4V @ 250µA	60nc @ 10V	3350pf @ 20V	标准
CMLDM5757 TR PBFRE	0.6300	RFQ	6	中央半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-563，SOT-666	CMLDM5757	MOSFET （金属 o化物）	350MW	SOT-563	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	2（p 通道（双）	20V	430mA	900MOHM @ 430mA，4.5V	1V @ 250µA	1.2nc @ 4.5V	175pf @ 16V	逻辑级别门
UPA1873GR-9JG-E1-A	0.3467	RFQ	9202	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买		表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	UPA1873	MOSFET （金属 o化物）	2W	8-tssop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）	20V	6a	23mohm @ 3a，4.5V	1.5V @ 1mA	9NC @ 4V	705pf @ 10V	逻辑级别门
AO4806	0.3704	RFQ	4676	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	AO480	MOSFET （金属 o化物）	2W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）	20V	-	14mohm @ 9.4a，10v	1V @ 250µA	17.9nc @ 4.5V	1810pf @ 10V	逻辑级别门
2SJ653-CB11	1.7400	RFQ	16	Sanyo	*	大部分	积极的				2SJ65	-			下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1								-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

FET，MOSFET（6056）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²