SIC
close

FET，MOSFET（6056）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs （ciss）（最大（ciss） @ vds fet
BSM180D12P3C007 Rohm Semiconductor BSM180D12P3C007 675.9200
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Rohm半导体 - 大部分 积极的 175°C（TJ） 表面安装 模块 BSM180 （SIC） 880W 模块 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Q9597863 Ear99 8541.29.0095 12 2 n 通道（双） 1200V（1.2kV） 180a（TC） - 5.6V @ 50mA - 900pf @ 10V -
SI4936BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4936BDY-T1-GE3 1.3200
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） SI4936 MOSFET （金属 o化物） 2.8W 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（双） 30V 6.9a 35mohm @ 5.9a，10v 3V @ 250µA 15nc @ 10V 530pf @ 15V 逻辑级别门
SSM6P54TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6P54TU，LF 0.4100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C 表面安装 6-SMD，平坦的铅 SSM6P54 MOSFET （金属 o化物） 500MW（TA） UF6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 2（p 通道（双） 20V 1.2A（TA） 228mohm @ 600mA，2.5V 1V @ 1mA 7.7nc @ 4V 331pf @ 10V 逻辑级别门，1.5V
FMM22-05PF IXYS FMM22-05PF 20.9960
RFQ
 ECAD 7229 0.00000000 ixys Hiperfet™，Polarht™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 I4-PAC™-5 FMM22 MOSFET （金属 o化物） 132W ISOPLUS I4-PAC™ 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 25 2 n 通道（双） 500V 13a 270MOHM @ 11A，10V 5V @ 1mA 50NC @ 10V 2630pf @ 25V -
NTLJD2104PTAG onsemi NTLJD2104PTAG -
RFQ
 ECAD 2357 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-WDFN暴露垫 NTLJD21 MOSFET （金属 o化物） 700MW 6-WDFN（2x2） 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2（p 通道（双） 12V 2.4a 90MOHM @ 3A，4.5V 800MV @ 250µA 8NC @ 4.5V 467pf @ 6V 逻辑级别门
ALD110802SCL Advanced Linear Devices Inc. ALD110802SCL 5.8548
RFQ
 ECAD 7664 0.00000000 高级线性设备公司 epad® 管子 积极的 0°C 〜70°C（TJ） 表面安装 16-Soic（0.154英寸，宽度为3.90mm） ALD110802 MOSFET （金属 o化物） 500MW 16-Soic 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 1014-1021 Ear99 8541.21.0095 50 4 n n通道，匹配对 10.6V - 500OHM @ 4.2V 220mv @ 1µA - 2.5pf @ 5V -
FDW2503N onsemi FDW2503N -
RFQ
 ECAD 9358 0.00000000 Onmi PowerTrench® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度） FDW25 MOSFET （金属 o化物） 600MW 8-tssop 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 2,500 2 n 通道（双） 20V 5.5a 21MOHM @ 5.5A，4.5V 1.5V @ 250µA 17nc @ 4.5V 1082pf @ 10V 逻辑级别门
SSM6N357R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N357R，LF 0.4100
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C 表面安装 6-SMD，平坦的铅 SSM6N357 MOSFET （金属 o化物） 1.5W（TA） 6-TSOP-F 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 60V 650mA（TA） 1.8ohm @ 150mA，5v 2V @ 1mA 1.5NC @ 5V 60pf @ 12V -
UPA1770G-E1-A Renesas UPA1770G-E1-A 1.6800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 肾脏 - 大部分 过时的 150°C 表面安装 8-SOIC （0.173“，4.40mm宽度） UPA1770 MOSFET （金属 o化物） 750MW（TA） 8-sop - Rohs不合规 供应商不确定 2156-UPA1770G-E1-A Ear99 8541.29.0095 1 2 n 通道（双） 20V 6a（6a） 37MOHM @ 3A，4.5V 1.5V @ 1mA 11NC @ 4.5V 1300pf @ 10V -
FDMA1024NZ onsemi FDMA1024NZ 1.3700
RFQ
 ECAD 21 0.00000000 Onmi PowerTrench® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-vdfn裸露的垫子 FDMA1024 MOSFET （金属 o化物） 700MW 6-microfet（2x2） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道（双） 20V 5a 54mohm @ 5A，4.5V 1V @ 250µA 7.3nc @ 4.5V 500pf @ 10V 逻辑级别门
AO8822#A Alpha & Omega Semiconductor Inc. AO8822＃a -
RFQ
 ECAD 4138 0.00000000 Alpha＆欧米茄半导体公司 - 大部分 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度） AO882 MOSFET （金属 o化物） 1.5W 8-tssop - （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 2 n 通道（双）公共排水 20V 7a 18mohm @ 7a，10v 1V @ 250µA 18NC @ 10V 780pf @ 10V 逻辑级别门
FS70KMJ-2#B00 Renesas Electronics America Inc FS70KMJ-2 ＃B00 4.8700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Renesas Electronics America Inc * 大部分 积极的 FS70公里 - - 不适用 （1 （无限） 供应商不确定 Ear99 8542.39.0001 1 -
IRF640S2470 Harris Corporation IRF640S2470 1.0000
RFQ
 ECAD 2957 0.00000000 哈里斯公司 * 大部分 积极的 IRF640 - - 不适用 （1 （无限） 供应商不确定 Ear99 8542.39.0001 1 -
QS6M4TR Rohm Semiconductor QS6M4TR 0.6000
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 SOT-23-6薄，TSOT-23-6 QS6M4 MOSFET （金属 o化物） 1.25W TSMT6（SC-95） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n和p通道 30V，20V 1.5a 230MOHM @ 1.5A，4.5V 1.5V @ 1mA 1.6NC @ 4.5V 80pf @ 10V 逻辑级别门
SIL6321-TP Micro Commercial Co SIL6321-TP -
RFQ
 ECAD 1571年 0.00000000 微商业公司 - 大部分 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-23-6 SIL6321 MOSFET （金属 o化物） 1W SOT-23-6L - 353-SIL6321-TP Ear99 8541.29.0095 1 n和p通道 30V 1a 320MOHM @ 1A，10V 1.4V @ 250µA，1.3V @ 250µA - 1155pf @ 15V，1050pf @ 15V -
NTMFD1D4N02P1E onsemi NTMFD1D4N02P1E 2.5300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Powerwdfn NTMFD1 MOSFET （金属 o化物） （960MW）（1W）（1W） 8-pqfn（5x6） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 25V （13A）（ta），74a（tc），24a（ta（155a tc）（TC） 3.3MOHM @ 20a，10v，1.1MOHM @ 37A，10V 2V @ 250µA，2V @ 800µA 7.2nc @ 4.5V，21.5nc @ 4.5V 1180pf @ 13v，3603pf @ 13V -
RJK03J9DNS-00#J5 Renesas Electronics America Inc RJK03J9DNS-00＃j5 0.2700
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Renesas Electronics America Inc * 大部分 积极的 RJK03J9 - - 不适用 （1 （无限） 供应商不确定 Ear99 8542.39.0001 5,000 -
SQS966ENW-T1_GE3 Vishay Siliconix SQS966ENW-T1_GE3 0.9800
RFQ
 ECAD 8853 0.00000000 Vishay Siliconix 汽车，AEC-Q101，Trenchfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装，可润湿的侧面 PowerPak®1212-8W双重 SQS966 MOSFET （金属 o化物） 27.8W（TC） PowerPak®1212-8W双重 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 60V 6A（TC） 36mohm @ 1.25A，10V 2.5V @ 250µA 8.8nc @ 10V 572pf @ 25V -
DMN16M9UCA6-7 Diodes Incorporated DMN16M9UCA6-7 0.3560
RFQ
 ECAD 7231 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-SMD，没有铅 DMN16 MOSFET （金属 o化物） 2.4W X3-DSN2718-6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） - - - 1.3V @ 1mA 35.2NC @ 4.5V 2360pf @ 6V -
GWM70-01P2 IXYS GWM70-01P2 -
RFQ
 ECAD 8125 0.00000000 ixys - 管子 过时的 -40°C〜175°C（TJ） 表面安装 17-SMD，平坦的铅 GWM70 MOSFET （金属 o化物） - ISOPLUS-DIL™ 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 20 6 n通道（3相桥） 100V 70a 14mohm @ 35a，10v 4V @ 1mA 110NC @ 10V - -
2N7002DWKX-7 Diodes Incorporated 2N7002DWKX-7 -
RFQ
 ECAD 7686 0.00000000 二极管合并 * 胶带和卷轴（（tr） 过时的 2N7002 - - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 2N7002DWKX-7DI Ear99 8541.21.0095 3,000 -
RJK0222DNS-00#J5 Renesas Electronics America Inc RJK022222DNS-00＃j5 1.0600
RFQ
 ECAD 340 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 大部分 积极的 150°C（TJ） 表面安装 8-WDFN暴露垫 RJK0222 MOSFET （金属 o化物） 8W，10W 8-DFN（5x6） - 不适用 （1 （无限） 供应商不确定 Ear99 0000.00.0000 1 2 n 通道（半桥） 25V 14a，16a 9.2MOHM @ 7A，10V - 6.2nc @ 4.5V 810pf @ 10V 逻辑级别门，4.5V驱动器
DMN2710UVQ-13 Diodes Incorporated DMN2710UVQ-13 0.3400
RFQ
 ECAD 8960 0.00000000 二极管合并 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-563，SOT-666 DMN2710 MOSFET （金属 o化物） 500MW（TA） SOT-563 - rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 10,000 2 n 通道（双） 20V 920mA（ta） 450MOHM @ 600mA，4.5V 1V @ 250µA 0.6NC @ 4.5V 42pf @ 16V 标准
SQJ963EP-T1_GE3 Vishay Siliconix SQJ963EP-T1_GE3 1.8600
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Vishay Siliconix 汽车，AEC-Q101，Trenchfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TA） 表面安装 POWERPAK®SO-8 SQJ963 MOSFET （金属 o化物） 27W（TC） POWERPAK®SO-8 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 2（p 通道（双） 60V 8A（TC） 85MOHM @ 3.5A，10V 2.5V @ 250µA 40NC @ 10V 1140pf @ 30V -
AON6884L_002 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AON6884L_002 -
RFQ
 ECAD 7479 0.00000000 Alpha＆欧米茄半导体公司 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-powersmd，平面线 AON688 MOSFET （金属 o化物） 21W 8-DFN（5x6） - （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 40V 34A（TC） 11.3mohm @ 10a，10v 2.7V @ 250µA 16nc @ 4.5V 1950pf @ 20V -
FDMS3606AS Fairchild Semiconductor FDMS3606AS 1.0900
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Fairchild半导体 PowerTrench® 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-POWERTDFN FDMS3606 MOSFET （金属 o化物） 1W 8-pqfn（5x6） 下载 Ear99 8542.39.0001 1 2 n 通道（双） 30V 13a，27a 8mohm @ 13a，10v 2.7V @ 250µA 29nc @ 10V 1695pf @ 15V 逻辑级别门
DMC1030UFDB-7 Diodes Incorporated DMC1030UFDB-7 0.4100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 二极管合并 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-udfn暴露垫 DMC1030 MOSFET （金属 o化物） 1.36W（TA） U-DFN2020-6（B型） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n和p通道互补 12V 5.1a（ta），3.9a（ta） 34mohm @ 4.6A，4.5V，59MOHM @ 3.6A，4.5V 1V @ 250µA 12.2nc @ 4.5V，13nc @ 4.5V 1003pf @ 6v，1028pf @ 6v -
APTM100H46FT3G Microchip Technology APTM100H46FT3G 98.7600
RFQ
 ECAD 6475 0.00000000 微芯片技术 Power MOS 8™ 大部分 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 SP3 APTM100 MOSFET （金属 o化物） 357W SP3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 4（n n 通道（半桥） 1000V （1kV） 19a 552MOHM @ 16a，10v 5V @ 2.5mA 260NC @ 10V 6800pf @ 25V -
DMN2012UCA6-7 Diodes Incorporated DMN2012UCA6-7 0.5286
RFQ
 ECAD 1295 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-SMD，没有铅 DMN2012 MOSFET （金属 o化物） 820MW X3-DSN2718-6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双）公共排水 24V 13A（TA） 9MOHM @ 5A，4.5V 1.3V @ 1mA 26NC @ 4V 2417pf @ 10V -
DMN2710UVQ-7 Diodes Incorporated DMN2710UVQ-7 0.3400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 二极管合并 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-563，SOT-666 DMN2710 MOSFET （金属 o化物） 500MW（TA） SOT-563 - rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道（双） 20V 920mA（ta） 450MOHM @ 600mA，4.5V 1V @ 250µA 0.6NC @ 4.5V 42pf @ 16V 标准
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

RFQ列表（0项）
购物车列表（0个项目）
Wishlist愿望清单（0个项目）
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

数量：1

比较列表（0项）
点击Enter进行搜索或ESC关闭