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FET，MOSFET（6056）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs （ciss）（最大（ciss） @ vds fet
SI5922DU-T1-GE3 Vishay Siliconix SI5922DU-T1-GE3 0.5400
RFQ
 ECAD 4629 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 PowerPak®Chipfet双重 SI5922 MOSFET （金属 o化物） 10.4W PowerPak®Chipfet双重 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 30V 6A（TC） 19.2mohm @ 5A，10V 2.2V @ 250µA 7.1nc @ 4.5V 765pf @ 15V -
AON2803G Alpha & Omega Semiconductor Inc. AON2803G 0.2331
RFQ
 ECAD 3769 0.00000000 Alpha＆欧米茄半导体公司 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 AON280 - rohs3符合条件 到达不受影响 785-AON2803GTR 3,000
AO4807L Alpha & Omega Semiconductor Inc. AO4807L -
RFQ
 ECAD 3987 0.00000000 Alpha＆欧米茄半导体公司 - 大部分 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） AO480 MOSFET （金属 o化物） 2W 8-SOIC 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 2（p 通道（双） 30V 6a 35mohm @ 6a，10v 2.4V @ 250µA 16NC @ 10V 760pf @ 15V 逻辑级别门
SQ3989EV-T1_BE3 Vishay Siliconix SQ3989EV-T1_BE3 0.6000
RFQ
 ECAD 8623 0.00000000 Vishay Siliconix 汽车，AEC-Q101，Trenchfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 SOT-23-6薄，TSOT-23-6 SQ3989 MOSFET （金属 o化物） 1.67W（TC） 6-TSOP 下载 （1 （无限） 742-SQ3989EV-T1_BE3TR Ear99 8541.29.0095 3,000 2（p 通道（双） 30V 2.5A（TC） 155mohm @ 400mA，10v 1.5V @ 250µA 11.1nc @ 10V - -
CAS120M12BM2 Wolfspeed, Inc. CAS120M12BM2 545.3100
RFQ
 ECAD 492 0.00000000 Wolfspeed，Inc。 Z-Rec® 大部分 不适合新设计 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 模块 CAS120 （SIC） 925W 模块 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 1 2 n 通道（半桥） 1200V（1.2kV） 193a（TC） 16mohm @ 120a，20v 2.6V @ 6mA（typ） 378nc @ 20V 6470pf @ 800V -
AON6996 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AON6996 0.4645
RFQ
 ECAD 8846 0.00000000 Alpha＆欧米茄半导体公司 - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-powersmd，平面线 AON699 MOSFET （金属 o化物） 3.1W 8-DFN（5x6） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 30V 50a，60a 5.2MOHM @ 20A，10V 2.2V @ 250µA 13nc @ 10V 820pf @ 15V -
BSO615NGHUMA1 Infineon Technologies BSO615NGHUMA1 -
RFQ
 ECAD 6961 0.00000000 Infineon技术 Sipmos® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） BSO615 MOSFET （金属 o化物） 2W PG-DSO-8 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（双） 60V 2.6a 150MOHM @ 2.6a，4.5V 2V @ 20µA 20NC @ 10V 380pf @ 25V 逻辑级别门
TSM8568CS RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM8568CS RLG 2.5000
RFQ
 ECAD 22 0.00000000 台湾半导体公司 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） TSM8568 MOSFET （金属 o化物） 6W 8-sop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n和p通道 30V 15A（TC），13A （TC） 16mohm @ 8a，10v，24mohm @ 7a，10v 2.5V @ 250µA 7NC @ 4.5V，11NC @ 4.5V 646pf @ 15V，1089pf @ 15V -
AO4616L_102 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AO4616L_102 -
RFQ
 ECAD 5770 0.00000000 Alpha＆欧米茄半导体公司 - 大部分 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） AO461 MOSFET （金属 o化物） 2W 8-SOIC 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 n和p通道 30V 8a，7a 20mohm @ 8a，10v 2.4V @ 250µA 18NC @ 10V 888pf @ 15V 逻辑级别门
EMH2412-TL-H Sanyo EMH2412-TL-H 0.2500
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 Sanyo - 大部分 过时的 150°C 表面安装 8-SMD，平坦的铅 EMH2412 - 1.3W（TA） SOT-383FL，EMH8 下载 rohs3符合条件 Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 24V 6a（6a） 27mohm @ 3A，4.5V 1.3V @ 1mA 6.3nc @ 4.5V - -
AOC3860C Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOC3860C 1.0500
RFQ
 ECAD 7990 0.00000000 Alpha＆欧米茄半导体公司 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-SMD，没有铅 AOC386 MOSFET （金属 o化物） 3.1W（TA） 6-Alphadfn（3.05x1.77） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 8,000 2 n 通道（双）公共排水 12V 25A（TA） 3.5MOHM @ 5A，4.5V 1.1V @ 250µA 36nc @ 4.5V - 标准
FS55MR12W1M1HB11NPSA1 Infineon Technologies FS55MR12W1M1HB11NPSA1 89.0900
RFQ
 ECAD 43 0.00000000 Infineon技术 EasyPack™，Coolsic™ 托盘 积极的 -40°C〜175°C（TJ） 底盘安装 模块 FS55MR12 （SIC） 20mw ag-easy1b 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 24 6 n 通道（全桥） 1200V 15A（TJ） 79mohm @ 15a，18v 5.15V @ 6mA 45nc @ 18V 1350pf @ 800V -
EFC8811R-TF onsemi EFC8811R-TF 1.0400
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 上次购买 150°C（TJ） 表面安装 6-SMD，没有铅 EFC8811 MOSFET （金属 o化物） 2.5W 6-CSP（1.77x3.54） 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 5,000 2 n 通道（双）公共排水 - - - - - - 逻辑水平门，2.5V
SI6968BEDQ-T1-E3 Vishay Siliconix SI6968BEDQ-T1-E3 1.3900
RFQ
 ECAD 292 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度） SI6968 MOSFET （金属 o化物） 1W 8-tssop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双）公共排水 20V 5.2a 22mohm @ 6.5a，4.5V 1.6V @ 250µA 18NC @ 4.5V - 逻辑级别门
BUK9MJT-55PRF,518 Nexperia USA Inc. BUK9MJT-55PRF，518 -
RFQ
 ECAD 6402 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 表面安装 20-SOIC （0.295英寸，7.50mm宽度） Buk9m MOSFET （金属 o化物） - 20-so - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 934061029518 Ear99 8541.29.0095 2,000 2 n 通道（双） 55V - 13.8mohm @ 10a，10v - - - 逻辑级别门
SI7913DN-T1-E3 Vishay Siliconix SI7913DN-T1-E3 1.6400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 POWERPAK®1212-8 SI7913 MOSFET （金属 o化物） 1.3W POWERPAK®1212-8 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 2（p 通道（双） 20V 5a 37MOHM @ 7.4A，4.5V 1V @ 250µA 24nc @ 4.5V - 逻辑级别门
APM4953 UMW APM4953 0.5900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 UMW UMW 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） APM49 2W（TA） 8-sop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 3,000 30V 5.3a（ta） 41MOHM @ 5.3A，10V 2.5V @ 250µA 12nc @ 10V 504pf @ 15V 标准
RM4503S8 Rectron USA RM4503S8 0.1900
RFQ
 ECAD 1978年 0.00000000 美国直发 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） RM4503 MOSFET （金属 o化物） 2.5W（TA） 8-sop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 2516-RM4503S8TR 8541.10.0080 40,000 n和p通道 30V 10a（10a），9.1A（9.1A） 10mohm @ 10a，10v，20mohm @ 9.1a，10v 3V @ 250µA 13nc @ 4.5V，30nc @ 10V 1550pf @ 15V，1600pf @ 15V -
AON6974A Alpha & Omega Semiconductor Inc. AON6974A -
RFQ
 ECAD 5704 0.00000000 Alpha＆欧米茄半导体公司 SRFET™ 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Powervdfn AON697 MOSFET （金属 o化物） 3.6W，4.3W 8-DFN（5x6） 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（半桥） 30V 22a，30a 5.2MOHM @ 20A，10V 2.2V @ 250µA 22nc @ 10V 1037pf @ 15V 逻辑级别门
DMN33D9LV-13 Diodes Incorporated DMN33D9LV-13 0.0876
RFQ
 ECAD 2474 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-563，SOT-666 DMN33 MOSFET （金属 o化物） 430MW（TA） SOT-563 下载 到达不受影响 31-DMN33D9LV-13TR Ear99 8541.21.0095 10,000 2 n 通道（双） 30V 350mA（ta） 2.4OHM @ 250mA，10V 1.4V @ 100µA 1.23nc @ 10V 48pf @ 5V -
2N7335 Microsemi Corporation 2N7335 -
RFQ
 ECAD 2042 0.00000000 Microsemi Corporation - 大部分 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 14 浸（0.300英寸，7.62mm） 2N733 MOSFET （金属 o化物） 1.4W MO-036AB 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 4个p通道 100V 750mA 1.4OHM @ 500mA，10V 4V @ 250µA - - -
FDS4885C onsemi FDS4885C -
RFQ
 ECAD 3654 0.00000000 Onmi PowerTrench® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） FDS48 MOSFET （金属 o化物） 900MW 8-SOIC 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 2,500 n和p通道 40V 7.5a，6a 22mohm @ 7.5a，10v 5V @ 250µA 21NC @ 10V 900pf @ 20V -
FDC6305N onsemi FDC6305N 0.6600
RFQ
 ECAD 3012 0.00000000 Onmi PowerTrench® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-23-6薄，TSOT-23-6 FDC6305 MOSFET （金属 o化物） 700MW SuperSot™-6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道（双） 20V 2.7a 80Mohm @ 2.7a，4.5V 1.5V @ 250µA 5NC @ 4.5V 310pf @ 10V -
2N7002DWK-7 Diodes Incorporated 2N7002DWK-7 0.0600
RFQ
 ECAD 8823 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 2N7002 MOSFET （金属 o化物） 330MW（TA） SOT-363 下载 到达不受影响 31-2N7002DWK-7TR Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道（双） 60V 261ma（ta） 3ohm @ 200ma，10v 2V @ 250µA 1.04NC @ 10V 41pf @ 30V -
APTM20AM05FG Microchip Technology APTM20AM05FG 279.2300
RFQ
 ECAD 6828 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 SP6 APTM20 MOSFET （金属 o化物） 1136W SP6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 2 n 通道（半桥） 200V 317a 5mohm @ 158.5a，10v 5V @ 10mA 448nc @ 10V 27400pf @ 25V -
AO4818BL_101 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AO4818BL_101 -
RFQ
 ECAD 7586 0.00000000 Alpha＆欧米茄半导体公司 - 大部分 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） AO481 MOSFET （金属 o化物） 2W 8-SOIC 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 2 n 通道（双） 30V 8a 19mohm @ 8a，10v 2.4V @ 250µA 18NC @ 10V 888pf @ 15V 逻辑级别门
APTC60DDAM24T3G Microchip Technology APTC60DAM24T3G 129.7000
RFQ
 ECAD 1094 0.00000000 微芯片技术 coolmos™ 托盘 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 SP3 APTC60 MOSFET （金属 o化物） 462W SP3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 2 n 频道（双重斩波器） 600V 95a 24mohm @ 47.5A，10V 3.9V @ 5mA 300NC @ 10V 14400pf @ 25V 超交界处
APTM20DHM10G Microsemi Corporation APTM20DHM10G -
RFQ
 ECAD 1853年 0.00000000 Microsemi Corporation - 大部分 过时的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 SP6 APTM20 MOSFET （金属 o化物） 694W SP6 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 2 n 通道（双） 200V 175a 12MOHM @ 87.5A，10V 5V @ 5mA 224nc @ 10V 13700pf @ 25V -
FDS6898AZ onsemi FDS6898AZ 1.2600
RFQ
 ECAD 6214 0.00000000 Onmi PowerTrench® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） FDS6898 MOSFET （金属 o化物） 900MW 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 2,500 2 n 通道（双） 20V 9.4a 14mohm @ 9.4a，4.5V 1.5V @ 250µA 23nc @ 4.5V 1821pf @ 10V 逻辑级别门
IRF7910TRPBF Infineon Technologies IRF7910TRPBF -
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 ECAD 5818 0.00000000 Infineon技术 Hexfet® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） IRF7910 MOSFET （金属 o化物） 2W 8-so 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 4,000 2 n 通道（双） 12V 10a 15mohm @ 8a，4.5V 2V @ 250µA 26nc @ 4.5V 1730pf @ 6V 逻辑级别门
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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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