- RFQ
- bom
- 联系我们
电话： +86-0755-83501345
电子邮件：sales@swxic.com
- 中文
- 英语
- 法语
- 德语
- 葡萄牙语
- 西班牙语
- 俄语
- 日本人
- 韩国人
- 阿拉伯
- 爱尔兰人
- 希腊语
- 土耳其
- 意大利人
- 丹麦语
- 罗马尼亚人
- 印度尼西亚
- 捷克
- 南非荷兰语
- 瑞典
- 抛光
- 巴斯克
- 加泰罗尼亚
- 世界语
- 印地语
- 老挝
- 阿尔巴尼亚人
- 阿姆哈拉语
- 亚美尼亚人
- 阿塞拜疆
- 白俄罗斯人
- 孟加拉
- 波斯尼亚
- 保加利亚语
- 宿务
- Chichewa
- 科西嘉
- 克罗地亚人
- 荷兰
- 爱沙尼亚人
- 菲律宾
- 芬兰
- 弗里斯安
- 加利西亚人
- 格鲁吉亚人
- 古吉拉特语
- 海地
- 豪萨
- 夏威夷人
- 希伯来语
- 苗族
- 匈牙利
- 冰岛
- 伊博
- 爪哇人
- 卡纳达语
- 哈萨克
- 高棉
- 库尔德
- 吉尔吉斯
- 拉丁
- 拉脱维亚
- 立陶宛语
- Luxembou ..
- 马其顿
- 马尔加什
- 马来语
- 马拉雅拉姆语
- 马耳他
- 毛利人
- 马拉地语
- 蒙
- 缅甸
- 尼泊尔
- 挪威
- Pashto
- 波斯语
- 旁遮普
- 塞尔维亚
- 塞索托
- 僧伽罗
- 斯洛伐克
- 斯洛文尼亚人
- 索马里
- 萨摩亚
- 苏格兰盖尔语
- 肖纳
- 信德
- 圣丹尼斯
- 斯W希里语
- 塔吉克
- 泰米尔人
- 泰卢固语
- 泰国
- 乌克兰
- 乌尔都语
- 乌兹别克
- 越南人
- 威尔士语
- xhosa
- 意第绪
- 约鲁巴
- 祖鲁
- Kinyarwanda
- 塔塔尔
- 奥里亚
- 土库曼
- Uyghur
FET，MOSFET（6056）
| 参考图片 | 产品编号 | （（（） | 数量 | ECAD | 可用数量 | （kg） | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | （MSL） | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | （VDSS） | 电流 -id（ID） @ 25°C | RDS（最大值） @ ID，VGS | VGS（TH）（最大） @ ID | （QG））（最大） @ vgs | （ciss）（最大（ciss） @ vds | fet |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | PSMN033-100HLX | 1.9000 |  | 9394 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 表面安装 | SOT-12205，8-LFPAK56 | PSMN033 | MOSFET （金属 o化物） | 64W（TA） | LFPAK56D | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,500 | 2 n 通道（双） | 100V | 26a（26a） | 31MOHM @ 5A，10V | 2.1V @ 1mA | 27.3nc @ 5V | 3168pf @ 25V | 逻辑级别门 | ||
 | STL64DN4F7AG | 0.8186 | | 4480 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | 汽车，AEC-Q101，StripFet™F7 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 表面安装 | 8-Powervdfn | STL64 | MOSFET （金属 o化物） | 57W（TC） | PowerFlat™（5x6） | 下载 | rohs3符合条件 | 3（168）） | 到达不受影响 | 497-STL64DN4F7AGTR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 通道（双） | 40V | 40a（TC） | 8.5mohm @ 20a，10v | 4V @ 250µA | 9.8nc @ 10V | 637pf @ 25V | - | |
 | SI4966DY-T1-E3 | - | | 7920 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | SI4966 | MOSFET （金属 o化物） | 2W | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 n 通道（双） | 20V | - | 25mohm @ 7.1a，4.5V | 1.5V @ 250µA | 50nc @ 4.5V | - | 逻辑级别门 | |||
 | FDW2508P | - | | 8240 | 0.00000000 | Onmi | PowerTrench® | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度） | FDW25 | MOSFET （金属 o化物） | 1W | 8-tssop | 下载 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2（p 通道（双） | 12V | 6a | 18mohm @ 6a，4.5V | 1.5V @ 250µA | 36nc @ 4.5V | 2644pf @ 6V | 逻辑级别门 | |||
 | WAS350M12BM3 | 913.5300 | | 3860 | 0.00000000 | Wolfspeed，Inc。 | - | 盒子 | 积极的 | -40°C〜150°C（TJ） | 底盘安装 | 模块 | 是350 | （SIC） | - | - | 下载 | 不适用 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 n 通道（半桥） | 1200V（1.2kV） | 417a（TC） | 5.2MOHM @ 350a，15V | 3.6V @ 85mA | 844NC @ 15V | 25700pf @ 800V | - | ||||
 | SI1024X-T1-E3 | - | | 3662 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | SOT-563，SOT-666 | SI1024 | MOSFET （金属 o化物） | 250MW | SC-89（SOT-563F） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2 n 通道（双） | 20V | 485mA | 700MOHM @ 600mA，4.5V | 900mv @ 250µA | 0.75nc @ 4.5V | - | 逻辑级别门 | ||
| GWM120-0075x1-SLSAM | - | | 9884 | 0.00000000 | ixys | - | 管子 | 过时的 | -55°C〜175°C（TJ） | 表面安装 | 17-SMD，平坦的铅 | GWM120 | MOSFET （金属 o化物） | - | ISOPLUS-DIL™ | 下载 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 6 n通道（3相桥） | 75V | 110a | 4.9Mohm @ 60a，10v | 4V @ 1mA | 115nc @ 10V | - | - | |||
| SI4966DY-T1-GE3 | - | | 4448 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | SI4966 | MOSFET （金属 o化物） | 2W | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 n 通道（双） | 20V | - | 25mohm @ 7.1a，4.5V | 1.5V @ 250µA | 50nc @ 4.5V | - | 逻辑级别门 | |||
 | BSO330N02KGFUMA1 | - | | 6817 | 0.00000000 | Infineon技术 | Optimos™ | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | BSO330N02 | MOSFET （金属 o化物） | 1.4W | PG-DSO-8 | 下载 | 3（168）） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 n 通道（双） | 20V | 5.4a | 30mohm @ 6.5a，4.5V | 1.2V @ 20µA | 4.9nc @ 4.5V | 730pf @ 10V | 逻辑级别门 | |||
 | AON6974A | - | | 5704 | 0.00000000 | Alpha＆欧米茄半导体公司 | SRFET™ | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Powervdfn | AON697 | MOSFET （金属 o化物） | 3.6W，4.3W | 8-DFN（5x6） | 下载 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 通道（半桥） | 30V | 22a，30a | 5.2MOHM @ 20A，10V | 2.2V @ 250µA | 22nc @ 10V | 1037pf @ 15V | 逻辑级别门 | |||
 | 2N7002DWK-7 | 0.0600 | | 8823 | 0.00000000 | 二极管合并 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | 2N7002 | MOSFET （金属 o化物） | 330MW（TA） | SOT-363 | 下载 | 到达不受影响 | 31-2N7002DWK-7TR | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2 n 通道（双） | 60V | 261ma（ta） | 3ohm @ 200ma，10v | 2V @ 250µA | 1.04NC @ 10V | 41pf @ 30V | - | |||
 | FDC6305N | 0.6600 | | 3012 | 0.00000000 | Onmi | PowerTrench® | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | SOT-23-6薄，TSOT-23-6 | FDC6305 | MOSFET （金属 o化物） | 700MW | SuperSot™-6 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2 n 通道（双） | 20V | 2.7a | 80Mohm @ 2.7a，4.5V | 1.5V @ 250µA | 5NC @ 4.5V | 310pf @ 10V | - | ||
 | BUK9MJT-55PRF，518 | - | | 6402 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | 表面安装 | 20-SOIC （0.295英寸，7.50mm宽度） | Buk9m | MOSFET （金属 o化物） | - | 20-so | - | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | 934061029518 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,000 | 2 n 通道（双） | 55V | - | 13.8mohm @ 10a，10v | - | - | - | 逻辑级别门 | ||
 | FS55MR12W1M1HB11NPSA1 | 89.0900 | | 43 | 0.00000000 | Infineon技术 | EasyPack™，Coolsic™ | 托盘 | 积极的 | -40°C〜175°C（TJ） | 底盘安装 | 模块 | FS55MR12 | （SIC） | 20mw | ag-easy1b | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 24 | 6 n 通道（全桥） | 1200V | 15A（TJ） | 79mohm @ 15a，18v | 5.15V @ 6mA | 45nc @ 18V | 1350pf @ 800V | - | ||
 | RM4503S8 | 0.1900 | | 1978年 | 0.00000000 | 美国直发 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | RM4503 | MOSFET （金属 o化物） | 2.5W（TA） | 8-sop | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 2516-RM4503S8TR | 8541.10.0080 | 40,000 | n和p通道 | 30V | 10a（10a），9.1A（9.1A） | 10mohm @ 10a，10v，20mohm @ 9.1a，10v | 3V @ 250µA | 13nc @ 4.5V，30nc @ 10V | 1550pf @ 15V，1600pf @ 15V | - | |||
 | FDS4885C | - | | 3654 | 0.00000000 | Onmi | PowerTrench® | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | FDS48 | MOSFET （金属 o化物） | 900MW | 8-SOIC | 下载 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 2,500 | n和p通道 | 40V | 7.5a，6a | 22mohm @ 7.5a，10v | 5V @ 250µA | 21NC @ 10V | 900pf @ 20V | - | |||
| AOC3860C | 1.0500 | | 7990 | 0.00000000 | Alpha＆欧米茄半导体公司 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 6-SMD，没有铅 | AOC386 | MOSFET （金属 o化物） | 3.1W（TA） | 6-Alphadfn（3.05x1.77） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 8,000 | 2 n 通道（双）公共排水 | 12V | 25A（TA） | 3.5MOHM @ 5A，4.5V | 1.1V @ 250µA | 36nc @ 4.5V | - | 标准 | ||
 | DMN33D9LV-13 | 0.0876 | | 2474 | 0.00000000 | 二极管合并 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | SOT-563，SOT-666 | DMN33 | MOSFET （金属 o化物） | 430MW（TA） | SOT-563 | 下载 | 到达不受影响 | 31-DMN33D9LV-13TR | Ear99 | 8541.21.0095 | 10,000 | 2 n 通道（双） | 30V | 350mA（ta） | 2.4OHM @ 250mA，10V | 1.4V @ 100µA | 1.23nc @ 10V | 48pf @ 5V | - | |||
| 2N7335 | - | | 2042 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 大部分 | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 通过洞 | 14 浸（0.300英寸，7.62mm） | 2N733 | MOSFET （金属 o化物） | 1.4W | MO-036AB | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 4个p通道 | 100V | 750mA | 1.4OHM @ 500mA，10V | 4V @ 250µA | - | - | - | ||
| IRF7910TRPBF | - | | 5818 | 0.00000000 | Infineon技术 | Hexfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | IRF7910 | MOSFET （金属 o化物） | 2W | 8-so | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 4,000 | 2 n 通道（双） | 12V | 10a | 15mohm @ 8a，4.5V | 2V @ 250µA | 26nc @ 4.5V | 1730pf @ 6V | 逻辑级别门 | ||
 | TC6320K6-G | 1.7300 | | 9013 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-vdfn暴露垫 | TC6320 | MOSFET （金属 o化物） | - | 8-DFN （4x4） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,300 | n和p通道 | 200V | - | 7ohm @ 1a，10v | 2V @ 1mA | - | 110pf @ 25V | - | ||
| GWS4621L | - | | 9101 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 大部分 | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 4-XFLGA，CSP | GWS46 | MOSFET （金属 o化物） | 3.6W（TA） | 4-WLCSP（1.82x1.82） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 n 通道（双）公共排水 | 20V | 10.1a（ta） | 9.8mohm @ 3A，4.5V | 1.5V @ 1mA | 11NC @ 4V | 1125pf @ 10V | - | |||
 | UM6K33NTN | 0.3800 | | 887 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | 150°C（TJ） | 表面安装 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | UM6K33 | MOSFET （金属 o化物） | 120MW | UMT6 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2 n 通道（双） | 50V | 200mA | 2.2OHM @ 200mA，4.5V | 1V @ 1mA | - | 25pf @ 10V | 逻辑级别门，1.2V驱动器 | ||
| IRF9952 | - | | 9468 | 0.00000000 | Infineon技术 | Hexfet® | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | IRF995 | MOSFET （金属 o化物） | 2W | 8-so | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 95 | n和p通道 | 30V | 3.5a，2.3a | 100mohm @ 2.2a，10v | 1V @ 250µA | 14NC @ 10V | 190pf @ 15V | 逻辑级别门 | ||
| AUIRF7343QTR | - | | 4442 | 0.00000000 | Infineon技术 | Hexfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | AUIRF7343 | MOSFET （金属 o化物） | 2W | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 4,000 | n和p通道 | 55V | 4.7a，3.4a | 50mohm @ 4.7A，10V | 1V @ 250µA | 36NC @ 10V | 740pf @ 25V | 逻辑级别门 | ||
 | TSM6963SDCA RVG | 1.9300 | | 4 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度） | TSM6963 | MOSFET （金属 o化物） | 1.14W | 8-tssop | 下载 | rohs3符合条件 | 3（168）） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2（p 通道（双） | 20V | 4.5A（TC） | 30mohm @ 4.5A，4.5V | 1V @ 250µA | 20NC @ 4.5V | 1500pf @ 10V | - | ||
| FDS6898AZ | 1.2600 | | 6214 | 0.00000000 | Onmi | PowerTrench® | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | FDS6898 | MOSFET （金属 o化物） | 900MW | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 2,500 | 2 n 通道（双） | 20V | 9.4a | 14mohm @ 9.4a，4.5V | 1.5V @ 250µA | 23nc @ 4.5V | 1821pf @ 10V | 逻辑级别门 | ||
 | FDW2504P | 1.1200 | | 523 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | PowerTrench® | 大部分 | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度） | FDW25 | MOSFET （金属 o化物） | 600MW | 8-tssop | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8541.21.0095 | 2,500 | 2（p 通道（双） | 20V | 3.8a | 43mohm @ 3.8A，4.5V | 1.5V @ 250µA | 16nc @ 4.5V | 1030pf @ 10V | 逻辑级别门 | ||||
 | PMGD175XN，115 | - | | 6582 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | PMGD1 | MOSFET （金属 o化物） | 390MW | 6-TSSOP | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2 n 通道（双） | 30V | 900mA | 225MOHM @ 1A，4.5V | 1.5V @ 250µA | 1.1NC @ 4.5V | 75pf @ 15V | 逻辑级别门 | ||
| FDMC6680AZ | 0.2000 | | 18 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | * | 大部分 | 积极的 | FDMC6680 | - | - | 不适用 | （1 （无限） | 供应商不确定 | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | - |
2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m2
智能仓库
愿望清单（0个项目）