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FET，MOSFET（6056）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs （ciss）（最大（ciss） @ vds fet
AO6602G Alpha & Omega Semiconductor Inc. AO6602G 0.1804
RFQ
 ECAD 7479 0.00000000 Alpha＆欧米茄半导体公司 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SC-74，SOT-457 AO660 MOSFET （金属 o化物） 1.15W（TA） 6-TSOP 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 785-AO6602GTR Ear99 8541.29.0095 3,000 n和p通道 30V 3.5A（TA），2.7a ta（2.7a） 50mohm @ 3.5A，10V 2.5V @ 250µA 4.05NC @ 10V 210pf @ 15V 标准
MCCD2007A-TP Micro Commercial Co MCCD2007A-TP -
RFQ
 ECAD 3189 0.00000000 微商业公司 - 大部分 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-WFDFN暴露垫 MCCD2007 MOSFET （金属 o化物） - DFN2030-6 - 353-MCCD2007A-TP Ear99 8541.29.0095 1 2 n 通道（双） 20V 7a 20mohm @ 7a，10v 1V @ 250µA 15nc @ 4.5V 1150pf @ 10V -
SI5944DU-T1-E3 Vishay Siliconix SI5944DU-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 7097 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 POWERPAK®CHIPFET™双重 SI5944 MOSFET （金属 o化物） 10W PowerPak®Chipfet双重 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 40V 6a 112MOHM @ 3.3A，10V 3V @ 250µA 6.6nc @ 10V 210pf @ 20V 逻辑级别门
SMA5135 Sanken SMA5135 4.3662
RFQ
 ECAD 6808 0.00000000 桑肯 - 管子 积极的 150°C 通过洞 12-sip SMA51 MOSFET （金属 o化物） （4W）（29W（ta）（TC） 12-sip 下载 Rohs符合条件 1261-SMA5135 Ear99 8541.29.0095 180 3n和3p 通道（3相逆变器） 60V 6a（6a） 220MOHM @ 3A，4V，220MOHM @ 3A，10V 2V @ 250µA - 320pf @ 10V，790pf @ 10V 标准
NTL4502NT1 onsemi NTL4502NT1 -
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 ECAD 6161 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 16-PowerQfn NTL450 MOSFET （金属 o化物） 1.7W 16 QFN-FBIP（10.5x10.5） 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,500 4（n n 通道（半桥） 24V 11.4a 11mohm @ 15a，10v 2V @ 250µA 13nc @ 4.5V 1605pf @ 20V 逻辑级别门
PMGD400UN,115 NXP USA Inc. PMGD400UN，115 -
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 ECAD 8557 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos™ 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 PMGD4 MOSFET （金属 o化物） 410MW 6-TSSOP - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道（双） 30V 710mA 480MOHM @ 200MA，4.5V 1V @ 250µA 0.89NC @ 4.5V 43pf @ 25V 逻辑级别门
SI3951DV-T1-GE3 Vishay Siliconix SI3951DV-T1-GE3 -
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 ECAD 7117 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-23-6薄，TSOT-23-6 SI3951 MOSFET （金属 o化物） 2W 6-TSOP 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 2（p 通道（双） 20V 2.7a 115mohm @ 2.5a，4.5V 1.5V @ 250µA 5.1nc @ 5V 250pf @ 10V 逻辑级别门
SI5513DC-T1-GE3 Vishay Siliconix SI5513DC-T1-GE3 -
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 ECAD 7782 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-SMD，平坦的铅 SI5513 MOSFET （金属 o化物） 1.1W 1206-8 chipfet™ 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n和p通道 20V 3.1a，2.1a 75MOHM @ 3.1a，4.5V 1.5V @ 250µA 6NC @ 4.5V - 逻辑级别门
FDS8958A Fairchild Semiconductor FDS8958A -
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 ECAD 9962 0.00000000 Fairchild半导体 PowerTrench® 大部分 积极的 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） FDS89 MOSFET （金属 o化物） 900MW 8-SOIC 下载 Ear99 8542.39.0001 1 n和p通道 30V 7a，5a 28mohm @ 7a，10v 3V @ 250µA 16NC @ 10V 575pf @ 15V 逻辑级别门
DMG1026UVQ-7 Diodes Incorporated DMG1026UVQ-7 0.1196
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 ECAD 1329 0.00000000 二极管合并 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-563，SOT-666 DMG1026 MOSFET （金属 o化物） 650MW SOT-563 - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道（双） 60V 440mA ta） 1.8Ohm @ 500mA，10v 1.8V @ 250µA 0.45pc @ 4.5V 32pf @ 25V 逻辑级别门
NDS8958 onsemi NDS8958 -
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 ECAD 2817 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） NDS895 MOSFET （金属 o化物） 900MW 8-SOIC 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 2,500 n和p通道 30V 5.3a，4a 35mohm @ 5.3a，10v 2.8V @ 250µA 30nc @ 10V 720pf @ 15V 逻辑级别门
SI7236DP-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7236DP-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 3838 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 POWERPAK®SO-8 SI7236 MOSFET （金属 o化物） 46W POWERPAK®SO-8 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 20V 60a 5.2MOHM @ 20.7A，4.5V 1.5V @ 250µA 105nc @ 10V 4000pf @ 10V -
WAS300M12BM2 Wolfspeed, Inc. WAS300M12BM2 966.1940
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 ECAD 4524 0.00000000 Wolfspeed，Inc。 - 大部分 不适合新设计 150°C（TJ） 底盘安装 模块 WAS300 模块 - 1697-WAS300M12BM2 1 2 n 通道（半桥） 1200V 423a（TC） 1025nc @ 20V （SIC）
FS10ASJ-2-T13#B00 Renesas Electronics America Inc FS10ASJ-2-T13 ＃B00 0.8900
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 ECAD 6 0.00000000 Renesas Electronics America Inc * 大部分 积极的 FS10ASJ - - 不适用 （1 （无限） 供应商不确定 Ear99 8542.39.0001 3,000 -
FDZ2553N onsemi FDZ2553N -
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 ECAD 4681 0.00000000 Onmi PowerTrench® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 18-WFBGA FDZ25 MOSFET （金属 o化物） 2.1W 18-BGA（2.5x4） 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 20V 9.6a 14mohm @ 9.6a，4.5V 1.5V @ 250µA 17nc @ 4.5V 1299pf @ 10V 逻辑级别门
SI7224DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7224DN-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 9964 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 POWERPAK®1212-8 SI7224 MOSFET （金属 o化物） 17.8W，23W POWERPAK®1212-8 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 30V 6a 35mohm @ 6.5a，10v 2.2V @ 250µA 14.5nc @ 10V 570pf @ 15V 逻辑级别门
FPF1C2P5BF07A Fairchild Semiconductor FPF1C2P5BF07A 71.4300
RFQ
 ECAD 433 0.00000000 Fairchild半导体 - 大部分 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 F1模块 FPF1C2 MOSFET （金属 o化物） 250W F1 下载 Ear99 8542.39.0001 1 5 n 通道（太阳逆变器） 650V 36a 90mohm @ 27a，10v 3.8V @ 250µA - - -
AOSD32338C Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOSD32338C 0.1473
RFQ
 ECAD 1556年 0.00000000 Alpha＆欧米茄半导体公司 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） AOSD323 MOSFET （金属 o化物） 2W（TA） 8-SOIC - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 785-AOSD32338CTR Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 30V 6a（6a） 30mohm @ 6a，10v 2.4V @ 250µA 6.3nc @ 10V 310pf @ 15V -
AON7804 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AON7804 0.5000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Alpha＆欧米茄半导体公司 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-powersmd，平面线 AON780 MOSFET （金属 o化物） 3.1W 8-DFN （3x3） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 5,000 2 n 通道（双） 30V 9a 21mohm @ 8a，10v 2.4V @ 250µA 18NC @ 10V 888pf @ 15V 逻辑级别门
MSCSM120AM11CT3AG Microchip Technology MSCSM120AM11CT3AG 387.2000
RFQ
 ECAD 9389 0.00000000 微芯片技术 - 管子 积极的 -40°C〜175°C（TJ） 底盘安装 模块 MSCSM120 （SIC） 1.067kW（TC） SP3F 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 150-MSCSM120AM11CT3AG Ear99 8541.29.0095 1 2 n 通道（相腿） 1200V（1.2kV） 254a（TC） 10.4mohm @ 120A，20V 2.8V @ 3mA 696nc @ 20V 9060pf @ 1000V -
DMP3056LSDQ-13 Diodes Incorporated DMP3056LSDQ-13 0.8900
RFQ
 ECAD 123 0.00000000 二极管合并 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） DMP3056 MOSFET （金属 o化物） 2.5W 8-so 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2（p 通道（双） 30V 6.9a（ta） 45mohm @ 6a，10v 2.1V @ 250µA 13.7nc @ 4.5V 722pf @ 25V -
DMP2110UVT-13 Diodes Incorporated DMP2110UVT-13 0.0817
RFQ
 ECAD 8647 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-23-6薄，TSOT-23-6 DMP2110 MOSFET （金属 o化物） 740MW（TA） TSOT-26 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 10,000 2（p 通道（双） 20V 1.8A（ta） 150MOHM @ 2.8a，4.5V 1V @ 250µA 6NC @ 4.5V 443pf @ 6V -
OP241,005 WeEn Semiconductors OP241,005 0.1895
RFQ
 ECAD 1357 0.00000000 Ween半导体 * 托盘 积极的 OP241 - - （1 （无限） 0000.00.0000 1 -
SI1967DH-T1-GE3 Vishay Siliconix SI1967DH-T1-GE3 0.4100
RFQ
 ECAD 18 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 SI1967 MOSFET （金属 o化物） 1.25W SC-70-6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2（p 通道（双） 20V 1.3a 490MOHM @ 910mA，4.5V 1V @ 250µA 4NC @ 8V 110pf @ 10V 逻辑级别门
DMT3020LFDBQ-7 Diodes Incorporated DMT3020LFDBQ-7 0.5500
RFQ
 ECAD 5461 0.00000000 二极管合并 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-udfn暴露垫 DMT3020 - 700MW U-DFN2020-6（B型） 下载 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 30V 7.7a（ta） 20mohm @ 9a，10v 2.5V @ 250µA 7NC @ 10V 393pf @ 15V -
APTM20DUM10TG Microsemi Corporation aptm20dum10tg -
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 ECAD 3956 0.00000000 Microsemi Corporation - 大部分 过时的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 SP4 APTM20 MOSFET （金属 o化物） 694W SP4 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 2 n 通道（双） 200V 175a 12MOHM @ 87.5A，10V 5V @ 5mA 224nc @ 10V 13700pf @ 25V -
DMT4014LDV-13 Diodes Incorporated DMT4014LDV-13 0.3274
RFQ
 ECAD 2145 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Powervdfn DMT4014 MOSFET （金属 o化物） 1W（ta） PowerDI3333-8（UXC） 下载 到达不受影响 31-DMT4014LDV-13TR Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 40V 8.5a（ta），26.5A（TC） 19mohm @ 20a，10v 3V @ 250µA 11.2nc @ 10V 750pf @ 20V -
MP6K14TCR Rohm Semiconductor mp6k14tcr -
RFQ
 ECAD 8299 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 表面安装 6-SMD，平坦的铅 MP6K14 MOSFET （金属 o化物） 2W MPT6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 2 n 通道（双） 30V 8a 25mohm @ 8a，10v 2.5V @ 1mA 7.3nc @ 5V 470pf @ 10V 逻辑级别门
SP8M3FU6TB Rohm Semiconductor SP8M3FU6TB -
RFQ
 ECAD 9317 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） SP8M3 MOSFET （金属 o化物） 2W 8-sop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n和p通道 30V 5A，4.5A 51MOHM @ 5A，10V 2.5V @ 1mA 5.5nc @ 5V 230pf @ 10V 逻辑级别门
SI5935CDC-T1-E3 Vishay Siliconix SI5935CDC-T1-E3 0.5500
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 ECAD 4958 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-SMD，平坦的铅 SI5935 MOSFET （金属 o化物） 3.1W 1206-8 chipfet™ 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2（p 通道（双） 20V 4a 100mohm @ 3.1a，4.5V 1V @ 250µA 11NC @ 5V 455pf @ 10V -
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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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