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FET，MOSFET（6056）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs （ciss）（最大（ciss） @ vds fet
SIA913ADJ-T1-GE3 Vishay Siliconix SIA913ADJ-T1-GE3 0.6200
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 POWERPAK®SC-70-6双重 SIA913 MOSFET （金属 o化物） 6.5W POWERPAK®SC-70-6双重 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 2（p 通道（双） 12V 4.5a 61MOHM @ 3.6A，4.5V 1V @ 250µA 20nc @ 8v 590pf @ 6V 逻辑级别门
SIZ916DT-T1-GE3 Vishay Siliconix SIZ916DT-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 6283 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Powerwdfn SIZ916 MOSFET （金属 o化物） 22.7W，100W 8-Powerpair®（6x5） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（半桥） 30V 16a，40a 6.4mohm @ 19a，10v 2.4V @ 250µA 26NC @ 10V 1208pf @ 15V -
SQJ910AEP-T2_GE3 Vishay Siliconix SQJ910AEP-T2_GE3 0.5433
RFQ
 ECAD 7378 0.00000000 Vishay Siliconix 汽车，AEC-Q101，Trenchfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 POWERPAK®SO-8 SQJ910 MOSFET （金属 o化物） 48W（TC） POWERPAK®SO-8 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 742-SQJ910AEP-T2_GE3TR Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 30V 30A（TC） 7mohm @ 12a，10v 2.5V @ 250µA 39nc @ 10V 1869pf @ 15V -
SP8M6FU6TB Rohm Semiconductor SP8M6FU6TB -
RFQ
 ECAD 5999 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） SP8M6 MOSFET （金属 o化物） 2W 8-sop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n和p通道 30V 5a，3.5a 51MOHM @ 5A，10V 2.5V @ 1mA 3.9nc @ 5V 230pf @ 10V 逻辑级别门
IRF7507PBF Infineon Technologies IRF7507pbf -
RFQ
 ECAD 5489 0.00000000 Infineon技术 Hexfet® 管子 在sic中停产 表面安装 8-tssop，8-msop（0.118英寸，3.00mm宽度） IRF7507 MOSFET （金属 o化物） 1.25W micro8™ 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 SP001566226 Ear99 8541.29.0095 80 n和p通道 20V 2.4a，1.7a 140MOHM @ 1.7A，4.5V 700mv @ 250µA（250µA）） 8NC @ 4.5V 260pf @ 15V 逻辑级别门
BSM250D17P2E004 Rohm Semiconductor BSM250D17P2E004 1.0000
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Rohm半导体 - 盒子 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 模块 BSM250 （SIC） 1800W（TC） 模块 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 4 2 n 通道（半桥） 1700V（（1.7kV） 250A（TC） - 4V @ 66mA - 30000pf @ 10V -
SP8K41HZGTB Rohm Semiconductor SP8K41HZGTB 2.0600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） SP8K41 MOSFET （金属 o化物） 2W（TA） 8-sop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 846-SP8K41HZGTBTR Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（双） 80V 3.4a（ta） 130MOHM @ 3.4A，10V 2.5V @ 1mA 6.6nc @ 5V 600pf @ 10V -
SI4940DY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4940DY-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 5892 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） SI4940 MOSFET （金属 o化物） 1.1W 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（双） 40V 4.2a 36mohm @ 5.7a，10v 1V @ 250µA（250µA） 14NC @ 10V - 逻辑级别门
ALD114904APAL Advanced Linear Devices Inc. ALD114904APAL 6.8234
RFQ
 ECAD 7241 0.00000000 高级线性设备公司 epad® 管子 积极的 0°C 〜70°C（TJ） 通过洞 8 点点（0.300英寸，7.62mm） ALD114904 MOSFET （金属 o化物） 500MW 8-pdip 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 1014-1061 Ear99 8541.21.0095 50 2（n n 通道（双） 10.6V 12mA，3mA 500OHM @ 3.6V 380mv @ 1µA - 2.5pf @ 5V 耗尽模式
APTM50DHM35G Microsemi Corporation APTM50DHM35G -
RFQ
 ECAD 4534 0.00000000 Microsemi Corporation - 大部分 过时的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 SP6 APTM50 MOSFET （金属 o化物） 781W SP6 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 1 2 n 通道（双） 500V 99a 39mohm @ 49.5a，10v 5V @ 5mA 280NC @ 10V 14000pf @ 25V -
SC8673010L Panasonic Electronic Components SC8673010L 2.5000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 松下电子组件 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C 〜85°C（TJ） 表面安装 8-powersmd，平面线 SC86730 MOSFET （金属 o化物） 1.7W，2.5W HSO8-F3-B 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 30V 16a，40a 10mohm @ 8a，10v 3V @ 4.38mA 6.3nc @ 4.5V 5180pf @ 10V 逻辑级别门
DMT32M6LDG-7 Diodes Incorporated DMT32M6LDG-7 1.4800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Powervdfn DMT32 MOSFET （金属 o化物） 1.1W（TA） POWERDI3333-8（g型） - rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 2,000 2 n 通道（双） 30V 21a（21a），47a（tc） 2.5MOHM @ 18A，10V 2.2V @ 400µA 15.6nc @ 4.5V 2101pf @ 15V 标准
BUK9K6R8-40EX Nexperia USA Inc. BUK9K6R8-40EX 1.8300
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Nexperia USA Inc. 汽车，AEC-Q100 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 SOT-12205，8-LFPAK56 buk9k6 MOSFET （金属 o化物） 64W LFPAK56D 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,500 2 n 通道（双） 40V 40a 6.1MOHM @ 10a，10v 2.1V @ 1mA 22.2nc @ 5V 3000pf @ 25V 逻辑级别门
MCH6631-TL-E onsemi MCH6631-TL-E 0.1000
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Onmi * 大部分 积极的 MCH6631 - - 不适用 （1 （无限） 供应商不确定 Ear99 8542.39.0001 3,000 -
FW216-NMM-TL-E-SY Sanyo FW216-NMM-TL-E-SY 0.1400
RFQ
 ECAD 32 0.00000000 Sanyo * 大部分 积极的 FW216 - - 不适用 （1 （无限） 供应商不确定 Ear99 8542.39.0001 1,000 -
TP44110HB Tagore Technology TP44110HB 11.6700
RFQ
 ECAD 5144 0.00000000 泰戈尔技术 - 托盘 积极的 - 表面安装 30-PowerWFQFN TP44110 ganfet（n化岩） - 30-qfn （8x10） 下载 （1 （无限） 1 2 n 通道（半桥） 650V - - - -
ALD310708ASCL Advanced Linear Devices Inc. ALD310708ASCL 8.2872
RFQ
 ECAD 7851 0.00000000 高级线性设备公司 EPAD®，零阈值™ 管子 积极的 0°C〜70°C 表面安装 16-Soic（0.154英寸，宽度为3.90mm） ALD310708 MOSFET （金属 o化物） 500MW 16-Soic 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 1014-1298 Ear99 8541.21.0095 50 4个p通道，匹配对 8V - - 780mv @ 1µA - 2.5pf @ 5V -
SI4925DDY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4925DDY-T1-GE3 1.0000
RFQ
 ECAD 3956 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） SI4925 MOSFET （金属 o化物） 5W 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 2,500 2（p 通道（双） 30V 8a 29MOHM @ 7.3A，10V 3V @ 250µA 50NC @ 10V 1350pf @ 15V -
APTM20AM10FTG Microchip Technology APTM20AM10FTG 147.6100
RFQ
 ECAD 5362 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 SP4 APTM20 MOSFET （金属 o化物） 694W SP4 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 2 n 通道（半桥） 200V 175a 12MOHM @ 87.5A，10V 5V @ 5mA 224nc @ 10V 13700pf @ 25V -
PMV55ENEA,215 Nexperia USA Inc. PMV55NEA，215 -
RFQ
 ECAD 9312 0.00000000 Nexperia USA Inc. * 大部分 积极的 PMV55 - 下载 不适用 （1 （无限） 供应商不确定 1 -
DI2A8N03PWK2-AQ Diotec Semiconductor DI2A8N03PWK2-AQ 0.2014
RFQ
 ECAD 9463 0.00000000 diotec半导体 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-udfn暴露垫 MOSFET （金属 o化物） 1W（ta） 6 QFN （2x2） - 不适用 （1 （无限） 供应商不确定 2796-DI2A8N03PWK2-AQTR 8541.29.0000 4,000 2 n通道 30V 2.8A（ta） 72MOHM @ 2A，4.5V 1.2V @ 250µA 6.8NC @ 4.5V 387pf @ 15V 标准
MP6K13TCR Rohm Semiconductor mp6k13tcr -
RFQ
 ECAD 2302 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 表面安装 6-SMD，平坦的铅 MP6K13 MOSFET （金属 o化物） 2W MPT6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 2 n 通道（双） 30V 6a 31mohm @ 6a，10v 2.5V @ 1mA 5NC @ 5V 350pf @ 10V 逻辑级别门
FS10ASJ-3-T13#C01 Renesas Electronics America Inc FS10ASJ-3-T13 ＃C01 0.9600
RFQ
 ECAD 98 0.00000000 Renesas Electronics America Inc * 大部分 积极的 FS10ASJ - - 不适用 （1 （无限） 供应商不确定 Ear99 8542.39.0001 3,000 -
2N7002PS/ZLH Nexperia USA Inc. 2N7002PS/ZLH -
RFQ
 ECAD 8817 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 2N7002 MOSFET （金属 o化物） 990MW 6-TSSOP 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 934070243125 Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道（双） 60V 320mA（TA） 1.6ohm @ 500mA，10v 2.4V @ 250µA 0.8NC @ 4.5V 50pf @ 10V 逻辑级别门
PMDXB550UNE,147 NXP USA Inc. PMDXB550UNE，147 1.0000
RFQ
 ECAD 1879年 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 PMDXB550 - 下载 不适用 （1 （无限） 供应商不确定 Ear99 8541.21.0095 1 -
SIA911ADJ-T1-GE3 Vishay Siliconix SIA911ADJ-T1-GE3 0.1953
RFQ
 ECAD 5203 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 POWERPAK®SC-70-6双重 SIA911 MOSFET （金属 o化物） 6.5W POWERPAK®SC-70-6双重 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 2（p 通道（双） 20V 4.5a 116mohm @ 2.8a，4.5V 1V @ 250µA 13nc @ 8v 345pf @ 10V -
DI9945T Diodes Incorporated di9945t -
RFQ
 ECAD 6612 0.00000000 二极管合并 - （CT） 过时的 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） DI9945 MOSFET （金属 o化物） 2W 8-sop 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（双） 60V 3.5a 100mohm @ 3.5a，10v - 30nc @ 10V 435pf @ 25V -
ALD1105SBL Advanced Linear Devices Inc. ALD1105SBL 5.9800
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 高级线性设备公司 - 管子 积极的 0°C 〜70°C（TJ） 表面安装 14- 材料（ 0.154英寸，宽度为3.90mm） ALD1105 MOSFET （金属 o化物） 500MW 14-Soic 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 1014-1011 Ear99 8541.21.0095 50 2n和2p通道匹配对 10.6V - 500OHM @ 5V 1V @ 1µA - 3pf @ 5V -
AUIRF7342Q Infineon Technologies AUIRF7342Q -
RFQ
 ECAD 6069 0.00000000 Infineon技术 Hexfet® 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） AUIRF7342 MOSFET （金属 o化物） 2W 8-SOIC 下载 （1 （无限） 到达不受影响 SP001515748 Ear99 8541.29.0095 95 2（p 通道（双） 55V 3.4a 105MOHM @ 3.4A，10V 3V @ 250µA 38nc @ 10V 690pf @ 25V 逻辑级别门
BSM180D12P2C101 Rohm Semiconductor BSM180D12P2C101 527.2400
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm半导体 - 大部分 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 模块 BSM180 （SIC） 1130W 模块 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Q7641253A Ear99 8541.29.0095 12 2 n 通道（半桥） 1200V（1.2kV） 204a（TC） - 4V @ 35.2mA - 23000pf @ 10V -
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    每日平均RFQ量

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196-LFBGA裸露的垫子

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