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FET，MOSFET（6056）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs （ciss）（最大（ciss） @ vds fet
FDMS3602S onsemi FDMS3602S -
RFQ
 ECAD 9309 0.00000000 Onmi PowerTrench® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-POWERTDFN FDMS3602 MOSFET （金属 o化物） 1W Power56 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 25V 15a，26a 5.6mohm @ 15a，10v 3V @ 250µA 27nc @ 10V 1680pf @ 13V 逻辑级别门
QJD1210010 Powerex Inc. QJD1210010 -
RFQ
 ECAD 9052 0.00000000 Powerex Inc. - 大部分 积极的 -40°C〜175°C（TJ） 底盘安装 模块 QJD1210 （SIC） 1080W 模块 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 1 2 n 通道（双） 1200V（1.2kV） 100A（TC） 25mohm @ 100a，20v 5V @ 10mA 500NC @ 20V 10200pf @ 800V -
NX3008PBKV,115 NXP Semiconductors NX3008PBKV，115 -
RFQ
 ECAD 2027 0.00000000 NXP半导体 * 大部分 积极的 NX3008 - 下载 （1 （无限） 到达不受影响 2156-NX3008PBKV，115-954 Ear99 8541.21.0095 1 -
MCH6631-TL-E Sanyo MCH6631-TL-E -
RFQ
 ECAD 4966 0.00000000 Sanyo * 大部分 过时的 - Rohs不合规 供应商不确定 2156-MCH6631-TL-E-600057 1
VMM90-09P IXYS VMM90-09P -
RFQ
 ECAD 9080 0.00000000 ixys * 盒子 积极的 VMM90 - - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2 -
SFT1405-TL-E onsemi SFT1405-TL-E 0.4100
RFQ
 ECAD 1006 0.00000000 Onmi * 大部分 积极的 SFT1405 - - 不适用 （1 （无限） 供应商不确定 1 -
IRF9362TRPBF Infineon Technologies IRF9362TRPBF 0.9500
RFQ
 ECAD 17 0.00000000 Infineon技术 Hexfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） IRF9362 MOSFET （金属 o化物） 2W 8-so 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 4,000 2（p 通道（双） 30V 8a 21mohm @ 8a，10v 2.4V @ 25µA 39nc @ 10V 1300pf @ 25V 逻辑级别门
SP8M51TB1 Rohm Semiconductor SP8M51TB1 -
RFQ
 ECAD 4080 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） SP8M51 MOSFET （金属 o化物） 2W 8-sop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n和p通道 100V 3a，2.5a - - - - -
PJT7802_S1_00001 Panjit International Inc. PJT7802_S1_00001 0.5100
RFQ
 ECAD 3742 0.00000000 Panjit International Inc. - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 PJT7802 MOSFET （金属 o化物） 350MW（TA） SOT-363 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 3757-PJT7802_S1_001DKR Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道（双） 20V 500mA（ta） 400mohm @ 500mA，4.5V 1V @ 250µA 0.9NC @ 4.5V 39pf @ 10V -
DMN33D8LVQ-7 Diodes Incorporated DMN33D8LVQ-7 0.4500
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 二极管合并 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-563，SOT-666 DMN33 MOSFET （金属 o化物） 430MW（TA） SOT-563 - rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道（双） 30V 350mA（ta） 2.4OHM @ 250mA，10V 1.5V @ 100µA 1.23nc @ 10V 48pf @ 5V 标准
IRF8910TRPBFXTMA1 Infineon Technologies IRF8910TRPBFXTA1 0.3899
RFQ
 ECAD 3784 0.00000000 Infineon技术 Hexfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） MOSFET （金属 o化物） 2W（TA） PG-DSO-8-902 - rohs3符合条件 Ear99 8541.29.0095 4,000 2 n通道 20V 10a（10a） 13.4mohm @ 10a，10v 2.55V @ 250µA 11NC @ 4.5V 960pf @ 10V 标准
HUFA76413DK8T Fairchild Semiconductor HUFA76413DK8T 0.6400
RFQ
 ECAD 2206 0.00000000 Fairchild半导体 Ultrafet™ 大部分 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） HUFA76413 MOSFET （金属 o化物） 2.5W 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 Ear99 8541.29.0095 30 2 n 通道（双） 60V 5.1a 49mohm @ 5.1A，10V 3V @ 250µA 23nc @ 10V 620pf @ 25V 逻辑级别门
FDMQ8203 onsemi FDMQ8203 1.6300
RFQ
 ECAD 6012 0.00000000 Onmi Greenbridge™PowerTrench® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 12-wdfn暴露垫 FDMQ82 MOSFET （金属 o化物） 2.5W 12-MLP（5x4.5） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2n和2p通道（半桥） 100V，80V 3.4a，2.6a 110MOHM @ 3A，10V 4V @ 250µA 5NC @ 10V 210pf @ 50V 逻辑级别门
DMN3022LDG-7 Diodes Incorporated DMN3022LDG-7 0.3891
RFQ
 ECAD 6542 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Powerldfn DMN3022 MOSFET （金属 o化物） 1.96W（TA） POWERDI3333-8（d型） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 2 n 通道（双） 30V 7.6a（ta），15a（tc） 22mohm @ 10a，5v，8mohm @ 10a，5v 2.1V @ 250µA，1.2V @ 250µA 3.7nc @ 4.5V，8NC @ 4.5V 481pf @ 15V，996pf @ 15V -
UPA1770G-E1-AT Renesas UPA1770G-E1-AT -
RFQ
 ECAD 3730 0.00000000 肾脏 - 大部分 过时的 150°C 表面安装 8-Powersoic（0.173“，4.40mm宽度） MOSFET （金属 o化物） 750MW（TA） 8-Powersop - 2156-UPA1770G-E1-AT 1 2 n通道 20V 6a（6a） 37MOHM @ 3A，4.5V 1.5V @ 1mA 11NC @ 4.5V 1300pf @ 10V 标准
DMC6070LND-13 Diodes Incorporated DMC6070LND-13 0.3045
RFQ
 ECAD 2262 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Powervdfn DMC6070 MOSFET （金属 o化物） 1.4W PowerDI3333-8（UXB） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n和p通道 60V 3.1a，2.4a 85MOHM @ 1.5A，10V 3V @ 250µA 11.5NC @ 10V 731pf @ 20V -
SI4906DY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4906DY-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 8687 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） SI4906 MOSFET （金属 o化物） 3.1W 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（双） 40V 6.6a 39mohm @ 5a，10v 2.2V @ 250µA 22nc @ 10V 625pf @ 20V -
CTLDM303N-M832DS TR Central Semiconductor Corp CTLDM303N-M832DS TR -
RFQ
 ECAD 6530 0.00000000 中央半导体公司 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-tdfn暴露垫 CTLDM303N MOSFET （金属 o化物） 1.65W TLM832DS 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 30V 3.6a 40mohm @ 1.8A，4.5V 1.2V @ 250µA 13nc @ 4.5V 590pf @ 10V -
FDZ2554P onsemi FDZ2554P -
RFQ
 ECAD 9675 0.00000000 Onmi PowerTrench® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 18-WFBGA FDZ25 MOSFET （金属 o化物） 2.1W 18-BGA（2.5x4） 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2（p 通道（双） 20V 6.5a 28mohm @ 6.5a，4.5V 1.5V @ 250µA 20NC @ 4.5V 1900pf @ 10V 逻辑级别门
EFC4630R-TR onsemi EFC4630R-Tr -
RFQ
 ECAD 9188 0.00000000 Onmi - 大部分 过时的 150°C（TJ） 表面安装 4-XFBGA EFC4630 MOSFET （金属 o化物） 1.6W EFCP1313-4CC-037 - 不适用 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 2 n 通道（双）公共排水 24V 6a（6a） 45mohm @ 3A，4.5V 1.3V @ 1mA 7NC @ 4.5V - 逻辑水平门，2.5V
AO6802 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AO6802 0.1660
RFQ
 ECAD 5271 0.00000000 Alpha＆欧米茄半导体公司 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SC-74，SOT-457 AO680 MOSFET （金属 o化物） 1.15W 6-TSOP 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 30V 3.5a 50mohm @ 3.5A，10V 2.5V @ 250µA 5NC @ 10V 210pf @ 15V 逻辑级别门
AOC2804 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOC2804 -
RFQ
 ECAD 6403 0.00000000 Alpha＆欧米茄半导体公司 alphamos 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 4-XDFN AOC280 MOSFET （金属 o化物） 700MW 4-DFN（1.5x1.5） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道（双）公共排水 - - - - 9.5NC @ 4.5V - -
AO4612 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AO4612 0.9000
RFQ
 ECAD 65 0.00000000 Alpha＆欧米茄半导体公司 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） AO461 MOSFET （金属 o化物） 2W 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n和p通道 60V 4.5a，3.2a 56mohm @ 4.5A，10V 3V @ 250µA 10.5NC @ 10V 540pf @ 30V 逻辑级别门
BUK9K29-100E,115 Nexperia USA Inc. BUK9K29-100E，115 1.9400
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Nexperia USA Inc. 汽车，AEC-Q101，Trenchmos™ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 SOT-12205，8-LFPAK56 BUK9K29 MOSFET （金属 o化物） 68W LFPAK56D 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,500 2 n 通道（双） 100V 30a 27mohm @ 10a，10v 2.1V @ 1mA 54NC @ 10V 3491pf @ 25V 逻辑级别门
SI4933DY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4933DY-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 3964 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） SI4933 MOSFET （金属 o化物） 1.1W 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2（p 通道（双） 12V 7.4a 14mohm @ 9.8a，4.5V 1V @ 500µA 70NC @ 4.5V - 逻辑级别门
XP0487800L Panasonic Electronic Components XP0487800L -
RFQ
 ECAD 4304 0.00000000 松下电子组件 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 XP0487800 MOSFET （金属 o化物） 150MW smini6-g1 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道（双） 50V 100mA 12ohm @ 10mA，4V 1.5V @ 1µA - 12pf @ 3V 逻辑级别门
DMN3401LDWQ-13 Diodes Incorporated DMN3401LDWQ-13 0.0613
RFQ
 ECAD 9863 0.00000000 二极管合并 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 DMN3401 MOSFET （金属 o化物） 290MW（TA） SOT-363 下载 到达不受影响 31-DMN3401LDWQ-13TR Ear99 8541.21.0095 10,000 2 n 通道（双） 30V 800mA（ta） 400MOHM @ 590mA，10V 1.6V @ 250µA 1.2NC @ 10V 50pf @ 15V -
ISL6801ABTS2357 Intersil ISL6801ABTS2357 1.3600
RFQ
 ECAD 57 0.00000000 Intersil * 大部分 积极的 ISL6801 - - 不适用 （1 （无限） 供应商不确定 Ear99 8542.39.0001 2,500 -
FDMA1025P Fairchild Semiconductor FDMA1025P 0.2900
RFQ
 ECAD 92 0.00000000 Fairchild半导体 PowerTrench® 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-vdfn裸露的垫子 FDMA1025 MOSFET （金属 o化物） 700MW 6-microfet（2x2） 下载 Ear99 8542.39.0001 1 2（p 通道（双） 20V 3.1a 155mohm @ 3.1a，4.5V 1.5V @ 250µA 4.8NC @ 4.5V 450pf @ 10V 逻辑级别门
SQJ208EP-T1_GE3 Vishay Siliconix SQJ208EP-T1_GE3 1.4800
RFQ
 ECAD 9567 0.00000000 Vishay Siliconix 汽车，AEC-Q101，Trenchfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 POWERPAK®SO-8 SQJ208 MOSFET （金属 o化物） 27W（TC），48W（tc） POWERPAK®SO-8 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 40V 20A（TC），60a （TC） 9.4mohm @ 6A，10V，3.9MOHM @ 10A，10V 2.3V @ 250µA，2.4V @ 250µA 33nc @ 10v，75nc @ 10v 1700pf @ 25V，3900pf @ 25V -
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    2000+

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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