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FET，MOSFET（6056）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs （ciss）（最大（ciss） @ vds fet
MCH6660-TL-H onsemi MCH6660-TL-H -
RFQ
 ECAD 4980 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 表面安装 6-SMD，平坦的铅 MCH6660 MOSFET （金属 o化物） 800MW 6-MCPH 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 n和p通道 20V 2a，1.5a 136mohm @ 1A，4.5V - 1.8NC @ 4.5V 128pf @ 10V 逻辑级别门
MSCSM70HM038AG Microchip Technology MSCSM70HM038AG 782.4500
RFQ
 ECAD 9152 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 -40°C〜175°C（TJ） 底盘安装 模块 MSCSM70 （SIC） 1.277kW（TC） - 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 150-MSCSM70HM038AG Ear99 8541.29.0095 1 （4 n 通道（全桥） 700V 464a（TC） 4.8mohm @ 160a，20v 2.4V @ 16mA 860NC @ 20V 18000pf @ 700V -
DMG6302UDW-7 Diodes Incorporated DMG6302UDW-7 0.0606
RFQ
 ECAD 9711 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 DMG6302 MOSFET （金属 o化物） 310MW（TA） SOT-363 下载 到达不受影响 31-DMG6302UDW-7TR Ear99 8541.21.0095 3,000 2（p 通道（双） 25V 150mA（ta） 10ohm @ 140mA，4.5V 1.5V @ 250µA 0.34NC @ 4.5V 30.7pf @ 10V -
APTM20DHM10G Microsemi Corporation APTM20DHM10G -
RFQ
 ECAD 1853年 0.00000000 Microsemi Corporation - 大部分 过时的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 SP6 APTM20 MOSFET （金属 o化物） 694W SP6 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 2 n 通道（双） 200V 175a 12MOHM @ 87.5A，10V 5V @ 5mA 224nc @ 10V 13700pf @ 25V -
APTM20AM05FG Microchip Technology APTM20AM05FG 279.2300
RFQ
 ECAD 6828 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 SP6 APTM20 MOSFET （金属 o化物） 1136W SP6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 2 n 通道（半桥） 200V 317a 5mohm @ 158.5a，10v 5V @ 10mA 448nc @ 10V 27400pf @ 25V -
AO4818BL_101 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AO4818BL_101 -
RFQ
 ECAD 7586 0.00000000 Alpha＆欧米茄半导体公司 - 大部分 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） AO481 MOSFET （金属 o化物） 2W 8-SOIC 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 2 n 通道（双） 30V 8a 19mohm @ 8a，10v 2.4V @ 250µA 18NC @ 10V 888pf @ 15V 逻辑级别门
FDS8958 Fairchild Semiconductor FDS8958 1.0000
RFQ
 ECAD 3491 0.00000000 Fairchild半导体 PowerTrench® 大部分 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） FDS89 MOSFET （金属 o化物） 2W 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 Ear99 8541.21.0095 1 n和p通道 30V 7a，5a 28mohm @ 7a，10v 3V @ 250µA 26NC @ 10V 789pf @ 10V 逻辑级别门
FS30KMJ-3#B00 Renesas Electronics America Inc FS30kMJ-3 ＃B00 1.7100
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 ECAD 24 0.00000000 Renesas Electronics America Inc * 大部分 积极的 FS30公里 - - 不适用 （1 （无限） 供应商不确定 Ear99 8542.39.0001 1 -
DMC21D1UDA-7B Diodes Incorporated DMC21D1UDA-7B 0.4100
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-SMD，没有铅 DMC21 MOSFET （金属 o化物） 300MW X2-DFN0806-6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 10,000 n和p通道 20V 455ma（ta），328ma（ta） 990MOHM @ 100mA，4.5V，1.9OHM @ 100mA，4.5V 1V @ 250µA 0.41NC @ 4.5V，0.4NC @ 4.5V 31pf @ 15V，28.5pf @ 15V -
F411MR12W2M1B76BOMA1 Infineon Technologies F411MR12W2M1B76BOMA1 -
RFQ
 ECAD 1921年 0.00000000 Infineon技术 EASYPACK™COOLSIC™ 托盘 过时的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 模块 F411MR （SIC） - Ag-Easy1b-2 - rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 15 4（n n 通道（半桥） 1200V（1.2kV） 100A（TJ） 11.3MOHM @ 100A，15V 5.55V @ 40mA 248nc @ 15V 7360pf @ 800V -
SQ4284EY-T1_GE3 Vishay Siliconix SQ4284EY-T1_GE3 1.6200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix 汽车，AEC-Q101，Trenchfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） SQ4284 MOSFET （金属 o化物） 3.9W 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（双） 40V - 13.5MOHM @ 7A，10V 2.5V @ 250µA 45nc @ 10V 2200pf @ 25V 逻辑级别门
SI1539CDL-T1-BE3 Vishay Siliconix SI1539CDL-T1-BE3 0.4300
RFQ
 ECAD 6787 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 SI1539 MOSFET （金属 o化物） 290MW（TA），340MW（tc） SC-70-6 下载 （1 （无限） 到达不受影响 742-SI1539CDL-T1-BE3TR Ear99 8541.21.0095 3,000 n和p通道 30V 700mA（700mA ta），700mA tc），400mA（ta（500mA to），TC） 388MOHM @ 600mA，10v，890MOHM @ 400mA，10V 2.5V @ 250µA 1.5nc @ 10v，3nc @ 10v 28pf @ 15V，34pf @ 15V -
FBG30N04CSH EPC Space, LLC FBG30N04CSH 421.3000
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 EPC Space，LLC Egan® 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 4-SMD，没有铅 ganfet（n化岩） - 4-SMD - （1 （无限） 4107-FBG30N04CSH 9A515E1 8541.29.0095 1 2 n通道 300V 4A（TC） 404MOHM @ 4A，5V 2.8V @ 600µA 2.6nc @ 5V 450pf @ 150V -
DMN2400UV-7 Diodes Incorporated DMN2400UV-7 0.4700
RFQ
 ECAD 97 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-563，SOT-666 DMN2400 MOSFET （金属 o化物） 530MW SOT-563 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道（双） 20V 1.33a 480MOHM @ 200MA，5V 900mv @ 250µA 0.5NC @ 4.5V 36pf @ 16V 逻辑级别门
SH8M11TB1 Rohm Semiconductor SH8M11TB1 0.3152
RFQ
 ECAD 8795 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） SH8M11 MOSFET （金属 o化物） 2W 8-sop - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n和p通道 30V 3.5a 98MOHM @ 3.5A，10V 2.5V @ 1mA 1.9nc @ 5V 85pf @ 10V 逻辑级别门
EFC4C002NLTDG onsemi EFC4C002NLTDG 4.7400
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 上次购买 150°C（TJ） 表面安装 8-XFBGA，WLCSP EFC4C002 MOSFET （金属 o化物） 2.6W 8-wlcsp （6x2.5） 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 5,000 2 n 通道（双）公共排水 - - - 2.2V @ 1mA 45nc @ 4.5V 6200pf @ 15V 逻辑级别门
ALD310708ASCL Advanced Linear Devices Inc. ALD310708ASCL 8.2872
RFQ
 ECAD 7851 0.00000000 高级线性设备公司 EPAD®，零阈值™ 管子 积极的 0°C〜70°C 表面安装 16-Soic（0.154英寸，宽度为3.90mm） ALD310708 MOSFET （金属 o化物） 500MW 16-Soic 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 1014-1298 Ear99 8541.21.0095 50 4个p通道，匹配对 8V - - 780mv @ 1µA - 2.5pf @ 5V -
MCH6631-TL-E onsemi MCH6631-TL-E 0.1000
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Onmi * 大部分 积极的 MCH6631 - - 不适用 （1 （无限） 供应商不确定 Ear99 8542.39.0001 3,000 -
BUK9K6R8-40EX Nexperia USA Inc. BUK9K6R8-40EX 1.8300
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Nexperia USA Inc. 汽车，AEC-Q100 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 SOT-12205，8-LFPAK56 buk9k6 MOSFET （金属 o化物） 64W LFPAK56D 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,500 2 n 通道（双） 40V 40a 6.1MOHM @ 10a，10v 2.1V @ 1mA 22.2nc @ 5V 3000pf @ 25V 逻辑级别门
FW216-NMM-TL-E-SY Sanyo FW216-NMM-TL-E-SY 0.1400
RFQ
 ECAD 32 0.00000000 Sanyo * 大部分 积极的 FW216 - - 不适用 （1 （无限） 供应商不确定 Ear99 8542.39.0001 1,000 -
TP44110HB Tagore Technology TP44110HB 11.6700
RFQ
 ECAD 5144 0.00000000 泰戈尔技术 - 托盘 积极的 - 表面安装 30-PowerWFQFN TP44110 ganfet（n化岩） - 30-qfn （8x10） 下载 （1 （无限） 1 2 n 通道（半桥） 650V - - - -
SI4925DDY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4925DDY-T1-GE3 1.0000
RFQ
 ECAD 3956 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） SI4925 MOSFET （金属 o化物） 5W 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 2,500 2（p 通道（双） 30V 8a 29MOHM @ 7.3A，10V 3V @ 250µA 50NC @ 10V 1350pf @ 15V -
NTZD3154NT5G onsemi NTZD3154NT5G 0.4600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-563，SOT-666 NTZD3154 MOSFET （金属 o化物） 250MW SOT-563 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 8,000 2 n 通道（双） 20V 540mA 550MOHM @ 540mA，4.5V 1V @ 250µA 2.5NC @ 4.5V 150pf @ 16V -
TSM9933DCS RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM9933DCS RLG -
RFQ
 ECAD 5092 0.00000000 台湾半导体公司 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） TSM9933 MOSFET （金属 o化物） 2W 8-sop 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2（p 通道（双） 20V 4.7A（TC） 60mohm @ 4.7A，4.5V 1.4V @ 250µA 8.5nc @ 4.5V 640pf @ 10V -
UPA2371T1P-E1-A Renesas UPA2371T1P-E1-A 0.5800
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 肾脏 - 大部分 过时的 - 表面安装 4-uflga UPA2371 MOSFET （金属 o化物） - 4-Eflip（1.62x1.62） - Rohs不合规 供应商不确定 2156-UPA2371T1P-E1-A Ear99 8541.29.0095 1 2 n 通道（双） 24V 6a - - - - -
DI2A8N03PWK2-AQ Diotec Semiconductor DI2A8N03PWK2-AQ 0.2014
RFQ
 ECAD 9463 0.00000000 diotec半导体 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-udfn暴露垫 MOSFET （金属 o化物） 1W（ta） 6 QFN （2x2） - 不适用 （1 （无限） 供应商不确定 2796-DI2A8N03PWK2-AQTR 8541.29.0000 4,000 2 n通道 30V 2.8A（ta） 72MOHM @ 2A，4.5V 1.2V @ 250µA 6.8NC @ 4.5V 387pf @ 15V 标准
ALD1115PAL Advanced Linear Devices Inc. Ald1115pal 5.6500
RFQ
 ECAD 33 0.00000000 高级线性设备公司 - 管子 积极的 0°C 〜70°C（TJ） 通过洞 8 点点（0.300英寸，7.62mm） ALD1115 MOSFET （金属 o化物） 500MW 8-pdip 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 1014-1044 Ear99 8541.21.0095 50 n和p通道互补 10.6V - 1800OHM @ 5V 1V @ 1µA - 3pf @ 5V -
FS10ASJ-3-T13#C01 Renesas Electronics America Inc FS10ASJ-3-T13 ＃C01 0.9600
RFQ
 ECAD 98 0.00000000 Renesas Electronics America Inc * 大部分 积极的 FS10ASJ - - 不适用 （1 （无限） 供应商不确定 Ear99 8542.39.0001 3,000 -
SP8M9FU6TB Rohm Semiconductor SP8M9FU6TB -
RFQ
 ECAD 7434 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） SP8M9 MOSFET （金属 o化物） 2W 8-sop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n和p通道 30V 9a，5a 18mohm @ 9a，10v 2.5V @ 1mA 21nc @ 5V 1190pf @ 10V 逻辑级别门
AO4862E Alpha & Omega Semiconductor Inc. AO4862E 0.1579
RFQ
 ECAD 9532 0.00000000 Alpha＆欧米茄半导体公司 alphamos 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） AO486 MOSFET （金属 o化物） 1.7W 8-SOIC - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 30V 4.5A（ta） 46mohm @ 4.5A，10V 2.5V @ 250µA 6NC @ 4.5V 215pf @ 15V -
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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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