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FET，MOSFET（6056）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs （ciss）（最大（ciss） @ vds fet
DMG9926UDM-7 Diodes Incorporated DMG9926UDM-7 0.5100
RFQ
 ECAD 47 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-23-6 DMG9926 MOSFET （金属 o化物） 980MW SOT-26 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道（双）公共排水 20V 4.2a 28mohm @ 8.2a，4.5V 900mv @ 250µA 8.3nc @ 4.5V 856pf @ 10V 逻辑级别门
MP6K31TCR Rohm Semiconductor MP6K31TCR -
RFQ
 ECAD 3293 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 表面安装 6-SMD，平坦的铅 MP6K31 MOSFET （金属 o化物） 2W MPT6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 2 n 通道（双） 60V 2a 290MOHM @ 2A，10V 2.5V @ 1mA 2NC @ 5V 110pf @ 10V 逻辑水平门，4V驱动器
DMN3270UVT-13 Diodes Incorporated DMN3270UVT-13 0.1201
RFQ
 ECAD 7839 0.00000000 二极管合并 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-23-6薄，TSOT-23-6 DMN3270 MOSFET （金属 o化物） 760MW（TA） TSOT-26 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 10,000 2 n 通道（双） 30V 1.6a（ta） 270MOHM @ 650mA，4.5V 900MV @ 40µA 3.07NC @ 4.5V 161pf @ 15V -
SFR9230BTMAM002 Fairchild Semiconductor SFR9230BTMAM002 -
RFQ
 ECAD 7165 0.00000000 Fairchild半导体 * 大部分 积极的 SFR9230 - - 不适用 （1 （无限） 到达受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 -
CAB008A12GM3 Wolfspeed, Inc. CAB008A12GM3 327.0000
RFQ
 ECAD 45 0.00000000 Wolfspeed，Inc。 - 托盘 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 模块 CAB008 （SIC） 10MW（TC） - 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 18 2 n 通道（半桥） 1200V（1.2kV） 182a（TJ） 10.4mohm @ 150a，15v 3.6V @ 46mA 472nc @ 15V 13600pf @ 800V -
NTZD5110NT1G onsemi NTZD5110NT1G 0.3900
RFQ
 ECAD 8561 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-563，SOT-666 NTZD5110 MOSFET （金属 o化物） 250MW SOT-563 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 4,000 2 n 通道（双） 60V 294MA 1.6ohm @ 500mA，10v 2.5V @ 250µA 0.7NC @ 4.5V 24.5pf @ 20V 逻辑级别门
DMN3055LFDB-13 Diodes Incorporated DMN3055LFDB-13 0.1276
RFQ
 ECAD 2695 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-udfn暴露垫 DMN3055 MOSFET （金属 o化物） U-DFN2020-6（B型） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 10,000 2 n 通道（双） 5A（5A） 40mohm @ 3A，4.5V 1.5V @ 250µA 5.3nc @ 4.5V 458pf @ 15V -
FD6M033N06 onsemi FD6M033N06 -
RFQ
 ECAD 6945 0.00000000 Onmi Power-SPM™ 管子 过时的 -40°C〜150°C（TJ） 通过洞 EPM15 FD6M033 MOSFET （金属 o化物） - EPM15 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 19 2 n 通道（双） 60V 73a 3.3mohm @ 40a，10v 4V @ 250µA 129nc @ 10V 6010pf @ 25V -
UPA2324T1P-E1-A Renesas Electronics America Inc UPA2324T1P-E1-A -
RFQ
 ECAD 3775 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 - - - UPA2324 - - - - （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 5,000 - - - - - - - -
FS50UMJ-3 Renesas Electronics America Inc FS50UMJ-3 4.8000
RFQ
 ECAD 845 0.00000000 Renesas Electronics America Inc * 大部分 积极的 FS50UM - 下载 不适用 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 0000.00.0000 1 -
NTE4007 NTE Electronics, Inc NTE4007 0.9100
RFQ
 ECAD 48 0.00000000 NTE Electronics，Inc - 包 积极的 -55°C〜125°C NTE40 MOSFET （金属 o化物） 500MW 下载 rohs3符合条件 2368-NTE4007 Ear99 8542.31.0000 1 3n和3p通道 - - - - - - -
NTJD4105CT4G onsemi NTJD4105CT4G -
RFQ
 ECAD 1889年 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 NTJD4105 MOSFET （金属 o化物） 270MW SC-88/SC70-6/SOT-363 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 10,000 n和p通道 20V，8V 630mA，775mA 375MOHM @ 630mA，4.5V 1.5V @ 250µA 3NC @ 4.5V 46pf @ 20V 逻辑级别门
SI7540DP-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7540DP-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 8016 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 POWERPAK®SO-8 SI7540 MOSFET （金属 o化物） 1.4W POWERPAK®SO-8 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n和p通道 12V 7.6a，5.7a 17mohm @ 11.8a，4.5V 1.5V @ 250µA 17nc @ 4.5V - 逻辑级别门
IRFN214BTA Fairchild Semiconductor IRFN214BTA 0.1800
RFQ
 ECAD 152 0.00000000 Fairchild半导体 * 大部分 积极的 IRFN214 - - 不适用 （1 （无限） 供应商不确定 Ear99 8542.39.0001 1,664 -
SQ4920EY-T1_GE3 Vishay Siliconix SQ4920EY-T1_GE3 1.6600
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） SQ4920 MOSFET （金属 o化物） 4.4W 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（双） 30V 8a 14.5MOHM @ 6A，10V 2.5V @ 250µA 30nc @ 10V 1465pf @ 15V 逻辑级别门
FDPC1012S Fairchild Semiconductor FDPC1012S 0.4300
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Fairchild半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Powerwdfn FDPC1 MOSFET （金属 o化物） 800MW（ta），900MW（（ PowerClip-33 下载 不适用 （1 （无限） 到达受影响 Ear99 0000.00.0000 428 2 n 通道（双） 25V （13A）（35a ta）（35a tc），26a（ta（88a tc）（88a tc） 7mohm @ 12a，4.5V，2.2Mohm @ 23A，4.5V 2.2V @ 250µA，2.2V @ 1mA 8NC @ 4.5V，25nc @ 4.5V 1075pf @ 13V，3456pf @ 13V -
MCH6660-TL-H onsemi MCH6660-TL-H -
RFQ
 ECAD 4980 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 表面安装 6-SMD，平坦的铅 MCH6660 MOSFET （金属 o化物） 800MW 6-MCPH 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 n和p通道 20V 2a，1.5a 136mohm @ 1A，4.5V - 1.8NC @ 4.5V 128pf @ 10V 逻辑级别门
MSCSM70HM038AG Microchip Technology MSCSM70HM038AG 782.4500
RFQ
 ECAD 9152 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 -40°C〜175°C（TJ） 底盘安装 模块 MSCSM70 （SIC） 1.277kW（TC） - 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 150-MSCSM70HM038AG Ear99 8541.29.0095 1 （4 n 通道（全桥） 700V 464a（TC） 4.8mohm @ 160a，20v 2.4V @ 16mA 860NC @ 20V 18000pf @ 700V -
DMG6302UDW-7 Diodes Incorporated DMG6302UDW-7 0.0606
RFQ
 ECAD 9711 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 DMG6302 MOSFET （金属 o化物） 310MW（TA） SOT-363 下载 到达不受影响 31-DMG6302UDW-7TR Ear99 8541.21.0095 3,000 2（p 通道（双） 25V 150mA（ta） 10ohm @ 140mA，4.5V 1.5V @ 250µA 0.34NC @ 4.5V 30.7pf @ 10V -
APTM20DHM10G Microsemi Corporation APTM20DHM10G -
RFQ
 ECAD 1853年 0.00000000 Microsemi Corporation - 大部分 过时的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 SP6 APTM20 MOSFET （金属 o化物） 694W SP6 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 2 n 通道（双） 200V 175a 12MOHM @ 87.5A，10V 5V @ 5mA 224nc @ 10V 13700pf @ 25V -
APTM20AM05FG Microchip Technology APTM20AM05FG 279.2300
RFQ
 ECAD 6828 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 SP6 APTM20 MOSFET （金属 o化物） 1136W SP6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 2 n 通道（半桥） 200V 317a 5mohm @ 158.5a，10v 5V @ 10mA 448nc @ 10V 27400pf @ 25V -
AO4818BL_101 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AO4818BL_101 -
RFQ
 ECAD 7586 0.00000000 Alpha＆欧米茄半导体公司 - 大部分 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） AO481 MOSFET （金属 o化物） 2W 8-SOIC 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 2 n 通道（双） 30V 8a 19mohm @ 8a，10v 2.4V @ 250µA 18NC @ 10V 888pf @ 15V 逻辑级别门
FDS8958 Fairchild Semiconductor FDS8958 1.0000
RFQ
 ECAD 3491 0.00000000 Fairchild半导体 PowerTrench® 大部分 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） FDS89 MOSFET （金属 o化物） 2W 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 Ear99 8541.21.0095 1 n和p通道 30V 7a，5a 28mohm @ 7a，10v 3V @ 250µA 26NC @ 10V 789pf @ 10V 逻辑级别门
FS30KMJ-3#B00 Renesas Electronics America Inc FS30kMJ-3 ＃B00 1.7100
RFQ
 ECAD 24 0.00000000 Renesas Electronics America Inc * 大部分 积极的 FS30公里 - - 不适用 （1 （无限） 供应商不确定 Ear99 8542.39.0001 1 -
DMC21D1UDA-7B Diodes Incorporated DMC21D1UDA-7B 0.4100
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-SMD，没有铅 DMC21 MOSFET （金属 o化物） 300MW X2-DFN0806-6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 10,000 n和p通道 20V 455ma（ta），328ma（ta） 990MOHM @ 100mA，4.5V，1.9OHM @ 100mA，4.5V 1V @ 250µA 0.41NC @ 4.5V，0.4NC @ 4.5V 31pf @ 15V，28.5pf @ 15V -
F411MR12W2M1B76BOMA1 Infineon Technologies F411MR12W2M1B76BOMA1 -
RFQ
 ECAD 1921年 0.00000000 Infineon技术 EASYPACK™COOLSIC™ 托盘 过时的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 模块 F411MR （SIC） - Ag-Easy1b-2 - rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 15 4（n n 通道（半桥） 1200V（1.2kV） 100A（TJ） 11.3MOHM @ 100A，15V 5.55V @ 40mA 248nc @ 15V 7360pf @ 800V -
SQ4284EY-T1_GE3 Vishay Siliconix SQ4284EY-T1_GE3 1.6200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix 汽车，AEC-Q101，Trenchfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） SQ4284 MOSFET （金属 o化物） 3.9W 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（双） 40V - 13.5MOHM @ 7A，10V 2.5V @ 250µA 45nc @ 10V 2200pf @ 25V 逻辑级别门
SI1539CDL-T1-BE3 Vishay Siliconix SI1539CDL-T1-BE3 0.4300
RFQ
 ECAD 6787 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 SI1539 MOSFET （金属 o化物） 290MW（TA），340MW（tc） SC-70-6 下载 （1 （无限） 到达不受影响 742-SI1539CDL-T1-BE3TR Ear99 8541.21.0095 3,000 n和p通道 30V 700mA（700mA ta），700mA tc），400mA（ta（500mA to），TC） 388MOHM @ 600mA，10v，890MOHM @ 400mA，10V 2.5V @ 250µA 1.5nc @ 10v，3nc @ 10v 28pf @ 15V，34pf @ 15V -
FBG30N04CSH EPC Space, LLC FBG30N04CSH 421.3000
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 EPC Space，LLC Egan® 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 4-SMD，没有铅 ganfet（n化岩） - 4-SMD - （1 （无限） 4107-FBG30N04CSH 9A515E1 8541.29.0095 1 2 n通道 300V 4A（TC） 404MOHM @ 4A，5V 2.8V @ 600µA 2.6nc @ 5V 450pf @ 150V -
DMN2400UV-7 Diodes Incorporated DMN2400UV-7 0.4700
RFQ
 ECAD 97 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-563，SOT-666 DMN2400 MOSFET （金属 o化物） 530MW SOT-563 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道（双） 20V 1.33a 480MOHM @ 200MA，5V 900mv @ 250µA 0.5NC @ 4.5V 36pf @ 16V 逻辑级别门
  • Daily average RFQ Volume

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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