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FET，MOSFET（6056）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs （ciss）（最大（ciss） @ vds fet
FDPC8014AS onsemi FDPC8014AS -
RFQ
 ECAD 6026 0.00000000 Onmi PowerTrench® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Powerwdfn FDPC8014 MOSFET （金属 o化物） 2.1W，2.3W 电源夹56 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 25V 20a，40a 3.8mohm @ 20a，10v 2.5V @ 250µA 35nc @ 10V 2375pf @ 13V -
PJT7808_R2_00001 EMO Inc. PJT7808_R2_00001 -
RFQ
 ECAD 8701 0.00000000 Emo Inc. - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 PJT7808 MOSFET （金属 o化物） 350MW（TA） SOT-363 下载 到达不受影响 3757-PJT7808_R2_00001TR Ear99 8541.21.0095 1 2 n 通道（双） 20V 500mA（ta） 400mohm @ 500mA，4.5V 900mv @ 250µA 1.4NC @ 4.5V 67pf @ 10V -
SIZF906BDT-T1-GE3 Vishay Siliconix SIZF906BDT-T1-GE3 2.0200
RFQ
 ECAD 29 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet®Geniv 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Powerwdfn SIZF906 MOSFET （金属 o化物） 4.5W（TA），38W（ta（5W（ta），83W（（ta） 8-Powerpair®（6x5） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 742-SIZF906BDT-T1-GE3CT Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双），肖特基 30V （36a）（105a t tc）（63a ta）（257a t c）（TC） 2.1MOHM @ 15a，10v，680µhm @ 20a，10v 2.2V @ 250µA 49nc @ 10v，165nc @ 10V 1630pf @ 15V，5550pf @ 15V -
MAX620EJN/R70564 ADI/Maxim Integrated MAX620EJN/R70564 -
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 ECAD 6776 0.00000000 ADI/MAXIM集成 * 大部分 积极的 Max620 - - 不适用 （1 （无限） 供应商不确定 1 -
DMP2004DMK-7 Diodes Incorporated DMP2004DMK-7 0.2279
RFQ
 ECAD 7896 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-23-6 DMP2004 MOSFET （金属 o化物） 500MW SOT-26 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2（p 通道（双） 20V 550mA 900MOHM @ 430mA，4.5V 1V @ 250µA - 175pf @ 16V 逻辑级别门
DMG1024UV-7 Diodes Incorporated DMG1024UV-7 0.4000
RFQ
 ECAD 44 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-563，SOT-666 DMG1024 MOSFET （金属 o化物） 530MW SOT-563 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道（双） 20V 1.38a 450MOHM @ 600mA，4.5V 1V @ 250µA 0.74NC @ 4.5V 60.67pf @ 16V 逻辑级别门
BSO4804HUMA2 Infineon Technologies BSO4804HUMA2 -
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 ECAD 2575 0.00000000 Infineon技术 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C〜150°C 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） BSO4804 MOSFET （金属 o化物） 2W PG-DSO-8 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（双） 30V 8a（8a） 20mohm @ 8a，10v 2V @ 30µA 17NC @ 5V 870pf @ 25V 逻辑级别门
SI4505DY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4505DY-T1-GE3 -
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 ECAD 7186 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） SI4505 MOSFET （金属 o化物） 1.2W 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 2,500 n和p通道 30V，8V 6a，3.8a 18mohm @ 7.8a，10v 1.8V @ 250µA 20nc @ 5V - 逻辑级别门
SI1905DL-T1-E3 Vishay Siliconix SI1905DL-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 7024 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 SI1905 MOSFET （金属 o化物） 270MW SC-70-6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2（p 通道（双） 8V 570mA 600MOHM @ 570mA，4.5V 450mv @ 250µA（250µA）） 2.3nc @ 4.5V - 逻辑级别门
IRF8910GTRPBF Infineon Technologies IRF8910GTRPBF -
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 ECAD 3321 0.00000000 Infineon技术 Hexfet® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） IRF89 MOSFET （金属 o化物） 2W 8-so 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 4,000 2 n 通道（双） 20V 10a 13.4mohm @ 10a，10v 2.55V @ 250µA 11NC @ 4.5V 960pf @ 10V 逻辑级别门
DMN2004DWKQ-7 Diodes Incorporated DMN2004DWKQ-7 0.1193
RFQ
 ECAD 1683年 0.00000000 二极管合并 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -65°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 DMN2004 MOSFET （金属 o化物） 200MW SOT-363 - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道（双） 20V 540ma（ta） 550MOHM @ 540mA，4.5V 1V @ 250µA 0.95NC @ 8V 150pf @ 16V -
DMP22D5UDJ-7 Diodes Incorporated DMP22D5UDJ-7 0.3700
RFQ
 ECAD 3698 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-963 DMP22 MOSFET （金属 o化物） 380MW（TA） SOT-963 下载 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 10,000 2（p 通道（双） 20V 360ma（ta） 1.9OHM @ 100mA，4.5V 1V @ 250µA 0.3NC @ 4.5V 17pf @ 15V -
VWM350-0075P IXYS VWM350-0075p -
RFQ
 ECAD 2874 0.00000000 ixys - 盒子 过时的 -40°C〜175°C（TJ） 底盘安装 v2-pak VWM350 MOSFET （金属 o化物） - v2-pak 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 6 6 n通道（3相桥） 75V 340a 3.3MOHM @ 250A，10V 4V @ 2mA 450NC @ 10V - -
SI7964DP-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7964DP-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 3188 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 POWERPAK®SO-8 SI7964 MOSFET （金属 o化物） 1.4W POWERPAK®SO-8 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 60V 6.1a 23mohm @ 9.6a，10v 4.5V @ 250µA 65nc @ 10V - -
SLA5065 Sanken SLA5065 7.7200
RFQ
 ECAD 727 0.00000000 桑肯 - 管子 积极的 150°C（TJ） 通过洞 15 sip裸露的选项卡，形成铅 Sla50 MOSFET （金属 o化物） 4.8W 15-zip 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） SLA5065 DK Ear99 8541.29.0095 180 4 n通道 60V 7a 100mohm @ 3.5A，10V 2V @ 250µA - 660pf @ 10V -
APTJC120AM13VCT1AG Microsemi Corporation APTJC120AM13VCT1AG -
RFQ
 ECAD 1840年 0.00000000 Microsemi Corporation - 大部分 过时的 - 底盘安装 模块 APTJC120 - - 模块 - （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 7 - - - - - - - -
DMC2041UFDB-7 Diodes Incorporated DMC2041UFDB-7 0.8300
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-udfn暴露垫 DMC2041 MOSFET （金属 o化物） 1.4W U-DFN2020-6（B型） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n和p通道 20V 4.7a，3.2a 40mohm @ 4.2A，4.5V 1.4V @ 250µA 15nc @ 8V 713pf @ 10V -
AOCA36102E Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOCA36102E 0.4671
RFQ
 ECAD 6010 0.00000000 Alpha＆欧米茄半导体公司 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜150°C 表面安装 10-SMD，没有铅 AOCA36102 MOSFET （金属 o化物） 3.1W 10-alphadfn（3.4x1.96） 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 785-AOCA36102ETR Ear99 8541.29.0095 5,000 2 n通道 22V 30a 2.8mohm @ 5A，4.5V 1.25V @ 250µA 37nc @ 4.5V - 标准
BUK7K17-80EX Nexperia USA Inc. BUK7K17-80EX 1.6300
RFQ
 ECAD 8951 0.00000000 Nexperia USA Inc. 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 SOT-12205，8-LFPAK56 buk7k17 MOSFET （金属 o化物） 64W LFPAK56D 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,500 2 n 通道（双） 80V 21a（21a） 4V @ 1mA -
SI7905DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7905DN-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 2854 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 POWERPAK®1212-8 SI7905 MOSFET （金属 o化物） 20.8W POWERPAK®1212-8 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 2（p 通道（双） 40V 6a 60mohm @ 5a，10v 3V @ 250µA 30nc @ 10V 880pf @ 20V -
IRFR91209AR3603 Harris Corporation IRFR91209AR3603 -
RFQ
 ECAD 6928 0.00000000 哈里斯公司 * 大部分 积极的 IRFR9120 - - 不适用 （1 （无限） 供应商不确定 Ear99 8542.39.0001 499 -
SI6983DQ-T1-E3 Vishay Siliconix SI6983DQ-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 8098 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度） SI6983 MOSFET （金属 o化物） 830MW 8-tssop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2（p 通道（双） 20V 4.6a 24mohm @ 5.4a，4.5V 1V @ 400µA 30nc @ 4.5V - 逻辑级别门
FDS6812A Fairchild Semiconductor FDS6812A 1.0000
RFQ
 ECAD 3538 0.00000000 Fairchild半导体 PowerTrench® 大部分 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） FDS68 MOSFET （金属 o化物） 900MW 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 Ear99 8541.21.0095 1 2 n 通道（双） 20V 6.7a 22mohm @ 6.7a，4.5V 1.5V @ 250µA 19nc @ 4.5V 1082pf @ 10V 逻辑级别门
HS8MA2TCR1 Rohm Semiconductor HS8MA2TCR1 1.0600
RFQ
 ECAD 750 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 8-Powerwdfn HS8MA2 MOSFET （金属 o化物） 2W（TA） DFN3333-9DC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 n和p通道 30V （5A）（ta），7a（ta） 80mohm @ 5.5a，10v，35mohm @ 7a，10v 2.5V @ 1mA 7.8NC @ 10V，8.4NC @ 10V 320pf @ 10V，365pf @ 10V -
FDBL9406 Fairchild Semiconductor FDBL9406 -
RFQ
 ECAD 8611 0.00000000 Fairchild半导体 * 大部分 积极的 FDBL940 - - 不适用 （1 （无限） 供应商不确定 Ear99 8542.39.0001 2,000 -
IRF7501TR Infineon Technologies IRF7501TR -
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 ECAD 7557 0.00000000 Infineon技术 - （CT） 过时的 表面安装 8-tssop，8-msop（0.118英寸，3.00mm宽度） IRF7501 MOSFET （金属 o化物） 1.25W micro8™ 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 4,000 2 n 通道（双） 20V 2.4a 135mohm @ 1.7A，4.5V 700MV @ 250µA 8NC @ 4.5V 260pf @ 15V 逻辑级别门
SI1967DH-T1-BE3 Vishay Siliconix SI1967DH-T1-BE3 0.4100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 SI1967 MOSFET （金属 o化物） （740MW）（TA），1.25W（tc） SC-70-6 下载 （1 （无限） 到达不受影响 742-SI1967DH-T1-BE3TR Ear99 8541.29.0095 3,000 2（p 通道（双） 20V 1A（1A），1.3a（1.3a）（TC） 490MOHM @ 910mA，4.5V 1V @ 250µA 4NC @ 10V 110pf @ 10V -
MSCSM70AM19CT1AG Microchip Technology MSCSM70AM19CT1AG 119.8700
RFQ
 ECAD 4586 0.00000000 微芯片技术 - 管子 积极的 -40°C〜175°C（TJ） 底盘安装 模块 MSCSM70 （SIC） 365W（TC） sp1f 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 150-MSCSM70AM19CT1AG Ear99 8541.29.0095 1 2 n 通道（相腿） 700V 124A（TC） 19mohm @ 40a，20v 2.4V @ 4mA 215nc @ 20V 4500pf @ 700V -
SIZ350DT-T1-GE3 Vishay Siliconix SIZ350DT-T1-GE3 1.1300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet®Geniv 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Powerwdfn SIZ350 MOSFET （金属 o化物） 3.7W（TA），16.7W（tc） 8-Power33（3x3） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 30V 18.5a（ta），30a（tc） 6.75mohm @ 15a，10v 2.4V @ 250µA 20.3nc @ 10V 940pf @ 15V -
FSS248-TL-E-SY Sanyo FSS248-TL-E-SY 0.3700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Sanyo * 大部分 积极的 FSS248 - - 不适用 （1 （无限） 供应商不确定 Ear99 8542.39.0001 1,000 -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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