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FET，MOSFET（6056）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs （ciss）（最大（ciss） @ vds fet
DMG4932LSD-13 Diodes Incorporated DMG4932LSD-13 -
RFQ
 ECAD 4035 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） DMG4932LSD MOSFET （金属 o化物） 1.19W 8-so 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（双） 30V 9.5A 15mohm @ 9a，10v 2.4V @ 250µA 42NC @ 10V 1932pf @ 15V 逻辑级别门
FDMS3602S onsemi FDMS3602S -
RFQ
 ECAD 9309 0.00000000 Onmi PowerTrench® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-POWERTDFN FDMS3602 MOSFET （金属 o化物） 1W Power56 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 25V 15a，26a 5.6mohm @ 15a，10v 3V @ 250µA 27nc @ 10V 1680pf @ 13V 逻辑级别门
NX3008PBKV,115 NXP Semiconductors NX3008PBKV，115 -
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 ECAD 2027 0.00000000 NXP半导体 * 大部分 积极的 NX3008 - 下载 （1 （无限） 到达不受影响 2156-NX3008PBKV，115-954 Ear99 8541.21.0095 1 -
MCH6631-TL-E Sanyo MCH6631-TL-E -
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 ECAD 4966 0.00000000 Sanyo * 大部分 过时的 - Rohs不合规 供应商不确定 2156-MCH6631-TL-E-600057 1
SI6924AEDQ-T1-GE3 Vishay Siliconix SI6924AEDQ-T1-GE3 -
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 ECAD 9759 0.00000000 Vishay Siliconix - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度） SI6924 MOSFET （金属 o化物） 1W 8-tssop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双）公共排水 28V 4.1a 33mohm @ 4.6A，4.5V 1.5V @ 250µA 10NC @ 4.5V - 逻辑级别门
MSCSM120HRM311AG Microchip Technology MSCSM120HRM311AG 156.8300
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 ECAD 3496 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 -40°C〜175°C（TJ） 底盘安装 模块 （SIC） 395W（TC），365W （TC） - - 150-MSCSM120HRM311AG 1 （4 n 通道（三级逆变器） 1200V（1.2kV），700V 89A（TC），124A （TC） 31mohm @ 40a，20v，19mohm @ 40a，20v 2.8V @ 3mA，2.4V @ 4mA 232nc @ 20v，215nc @ 20V 3020pf @ 1000V，4500pf @ 700V （SIC）
PMV65UNE,215 NXP USA Inc. PMV65UNE，215 -
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 ECAD 1184 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 PMV65 - 下载 不适用 （1 （无限） 供应商不确定 Ear99 8541.21.0095 1 -
APTC60HM83FT2G Microsemi Corporation APTC60HM83FT2G -
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 ECAD 4019 0.00000000 Microsemi Corporation coolmos™ 大部分 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 模块 APTC60 MOSFET （金属 o化物） 250W 模块 - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 2 n 通道（半桥） 600V 36a 83mohm @ 18a，10v 5V @ 3mA 255nc @ 10V 7290pf @ 25V -
ALD1103SBL Advanced Linear Devices Inc. ALD1103SBL 8.2500
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 ECAD 105 0.00000000 高级线性设备公司 - 管子 积极的 0°C 〜70°C（TJ） 表面安装 14- 材料（ 0.154英寸，宽度为3.90mm） ALD1103 MOSFET （金属 o化物） 500MW 14-Soic 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 1014-1009 Ear99 8541.21.0095 50 2n和2p通道匹配对 10.6V 40mA，16mA 75OHM @ 5V 1V @ 10µA - 10pf @ 5V -
MSCSM70AM07T3AG Microchip Technology MSCSM70AM07T3AG 283.3800
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 ECAD 2599 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 -40°C〜175°C（TJ） 底盘安装 模块 MSCSM70 （SIC） 988W（TC） - 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 150-MSCSM70AM07T3AG Ear99 8541.29.0095 1 2 n 通道（相腿） 700V 353A（TC） 6.4MOHM @ 120A，20V 2.4V @ 12mA 645nc @ 20V 13500pf @ 700V -
MSCSM70XM45CTYZBNMG Microchip Technology MSCSM70XM45CTYZBNMG -
RFQ
 ECAD 1435 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 底盘安装 模块 （SIC） 141W（TC），292W （TC） - 下载 rohs3符合条件 1 6 n通道（3相桥） 700V 52A（TC），110A （TC） 44mohm @ 30a，20v，19mohm @ 40a，20v 2.7V @ 2mA，2.4V @ 4mA 99nc @ 20v，215nc @ 20V 2010pf @ 700V，4500pf @ 700V （SIC）
FDS6912 Fairchild Semiconductor FDS6912 0.9000
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 ECAD 79 0.00000000 Fairchild半导体 PowerTrench® 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） FDS69 MOSFET （金属 o化物） 2W（TA） 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 0000.00.0000 2,500 2 n 通道（双） 30V 6a（6a） 28mohm @ 6a，10v 3V @ 250µA 10NC @ 5V 740pf @ 15V 逻辑级别门
SP8J66TB1 Rohm Semiconductor SP8J66TB1 -
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 ECAD 9570 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 - 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） SP8J66 MOSFET （金属 o化物） - 8-sop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2（p 通道（双） 30V 9a - - - - -
NTJD4401NT2G onsemi NTJD4401NT2G -
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 ECAD 5576 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 NTJD4401 MOSFET （金属 o化物） 270MW SC-88/SC70-6/SOT-363 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道（双） 20V 630mA 375MOHM @ 630mA，4.5V 1.5V @ 250µA 3NC @ 4.5V 46pf @ 20V 逻辑级别门
TT8M2TR Rohm Semiconductor tt8m2tr 0.3578
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 ECAD 4924 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 150°C（TJ） 表面安装 8-SMD，平坦的铅 TT8M2 MOSFET （金属 o化物） 1.25W 8-TSST 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n和p通道 30V，20V 2.5a 90MOHM @ 2.5A，4.5V 1.5V @ 1mA 3.2nc @ 4.5V 180pf @ 10V 逻辑级别门
SIL3724-TP Micro Commercial Co SIL3724-TP -
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 ECAD 7788 0.00000000 微商业公司 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-23-6 SIL3724 MOSFET （金属 o化物） 2W SOT-23-6L 下载 rohs3符合条件 353-SIL3724-TPTR Ear99 8541.29.0095 3,000 n和p通道 30V 5.8a，4.1a 30mohm @ 5.8a，10v，60mohm @ 4.1a，10v 2.5V @ 250µA，2.2V @ 250µA - 820pf @ 15V，700pf @ 15V -
PMDPB70EN,115 NXP USA Inc. PMDPB70EN，115 0.1900
RFQ
 ECAD 39 0.00000000 NXP USA Inc. - 大部分 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-UFDFN暴露垫 PMDPB70 MOSFET （金属 o化物） 510MW 6-Huson（2x2） 下载 rohs3符合条件 Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道（双） 30V 3.5a 57MOHM @ 3.5A，10V 2.5V @ 250µA 4.5NC @ 10V 130pf @ 15V 逻辑级别门
EFC4618R-TR onsemi EFC4618R-Tr -
RFQ
 ECAD 3776 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 表面安装 4-XFBGA，FCBGA EFC4618 MOSFET （金属 o化物） 1.6W EFCP1818-4CC-037 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 5,000 2 n 通道（双） - - - - - - -
IAUC45N04S6L063HATMA1 Infineon Technologies IAUC45N04S6L063HATMA1 1.5800
RFQ
 ECAD 1705年 0.00000000 Infineon技术 汽车，AEC-Q101，Optimos™ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 8-Powervdfn IAUC45 MOSFET （金属 o化物） 41W（TC） PG-TDSON-8-57 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 5,000 2 n 通道（半桥） 40V 45A（TJ） 6.3MOHM @ 22A，10V 2V @ 9µA 13nc @ 10V 775pf @ 25V 逻辑级别门
FDMA3027PZ onsemi FDMA3027PZ -
RFQ
 ECAD 5047 0.00000000 Onmi PowerTrench® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-vdfn裸露的垫子 FDMA3027 MOSFET （金属 o化物） 700MW 6-microfet（2x2） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2（p 通道（双） 30V 3.3a 87MOHM @ 3.3A，10V 3V @ 250µA 10NC @ 10V 435pf @ 15V 逻辑级别门
DMN2013UFX-7 Diodes Incorporated DMN2013UFX-7 0.2665
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 ECAD 6985 0.00000000 二极管合并 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-VFDFN暴露垫 DMN2013 MOSFET （金属 o化物） 2.14W W-DFN5020-6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双）公共排水 20V 10a（10a） 11.5MOHM @ 8.5A，4.5V 1.1V @ 250µA 57.4NC @ 8V 2607pf @ 10V -
CAB760M12HM3 Wolfspeed, Inc. CAB760M12HM3 2.0000
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 ECAD 86 0.00000000 Wolfspeed，Inc。 - 盒子 积极的 -40°C〜175°C（TJ） 底盘安装 模块 CAB760 （SIC） - 模块 下载 不适用 Ear99 8541.29.0095 1 2 n 通道（半桥） 1200V（1.2kV） 1015a（TC） 1.73MOHM @ 760A，15V 3.6V @ 280mA 2724NC @ 15V 79400pf @ 800V -
FDC6320C onsemi FDC6320C -
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 ECAD 6101 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-23-6薄，TSOT-23-6 FDC6320 MOSFET （金属 o化物） 700MW SuperSot™-6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 n和p通道 25V 220mA，120mA 4ohm @ 400mA，4.5V 1.5V @ 250µA 0.4NC @ 4.5V 9.5pf @ 10V 逻辑级别门
APTM100H80FT1G Microsemi Corporation APTM100H80FT1G -
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 ECAD 9861 0.00000000 Microsemi Corporation - 大部分 过时的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 SP1 APTM100 MOSFET （金属 o化物） 208W SP1 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 4（n n 通道（半桥） 1000V （1kV） 11a 960MOHM @ 9A，10V 5V @ 1mA 150nc @ 10V 3876pf @ 25V -
NTHD5902T1 onsemi NTHD5902T1 -
RFQ
 ECAD 9180 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-SMD，平坦的铅 NTHD59 MOSFET （金属 o化物） 1.1W chipfet™ 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 NTHD5902T1OS Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 30V 2.9a 85mohm @ 2.9a，10v 1V @ 250µA 7.5 NC @ 10V - 逻辑级别门
APTMC120AM12CT3AG Microchip Technology APTMC120AM12CT3AG -
RFQ
 ECAD 2704 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 SP3 APTMC120 （SIC） 925W SP3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 2 n 通道（相腿） 1200V（1.2kV） 220A（TC） 12mohm @ 150a，20v 2.4V @ 30mA ty（typ） 483nc @ 20V 8400pf @ 1000V -
SQ9945BEY-T1_BE3 Vishay Siliconix SQ9945BEY-T1_BE3 1.1100
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 ECAD 8725 0.00000000 Vishay Siliconix 汽车，AEC-Q101，Trenchfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） SQ9945 MOSFET （金属 o化物） 4W（TC） 8-SOIC 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（双） 60V 5.4A（TC） 64mohm @ 3.4a，10v 2.5V @ 250µA 12nc @ 10V 470pf @ 25V -
SP8K52FRATB Rohm Semiconductor SP8K52FRATB 1.0800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm半导体 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） SP8K52 MOSFET （金属 o化物） 2W 8-sop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（双） 100V 3A（3A） 170MOHM @ 3A，10V 2.5V @ 1mA 8.5nc @ 5V 610pf @ 25V -
SI4804CDY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4804CDY-T1-GE3 0.7600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） SI4804 MOSFET （金属 o化物） 3.1W 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（双） 30V 8a 22mohm @ 7.5a，10v 2.4V @ 250µA 23nc @ 10V 865pf @ 15V -
BSO150N03 Infineon Technologies BSO150N03 -
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 ECAD 2285 0.00000000 Infineon技术 Optimos™ 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） BSO150 MOSFET （金属 o化物） 1.4W PG-DSO-8 下载 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（双） 30V 7.6a 15mohm @ 9.1a，10V 2V @ 25µA 15nc @ 5V 1890pf @ 15V -
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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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