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FET，MOSFET（6056）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs （ciss）（最大（ciss） @ vds fet
NTMFD6H852NLT1G onsemi NTMFD6H852NLT1G 0.6961
RFQ
 ECAD 1738年 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 8-POWERTDFN NTMFD6 - 250MW（TA） 8-dfn（5x6）（SO8FL偶） - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 1,500 2 n 通道（双） 80V 295mA 1.6ohm @ 500mA，10v 2.5V @ 250µA 5NC @ 4.5V 26pf @ 20V -
CAB320M17XM3 Wolfspeed, Inc. CAB320M17XM3 1.0000
RFQ
 ECAD 8481 0.00000000 Wolfspeed，Inc。 - 盒子 积极的 - 底盘安装 模块 CAB320 （SIC） - - 下载 不适用 1697-CAB320M17XM3 Ear99 8541.29.0095 1 - 1700V 320a（TC） - - - - -
TPS2013APWR Texas Instruments TPS2013APWR 0.5500
RFQ
 ECAD 630 0.00000000 Texas Instruments * 大部分 积极的 TPS2013 - - 不适用 （1 （无限） 供应商不确定 630 -
SI4909DY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4909DY-T1-GE3 1.0400
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） SI4909 MOSFET （金属 o化物） 3.2W 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 2,500 2（p 通道（双） 40V 8a 27mohm @ 8a，10v 2.5V @ 250µA 63nc @ 10V 2000pf @ 20V 逻辑级别门
NDC7001C onsemi NDC7001C 0.4600
RFQ
 ECAD 8554 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-23-6薄，TSOT-23-6 NDC7001 MOSFET （金属 o化物） 700MW SuperSot™-6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 n和p通道 60V 510mA，340mA 2ohm @ 510mA，10v 2.5V @ 250µA 1.5NC @ 10V 20pf @ 25V 逻辑级别门
ALD111933SAL Advanced Linear Devices Inc. Ald111933sal 5.1400
RFQ
 ECAD 250 0.00000000 高级线性设备公司 epad® 管子 积极的 0°C 〜70°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） ALD111933 MOSFET （金属 o化物） 500MW 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 50 2（n n 通道（双） 10.6V - 500OHM @ 5.9V 3.35V @ 1µA - 2.5pf @ 5V -
FW342-TL-E onsemi FW342-TL-E 0.2500
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Onmi - 大部分 过时的 150°C（TJ） 表面安装 8-SOIC （0.173“，4.40mm宽度） FW342 MOSFET （金属 o化物） 1.8W 8-sop - 不适用 Ear99 0000.00.0000 1,000 n和p通道 30V 6a，5a 33mohm @ 6a，10v - 16NC @ 10V 850pf @ 10V 逻辑级别门
FDW2501N Fairchild Semiconductor FDW2501N 0.9800
RFQ
 ECAD 343 0.00000000 Fairchild半导体 PowerTrench® 大部分 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度） FDW25 MOSFET （金属 o化物） 600MW 8-tssop 下载 rohs3符合条件 Ear99 8541.21.0095 2,500 2 n 通道（双） 20V 6a 18mohm @ 6a，4.5V 1.5V @ 250µA 17nc @ 4.5V 1290pf @ 10V 逻辑级别门
AONE36132 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AONE36132 0.7095
RFQ
 ECAD 2966 0.00000000 Alpha＆欧米茄半导体公司 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Powerwdfn AONE361 MOSFET （金属 o化物） （2W）（25W（ta）（2.5w（ta）（35.5W（ta）（TC） 8-DFN-EP（3.3x3.3） 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 785-AONE36132TR Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 25V （17a）（60a）（60a ta），34a（ta（60a tc）（60a tc）（TC） 4.6mohm @ 17a，10v，1.4Mohm @ 20a，10v 1.8V @ 250µA 21nc @ 10v，80nc @ 10V 880pf @ 12.5V，3215pf @ 12.5V 标准
SISF00DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SISF00DN-T1-GE3 1.4700
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet®Geniv 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 POWERPAK®1212-8SCD双重 SISF00 MOSFET （金属 o化物） 69.4W（TC） POWERPAK®1212-8SCD双重 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双）公共排水 30V 60a（TC） 5mohm @ 10a，10v 2.1V @ 250µA 53nc @ 10V 2700pf @ 15V -
GSFD06C20 Good-Ark Semiconductor GSFD06C20 0.8500
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 好公园的半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-252-5，DPAK（ + 4 +选项卡，TO-252AD MOSFET （金属 o化物） 20.1W（TC） TO-252-4 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0080 2,500 n和p通道互补 60V 19a（TC），17a （TC） 30mohm @ 15a，10v 2.5V @ 250µA 24NC @ 10V 1720pf @ 30v，1810pf @ 30V 标准
IRF6702M2DTRPBF Infineon Technologies IRF6702M2DTRPBF -
RFQ
 ECAD 5155 0.00000000 Infineon技术 Hexfet® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 DirectFet™等距 IRF6702 MOSFET （金属 o化物） 2.7W DirectFet™MA 下载 （1 （无限） 到达不受影响 SP001523948 Ear99 8541.29.0095 4,800 2 n 通道（双） 30V 15a 6.6mohm @ 15a，10v 2.35V @ 25µA 14NC @ 4.5V 1380pf @ 15V 逻辑级别门
ZVN4206NTA Diodes Incorporated ZVN4206NTA -
RFQ
 ECAD 6601 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 - 表面安装 SOT-223-8 ZVN4206 MOSFET （金属 o化物） - SM8 - （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 2 n 通道（双） 60V - - - - - -
PJX8603_R1_00001 Panjit International Inc. PJX8603_R1_00001 0.4100
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 Panjit International Inc. - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-563，SOT-666 PJX8603 MOSFET （金属 o化物） 300MW（TA） SOT-563 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 4,000 n和p通道互补 50V，60V 360mA（TA），200ma（ta） 1.5Ohm @ 500mA，10v，6ohm @ 500mA，10v 1V @ 250µA，2.5V @ 250µA 0.95NC @ 4.5V，1.1NC @ 4.5V 36pf @ 25V，51pf @ 25V -
MSCSM170AM029T6LIAG Microchip Technology MSCSM170AM029T6LIAG -
RFQ
 ECAD 1769年 0.00000000 微芯片技术 - 盒子 积极的 下载 150-MSCSM170AM029T6LIAG 1
FF45MR12W1M1PB11BPSA1 Infineon Technologies FF45MR12W1M1PB11BPSA1 -
RFQ
 ECAD 7474 0.00000000 Infineon技术 COOLSIC™ 托盘 在sic中停产 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 模块 FF45MR12 （SIC） 20MW（TC） Ag-Easy1bm - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 30 2 n 通道（双） 1200V（1.2kV） 25A（TJ） 45mohm @ 25a，15v 5.55V @ 10mA 62nc @ 15V 1840pf @ 800V -
DMN62D0UV-7 Diodes Incorporated DMN62D0UV-7 0.4100
RFQ
 ECAD 9574 0.00000000 二极管合并 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-563，SOT-666 DMN62 MOSFET （金属 o化物） 470MW（TA） SOT-563 - rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道（双） 60V 490mA ta） 2ohm @ 100mA，4.5V 1V @ 250µA 0.5NC @ 4.5V 32pf @ 30V 标准
IRF8313PBF Infineon Technologies IRF8313PBF -
RFQ
 ECAD 6927 0.00000000 Infineon技术 - 管子 在sic中停产 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） IRF8313 MOSFET （金属 o化物） 2W 8-so 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 95 2 n 通道（双） 30V 9.7a 15.5MOHM @ 9.7A，10V 2.35V @ 25µA 90NC @ 4.5V 760pf @ 15V 逻辑级别门
FDP023N08B Fairchild Semiconductor FDP023N08B 2.1300
RFQ
 ECAD 21 0.00000000 Fairchild半导体 * 大部分 积极的 FDP023 - - 不适用 （1 （无限） 供应商不确定 Ear99 8542.39.0001 1 -
DMP3085LSD-13 Diodes Incorporated DMP3085LSD-13 0.3700
RFQ
 ECAD 298 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） DMP3085 MOSFET （金属 o化物） 1.1W 8-so 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2（p 通道（双） 30V 3.9a 70MOHM @ 5.3A，10V 3V @ 250µA 11NC @ 10V 563pf @ 25V 逻辑级别门
FDW9926NZ onsemi FDW9926NZ -
RFQ
 ECAD 3481 0.00000000 Onmi PowerTrench® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度） FDW99 MOSFET （金属 o化物） 1.1W 8-tssop 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（双） 20V 4.5a 32MOHM @ 4.5A，4.5V 1.5V @ 250µA 8NC @ 4.5V 600pf @ 10V 逻辑级别门
DMN3032LFDBWQ-7 Diodes Incorporated DMN3032LFDBWQ-7 0.2909
RFQ
 ECAD 9437 0.00000000 二极管合并 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-udfn暴露垫 DMN3032 MOSFET （金属 o化物） 820MW U-DFN2020-6（SWP）B型 下载 到达不受影响 31-DMN3032LFDBWQ-7TR Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 30V 5.5A（ta） 30mohm @ 5.8A，10V 2V @ 250µA 10.6nc @ 10V 500pf @ 15V -
HUFA76504DK8T onsemi HUFA76504DK8T -
RFQ
 ECAD 5793 0.00000000 Onmi Ultrafet™ 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） HUFA76504 MOSFET （金属 o化物） 2.5W 8-SOIC 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（双） 80V - 200mohm @ 2.5a，10v 3V @ 250µA 10NC @ 10V 270pf @ 25V 逻辑级别门
NP29N06QUK-E1-AY Renesas Electronics America Inc NP29N06QUK-E1-AY 1.8600
RFQ
 ECAD 5746 0.00000000 Renesas Electronics America Inc 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 175°C 表面安装 8-Powerldfn NP29 MOSFET （金属 o化物） 1W（ta），44W（tc） 8-hson（5x5.4） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（双） 60V 30A（TC） 21mohm @ 15a，10v 4V @ 250µA 30nc @ 10V 1500pf @ 25V -
BSM300D12P3E005 Rohm Semiconductor BSM300D12P3E005 1.0000
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Rohm半导体 - 大部分 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 模块 BSM300 （SIC） 1260W（TC） 模块 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 846-BSM300D12P3E005 Ear99 8541.29.0095 4 2 n 通道（半桥） 1200V（1.2kV） 300A（TC） - 5.6V @ 91mA - 14000pf @ 10V -
NVMFD5875NLT3G onsemi NVMFD5875NLT3G -
RFQ
 ECAD 9537 0.00000000 Onmi 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 8-POWERTDFN NVMFD5875 MOSFET （金属 o化物） 3.2W 8-dfn（5x6）（SO8FL偶） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 5,000 2 n 通道（双） 60V 7a 33MOHM @ 7.5A，10V 3V @ 250µA 20NC @ 10V 540pf @ 25V 逻辑级别门
APTM50HM65FT3G Microchip Technology APTM50HM65FT3G 154.6200
RFQ
 ECAD 2746 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 SP3 APTM50 MOSFET （金属 o化物） 390W SP3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 4（n n 通道（半桥） 500V 51a 78MOHM @ 25.5A，10V 5V @ 2.5mA 140NC @ 10V 7000pf @ 25V -
MSCSM70AM025D3AG Microchip Technology MSCSM70AM025D3AG 674.4800
RFQ
 ECAD 7167 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 -40°C〜175°C（TJ） 底盘安装 模块 MSCSM70 （SIC） 1.882kW（TC） - 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 150-MSCSM70AM025D3AG Ear99 8541.29.0095 1 2 n 通道（相腿） 700V 689a（TC） 3.2MOHM @ 240A，20V 2.4V @ 24mA 1290nc @ 20V 27000pf @ 700V -
FDPC8013S onsemi FDPC8013S 2.3800
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Onmi PowerTrench® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Powerwdfn FDPC8013 MOSFET （金属 o化物） 800MW，900MW PowerClip-33 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道（双） 30V 13a，26a 6.4mohm @ 13a，10v 3V @ 250µA 13nc @ 10V 827pf @ 15V 逻辑级别门
NVMJD3D0N04CTWG onsemi NVMJD3D0N04CTWG 1.3539
RFQ
 ECAD 3920 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 NVMJD3D0 - - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 488-NVMJD3D0N04CTWGTR Ear99 8541.29.0095 3,000 -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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