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FET，MOSFET（6056）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet
AOC2802	-	RFQ	9826	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	4-ufbga，WLCSP	AOC280	MOSFET （金属 o化物）	1.3W	4-WLCSP（1.57x1.57）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）公共排水	-	-	-	-	10.4NC @ 4.5V	-	逻辑级别门
QH8M22TCR	1.2800	RFQ	20	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅	QH8M22	MOSFET （金属 o化物）	1.1W（TA）	TSMT8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	n和p通道	40V	4.5a（ta），2a（ta）	46mohm @ 4.5a，10v，190mohm @ 2a，10v	2.5V @ 10µA，3V @ 1mA	2.6nc @ 10v，9.5nc @ 10v	193pf @ 20v，450pf @ 20V	-
AO4818BL	-	RFQ	6573	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	AO481	MOSFET （金属 o化物）	2W	8-SOIC	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）	30V	8a（8a）	19mohm @ 8a，10v	2.4V @ 250µA	18NC @ 10V	888pf @ 15V	-
STL15DN4F5	2.9200	RFQ	1	Stmicroelectronics	汽车，AEC-Q101，StripFet™V	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	STL15	MOSFET （金属 o化物）	60W	PowerFlat™（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）	40V	60a	9MOHM @ 7.5A，10V	4V @ 250µA	25nc @ 10V	1550pf @ 25V	逻辑级别门
NX3008NBK，115	0.5000	RFQ	937	Nexperia USA Inc.	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	NX3008	MOSFET （金属 o化物）	445MW	6-TSSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	2 n 通道（双）	30V	350mA	1.4OHM @ 350mA，4.5V	1.1V @ 250µA	0.68nc @ 4.5V	50pf @ 15V	逻辑级别门
PMDPB80XP，115	1.0000	RFQ	5676	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-UFDFN暴露垫	PMDPB80	MOSFET （金属 o化物）	485MW	6-Huson（2x2）	下载						0000.00.0000	1	2（p 通道（双）	20V	2.7a	102MOHM @ 2.7A，4.5V	1V @ 250µA	8.6nc @ 4.5V	550pf @ 10V	逻辑水平门，1.8V
PJQ5850_R2_00001	0.2707	RFQ	6250	Panjit International Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	PJQ5850	MOSFET （金属 o化物）	1.7W（ta），12W（tc）	DFN5060B-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	3757-PJQ5850_R2_00001TR	Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）	40V	（5A）（TA），14a （TC）	33mohm @ 8a，10v	2.5V @ 250µA	4.4NC @ 4.5V	425pf @ 25V	-
IPG20N06S3L-23	-	RFQ	6688	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	IPG20N	MOSFET （金属 o化物）	45W	PG-TDSON-8-4	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP000396304	Ear99	8541.29.0095	5,000	2 n 通道（双）	55V	20a	23mohm @ 16a，10v	2.2V @ 20µA	42NC @ 10V	2950pf @ 25V	逻辑级别门
SI6973DQ-T1-GE3	-	RFQ	9710	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	SI6973	MOSFET （金属 o化物）	830MW	8-tssop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	2（p 通道（双）	20V	4.1a	30mohm @ 4.8A，4.5V	450mv @ 250µA（250µA））	30nc @ 4.5V	-	逻辑级别门
SH8MA3TB1	1.0100	RFQ	19	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SH8MA3	MOSFET （金属 o化物）	2W（TA）	8-sop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n和p通道	30V	（7a ta），6a（ta）	28mohm @ 7a，10v，50mohm @ 6a，10v	2.5V @ 1mA	7.2nc @ 10V，10NC @ 10V	300pf @ 15V，480pf @ 15V	-
2N7002DWA-7	-	RFQ	5577	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	2N7002	MOSFET （金属 o化物）	300MW	SOT-363	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	2 n 通道（双）	60V	180mA	6ohm @ 115mA，10v	2.5V @ 250µA	0.87NC @ 10V	22pf @ 25V	逻辑级别门
APTM120H57FTG	-	RFQ	9972	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	SP4	APTM120	MOSFET （金属 o化物）	390W	SP4	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	4（n n 通道（半桥）	1200V（1.2kV）	17a	684MOHM @ 8.5A，10V	5V @ 2.5mA	187nc @ 10V	5155pf @ 25V	-
DF23MR12W1M1B11BOMA1244	84.3000	RFQ	24	Infineon技术	*	大部分	积极的				DF23MR12	-			下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-DF23MR12W1M1B11BOMA1244-448			1								-
APTSM120AM25CT3AG	-	RFQ	6362	Microsemi Corporation	-	大部分	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	底盘安装	SP3	APTSM120	（SIC）	937W	SP3	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	2 n 通道（双），肖特基	1200V（1.2kV）	148a（TC）	25mohm @ 80a，20v	3V @ 4mA	544NC @ 20V	10200pf @ 1000V	-
AONX36324	0.6417	RFQ	8264	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-vdfn暴露垫	AONX363	MOSFET （金属 o化物）	3.5W（24W）（24W）（3.5w（ta），39W（（（（（（（（（（（（（	8-DFN（5x6）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	785-AONX36324TR	Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）	30V	21a（21a），55a（ta（TC），32a（ta（85a tc）（TC）	4.95mohm @ 20a，10v，1.95Mohm @ 20a，10v	2.2V @ 250µA，2.1V @ 250µA	25nc @ 10v，50nc @ 10V	1145pf @ 15V，2265pf @ 15V	标准
SI1926DL-T1-E3	0.4100	RFQ	21	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	SI1926	MOSFET （金属 o化物）	510MW	SC-70-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	2 n 通道（双）	60V	370mA	1.4OHM @ 340mA，10V	2.5V @ 250µA	1.4NC @ 10V	18.5pf @ 30V	逻辑级别门
FDMS3600AS	1.0100	RFQ	15	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	FDMS3600	MOSFET （金属 o化物）	2.2W，2.5W	8-pqfn（5x6）	下载					Ear99	8542.39.0001	1	2 n 通道（双）	25V	15a，30a	5.6mohm @ 15a，10v	2.7V @ 250µA	27nc @ 10V	1770pf @ 13V	逻辑级别门
MMDF2P02HDR2	-	RFQ	3619	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	MMDF2	MOSFET （金属 o化物）	2W	8-SOIC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2（p 通道（双）	20V	3.3a	160MOHM @ 2A，10V	2V @ 250µA	20NC @ 10V	588pf @ 16V	逻辑级别门
EFC6617R-A-TF	-	RFQ	8230	Onmi	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-	-	EFC6617	-		-	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	2156-EFC6617R-A-TF-488	Ear99	8541.29.0095	5,000								-
FDS6982S	-	RFQ	7763	Fairchild半导体	PoterTrench®，SyncFet™	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	FDS69	MOSFET （金属 o化物）	900MW	8-SOIC	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0095	1	2 n 通道（双）	30V	6.3a，8.6a	28mohm @ 6.3a，10v	3V @ 250µA	12nc @ 5V	2040pf @ 10V	逻辑级别门
SQJ940EP-T1_GE3	1.4500	RFQ	8	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®SO-8	SQJ940	MOSFET （金属 o化物）	48W，43W	POWERPAK®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）	40V	（15a）（TA），18A （TC）	16mohm @ 15a，10v	2.5V @ 250µA	20NC @ 20V	896pf @ 20V	逻辑级别门
FDS8984-F40	0.7800	RFQ	8045	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	FDS89	MOSFET （金属 o化物）	1.6W（TA）	8-SOIC	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	根据要求获得可用的信息	2832-FDS8984-F40TR	Ear99	8541.29.0095	642	2 n 通道（双）	30V	7a（ta）	23mohm @ 7a，10v	2.5V @ 250µA	13nc @ 10V	635pf @ 15V	-
WAB400M12BM3	1.0000	RFQ	11	Wolfspeed，Inc。	-	大部分	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	底盘安装	模块	WAB400	（SIC）	-	模块	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	1	2 n 通道（半桥）	1200V（1.2kV）	468a（TC）	4.25MOHM @ 400A，15V	3.6V @ 106mA	1040NC @ 15V	29700pf @ 800V	-
NDS8961	-	RFQ	4953	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	NDS896	MOSFET （金属 o化物）	900MW	8-SOIC	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0095	551	2 n 通道（双）	30V	3.1a	100mohm @ 3.1a，10v	3V @ 250µA	10NC @ 10V	190pf @ 15V	逻辑级别门
QJD1210SA2	-	RFQ	6979	Powerex Inc.	-	大部分	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块	QJD1210	MOSFET （金属 o化物）	415W	模块	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	2 n 通道（双）	1200V（1.2kV）	100a	17mohm @ 100a，15v	1.6V @ 34mA	330nc @ 15V	8200pf @ 10V	-
2N7002VA-7-F	-	RFQ	3104	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-563，SOT-666	2N7002	MOSFET （金属 o化物）	150MW	SOT-563	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	2 n 通道（双）	60V	280mA	7.5OHM @ 50mA，5V	2.5V @ 250µA	-	50pf @ 25V	-
EFC2K101NUZTDG	-	RFQ	1701	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	6-SMD，没有铅	EFC2K101	MOSFET （金属 o化物）	1.4W（TA）	6-WLCSP（1.79x1.18）	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000	2 n 通道（双）公共排水	12V	15A（TA）	6.2MOHM @ 5A，4.5V	1.3V @ 1mA	16nc @ 3.8V	-	逻辑水平门，2.5V
SQJB04ELP-T1_GE3	0.9700	RFQ	23	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®SO-8	SQJB04	MOSFET （金属 o化物）	27W（TC）	POWERPAK®SO-8	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）	40V	30A（TC）	11MOHM @ 5A，10V	2.2V @ 250µA	20NC @ 10V	1055pf @ 25V	-
NTMC1300R2	-	RFQ	4358	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	NTMC13	MOSFET （金属 o化物）	2W	8-SOIC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n和p通道	30V	2.2a，1.8a	90MOHM @ 3A，10V	2.2V @ 250µA	5NC @ 4.5V	300pf @ 20V	逻辑级别门
DMT3020LDV-13	0.1927	RFQ	4324	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	DMT3020	MOSFET （金属 o化物）	900MW（TA）	PowerDI3333-8（UXC）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	2 n 通道（双）	30V	32A（TC）	20mohm @ 9a，10v	2.5V @ 250µA	7NC @ 10V	393pf @ 15V	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

FET，MOSFET（6056）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²