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FET，MOSFET（6056）
| 参考图片 | 产品编号 | （（（） | 数量 | ECAD | 可用数量 | （kg） | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | （MSL） | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | （VDSS） | 电流 -id（ID） @ 25°C | RDS（最大值） @ ID，VGS | VGS（TH）（最大） @ ID | （QG））（最大） @ vgs | （ciss）（最大（ciss） @ vds | fet |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | TPS1120D | 1.6926 |  | 6836 | 0.00000000 | Texas Instruments | - | 管子 | 积极的 | -40°C〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | TPS1120 | MOSFET （金属 o化物） | 840MW | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 75 | 2（p 通道（双） | 15V | 1.17a | 180MOHM @ 1.5A，10V | 1.5V @ 250µA | 5.45NC @ 10V | - | 逻辑级别门 | ||
 | IPG20N04S4L11AATMA1 | 1.2600 | | 5435 | 0.00000000 | Infineon技术 | 汽车，AEC-Q101，Optimos™ | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 表面安装，可润湿的侧面 | 8-Powervdfn | IPG20N | MOSFET （金属 o化物） | 41W | PG-TDSON-8-10 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 5,000 | 2 n 通道（双） | 40V | 20a | 11.6mohm @ 17a，10v | 2.2V @ 15µA | 26NC @ 10V | 1990pf @ 25V | 逻辑级别门 | ||
 | BSS138BKSH | 0.4800 | | 1 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 汽车，AEC-Q101 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | BSS138 | MOSFET （金属 o化物） | 445MW | 6-TSSOP | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2 n 通道（双） | 60V | 320mA（TA） | 1.6OHM @ 320mA，10V | 1.6V @ 250µA | 0.7NC @ 4.5V | 56pf @ 10V | 逻辑级别门 | ||
 | BUK7K25-40E，115 | 1.0400 | | 1 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 汽车，AEC-Q101，Trenchmos™ | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 表面安装 | SOT-12205，8-LFPAK56 | BUK7K25 | MOSFET （金属 o化物） | 32W | LFPAK56D | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,500 | 2 n 通道（双） | 40V | 27a | 25mohm @ 5A，10V | 4V @ 1mA | 7.9NC @ 10V | 525pf @ 25V | - | ||
 | SI4202DY-T1-GE3 | 1.3900 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | SI4202 | MOSFET （金属 o化物） | 3.7W | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 n 通道（双） | 30V | 12.1a | 14mohm @ 8a，10v | 2.5V @ 250µA | 17NC @ 10V | 710pf @ 15V | 逻辑级别门 | |||
 | IRF6802SDTRPBF | - | | 6639 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -40°C〜150°C（TJ） | 表面安装 | DirectFet™等距SA | IRF6802 | MOSFET （金属 o化物） | 1.7W | DirectFet™SA | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | SP001530826 | Ear99 | 8541.29.0095 | 4,800 | 2 n 通道（双） | 25V | 16a | 4.2MOHM @ 16a，10v | 2.1V @ 35µA | 13nc @ 4.5V | 1350pf @ 13V | 逻辑级别门 | |
 | AO4924L | - | | 5327 | 0.00000000 | Alpha＆欧米茄半导体公司 | SRFET™ | 大部分 | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | AO492 | MOSFET （金属 o化物） | 2W | 8-SOIC | 下载 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 n 通道（双） | 30V | - | 15.8mohm @ 9a，10v | 2.4V @ 250µA | 31nc @ 10V | 1885pf @ 15V | 逻辑级别门 | |||
 | FDC6301N | 0.4800 | | 2 | 0.00000000 | Onmi | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | SOT-23-6薄，TSOT-23-6 | FDC6301 | MOSFET （金属 o化物） | 700MW | SuperSot™-6 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2 n 通道（双） | 25V | 220mA | 4ohm @ 400mA，4.5V | 1.5V @ 250µA | 0.7NC @ 4.5V | 9.5pf @ 10V | 逻辑级别门 | ||
 | PJX8812_R1_00001 | 0.3900 | | 8686 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - | 胶带和卷轴（（tr） | 不适合新设计 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | SOT-563，SOT-666 | PJX8812 | MOSFET （金属 o化物） | 300MW（TA） | SOT-563 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | 3757-PJX8812_R1_00001DKR | Ear99 | 8541.21.0095 | 4,000 | 2 n 通道（双） | 30V | 350mA（ta） | 1.2OHM @ 350mA，4.5V | 1.1V @ 250µA | 0.87NC @ 4.5V | 34pf @ 15V | - | |
 | DMC62D2SV-7 | 0.0722 | | 3741 | 0.00000000 | 二极管合并 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | SOT-563，SOT-666 | MOSFET （金属 o化物） | 500MW（TA） | SOT-563 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 31-DMC62D2SV-7TR | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n和p通道互补 | 60V | 480mA ta），320mA（ta） | 1.7OHM @ 200ma，10v，4ohm @ 200mA，10v | 2.5V @ 250µA，3V @ 250µA | 1.04NC @ 10V，1.1NC @ 10V | 41pf @ 30v，40pf @ 25V | 标准 | |||
| FDWS9520L-F085 | - | | 8917 | 0.00000000 | Onmi | 汽车，AEC-Q101 | 胶带和卷轴（（tr） | 上次购买 | -55°C〜175°C（TJ） | 表面安装 | 8-POWERTDFN | FDWS9520 | MOSFET （金属 o化物） | 75W（TC） | 8-pqfn（5x6） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2（p 通道（双） | 40V | 60.8A（TC） | 12.5MOHM @ 20A，10V | 3V @ 250µA | 33nc @ 10V | 2370pf @ 20V | - | ||
 | MCH6604-TL-E | - | | 5040 | 0.00000000 | Onmi | - | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | 150°C（TJ） | 表面安装 | 6-SMD，平坦的铅 | MCH6604 | MOSFET （金属 o化物） | 800MW | 6-MCPH | 下载 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2 n 通道（双） | 50V | 250mA | 7.8OHM @ 50mA，4V | - | 1.57NC @ 10V | 6.6pf @ 10V | 逻辑级别门 | |||
 | MMDF2N02ER2 | - | | 7429 | 0.00000000 | Onmi | - | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | MMDF2 | MOSFET （金属 o化物） | 2W | 8-SOIC | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | MMDF2N02ER2OS | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 n 通道（双） | 25V | 3.6a | 100mohm @ 2.2a，10v | 3V @ 250µA | 30nc @ 10V | 532pf @ 16V | 逻辑级别门 | |
 | NTJD4001NT1G | 0.3800 | | 106 | 0.00000000 | Onmi | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | NTJD4001 | MOSFET （金属 o化物） | 272MW | SC-88/SC70-6/SOT-363 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2 n 通道（双） | 30V | 250mA | 1.5OHM @ 10mA，4V | 1.5V @ 100µA | 1.3nc @ 5V | 33pf @ 5V | - | ||
 | DMN2024UVTQ-13 | 0.1268 | | 2298 | 0.00000000 | 二极管合并 | 汽车，AEC-Q101 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | SOT-23-6薄，TSOT-23-6 | DMN2024 | MOSFET （金属 o化物） | 1W | TSOT-26 | 下载 | 到达不受影响 | 31-DMN2024UVTQ-13TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 10,000 | 2 n 通道（双）公共排水 | 20V | 7a（ta） | 24mohm @ 6.5a，4.5V | 900mv @ 250µA | 7.1nc @ 4.5V | 647pf @ 10V | - | |||
 | SI6943BDQ-T1-GE3 | - | | 7033 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度） | SI6943 | MOSFET （金属 o化物） | 800MW | 8-tssop | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2（p 通道（双） | 12V | 2.3a | 80MOHM @ 2.5A，4.5V | 800MV @ 250µA | 10NC @ 4.5V | - | 逻辑级别门 | ||
 | ZXMN2088DE6TA | 0.2741 | | 4883 | 0.00000000 | 二极管合并 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | SOT-23-6 | ZXMN2088 | MOSFET （金属 o化物） | 1.1W | SOT-23-6 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | ZXMN2088DE6TADI | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 通道（双） | 20V | 1.7a | 200mohm @ 1A，4.5V | 1V @ 250µA | 3.8NC @ 4.5V | 279pf @ 10V | 逻辑级别门 | |
 | PJS6811_S1_00001 | 0.1341 | | 5699 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | SOT-23-6 | PJS6811 | MOSFET （金属 o化物） | 1.25W（TA） | SOT-23-6 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | 3757-PJS6811_S1_00001TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2（p 通道（双） | 20V | 2.7a（ta） | 105mohm @ 2.7a，4.5V | 1.2V @ 250µA | 5.4NC @ 4.5V | 416pf @ 10V | - | |
 | FDS9945 | 0.6900 | | 8718 | 0.00000000 | Onmi | PowerTrench® | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | FDS99 | MOSFET （金属 o化物） | 1W | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 n 通道（双） | 60V | 3.5a | 100mohm @ 3.5a，10v | 3V @ 250µA | 13nc @ 5V | 420pf @ 30V | 逻辑级别门 | ||
 | SSM6N57NU，LF | 0.4900 | | 106 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | 150°C（TJ） | 表面安装 | 6-WDFN暴露垫 | SSM6N57 | MOSFET （金属 o化物） | 1W | 6 µdfn （2x2） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 通道（双） | 30V | 4a | 46mohm @ 2a，4.5V | 1V @ 1mA | 4NC @ 4.5V | 310pf @ 10V | - | |||
 | SIZ910DT-T1-GE3 | - | | 2736 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Powerwdfn | SIZ910 | MOSFET （金属 o化物） | 48W，100W | 8-Powerpair®（6x5） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 通道（半桥） | 30V | 40a | 5.8mohm @ 20a，10v | 2.2V @ 250µA | 40NC @ 10V | 1500pf @ 15V | 逻辑级别门 | |||
 | UPA602T-T2-A | 0.1600 | | 51 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 大部分 | 过时的 | 150°C（TJ） | 表面安装 | SC-59-6 | UPA602 | MOSFET （金属 o化物） | 300MW | SC-59 | 下载 | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 2 n 通道（双） | 50V | 100mA | 25ohm @ 10mA，10v | 1.8V @ 1µA | - | 16pf @ 5V | 逻辑级别门 | |||||
 | SI6953DQ | 0.3000 | | 1 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | PowerTrench® | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度） | SI6953 | MOSFET （金属 o化物） | 600MW（TA） | 8-tssop | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 供应商不确定 | Ear99 | 8541.21.0095 | 2,500 | 2（p 通道（双） | 20V | 1.9a（ta） | 170MOHM @ 1.9A，10V | 3V @ 250µA | 10NC @ 10V | 218pf @ 10V | - | ||
 | DMN5L06DWK-7-79 | - | | 3097 | 0.00000000 | 二极管合并 | - | 大部分 | 过时的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | DMN5L06 | MOSFET （金属 o化物） | 250MW（TA） | SOT-363 | - | 31-DMN5L06DWK-7-79 | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 2 n 通道（双） | 50V | 305mA（ta） | 2ohm @ 50mA，5v | 1V @ 250µA | 0.4NC @ 4.5V | 50pf @ 25V | - | ||||
| AO4620 | 0.2619 | | 3701 | 0.00000000 | Alpha＆欧米茄半导体公司 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | AO462 | MOSFET （金属 o化物） | 2W | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n和p通道 | 30V | - | 24mohm @ 7.2a，10v | 2.6V @ 250µA | 11NC @ 10V | 448pf @ 15V | 逻辑级别门 | ||
 | SI3552DV-T1-GE3 | 0.8300 | | 553 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | SOT-23-6薄，TSOT-23-6 | SI3552 | MOSFET （金属 o化物） | 1.15W | 6-TSOP | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n和p通道 | 30V | 2.5a | 105mohm @ 2.5a，10v | 1V @ 250µA（250µA） | 3.2nc @ 5V | - | 逻辑级别门 | |||
| SI3981DV-T1-GE3 | - | | 5843 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | SOT-23-6薄，TSOT-23-6 | SI3981 | MOSFET （金属 o化物） | 800MW | 6-TSOP | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2（p 通道（双） | 20V | 1.6a | 185mohm @ 1.9a，4.5V | 1.1V @ 250µA | 5NC @ 4.5V | - | 逻辑级别门 | ||
 | IRF9952TR | - | | 9552 | 0.00000000 | Infineon技术 | Hexfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | IRF995 | MOSFET （金属 o化物） | 2W | 8-so | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 4,000 | n和p通道 | 30V | 3.5a，2.3a | 100mohm @ 2.2a，10v | 1V @ 250µA | 14NC @ 10V | 190pf @ 15V | 逻辑级别门 | ||
 | AON2809 | - | | 5267 | 0.00000000 | Alpha＆欧米茄半导体公司 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 6-WDFN暴露垫 | AON280 | MOSFET （金属 o化物） | 2.1W | 6-DFN（2x2） | 下载 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2（p 通道（双） | 12V | 2a | 68mohm @ 2A，4.5V | 900mv @ 250µA | 4.4NC @ 4.5V | 415pf @ 6V | 逻辑级别门 | |||
 | GSFQ6808 | 0.5800 | | 6 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | MOSFET （金属 o化物） | 1.47W（TA），3.6W（tc） | 8-sop | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | 2 n通道 | 30V | （5a ta），10a（tc） | 34mohm @ 10a，10v | 2.5V @ 250µA | 24NC @ 10V | 1720pf @ 30V | 标准 |
2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
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