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FET，MOSFET（6056）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs （ciss）（最大（ciss） @ vds fet
DMP2060UFDB-7 Diodes Incorporated DMP2060UFDB-7 0.8300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-udfn暴露垫 DMP2060 MOSFET （金属 o化物） 1.4W U-DFN2020-6（B型） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2（p 通道（双） 20V 3.2a 90MOHM @ 2.9a，4.5V 1.4V @ 250µA 18NC @ 8V 881pf @ 10V -
AO4884L_001 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AO4884L_001 -
RFQ
 ECAD 6364 0.00000000 Alpha＆欧米茄半导体公司 - 大部分 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） AO488 MOSFET （金属 o化物） 2W 8-SOIC 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 2 n 通道（双） 40V 10a 13mohm @ 10a，10v 2.7V @ 250µA 33nc @ 10V 1950pf @ 20V 逻辑级别门
AOC2870 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOC2870 0.9800
RFQ
 ECAD 2791 0.00000000 Alpha＆欧米茄半导体公司 alphamos 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 4-XDFN AOC287 MOSFET （金属 o化物） 1.4W 4-DFN（1.7x1.7） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双）公共排水 - - - 1.3V @ 250µA 11.5NC @ 4.5V - -
FDS3812 onsemi FDS3812 -
RFQ
 ECAD 7254 0.00000000 Onmi PowerTrench® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） FDS38 MOSFET （金属 o化物） 900MW 8-SOIC 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 2,500 2 n 通道（双） 80V 3.4a 74mohm @ 3.4A，10V 4V @ 250µA 18NC @ 10V 634pf @ 40V 逻辑级别门
IRLHS6376TRPBF Infineon Technologies IRLHS6376TRPBF 0.6700
RFQ
 ECAD 159 0.00000000 Infineon技术 Hexfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-vdfn裸露的垫子 IRLHS6376 MOSFET （金属 o化物） 1.5W 6-PQFN （2x2） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 4,000 2 n 通道（双） 30V 3.6a 63mohm @ 3.4a，4.5V 1.1V @ 10µA 2.8NC @ 4.5V 270pf @ 25V 逻辑级别门
SI4943CDY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4943CDY-T1-E3 1.7000
RFQ
 ECAD 8274 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -50°C〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） SI4943 MOSFET （金属 o化物） 3.1W 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 2,500 2（p 通道（双） 20V 8a 19.2MOHM @ 8.3a，10V 3V @ 250µA 62NC @ 10V 1945pf @ 10V 逻辑级别门
CPH3418-TL-H Sanyo CPH3418-TL-H 0.1500
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 Sanyo * 大部分 积极的 CPH3418 - - 不适用 （1 （无限） 供应商不确定 0000.00.0000 3,000 -
NTHD3100CT3 onsemi NTHD3100CT3 -
RFQ
 ECAD 3767 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-SMD，平坦的铅 NTHD3100 MOSFET （金属 o化物） 1.1W chipfet™ 下载 Rohs不合规 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 10,000 n和p通道 20V 2.9a，3.2a 80MOHM @ 2.9a，4.5V 1.2V @ 250µA 2.3nc @ 4.5V 165pf @ 10V 逻辑级别门
FF1MR12KM1H Infineon Technologies FF1MR12KM1H -
RFQ
 ECAD 5591 0.00000000 Infineon技术 - 托盘 积极的 FF1MR12 - - rohs3符合条件 到达不受影响 448-FF1MR12KM1H Ear99 8541.29.0095 1 -
GE17045EEA3 GE Aerospace GE17045EEA3 3.0000
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 GE航空航天 sic力量 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TC） 底盘安装 模块 GE17045 （SIC） 1250W（TC） - 下载 Rohs不合规 不适用 供应商不确定 4014-GE17045EEA3 Ear99 8541.29.0095 1 6 n通道（3相桥） 1700V（（1.7kV） 425a（TC） 4.45MOHM @ 425a，20V 4.5V @ 160mA 1207nc @ 18V 29100pf @ 900V -
MCH3360-TL-E-ON onsemi MCH3360-TL-E-ON -
RFQ
 ECAD 7675 0.00000000 Onmi * 大部分 积极的 MCH3360 - - 不适用 （1 （无限） 供应商不确定 3,000 -
FDC6420C onsemi FDC6420C 0.6400
RFQ
 ECAD 4030 0.00000000 Onmi PowerTrench® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-23-6薄，TSOT-23-6 FDC6420 MOSFET （金属 o化物） 700MW SuperSot™-6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 n和p通道 20V 3a，2.2a 70MOHM @ 3A，4.5V 1.5V @ 250µA 4.6NC @ 4.5V 324pf @ 10V 逻辑级别门
FDMC8200 onsemi FDMC8200 1.2500
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Onmi PowerTrench® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Powerwdfn FDMC82 MOSFET （金属 o化物） 700MW，900MW 8-Power33（3x3） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道（双） 30V 8a，12a 20mohm @ 6a，10v 3V @ 250µA 10NC @ 10V 660pf @ 15V 逻辑级别门
DMC2700UDM-7 Diodes Incorporated DMC2700UDM-7 0.4000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-23-6 DMC2700 MOSFET （金属 o化物） 1.12W SOT-26 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n和p通道 20V 1.34a，1.14a 400mohm @ 600mA，4.5V 1V @ 250µA 0.74NC @ 4.5V 60.67pf @ 16V 逻辑级别门
FDMB2308PZ onsemi FDMB2308PZ 2.1200
RFQ
 ECAD 17 0.00000000 Onmi PowerTrench® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-WDFN暴露垫 FDMB2308 MOSFET （金属 o化物） 800MW 6-MLP（2x3） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2（p 通道（双）公共排水 - - 36mohm @ 5.7A，4.5V 1.5V @ 250µA 30nc @ 10V 3030pf @ 10V 逻辑级别门
PJQ4606_R1_00001 Panjit International Inc. PJQ4606_R1_00001 0.3076
RFQ
 ECAD 3787 0.00000000 Panjit International Inc. - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Powerwdfn PJQ4606 MOSFET （金属 o化物） 2W（ta），18W（tc） DFN3030B-8 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 3757-PJQ4606_R1_00001TR Ear99 8541.29.0095 3,000 n和p通道互补 30V 7.6A（ta），23a tc（23a tc），6.7a ta（20a tc）（TC） 19mohm @ 8a，10v，30mohm @ 4a，10v 2.5V @ 250µA 4.8NC @ 4.5V，7.8NC @ 4.5V 429pf @ 25V，846pf @ 15V -
QH8JA1TCR Rohm Semiconductor QH8JA1TCR 0.8900
RFQ
 ECAD 7230 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-SMD，平坦的铅 QH8JA1 - 1.5W TSMT8 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2（p 通道（双） 20V 5a 38mohm @ 5A，4.5V 1.2V @ 1mA 10.2nc @ 4.5V 720pf @ 10V -
ALD110900PAL Advanced Linear Devices Inc. ALD110900PAL 6.4900
RFQ
 ECAD 53 0.00000000 高级线性设备公司 EPAD®，零阈值™ 管子 积极的 0°C 〜70°C（TJ） 通过洞 8 点点（0.300英寸，7.62mm） ALD110900 MOSFET （金属 o化物） 500MW 8-pdip 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 1014-1032 Ear99 8541.21.0095 50 2（n n 通道（双） 10.6V - 500OHM @ 4V 20mv @ 1µA - 2.5pf @ 5V -
QH8MA3TCR Rohm Semiconductor QH8MA3TCR 0.7800
RFQ
 ECAD 6604 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 8-SMD，平坦的铅 QH8MA3 MOSFET （金属 o化物） 1.5W TSMT8 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n和p通道 30V 7a，5.5a 29mohm @ 7a，10v 2.5V @ 1mA 7.2nc @ 10V 300pf @ 15V -
NTZD3155CT1G onsemi NTZD3155CT1G 0.4100
RFQ
 ECAD 40 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-563，SOT-666 NTZD3155 MOSFET （金属 o化物） 250MW SOT-563 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 4,000 n和p通道 20V 540mA，430mA 550MOHM @ 540mA，4.5V 1V @ 250µA 2.5NC @ 4.5V 150pf @ 16V 逻辑级别门
DMP2900UVQ-13 Diodes Incorporated DMP2900UVQ-13 0.3600
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 二极管合并 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-563，SOT-666 DMP2900 MOSFET （金属 o化物） 500MW（TA） SOT-563 - rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 10,000 2（p 通道（双） 20V 850mA（ta） 750MOHM @ 430mA，4.5V 1V @ 250µA 0.7NC @ 4.5V 49pf @ 16V 标准
AO4805 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AO4805 0.9300
RFQ
 ECAD 149 0.00000000 Alpha＆欧米茄半导体公司 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） AO480 MOSFET （金属 o化物） 2W 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2（p 通道（双） 30V 9a 19mohm @ 8a，10v 2.8V @ 250µA 39nc @ 10V 2600pf @ 15V 逻辑级别门
FDC6302P Fairchild Semiconductor FDC6302P 0.2800
RFQ
 ECAD 151 0.00000000 Fairchild半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-23-6薄，TSOT-23-6 FDC6302 MOSFET （金属 o化物） 700MW SuperSot™-6 下载 Ear99 8541.21.0095 1 2（p 通道（双） 25V 120mA 10ohm @ 200ma，4.5V 1.5V @ 250µA 0.31NC @ 4.5V 11pf @ 10V 逻辑级别门
IAUC60N04S6L045HATMA1 Infineon Technologies IAUC60N04S6L045HATMA1 2.0500
RFQ
 ECAD 29 0.00000000 Infineon技术 汽车，AEC-Q101，Optimos™ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 8-Powervdfn IAUC60 MOSFET （金属 o化物） 52W（TC） PG-TDSON-8-57 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 5,000 2 n 通道（半桥） 40V 60a（TJ） 4.5mohm @ 30a，10v 2V @ 13µA 19nc @ 10V 1136pf @ 25V 逻辑级别门
SI4563DY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4563DY-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 6498 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） SI4563 MOSFET （金属 o化物） 3.25W 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n和p通道 40V 8a 16mohm @ 5A，10V 2V @ 250µA 85nc @ 10V 2390pf @ 20V -
SIB914DK-T1-GE3 Vishay Siliconix SIB914DK-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 8727 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 POWERPAK®SC-75-6L双重 SIB914 MOSFET （金属 o化物） 3.1W POWERPAK®SC-75-6L双重 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 8V 1.5a 113MOHM @ 2.5a，4.5V 800MV @ 250µA 2.6nc @ 5V 125pf @ 4V -
FF11MR12W2M1HPB11BPSA1 Infineon Technologies FF11MR12W2M1HPB11BPSA1 147.5800
RFQ
 ECAD 18 0.00000000 Infineon技术 COOLSIC™ 托盘 积极的 - - - FF11MR12 - - - - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 18 - 1200V（1.2kV） - - - - - -
NTJD4105CT1G onsemi NTJD4105CT1G 0.4700
RFQ
 ECAD 4133 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 NTJD4105 MOSFET （金属 o化物） 270MW SC-88/SC70-6/SOT-363 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 n和p通道 20V，8V 630mA，775mA 375MOHM @ 630mA，4.5V 1.5V @ 250µA 3NC @ 4.5V 46pf @ 20V 逻辑级别门
AO4828L Alpha & Omega Semiconductor Inc. AO4828L -
RFQ
 ECAD 9828 0.00000000 Alpha＆欧米茄半导体公司 - 大部分 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） AO482 MOSFET （金属 o化物） 2W 8-SOIC 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 2 n 通道（双） 60V - 56mohm @ 4.5A，10V 3V @ 250µA 10.5NC @ 10V 540pf @ 30V 逻辑级别门
FDPC5018SG onsemi FDPC5018SG 2.1100
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Onmi PowerTrench® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Powerwdfn FDPC5018 MOSFET （金属 o化物） 1W，1.1W 电源夹56 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 30V 17a，32a 5mohm @ 17a，10v 3V @ 250µA 24NC @ 10V 1715pf @ 15V -
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    2000+

    每日平均RFQ量

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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