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FET，MOSFET（6056）
| 参考图片 | 产品编号 | （（（） | 数量 | ECAD | 可用数量 | （kg） | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | （MSL） | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | （VDSS） | 电流 -id（ID） @ 25°C | RDS（最大值） @ ID，VGS | VGS（TH）（最大） @ ID | （QG））（最大） @ vgs | （ciss）（最大（ciss） @ vds | fet |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | NTMD4N03R2G | 0.8000 |  | 2 | 0.00000000 | Onmi | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | NTMD4 | MOSFET （金属 o化物） | 2W | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 n 通道（双） | 30V | 4a | 60mohm @ 4A，10V | 3V @ 250µA | 16NC @ 10V | 400pf @ 20V | 逻辑级别门 | ||
 | NTJD3158CT2G | - | | 5682 | 0.00000000 | Onmi | - | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | NTJD31 | MOSFET （金属 o化物） | 270MW | SC-88/SC70-6/SOT-363 | 下载 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n和p通道 | 20V | 630mA，820mA | 375MOHM @ 630mA，4.5V | 1.5V @ 250µA | 3NC @ 4.5V | 46pf @ 20V | 逻辑级别门 | |||
 | SIA913DJ-T1-GE3 | - | | 2829 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | POWERPAK®SC-70-6双重 | SIA913 | MOSFET （金属 o化物） | 6.5W | POWERPAK®SC-70-6双重 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2（p 通道（双） | 12V | 4.5a | 70mohm @ 3.3a，4.5V | 1V @ 250µA | 12nc @ 8v | 400pf @ 6V | - | ||
 | WAS530M12BM3 | 1.0000 | | 5110 | 0.00000000 | Wolfspeed，Inc。 | - | 盒子 | 积极的 | -40°C〜150°C（TJ） | 底盘安装 | 模块 | WAS530 | （SIC） | - | - | 下载 | 不适用 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 n 通道（半桥） | 1200V（1.2kV） | 630a（TC） | 3.47mohm @ 530a，15v | 3.6V @ 127mA | 1362nc @ 15V | 38900pf @ 800V | - | ||||
 | SI5515DC-T1-GE3 | - | | 8255 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-SMD，平坦的铅 | SI5515 | MOSFET （金属 o化物） | 1.1W | 1206-8 chipfet™ | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n和p通道 | 20V | 4.4a，3a | 40mohm @ 4.4a，4.5V | 1V @ 250µA | 7.5NC @ 4.5V | - | 逻辑级别门 | ||
 | AON7820 | - | | 9611 | 0.00000000 | Alpha＆欧米茄半导体公司 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Powervdfn | AON782 | MOSFET （金属 o化物） | 3.1W | 8-DFN-EP（3x3） | 下载 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 5,000 | 2 n 通道（双）公共排水 | 20V | - | - | 1V @ 250µA | 22nc @ 4.5V | 2065pf @ 10V | 逻辑级别门 | |||
 | GWS9293 | - | | 9815 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 4-vdfn | GWS92 | MOSFET （金属 o化物） | 3.6W | 4 QFN（2x2） | 下载 | rohs3符合条件 | 3（168）） | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 n 通道（双）公共排水 | 20V | 9.4A（TA） | 17mohm @ 3A，4.5V | 1.5V @ 1mA | 3.5nc @ 4V | 400pf @ 10V | - | |||
| MSCSM70HM05AG | 630.6700 | | 9112 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜175°C（TJ） | 底盘安装 | 模块 | MSCSM70 | （SIC） | 966W（TC） | - | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | 150-MSCSM70HM05AG | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | （4 n 通道（全桥） | 700V | 349A（TC） | 6.4MOHM @ 120A，20V | 2.4V @ 12mA | 645nc @ 20V | 13500pf @ 700V | - | |
| MSCSM120HM063AG | 855.2300 | | 3293 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜175°C（TJ） | 底盘安装 | 模块 | MSCSM120 | （SIC） | 873W（TC） | - | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | 150-MSCSM120HM063AG | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | （4 n 通道（全桥） | 1200V（1.2kV） | 333a（TC） | 7.8mohm @ 80a，20v | 2.8V @ 12mA | 928nc @ 20V | 12000pf @ 1000V | - | |
 | ALD210808SCL | 5.8118 | | 8523 | 0.00000000 | 高级线性设备公司 | EPAD®，零阈值™ | 管子 | 积极的 | 0°C 〜70°C（TJ） | 表面安装 | 16-Soic（0.154英寸，宽度为3.90mm） | ALD210808 | MOSFET （金属 o化物） | 500MW | 16-Soic | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 50 | 4 n n通道，匹配对 | 10.6V | 80mA | - | 20mv @ 10µA | - | - | 逻辑级别门 | ||
| 2SD1936T-AC-SY | 0.1500 | | 37 | 0.00000000 | Sanyo | * | 大部分 | 积极的 | 2SD1936 | - | - | 不适用 | （1 （无限） | 供应商不确定 | 0000.00.0000 | 1 | - | |||||||||||||||
 | FD6M016N03 | - | | 7343 | 0.00000000 | Onmi | Power-SPM™ | 管子 | 过时的 | -40°C〜150°C（TJ） | 通过洞 | EPM15 | FD6M016 | MOSFET （金属 o化物） | - | EPM15 | 下载 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 19 | 2 n 通道（双） | 30V | 80a | 1.6mohm @ 40a，10v | 3V @ 250µA | 295nc @ 10V | 11535pf @ 15V | - | |||
 | QS6K21FRATR | 0.6900 | | 3 | 0.00000000 | Rohm半导体 | 汽车，AEC-Q101 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | 150°C（TJ） | 表面安装 | SOT-23-6薄，TSOT-23-6 | QS6K21 | MOSFET （金属 o化物） | 950MW（TA） | TSMT6（SC-95） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2 n 通道（双） | 45V | 1A（1A） | 420MOHM @ 1A，4.5V | 1.5V @ 1mA | 2.1nc @ 4.5V | 95pf @ 10V | - | ||
 | DMN52D0UV-7 | 0.4700 | | 3 | 0.00000000 | 二极管合并 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | SOT-563，SOT-666 | DMN52 | MOSFET （金属 o化物） | 480MW | SOT-563 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 31-DMN52D0UV-7CT | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2 n 通道（双） | 50V | 480ma（ta） | 2ohm @ 5mA，5v | 1V @ 250µA | 1.5NC @ 10V | 39pf @ 25V | - | ||
| APTC80A15T1G | - | | 9850 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 大部分 | 过时的 | -40°C〜150°C（TJ） | 底盘安装 | SP1 | APTC80 | MOSFET （金属 o化物） | 277W | SP1 | 下载 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 n 通道（半桥） | 800V | 28a | 150mohm @ 14a，10v | 3.9V @ 2mA | 180nc @ 10V | 4507pf @ 25V | - | |||
 | DMC3028LSDXQ-13 | 0.7500 | | 20 | 0.00000000 | 二极管合并 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | DMC3028 | MOSFET （金属 o化物） | 1.2W | 8-so | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n和p通道 | 30V | 5.5a，5.8a | 27mohm @ 6a，10v | 3V @ 250µA | 13.2nc @ 5V | 641pf @ 15V | - | ||
 | CSD88599Q5DC | 4.1700 | | 547 | 0.00000000 | Texas Instruments | NexFet™ | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 22-POWERTFDFN | CSD88599Q5 | MOSFET （金属 o化物） | 12W | 22-VSON-CLIP（5x6） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 n 通道（半桥） | 60V | - | 2.1MOHM @ 30a，10v | 2.5V @ 250µA | 27nc @ 4.5V | 4840pf @ 30V | - | ||
| SI5933CDC-T1-E3 | - | | 4767 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-SMD，平坦的铅 | SI5933 | MOSFET （金属 o化物） | 2.8W | 1206-8 chipfet™ | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2（p 通道（双） | 20V | 3.7a | 144mohm @ 2.5a，4.5V | 1V @ 250µA | 6.8NC @ 5V | 276pf @ 10V | - | ||
 | SI6966EDQ-T1-E3 | - | | 9542 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度） | SI6966 | MOSFET （金属 o化物） | 1.25W | 8-tssop | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 通道（双） | 20V | - | 30mohm @ 5.2A，4.5V | 600mv @ 250µA（250µA）） | 25nc @ 4.5V | - | 逻辑级别门 | ||
 | BSL308CL6327HTSA1 | - | | 4093 | 0.00000000 | Infineon技术 | Optimos™ | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | SOT-23-6薄，TSOT-23-6 | BSL308 | MOSFET （金属 o化物） | 500MW | PG-TSOP6-6 | 下载 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n和p通道 | 30V | 2.3a，2a | 80mohm @ 2a，10v | 2V @ 11µA | 500NC @ 10V | 275pf @ 15V | 逻辑级别门 | |||
 | 2N7002DW L6327 | - | | 3002 | 0.00000000 | Infineon技术 | Optimos™ | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 6-VSSOP，SC-88，SOT-363 | 2N7002 | MOSFET （金属 o化物） | 500MW | PG-SOT363-PO | 下载 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2 n 通道（双） | 60V | 300mA | 3ohm @ 500mA，10v | 2.5V @ 250µA | 0.6NC @ 10V | 20pf @ 25V | 逻辑级别门 | |||
 | DMN3032LFDB-13 | 0.1234 | | 5234 | 0.00000000 | 二极管合并 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 6-udfn暴露垫 | DMN3032 | MOSFET （金属 o化物） | 1W | U-DFN2020-6（B型） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 10,000 | 2 n 通道（双） | 30V | 6.2a | 30mohm @ 5.8A，10V | 2V @ 250µA | 10.6nc @ 10V | 500pf @ 15V | - | ||
 | DMN4026SSDQ-13 | 0.8700 | | 2 | 0.00000000 | 二极管合并 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | DMN4026 | MOSFET （金属 o化物） | 1.3W | 8-so | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 n 通道（双） | 40V | 7a | 24mohm @ 6a，10v | 3V @ 250µA | 19.1nc @ 10V | 1060pf @ 20V | 逻辑级别门 | ||
| NTMD5838NLR2G | - | | 5381 | 0.00000000 | Onmi | - | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | NTMD5838 | MOSFET （金属 o化物） | 2.1W | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 n 通道（双） | 40V | 7.4a | 25mohm @ 7a，10v | 3V @ 250µA | 17NC @ 10V | 785pf @ 20V | 逻辑级别门 | ||
 | SIL2623-TP | - | | 4038 | 0.00000000 | 微商业公司 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | SOT-23-6 | SIL2623 | MOSFET （金属 o化物） | 350MW | SOT-23-6L | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2（p 通道（双） | 30V | 3a | 130MOHM @ 3A，10V | 3V @ 250µA | 4.5NC @ 4.5V | 240pf @ 25V | - | ||
 | NTLUD3A260PZTBG | - | | 7561 | 0.00000000 | Onmi | - | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 6-UFDFN暴露垫 | ntlud3 | MOSFET （金属 o化物） | 500MW | 6-udfn（1.6x1.6） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2（p 通道（双） | 20V | 1.3a | 200mohm @ 2A，4.5V | 1V @ 250µA | 4.2nc @ 4.5V | 300pf @ 10V | 逻辑级别门 | ||
 | IRF8915 | - | | 3254 | 0.00000000 | Infineon技术 | Hexfet® | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | IRF89 | MOSFET （金属 o化物） | 2W | 8-so | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | *IRF8915 | Ear99 | 8541.29.0095 | 95 | 2 n 通道（双） | 20V | 8.9a | 18.3mohm @ 8.9a，10v | 2.5V @ 250µA | 7.4NC @ 4.5V | 540pf @ 10V | 逻辑级别门 | |
 | NDC7002N | 0.5600 | | 2258 | 0.00000000 | Onmi | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | SOT-23-6薄，TSOT-23-6 | NDC7002 | MOSFET （金属 o化物） | 700MW | SuperSot™-6 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2 n 通道（双） | 50V | 510mA | 2ohm @ 510mA，10v | 2.5V @ 250µA | 1NC @ 10V | 20pf @ 25V | 逻辑级别门 | ||
| QS6M3Tr | 0.6200 | | 11 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 不适合新设计 | 150°C（TJ） | 表面安装 | SOT-23-6薄，TSOT-23-6 | QS6M3 | MOSFET （金属 o化物） | 1.25W | TSMT6（SC-95） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n和p通道 | 30V，20V | 1.5a | 230MOHM @ 1.5A，4.5V | 1.5V @ 1mA | 1.6NC @ 4.5V | 80pf @ 10V | 逻辑级别门 | ||
 | IPG20N10S436AATMA1 | 1.2700 | | 9 | 0.00000000 | Infineon技术 | 汽车，AEC-Q101，Optimos™ | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 表面安装，可润湿的侧面 | 8-Powervdfn | IPG20N | MOSFET （金属 o化物） | 43W | PG-TDSON-8-10 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 5,000 | 2 n 通道（双） | 100V | 20a | 36mohm @ 17a，10v | 3.5V @ 16µA | 15nc @ 10V | 990pf @ 25V | - |
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