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FET，MOSFET（6056）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs （ciss）（最大（ciss） @ vds fet
MSCSM70AM025D3AG Microchip Technology MSCSM70AM025D3AG 674.4800
RFQ
 ECAD 7167 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 -40°C〜175°C（TJ） 底盘安装 模块 MSCSM70 （SIC） 1.882kW（TC） - 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 150-MSCSM70AM025D3AG Ear99 8541.29.0095 1 2 n 通道（相腿） 700V 689a（TC） 3.2MOHM @ 240A，20V 2.4V @ 24mA 1290nc @ 20V 27000pf @ 700V -
FDPC8013S onsemi FDPC8013S 2.3800
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Onmi PowerTrench® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Powerwdfn FDPC8013 MOSFET （金属 o化物） 800MW，900MW PowerClip-33 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道（双） 30V 13a，26a 6.4mohm @ 13a，10v 3V @ 250µA 13nc @ 10V 827pf @ 15V 逻辑级别门
NVMJD3D0N04CTWG onsemi NVMJD3D0N04CTWG 1.3539
RFQ
 ECAD 3920 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 NVMJD3D0 - - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 488-NVMJD3D0N04CTWGTR Ear99 8541.29.0095 3,000 -
BSS138BKS,115 Nexperia USA Inc. BSS138BK，115 0.4800
RFQ
 ECAD 501 0.00000000 Nexperia USA Inc. 汽车，AEC-Q101，Trenchmos™ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 BSS138 MOSFET （金属 o化物） 445MW 6-TSSOP 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道（双） 60V 320mA 1.6OHM @ 320mA，10V 1.6V @ 250µA 0.7NC @ 4.5V 56pf @ 10V 逻辑级别门
DMP3056LSD-13 Diodes Incorporated DMP3056LSD-13 0.6800
RFQ
 ECAD 16 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） DMP3056 MOSFET （金属 o化物） 2.5W 8-so 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2（p 通道（双） 30V 6.9a 45mohm @ 6a，10v 2.1V @ 250µA 13.7nc @ 10V 722pf @ 25V 逻辑级别门
SQ4940AEY-T1_BE3 Vishay Siliconix SQ4940AEY-T1_BE3 1.0100
RFQ
 ECAD 18 0.00000000 Vishay Siliconix 汽车，AEC-Q101，Trenchfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） SQ4940 MOSFET （金属 o化物） 4W（TC） 8-SOIC 下载 （1 （无限） 742-SQ4940AEY-T1_BE3TR Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（双） 40V 8A（TC） 24mohm @ 5.3a，10v 2.5V @ 250µA 43nc @ 10V 741pf @ 20V -
FDMD82100 onsemi FDMD82100 -
RFQ
 ECAD 7164 0.00000000 Onmi PowerTrench® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 12-Powerwdfn FDMD82 MOSFET （金属 o化物） 1W 12-Power3.3x5 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 100V 7a 19mohm @ 7a，10v 4V @ 250µA 17NC @ 10V 1070pf @ 50V -
2SK583-MTK-AA onsemi 2SK583-MTK-AA 0.2700
RFQ
 ECAD 160 0.00000000 Onmi * 大部分 积极的 2SK583 - 下载 不适用 （1 （无限） 供应商不确定 Ear99 8541.21.0095 1 -
FF1MR12KM1HPHPSA1 Infineon Technologies FF1MR12KM1HPHPSA1 1.0000
RFQ
 ECAD 2800 0.00000000 Infineon技术 - 托盘 积极的 FF1MR12 - - rohs3符合条件 到达不受影响 8 -
NP16N06QLK-E1-AY Renesas Electronics America Inc NP16N06QLK-E1-AY 1.7300
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Renesas Electronics America Inc 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 175°C 表面安装 8-Powerldfn NP16N06 MOSFET （金属 o化物） 1W（TA），25W（25W）TC） 8-hson（5x5.4） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（双） 60V 16A（TC） 39mohm @ 8a，10v 2.5V @ 250µA 17NC @ 10V 750pf @ 25V -
FDMD8900 onsemi FDMD8900 -
RFQ
 ECAD 9340 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 12-Powerwdfn FDMD89 MOSFET （金属 o化物） 2.1W 12-Power3.3x5 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 30V 19a，17a 4mohm @ 19a，10v 2.5V @ 250µA 35nc @ 10V 2605pf @ 15V -
FDMD8240LET40 onsemi FDMD8240LET40 3.4000
RFQ
 ECAD 4170 0.00000000 Onmi PowerTrench® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 12-Powerwdfn FDMD8240 MOSFET （金属 o化物） 50W 12-Power3.3x5 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 40V 24a 2.6MOHM @ 23A，10V 3V @ 250µA 56nc @ 10V 4230pf @ 20V -
GWM100-01X1-SMD IXYS GWM100-01X1-SMD -
RFQ
 ECAD 9467 0.00000000 ixys - 管子 过时的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 17-SMD，鸥翼 GWM100 MOSFET （金属 o化物） - ISOPLUS-DIL™ 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 36 6 n通道（3相桥） 100V 90a 8.5MOHM @ 80A，10V 4.5V @ 250µA 90NC @ 10V - -
DMT4031LSD-13 Diodes Incorporated DMT4031LSD-13 0.1790
RFQ
 ECAD 1392 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） DMT4031 MOSFET （金属 o化物） 1.2W（TA） 8-so 下载 到达不受影响 31-DMT4031LSD-13TR Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（双） 40V 6.3a（ta） 23mohm @ 6a，10v 2.5V @ 250µA 7NC @ 10V 362pf @ 20V -
DMN2023UCB4-7 Diodes Incorporated DMN2023UCB4-7 0.2375
RFQ
 ECAD 3725 0.00000000 二极管合并 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 4-XFBGA，WLBGA DMN2023 MOSFET （金属 o化物） 1.45W X1-WLB1818-4 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双）公共排水 24V 6a（6a） - 1.3V @ 1mA 37nc @ 4.5V 3333pf @ 10V -
IPG16N10S461ATMA1 Infineon Technologies IPG16N10S461ATMA1 1.0400
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Infineon技术 汽车，AEC-Q101，Optimos™ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 8-Powervdfn IPG16N10 MOSFET （金属 o化物） 29W PG-TDSON-8-4 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 5,000 2 n 通道（双） 100V 16a 61mohm @ 16a，10v 3.5V @ 9µA 7NC @ 10V 490pf @ 25V -
SQJ200EP-T1_GE3 Vishay Siliconix SQJ200EP-T1_GE3 1.2100
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Vishay Siliconix 汽车，AEC-Q101，Trenchfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 POWERPAK®SO-8 SQJ200 MOSFET （金属 o化物） 27W，48W POWERPAK®SO-8 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 20V 20a，60a 8.8mohm @ 16a，10v 2V @ 250µA 18NC @ 10V 975pf @ 10V -
AUIRF7313Q Infineon Technologies AUIRF7313Q -
RFQ
 ECAD 3608 0.00000000 Infineon技术 Hexfet® 管子 过时的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） AUIRF7313 MOSFET （金属 o化物） 2.4W 8-SOIC 下载 （1 （无限） 到达不受影响 SP001522556 Ear99 8541.29.0095 95 2 n 通道（双） 30V 6.9a 29mohm @ 6.9a，10V 3V @ 250µA 33nc @ 10V 755pf @ 25V 逻辑级别门
AOE6936 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOE6936 0.6542
RFQ
 ECAD 6875 0.00000000 Alpha＆欧米茄半导体公司 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-vdfn暴露垫 AOE693 MOSFET （金属 o化物） 24W，39W 8-DFN（5x6） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 30V 55A（TC），85A （TC） 5mohm @ 20a，10v，2mohm @ 20a，10v 2.2V @ 250µA，2.1V @ 250µA 15nc @ 4.5V，25nc @ 4.5V 1150pf @ 15V，2270pf @ 15V -
NVMFD5489NLT1G onsemi NVMFD5489NLT1G 0.4374
RFQ
 ECAD 4895 0.00000000 Onmi 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 8-POWERTDFN NVMFD5483 MOSFET （金属 o化物） 3W 8-dfn（5x6）（SO8FL偶） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,500 2 n 通道（双） 60V 4.5a 65mohm @ 15a，10v 2.5V @ 250µA 12.4NC @ 10V 330pf @ 25V 逻辑级别门
NTJD5121NT2G onsemi NTJD5121NT2G 0.3900
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 NTJD5121 MOSFET （金属 o化物） 250MW SC-88/SC70-6/SOT-363 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道（双） 60V 295mA 1.6ohm @ 500mA，10v 2.5V @ 250µA 0.9NC @ 4.5V 26pf @ 20V 逻辑级别门
DMC1028UVT-7 Diodes Incorporated DMC1028UVT-7 0.1561
RFQ
 ECAD 8306 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-23-6薄，TSOT-23-6 DMC1028 MOSFET （金属 o化物） 800MW TSOT-26 下载 到达不受影响 31-DMC1028UVT-7TR Ear99 8541.29.0095 3,000 n和p通道互补 12V，20V 6.1a（ta），3.5a ta（3.5a） 25mohm @ 5.2a，4.5V，80mohm @ 3.8a，4.5V 1V @ 250µA 18.5nc @ 8v，11.5nc @ 8v 787pf @ 6v，576pf @ 10V -
SIL3439K-TP Micro Commercial Co SIL3439K-TP -
RFQ
 ECAD 8650 0.00000000 微商业公司 - 大部分 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-23-6 SIL3439 MOSFET （金属 o化物） 1.25W SOT-23-6L - 353-SIL3439K-TP Ear99 8541.29.0095 1 n和p通道 20V 1.3a，1.1a 380MOHM @ 650mA，4.5V，520MOHM @ 1A，4.5V 1.1V @ 250µA - 60pf @ 16V，175pf @ 16V 逻辑级别门
NTZD3155CT2G onsemi NTZD3155CT2G 0.4200
RFQ
 ECAD 71 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-563，SOT-666 NTZD3155 MOSFET （金属 o化物） 250MW SOT-563 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 4,000 n和p通道 20V 540mA，430mA 550MOHM @ 540mA，4.5V 1V @ 250µA 2.5NC @ 4.5V 150pf @ 16V 逻辑级别门
ECH8660-TL-H onsemi ECH8660-TL-H 0.6600
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 8-SMD，平坦的铅 ECH8660 MOSFET （金属 o化物） 1.5W 8-ech 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n和p通道 30V 4.5a 59MOHM @ 2A，10V - 4.4NC @ 10V 240pf @ 10V 逻辑级别门
APTM50DUM17G Microsemi Corporation APTM50DUM17G -
RFQ
 ECAD 1595年 0.00000000 Microsemi Corporation - 大部分 过时的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 SP6 APTM50 MOSFET （金属 o化物） 1250W SP6 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 2 n 通道（双） 500V 180a 20mohm @ 90a，10v 5V @ 10mA 560NC @ 10V 28000pf @ 25V -
SI4931DY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4931DY-T1-E3 1.2300
RFQ
 ECAD 8988 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） SI4931 MOSFET （金属 o化物） 1.1W 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 2,500 2（p 通道（双） 12V 6.7a 18mohm @ 8.9a，4.5V 1V @ 350µA 52nc @ 4.5V - 逻辑级别门
FDG6303N onsemi FDG6303N 0.4900
RFQ
 ECAD 33 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 FDG6303 MOSFET （金属 o化物） 300MW SC-88 （SC-70-6） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道（双） 25V 500mA 450MOHM @ 500mA，4.5V 1.5V @ 250µA 2.3nc @ 4.5V 50pf @ 10V 逻辑级别门
KFC4B22670L Nuvoton Technology Corporation KFC4B22670L 0.1620
RFQ
 ECAD 9572 0.00000000 Nuvoton Technology Corporation 汽车，AEC-Q100 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C 表面安装 4-XFLGA，CSP KFC4 MOSFET （金属 o化物） 420MW（TA） 4-CSP （1.1x1.1） - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 816-KFC4B22670LTR Ear99 8541.29.0095 20,000 - 20V 2.9a（ta） 45MOHM @ 1.45a，4.5V 1.4V @ 100µA 4.5NC @ 4V 440pf @ 10V 标准
2SJ633-E Fairchild Semiconductor 2SJ633-E -
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 ECAD 4413 0.00000000 Fairchild半导体 * 大部分 积极的 2SJ633 - - 不适用 （1 （无限） 供应商不确定 1 -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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