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FET，MOSFET（6056）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet
BUK7K29-100EX	1.7600	RFQ	21	Nexperia USA Inc.	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	SOT-12205，8-LFPAK56	BUK7K29	MOSFET （金属 o化物）	68W	LFPAK56D	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500	2 n 通道（双）	100V	29.5a	24.5mohm @ 10a，10v	4V @ 1mA	38.1NC @ 10V	2436pf @ 25V	-
BSO4804	-	RFQ	9471	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	BSO4804	MOSFET （金属 o化物）	2W	PG-DSO-8	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）	30V	8a	20mohm @ 8a，10v	2V @ 30µA	17NC @ 5V	870pf @ 25V	逻辑级别门
SP8M5TB	-	RFQ	8928	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SP8M5	MOSFET （金属 o化物）	2W	8-sop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n和p通道	30V	6a，7a	30mohm @ 6a，10v	2.5V @ 1mA	7.2nc @ 5V	520pf @ 10V	逻辑级别门
IPG20N04S4L11AATMA1	1.2600	RFQ	5435	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装，可润湿的侧面	8-Powervdfn	IPG20N	MOSFET （金属 o化物）	41W	PG-TDSON-8-10	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000	2 n 通道（双）	40V	20a	11.6mohm @ 17a，10v	2.2V @ 15µA	26NC @ 10V	1990pf @ 25V	逻辑级别门
BSS138BKSH	0.4800	RFQ	1	Nexperia USA Inc.	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	BSS138	MOSFET （金属 o化物）	445MW	6-TSSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	2 n 通道（双）	60V	320mA（TA）	1.6OHM @ 320mA，10V	1.6V @ 250µA	0.7NC @ 4.5V	56pf @ 10V	逻辑级别门
TPS1120D	1.6926	RFQ	6836	Texas Instruments	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	TPS1120	MOSFET （金属 o化物）	840MW	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	75	2（p 通道（双）	15V	1.17a	180MOHM @ 1.5A，10V	1.5V @ 250µA	5.45NC @ 10V	-	逻辑级别门
IRF6802SDTRPBF	-	RFQ	6639	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	DirectFet™等距SA	IRF6802	MOSFET （金属 o化物）	1.7W	DirectFet™SA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001530826	Ear99	8541.29.0095	4,800	2 n 通道（双）	25V	16a	4.2MOHM @ 16a，10v	2.1V @ 35µA	13nc @ 4.5V	1350pf @ 13V	逻辑级别门
SLA5060	8.5100	RFQ	622	桑肯	-	大部分	积极的	150°C（TJ）	通过洞	12-SIP裸露的选项卡	Sla50	MOSFET （金属 o化物）	5W	12-sip	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		SLA5060 DK	Ear99	8541.29.0095	180	3n和3p 通道（3相桥）	60V	6a	220MOHM @ 3A，4V	-	-	320pf @ 10V	逻辑级别门
BUK7K25-40E，115	1.0400	RFQ	1	Nexperia USA Inc.	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	SOT-12205，8-LFPAK56	BUK7K25	MOSFET （金属 o化物）	32W	LFPAK56D	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500	2 n 通道（双）	40V	27a	25mohm @ 5A，10V	4V @ 1mA	7.9NC @ 10V	525pf @ 25V	-
SIZ998BDT-T1-GE3	0.9400	RFQ	18	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	SIZ998	MOSFET （金属 o化物）	3.8W（TA），20W（TC），4.8W（ta（32.9w（tc）TC）	8-Powerpair®（6x5）	-		（1 （无限）		742-SIZ998BDT-T1-GE3TR	Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双），肖特基	30V	23.7a（ta），54.8a tc），36.2a ta（36.2a ta），94.6a tc（TC）	4.39mohm @ 15A，10V，2.4MOHM @ 19a，10v	2.2V @ 250µA	18NC @ 10V，46.7nc @ 10V	790pf @ 15V，2130pf @ 15V	-
IRF7324pbf	-	RFQ	1111	Infineon技术	Hexfet®	管子	在sic中停产	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IRF732	MOSFET （金属 o化物）	2W	8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,800	2（p 通道（双）	20V	9a	18mohm @ 9a，4.5V	1V @ 250µA	63nc @ 5V	2940pf @ 15V	逻辑级别门
DMT3020LSDQ-13	0.6400	RFQ	7166	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	DMT3020	MOSFET （金属 o化物）	1W（ta）	8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）	30V	16A（TC）	20mohm @ 9a，10v	2.5V @ 250µA	7NC @ 10V	393pf @ 15V	-
IRF7380TRPBF	1.4700	RFQ	2	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IRF7380	MOSFET （金属 o化物）	2W	8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000	2 n 通道（双）	80V	3.6a	73mohm @ 2.2a，10v	4V @ 250µA	23nc @ 10V	660pf @ 25V	逻辑级别门
DMC62D2SV-7	0.0722	RFQ	3741	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-563，SOT-666		MOSFET （金属 o化物）	500MW（TA）	SOT-563	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		31-DMC62D2SV-7TR	Ear99	8541.21.0095	3,000	n和p通道互补	60V	480mA ta），320mA（ta）	1.7OHM @ 200ma，10v，4ohm @ 200mA，10v	2.5V @ 250µA，3V @ 250µA	1.04NC @ 10V，1.1NC @ 10V	41pf @ 30v，40pf @ 25V	标准
TM3055-TL-E	0.1900	RFQ	112	Sanyo	*	大部分	积极的				TM3055	-			-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	700								-
UT6MA3TCR	0.9600	RFQ	15	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-Powerudfn	UT6MA3	-	2W	HUML2020L8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	n和p通道	20V	5a，5.5a	59MOHM @ 5A，4.5V	1.5V @ 1mA	6.5nc @ 4.5V	460pf @ 10V	-
EFC2K102NUZTDG	-	RFQ	9325	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	10-SMD，没有铅	EFC2K102	MOSFET （金属 o化物）	3.1W（TA）	10-WLCSP （2.98x1.49）	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000	2 n 通道（双）公共排水	12V	33A（TA）	2.65MOHM @ 5A，4.5V	1.3V @ 1mA	42nc @ 3.8V	-	逻辑水平门，2.5V
ALD310704SCL	6.0054	RFQ	9339	高级线性设备公司	EPAD®，零阈值™	管子	积极的	0°C〜70°C	表面安装	16-Soic（0.154英寸，宽度为3.90mm）	ALD310704	MOSFET （金属 o化物）	500MW	16-Soic	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	1014-1295	Ear99	8541.21.0095	50	4个p通道，匹配对	8V	-	-	380mv @ 1µA	-	2.5pf @ 5V	-
SCH2408-TL-E	0.0700	RFQ	200	Sanyo	*	大部分	积极的				SCH2408	-			-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	5,000								-
ALD111933PAL	5.7644	RFQ	7667	高级线性设备公司	epad®	管子	积极的	0°C 〜70°C（TJ）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	ALD111933	MOSFET （金属 o化物）	500MW	8-pdip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	1014-1051	Ear99	8541.21.0095	50	2（n n 通道（双）	10.6V	-	500OHM @ 5.9V	3.35V @ 1µA	-	2.5pf @ 5V	-
VMK165-007T	52.6539	RFQ	3541	ixys	-	盒子	不适合新设计	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	TO-240AA	VMK165	MOSFET （金属 o化物）	390W	TO-240AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	36	2 n 通道（双）	70V	165a	7MOHM @ 82.5a，10V	4V @ 8mA	480NC @ 10V	8800pf @ 25V	-
SSF2220Y	0.3700	RFQ	6	好公园的半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜150°C	表面安装	SOT-563，SOT-666		MOSFET （金属 o化物）	312W（TC）	SOT-563	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0080	3,000	2 n通道	20V	800mA（TC）	300mohm @ 500mA，4.5V	1V @ 250µA	1NC @ 4.5V	75pf @ 10V	标准
HAT1126RWS-E	-	RFQ	8182	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	HAT1126	MOSFET （金属 o化物）	（3W）（TA）	8-sop	-		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500	2（p 通道（双）	60V	6a（6a）	50mohm @ 3a，10v	2.5V @ 1mA	37NC @ 10V	2300pf @ 10V	逻辑级别门，4.5V驱动器
DF23MR12W1M1B11BOMA1244	84.3000	RFQ	24	Infineon技术	*	大部分	积极的				DF23MR12	-			下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-DF23MR12W1M1B11BOMA1244-448			1								-
APTSM120AM25CT3AG	-	RFQ	6362	Microsemi Corporation	-	大部分	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	底盘安装	SP3	APTSM120	（SIC）	937W	SP3	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	2 n 通道（双），肖特基	1200V（1.2kV）	148a（TC）	25mohm @ 80a，20v	3V @ 4mA	544NC @ 20V	10200pf @ 1000V	-
NX3008NBK，115	0.5000	RFQ	937	Nexperia USA Inc.	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	NX3008	MOSFET （金属 o化物）	445MW	6-TSSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	2 n 通道（双）	30V	350mA	1.4OHM @ 350mA，4.5V	1.1V @ 250µA	0.68nc @ 4.5V	50pf @ 15V	逻辑级别门
SH8MA3TB1	1.0100	RFQ	19	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SH8MA3	MOSFET （金属 o化物）	2W（TA）	8-sop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n和p通道	30V	（7a ta），6a（ta）	28mohm @ 7a，10v，50mohm @ 6a，10v	2.5V @ 1mA	7.2nc @ 10V，10NC @ 10V	300pf @ 15V，480pf @ 15V	-
STL15DN4F5	2.9200	RFQ	1	Stmicroelectronics	汽车，AEC-Q101，StripFet™V	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	STL15	MOSFET （金属 o化物）	60W	PowerFlat™（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）	40V	60a	9MOHM @ 7.5A，10V	4V @ 250µA	25nc @ 10V	1550pf @ 25V	逻辑级别门
PMDPB80XP，115	1.0000	RFQ	5676	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-UFDFN暴露垫	PMDPB80	MOSFET （金属 o化物）	485MW	6-Huson（2x2）	下载						0000.00.0000	1	2（p 通道（双）	20V	2.7a	102MOHM @ 2.7A，4.5V	1V @ 250µA	8.6nc @ 4.5V	550pf @ 10V	逻辑水平门，1.8V
PJQ5850_R2_00001	0.2707	RFQ	6250	Panjit International Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	PJQ5850	MOSFET （金属 o化物）	1.7W（ta），12W（tc）	DFN5060B-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	3757-PJQ5850_R2_00001TR	Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）	40V	（5A）（TA），14a （TC）	33mohm @ 8a，10v	2.5V @ 250µA	4.4NC @ 4.5V	425pf @ 25V	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

FET，MOSFET（6056）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²