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FET，MOSFET（6056）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs （ciss）（最大（ciss） @ vds fet
APTMC120TAM33CTPAG Microchip Technology APTMC120TAM33CTPAG -
RFQ
 ECAD 3876 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 SP6 APTMC120 （SIC） 370W sp6-p 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 APTMC120TAM33CTPACC6543 Ear99 8541.29.0095 1 6 n通道（3相桥） 1200V（1.2kV） 78A（TC） 33mohm @ 60a，20v 2.2V @ 3mA ty（typ） 148nc @ 20v 2850pf @ 1000V -
FF6MR12W2M1B70BPSA1 Infineon Technologies FF6MR12W2M1B70BPSA1 355.8300
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 Infineon技术 COOLSIC™+ 托盘 过时的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 模块 FF6MR12 （SIC） 20MW（TC） Ag-Easy2b 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 15 2 n 通道（半桥） 1200V（1.2kV） 200a（200a tj） 5.63mohm @ 200a，15v 5.55V @ 80mA 496nc @ 15V 14700pf @ 800V -
ALD210804PCL Advanced Linear Devices Inc. ALD210804PCL 6.3498
RFQ
 ECAD 7102 0.00000000 高级线性设备公司 EPAD®，零阈值™ 管子 积极的 0°C 〜70°C（TJ） 通过洞 16 浸（0.300英寸，7.62mm） ALD210804 MOSFET （金属 o化物） 500MW 16-PDIP 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 50 4 n n通道，匹配对 10.6V 80mA - 20mv @ 10µA - - 逻辑级别门
AON7812 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AON7812 -
RFQ
 ECAD 1622 0.00000000 Alpha＆欧米茄半导体公司 - 大部分 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-powersmd，平面线 AON781 MOSFET （金属 o化物） 4.1W 8-DFN （3x3） 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 2 n 通道（双） 30V 6a 14.5MOHM @ 6A，10V 2.2V @ 250µA 15nc @ 10V 600pf @ 15V -
DMTH4007SPD-13 Diodes Incorporated DMTH4007SPD-13 1.2800
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 8-POWERTDFN DMTH4007 MOSFET （金属 o化物） 2.6W PowerDI5060-8 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（双） 40V 14.2a 8.6mohm @ 17a，10v 4V @ 250µA 41.9NC @ 10V 2026pf @ 30V -
AO8804L Alpha & Omega Semiconductor Inc. AO8804L -
RFQ
 ECAD 7218 0.00000000 Alpha＆欧米茄半导体公司 - 大部分 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度） AO880 MOSFET （金属 o化物） 1.5W 8-tssop 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 2 n 通道（双）公共排水 20V - 13mohm @ 8a，10v 1V @ 250µA 17.9nc @ 4.5V 1810pf @ 10V 逻辑级别门
VEC2315-TL-W onsemi VEC2315-TL-W -
RFQ
 ECAD 1481 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 表面安装 8-SMD，平坦的铅 VEC2315 MOSFET （金属 o化物） 1W SOT-28FL/VEC8 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2（p 通道（双） 60V 2.5a 137MOHM @ 1.5A，10V 2.6V @ 1mA 11NC @ 10V 420pf @ 20V 逻辑水平门，4V驱动器
FDS9953A Fairchild Semiconductor FDS9953A -
RFQ
 ECAD 9946 0.00000000 Fairchild半导体 PowerTrench® 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） FDS99 MOSFET （金属 o化物） 900MW 8-SOIC 下载 Ear99 8542.39.0001 1 2（p 通道（双） 30V 2.9a 130MOHM @ 1A，10V 3V @ 250µA 3.5nc @ 10V 185pf @ 15V 逻辑级别门
SQJQ936E-T1_GE3 Vishay Siliconix SQJQ936E-T1_GE3 3.0100
RFQ
 ECAD 8828 0.00000000 Vishay Siliconix 汽车，AEC-Q101，Trenchfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 PowerPak®8x8二元 SQJQ936 MOSFET （金属 o化物） 75W（TC） PowerPak®8x8二元 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 2,000 2 n 通道（双） 40V 100A（TC） 2.3MOHM @ 5A，10V 3.5V @ 250µA 113nc @ 10V 6600pf @ 25V -
DMN32D4SDW-7 Diodes Incorporated DMN32D4SDW-7 0.4500
RFQ
 ECAD 6281 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 DMN32 MOSFET （金属 o化物） 290MW SOT-363 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道（双） 30V 650mA 400MOHM @ 250mA，10V 1.6V @ 250µA 1.3nc @ 10V 50pf @ 15V -
2N7002VA-7 Diodes Incorporated 2N7002VA-7 0.1800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 二极管合并 * 胶带和卷轴（（tr） 积极的 2N7002 - 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 -
SQ3585EV-T1_GE3 Vishay Siliconix SQ3585EV-T1_GE3 3.6700
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Vishay Siliconix 汽车，AEC-Q101，Trenchfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 SOT-23-6薄，TSOT-23-6 SQ3585 MOSFET （金属 o化物） 1.67W 6-TSOP 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 n和p通道 20V 3.57A（TC），2.5A （TC） 77MOHM @ 1A，4.5V，166MOHM @ 1A，4.5V 1.5V @ 250µA 2.5nc @ 4.5V，3.5NC @ 4.5V - -
AOCA32108E Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOCA32108E 0.8700
RFQ
 ECAD 1639年 0.00000000 Alpha＆欧米茄半导体公司 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 10-SMD，没有铅 AOCA32108 MOSFET （金属 o化物） 3.1W（TA） 10-Alphadfn（3.01x1.52） - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 8,000 2 n 通道（双）公共排水 12V 25A（TA） 3.8mohm @ 5A，4.5V 1.1V @ 250µA 32nc @ 4.5V - -
APTM50TAM65FPG Microchip Technology APTM50TAM65FPG 279.4700
RFQ
 ECAD 7185 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 SP6 APTM50 MOSFET （金属 o化物） 390W sp6-p 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 6 n通道（3相桥） 500V 51a 78MOHM @ 25.5A，10V 5V @ 2.5mA 140NC @ 10V 7000pf @ 25V -
DMC4015SSD-13 Diodes Incorporated DMC4015SSD-13 1.0500
RFQ
 ECAD 13 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） DMC4015 MOSFET （金属 o化物） 1.2W 8-so 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n和p通道 40V 8.6a，6.2a 15mohm @ 3a，10v 3V @ 250µA 40NC @ 10V 1810pf @ 20V 逻辑级别门
CAS175M12BM3 Wolfspeed, Inc. CAS175M12BM3 515.3000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Wolfspeed，Inc。 - 盒子 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 模块 CAS175 （SIC） - - 下载 不适用 Ear99 8541.29.0095 1 2 n 通道（双）公共来源 1200V（1.2kV） 228a（TC） 10.4mohm @ 175a，15v 3.6V @ 43mA 422nc @ 15V 12900pf @ 800V -
FDSS2407S_B82086 Fairchild Semiconductor FDSS2407S_B82086 0.7000
RFQ
 ECAD 783 0.00000000 Fairchild半导体 PowerTrench® 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） FDSS24 MOSFET （金属 o化物） 2.27W（TA） 8-SOIC 下载 不适用 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 1 2 n 通道（双） 62V 3.3a（ta） 110MOHM @ 3.3a，10V 3V @ 250µA 4.3nc @ 5V 300pf @ 15V 逻辑级别门
PSMN011-60HLX Nexperia USA Inc. PSMN011-60HLX 2.0800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 SOT-12205，8-LFPAK56 PSMN011 MOSFET （金属 o化物） 68W（TA） LFPAK56D 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,500 2 n 通道（双） 60V 35A（TA） 10.7MOHM @ 15A，10V 2.1V @ 1mA 24.5nc @ 5V 3470pf @ 25V 逻辑级别门
MP6M11TCR Rohm Semiconductor MP6M11TCR -
RFQ
 ECAD 9922 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 表面安装 6-SMD，平坦的铅 MP6M11 MOSFET （金属 o化物） 2W MPT6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 n和p通道 30V 3.5a 98MOHM @ 3.5A，10V 2.5V @ 1mA 1.9nc @ 5V 85pf @ 10V 逻辑级别门
FS33MR12W1M1HB11BPSA1 Infineon Technologies FS33MR12W1M1HB11BPSA1 158.8800
RFQ
 ECAD 24 0.00000000 Infineon技术 COOLSIC™ 托盘 积极的 - 底盘安装 模块 FS33MR12 （SIC） - ag-easy1b - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 24 - 1200V - - - - - -
BUK9K6R2-40E,115 Nexperia USA Inc. BUK9K6R2-40E，115 1.8700
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Nexperia USA Inc. 汽车，AEC-Q101，Trenchmos™ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 SOT-12205，8-LFPAK56 buk9k6 MOSFET （金属 o化物） 68W LFPAK56D 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,500 2 n 通道（双） 40V 40a 6mohm @ 25a，10v 2.1V @ 1mA 35.4NC @ 10V 3281pf @ 25V 逻辑级别门
NVMFD5C478NT1G onsemi NVMFD5C478NT1G 0.9100
RFQ
 ECAD 7134 0.00000000 Onmi 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 8-POWERTDFN NVMFD5 MOSFET （金属 o化物） 3.1W（TA），23W（tc） 8-dfn（5x6）（SO8FL偶） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,500 2 n 通道（双） 40V 9.8A（ta），27a （TC） 17mohm @ 7.5a，10v 3.5V @ 20µA 6.3nc @ 10V 325pf @ 25V -
SI4963BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4963BDY-T1-GE3 0.7796
RFQ
 ECAD 4291 0.00000000 Vishay Siliconix - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） SI4963 MOSFET （金属 o化物） 1.1W 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 2,500 2（p 通道（双） 20V 4.9a 32MOHM @ 6.5A，4.5V 1.4V @ 250µA 21nc @ 4.5V - 逻辑级别门
STL7DN6LF3 STMicroelectronics STL7DN6LF3 1.7200
RFQ
 ECAD 1859年 0.00000000 Stmicroelectronics 汽车，AEC-Q101，StripFet™III 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 8-Powervdfn STL7 MOSFET （金属 o化物） 52W PowerFlat™（5x6） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 60V 20a 43mohm @ 3a，10v 3V @ 250µA 8.8nc @ 10V 432pf @ 25V 逻辑级别门
SH8K12TB1 Rohm Semiconductor SH8K12TB1 0.4204
RFQ
 ECAD 7019 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） SH8K12 MOSFET （金属 o化物） 2W 8-sop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（双） 30V 5a 42MOHM @ 5A，10V 2.5V @ 1mA 4NC @ 5V 250pf @ 10V 逻辑级别门
SI4992EY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4992EY-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 6227 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） SI4992 MOSFET （金属 o化物） 1.4W 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（双） 75V 3.6a 48mohm @ 4.8A，10V 3V @ 250µA 21NC @ 10V - 逻辑级别门
SI4202DY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4202DY-T1-GE3 1.3900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） SI4202 MOSFET （金属 o化物） 3.7W 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（双） 30V 12.1a 14mohm @ 8a，10v 2.5V @ 250µA 17NC @ 10V 710pf @ 15V 逻辑级别门
FDMC7200S onsemi FDMC7200 0.9300
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Onmi PowerTrench® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Powerwdfn FDMC72 MOSFET （金属 o化物） 700MW，1W 8-Power33（3x3） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 30V 7a，13a 22mohm @ 6a，10v 3V @ 250µA 10NC @ 10V 660pf @ 15V 逻辑级别门
FF23MR12W1M1PB11BPSA1 Infineon Technologies FF23MR12W1M1PB11BPSA1 -
RFQ
 ECAD 2071 0.00000000 Infineon技术 COOLSIC™+ 托盘 过时的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 模块 FF23MR12 MOSFET （金属 o化物） - Ag-Easy1bm-2 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 2独立 1200V（1.2kV） 50a 22.5mohm @ 50a，15v 5.5V @ 20mA 124nc @ 15V 3680pf @ 800V -
MTMC8E280LBF Panasonic Electronic Components mtmc8e280lbf -
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 ECAD 5589 0.00000000 松下电子组件 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 表面安装 8-SMD，平坦的铅 MTMC8E28 MOSFET （金属 o化物） 1W WMINI8-F1 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 20V 7a 21mohm @ 2a，4.5V 1.3V @ 1mA - 1500pf @ 10V -
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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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