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FET，MOSFET（6056）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs （ciss）（最大（ciss） @ vds fet
PJL9830A_R2_00001 Panjit International Inc. PJL9830A_R2_00001 0.2080
RFQ
 ECAD 7059 0.00000000 Panjit International Inc. - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） PJL9830 MOSFET （金属 o化物） 2.5W（TA） 8-sop 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 3757-PJL9830A_R2_00001TR Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（双） 60V 4.8A（ta） 50MOHM @ 4.8A，10V 2.5V @ 250µA 14NC @ 10V 815pf @ 15V -
CSD87331Q3D Texas Instruments CSD87331Q3D 1.3000
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Texas Instruments NexFet™ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Powerldfn CSD87331Q3 MOSFET （金属 o化物） 6W 8-lson（5x6） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（半桥） 30V 15a - 2.1V，1.2V @ 250µA 3.2nc @ 4.5V 518pf @ 15V -
FDMS9620S onsemi FDMS9620S -
RFQ
 ECAD 6251 0.00000000 Onmi PowerTrench® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Powerwdfn FDMS9620 MOSFET （金属 o化物） 1W 8-MLP（5x6），Power56 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 30V 7.5a，10a 21.5MOHM @ 7.5A，10V 3V @ 250µA 14NC @ 10V 665pf @ 15V 逻辑级别门
DMN1250UFEL-7 Diodes Incorporated DMN1250UFEL-7 0.8300
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 12-UFQFN暴露垫 DMN1250 MOSFET （金属 o化物） 660MW U-QFN1515-12 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 8 n通道，公，门，公共来源 12V 2a 450MOHM @ 200MA，4.5V 1V @ 250µA 1.9nc @ 4.5V 190pf @ 6V -
QS8J4TR Rohm Semiconductor QS8J4TR 1.1100
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 8-SMD，平坦的铅 QS8J4 MOSFET （金属 o化物） 550MW TSMT8 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2（p 通道（双） 30V 4a 56mohm @ 4A，10V 2.5V @ 1mA 13nc @ 10V 800pf @ 10V 逻辑级别门
TSM4946DCS Taiwan Semiconductor Corporation TSM4946DC 0.7284
RFQ
 ECAD 4904 0.00000000 台湾半导体公司 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） TSM4946 MOSFET （金属 o化物） 2.4W（TA） 8-sop 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 1801-TSM4946DCSTR Ear99 8541.29.0095 5,000 2 n通道 60V 4.5A（ta） 55MOHM @ 4.5A，10V 3V @ 250µA 30nc @ 10V 910pf @ 24V 标准
TT8J1TR Rohm Semiconductor tt8j1tr -
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 ECAD 4114 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 表面安装 8-SMD，平坦的铅 TT8J1 MOSFET （金属 o化物） 1.25W 8-TSST 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2（p 通道（双） 12V 2.5a 61MOHM @ 2.5a，4.5V 1V @ 1mA 13nc @ 4.5V 1350pf @ 6V -
SQJB40EP-T1_BE3 Vishay Siliconix SQJB40EP-T1_BE3 1.1900
RFQ
 ECAD 7356 0.00000000 Vishay Siliconix 汽车，AEC-Q101，Trenchfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 PowerPak®SO-8 SQJB40 MOSFET （金属 o化物） 34W（TC） PowerPak®SO-8 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 40V 30A（TC） 8mohm @ 8a，10v 2.5V @ 250µA 35nc @ 10V 1900pf @ 25V -
FDS6898AZ-F085 onsemi FDS6898AZ-F085 -
RFQ
 ECAD 4429 0.00000000 Onmi * 胶带和卷轴（（tr） 过时的 FDS68 - 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 -
ALD210814SCL Advanced Linear Devices Inc. ALD210814SCL 5.7256
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 ECAD 8896 0.00000000 高级线性设备公司 EPAD®，零阈值™ 管子 积极的 - 表面安装 16-Soic（0.154英寸，宽度为3.90mm） ALD210814 MOSFET （金属 o化物） 500MW 16-Soic - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 50 4 n n通道，匹配对 10.6V 80mA - 20mv @ 10µA - - 逻辑级别门
MMBT7002KDW-AQ Diotec Semiconductor MMBT7002KDW-AQ -
RFQ
 ECAD 7856 0.00000000 diotec半导体 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-VSSOP，SC-88，SOT-363 MOSFET （金属 o化物） 295MW SOT-363 - 不适用 不适用 供应商不确定 2796-MMBT7002KDW-AQTR 8541.21.0000 1 2 n通道 60V 300mA 3ohm @ 500mA，10v 1.75V @ 250µA 440pc @ 4.5V 21pf @ 25V 逻辑级别门
NTMFD030N06CT1G onsemi NTMFD030N06CT1G 2.6300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 8-POWERTDFN NTMFD030 MOSFET （金属 o化物） 3.2W（TA），23W（tc） 8-dfn（5x6）（SO8FL偶） - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,500 2 n 通道（双） 60V 7a（7A）（19a tc）（TC） 29.7MOHM @ 3A，10V 4V @ 13µA 4.7NC @ 10V 255pf @ 30V -
SP8M8FU6TB Rohm Semiconductor SP8M8FU6TB -
RFQ
 ECAD 7477 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） SP8M8 MOSFET （金属 o化物） 2W 8-sop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n和p通道 30V 6a，4.5a 30mohm @ 6a，10v 2.5V @ 1mA 10.1NC @ 5V 520pf @ 10V 逻辑级别门
AO4886 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AO4886 0.7000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Alpha＆欧米茄半导体公司 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） AO488 MOSFET （金属 o化物） 2W 8-SOIC 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 100V 3.3a 80mohm @ 3a，10v 2.7V @ 250µA 20NC @ 10V 942pf @ 50V 逻辑级别门
SI5905BDC-T1-E3 Vishay Siliconix SI5905BDC-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 6081 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-SMD，平坦的铅 SI5905 MOSFET （金属 o化物） 3.1W 1206-8 chipfet™ 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2（p 通道（双） 8V 4a 80mohm @ 3.3a，4.5V 1V @ 250µA 11NC @ 8V 350pf @ 4V 逻辑级别门
DMT6015LPDW-13 Diodes Incorporated DMT6015LPDW-13 0.2970
RFQ
 ECAD 9287 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-POWERTDFN DMT6015 MOSFET （金属 o化物） 2.4W（TA），7.9W（TC） PowerDI5060-8（type UXD） 下载 到达不受影响 31-DMT6015LPDW-13TR Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（双） 60V 9.4A（（17.1A）TC） 18mohm @ 10a，10v 2.5V @ 250µA 15.7nc @ 10V 808pf @ 30V -
AON6970 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AON6970 -
RFQ
 ECAD 4292 0.00000000 Alpha＆欧米茄半导体公司 SRFET™ 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Powerwdfn AON697 MOSFET （金属 o化物） 5W，4.1W 8-DFN（5x6） 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（半桥） 30V 24a，42a 5.4mohm @ 20a，10v 2.3V @ 250µA 23nc @ 10V 1171pf @ 15V 逻辑级别门
HUF7554S3S Harris Corporation HUF7554S3S 1.3800
RFQ
 ECAD 839 0.00000000 哈里斯公司 * 大部分 积极的 HUF7554 - - 不适用 （1 （无限） 供应商不确定 Ear99 8542.39.0001 1 -
IRF7309PBF International Rectifier IRF7309pbf -
RFQ
 ECAD 2632 0.00000000 国际整流器 Hexfet® 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） IRF73 MOSFET （金属 o化物） 1.4W（TA） 8-so - rohs3符合条件 Ear99 8541.29.0095 3,800 n和p通道 30V （4A）（3A）（3a ta） 50mohm @ 2.4a，10v，100mohm @ 1.8A，10V 1V @ 250µA 25nc @ 4.5V 520pf，440pf @ 15V -
DMNH6065SPDW-13 Diodes Incorporated DMNH6065SPDW-13 0.3833
RFQ
 ECAD 4161 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装，可润湿的侧面 8-POWERTDFN DMNH6065 MOSFET （金属 o化物） 2.4W（TA），68W（tc） PowerDi5060-8（R r r r r） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达受影响 DMNH6065SPDW-13DI Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（双） 60V 27a（TC） 65mohm @ 15a，10v 3V @ 250µA 9.5NC @ 10V 466pf @ 25V -
FDU6670AS Fairchild Semiconductor FDU6670AS 0.7200
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Fairchild半导体 * 大部分 积极的 FDU6670 - - 不适用 （1 （无限） 供应商不确定 Ear99 8542.39.0001 1 -
QH8MB5TCR Rohm Semiconductor QH8MB5TCR 0.9600
RFQ
 ECAD 2245 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 8-SMD，平坦的铅 QH8MB5 MOSFET （金属 o化物） 1.1W（TA） TSMT8 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n和p通道 40V 4.5A（5a），5a（ta） 44mohm @ 4.5A，10V，41MOHM @ 5A，10V 2.5V @ 1mA 3.5nc @ 10v，17.2nc @ 10v 150pf @ 20v，920pf @ 20V -
SQS944ENW-T1_GE3 Vishay Siliconix SQS944ENW-T1_GE3 0.9600
RFQ
 ECAD 1520 0.00000000 Vishay Siliconix 汽车，AEC-Q101，Trenchfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装，可润湿的侧面 PowerPak®1212-8W双重 SQS944 MOSFET （金属 o化物） 27.8W（TC） PowerPak®1212-8W双重 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 40V 6A（TC） 25mohm @ 1.25A，10V 2.5V @ 250µA 10NC @ 10V 615pf @ 25V -
ZXMC3A16DN8TC Diodes Incorporated ZXMC3A16DN8TC 1.3900
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） ZXMC3 MOSFET （金属 o化物） 1.25W 8-so 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n和p通道 30V 4.9a，4.1a 35mohm @ 9a，10v 1V @ 250µA（250µA） 17.5nc @ 10V 796pf @ 25V 逻辑级别门
APTC60TDUM35PG Microchip Technology APTC60TDUM35PG 257.8900
RFQ
 ECAD 2746 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 SP6 APTC60 MOSFET （金属 o化物） 416W sp6-p 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 6 n通道（3相桥） 600V 72a 35mohm @ 72a，10v 3.9V @ 5.4mA 518nc @ 10V 14000pf @ 25V -
SIA777EDJ-T1-GE3 Vishay Siliconix SIA777EDJ-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 8542 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 POWERPAK®SC-70-6双重 SIA777 MOSFET （金属 o化物） 5W，7.8W POWERPAK®SC-70-6双重 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 n和p通道 20V，12V 1.5a，4.5a 225mohm @ 1.6A，4.5V 1V @ 250µA 2.2nc @ 5V - 逻辑级别门
SQ1902AEL-T1_GE3 Vishay Siliconix SQ1902EAL-T1_GE3 -
RFQ
 ECAD 6841 0.00000000 Vishay Siliconix 汽车，AEC-Q101，Trenchfet® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 POWERPAK®SC-70-6双重 SQ1902 MOSFET （金属 o化物） 430MW POWERPAK®SC-70-6双重 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道（双） 20V 780ma（tc） 415MOHM @ 660mA，4.5V 1.5V @ 250µA 1.2nc @ 4.5V 75pf @ 10V -
ISL6605CR-TR5151 Intersil ISL6605CR-TR5151 1.6200
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Intersil * 大部分 积极的 ISL6605 - - 不适用 （1 （无限） 供应商不确定 Ear99 8542.39.0001 6,000 -
DMC3025LDV-7 Diodes Incorporated DMC3025LDV-7 0.2190
RFQ
 ECAD 5825 0.00000000 二极管合并 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Powervdfn DMC3025 MOSFET （金属 o化物） PowerDI3333-8 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,000 n和p通道 15A（TC） 25mohm @ 7a，10v 2.4V @ 250µA 4.6nc @ 4.5V，9.5NC @ 4.5V 500pf @ 15V，1188pf @ 15V -
NDS8936 Fairchild Semiconductor NDS8936 0.7800
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 ECAD 8 0.00000000 Fairchild半导体 - 大部分 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） NDS893 MOSFET （金属 o化物） 900MW 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 Ear99 8541.21.0095 2,500 2 n 通道（双） 30V 5.3a 35mohm @ 5.3a，10v 2.8V @ 250µA 30nc @ 10V 720pf @ 15V 逻辑级别门
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196-LFBGA裸露的垫子

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