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FET，MOSFET（6056）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs （ciss）（最大（ciss） @ vds fet
2SK2530-TL-E onsemi 2SK2530-TL-E -
RFQ
 ECAD 5355 0.00000000 Onmi * 大部分 过时的 - Rohs不合规 供应商不确定 2156-2SK2530-TL-E-488 1
DMN12M7UCA10-7-01 Diodes Incorporated DMN12M7UCA10-7-01 0.3371
RFQ
 ECAD 8551 0.00000000 二极管合并 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 10-SMD，没有铅 DMN12 MOSFET （金属 o化物） 740MW X4-DSN3015-10 下载 31-DMN12M7UCA10-7-01 Ear99 8541.29.0095 5,000 2 n 通道（双）公共排水 12V 20.2a（ta） 2.75MOHM @ 6A，4.5V 1.4V @ 1.11mA 35.7NC @ 4V 3039pf @ 10V 标准
NDM3000 onsemi NDM3000 -
RFQ
 ECAD 3491 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 16-Soic（0.154英寸，宽度为3.90mm） NDM300 MOSFET （金属 o化物） 1.4W 16-Soic 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 3n和3p 通道（3相桥） 30V 3a 90MOHM @ 3A，10V 3V @ 250µA 25nc @ 10V 360pf @ 10V 逻辑级别门
FDG6332C-PG onsemi FDG6332C-PG -
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 ECAD 3521 0.00000000 Onmi PowerTrench® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 FDG6332 MOSFET （金属 o化物） 300MW（TA） SC-88/SC70-6/SOT-363 - rohs3符合条件 488-FDG6332C-PGTR Ear99 8541.21.0095 3,000 n和p通道互补 20V 700mA（ta），600mA（ta） 300MOHM @ 700mA，4.5V，420MOHM @ 600mA，4.5V 1.5V @ 250µA 1.5NC @ 4.5V，2NC @ 4.5V 113pf @ 10V，114pf @ 10V -
IRF9953PBF Infineon Technologies IRF9953PBF -
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 ECAD 8936 0.00000000 Infineon技术 Hexfet® 管子 在sic中停产 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） IRF995 MOSFET （金属 o化物） 2W 8-so 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 SP001565680 Ear99 8541.29.0095 95 2（p 通道（双） 30V 2.3a 250MOHM @ 1A，10V 1V @ 250µA 12nc @ 10V 190pf @ 15V -
IRF7311PBF International Rectifier IRF7311pbf 0.2900
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 ECAD 6902 0.00000000 国际整流器 Hexfet® 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） IRF731 MOSFET （金属 o化物） 2W 8-so 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 0000.00.0000 40 2 n 通道（双） 20V 6.6a 29MOHM @ 6A，4.5V 700MV @ 250µA 27nc @ 4.5V 900pf @ 15V 逻辑级别门
BSC0925NDATMA1 Infineon Technologies BSC0925NDATMA1 0.9500
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 ECAD 9 0.00000000 Infineon技术 Optimos™ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-POWERTDFN BSC0925 MOSFET （金属 o化物） 2.5W PG-Tison-8 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 5,000 2 n 频道（双重斩波器） 30V 15a 5mohm @ 20a，10v 2V @ 250µA 17NC @ 10V 1157pf @ 15V -
AO4813L Alpha & Omega Semiconductor Inc. AO4813L -
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 ECAD 6773 0.00000000 Alpha＆欧米茄半导体公司 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） AO481 MOSFET （金属 o化物） 2W 8-SOIC - （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2（p 通道（双） 30V 7.1a（ta） 25mohm @ 7.1a，10v 2.7V @ 250µA 30.9nc @ 10V 1573pf @ 15V -
CAB425M12XM3 Wolfspeed, Inc. CAB425M12XM3 772.6200
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 ECAD 2786 0.00000000 Wolfspeed，Inc。 CAB425M12XM3 大部分 积极的 -40°C〜175°C（TJ） 底盘安装 模块 CAB425M12 （SIC） 50MW 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 1 2 n 通道（半桥） 1200V（1.2kV） 450a 4.2MOHM @ 425A，15V 3.6V @ 115mA 1135nc @ 15V 30.7nf @ 800V -
SH8M4TB1 Rohm Semiconductor SH8M4TB1 0.8831
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 ECAD 5604 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） SH8M4 MOSFET （金属 o化物） 2W 8-sop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n和p通道 30V 9a，7a 18mohm @ 9a，10v 2.5V @ 1mA 15nc @ 5V 1190pf @ 10V 逻辑级别门
DMC2053UVTQ-7 Diodes Incorporated DMC2053UVTQ-7 0.4900
RFQ
 ECAD 225 0.00000000 二极管合并 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-23-6薄，TSOT-23-6 DMC2053 MOSFET （金属 o化物） 700MW（TA） TSOT-26 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 n和p通道互补 20V 4.6A（ta），3.2a（ta） 35MOHM @ 5A，4.5V，74MOHM @ 3.5A，4.5V 1V @ 250µA 3.6nc @ 4.5V，5.9nc @ 4.5V 369pf @ 10V，440pf @ 10V -
APTM50A15FT1G Microsemi Corporation APTM50A15FT1G -
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 ECAD 2945 0.00000000 Microsemi Corporation - 大部分 过时的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 SP1 APTM50 MOSFET （金属 o化物） 208W SP1 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 2 n 通道（半桥） 500V 25a 180mohm @ 21a，10v 5V @ 1mA 170NC @ 10V 5448pf @ 25V -
SLA5061 Sanken SLA5061 -
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 ECAD 9674 0.00000000 桑肯 - 大部分 积极的 150°C（TJ） 通过洞 12-SIP裸露的选项卡 Sla50 MOSFET （金属 o化物） 5W 12-sip 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） SLA5061 DK Ear99 8541.29.0095 180 3n和3p 通道（3相桥） 60V 10a，6a 140MOHM @ 5A，4V - - 460pf @ 10V 逻辑级别门
DMP2240UDM-7 Diodes Incorporated DMP2240UDM-7 0.4100
RFQ
 ECAD 285 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -65°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-23-6 DMP2240 MOSFET （金属 o化物） 600MW SOT-26 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2（p 通道（双） 20V 2a 150MOHM @ 2A，4.5V 1V @ 250µA - 320pf @ 16V 逻辑级别门
MSCSM120AM50CT1AG Microchip Technology MSCSM120AM50CT1AG 89.7600
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 ECAD 1 0.00000000 微芯片技术 - 管子 积极的 -40°C〜175°C（TJ） 底盘安装 模块 MSCSM120 （SIC） 245W（TC） sp1f 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 150-MSCSM120AM50CT1AG Ear99 8541.29.0095 1 2 n 通道（相腿） 1200V（1.2kV） 55A（TC） 50mohm @ 40a，20v 2.7V @ 1mA 137nc @ 20V 1990pf @ 1000V -
QH8KB5TCR Rohm Semiconductor QH8KB5TCR 0.7400
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 8-SMD，平坦的铅 QH8KB5 MOSFET （金属 o化物） 1.1W（TA） TSMT8 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 40V 4.5A（ta） 44mohm @ 4.5A，10V 2.5V @ 1mA 3.5nc @ 10V 150pf @ 20V -
NVTJD4001NT1G onsemi NVTJD4001NT1G 0.5000
RFQ
 ECAD 520 0.00000000 Onmi 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 NVTJD4001 MOSFET （金属 o化物） 272MW SC-88/SC70-6/SOT-363 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道（双） 30V 250mA 1.5OHM @ 10mA，4V 1.5V @ 100µA 1.3nc @ 5V 33pf @ 5V -
SH8KA1GZETB Rohm Semiconductor SH8KA1GZETB 0.8200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） SH8KA1 MOSFET （金属 o化物） 2W（TA） 8-sop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（双） 30V 4.5A（ta） 80MOHM @ 4.5A，10V 2.5V @ 1mA 3NC @ 10V 125pf @ 15V -
SIA527DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix SIA527DJ-T1-GE3 0.5500
RFQ
 ECAD 9764 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 POWERPAK®SC-70-6双重 SIA527 MOSFET （金属 o化物） 7.8W POWERPAK®SC-70-6双重 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 n和p通道 12V 4.5a 29mohm @ 5A，4.5V 1V @ 250µA 15nc @ 8V 500pf @ 6V 逻辑级别门
IXTL2X180N10T IXYS ixtl2x180n10t 18.9388
RFQ
 ECAD 4108 0.00000000 ixys 沟 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 isoplusi5-pak™ ixtl2 MOSFET （金属 o化物） 150W isoplusi5-pak™ 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 25 2 n 通道（双） 100V 100a 7.4mohm @ 50a，10v 4.5V @ 250µA 151nc @ 10V 6900pf @ 25V -
DMG1016VQ-7 Diodes Incorporated DMG1016VQ-7 0.4600
RFQ
 ECAD 6589 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-563，SOT-666 DMG1016 MOSFET （金属 o化物） 530MW SOT-563 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 n和p通道 20V 870mA，640mA 400mohm @ 600mA，4.5V 1V @ 250µA 0.74NC @ 4.5V 60.67pf @ 16V 逻辑级别门
SSM5P15FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM5P15FU，LF 0.4500
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 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C 表面安装 5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353 SSM5P15 MOSFET （金属 o化物） 200mw（ta） USV 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 2（p 通道（双） 30V （100mA）（TA） 12ohm @ 10mA，4V 1.7V @ 100µA - 9.1pf @ 3V -
SQ1563AEH-T1_GE3 Vishay Siliconix SQ1563AEH-T1_GE3 0.5300
RFQ
 ECAD 841 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 POWERPAK®SC-70-6双重 SQ1563 MOSFET （金属 o化物） 1.5W POWERPAK®SC-70-6双重 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 n和p通道 20V 850mA（TC） 280MOHM @ 850mA，4.5V，575MOHM @ 800mA，4.5V 1.5V @ 250µA 1.25nc @ 4.5V，1.33nc @ 4.5V 89pf @ 10V，84pf @ 10V -
6LN04CH-TL-E-ON onsemi 6LN04CH-TL-E-ON 0.0600
RFQ
 ECAD 72 0.00000000 Onmi * 大部分 积极的 6LN04 - 下载 不适用 （1 （无限） 供应商不确定 Ear99 8541.21.0095 3,000 -
2N7002DW-13-G Diodes Incorporated 2N7002DW-13-G -
RFQ
 ECAD 9102 0.00000000 二极管合并 * 胶带和卷轴（（tr） 过时的 2N7002 - - （1 （无限） 到达不受影响 2N7002DW-13-GDI Ear99 8541.21.0095 10,000 -
DMN61D8LVTQ-13 Diodes Incorporated DMN61D8LVTQ-13 0.1517
RFQ
 ECAD 5265 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-23-6薄，TSOT-23-6 DMN61 MOSFET （金属 o化物） 820MW TSOT-26 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 DMN61D8LVTQ-13DI Ear99 8541.21.0095 10,000 2 n 通道（双） 60V 630mA 1.8ohm @ 150mA，5v 2V @ 1mA 0.74NC @ 5V 12.9pf @ 12V 逻辑级别门
UPA1760G-E1-A Renesas UPA1760G-E1-A 1.6700
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 肾脏 - 大部分 过时的 150°C 表面安装 8-SOIC （0.173“，4.40mm宽度） UPA1760 MOSFET （金属 o化物） 2W（TA） 8-sop 下载 Rohs不合规 供应商不确定 2156-UPA1760G-E1-A Ear99 8541.21.0095 1 2 n 通道（双） 30V 8a（8a） 26mohm @ 4a，10v 2.5V @ 1mA 14NC @ 10V 760pf @ 10V -
MSCSM170AM058CT6LIAG Microchip Technology MSCSM170AM058CT6LIAG 1.0000
RFQ
 ECAD 13 0.00000000 微芯片技术 - 管子 积极的 -40°C〜175°C（TJ） 底盘安装 模块 MSCSM170 （SIC） 1.642kW（TC） - 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 150-MSCSM170AM058CT6LIAG Ear99 8541.29.0095 1 2 n 通道（相腿） 1700V（（1.7kV） 353A（TC） 7.5MOHM @ 180a，20v 3.3V @ 15mA 1068nc @ 20V 19800pf @ 1000V -
DMP2100UFU-7 Diodes Incorporated DMP2100UFU-7 0.1736
RFQ
 ECAD 8343 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-UFDFN暴露垫 DMP2100 MOSFET （金属 o化物） 900MW U-DFN2030-6（B型） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2（p 通道（双）公共排水 20V 5.7a 38mohm @ 3.5A，10V 1.4V @ 250µA 21.4NC @ 10V 906pf @ 10V -
PJT7807_R1_00001 Panjit International Inc. PJT7807_R1_00001 0.1123
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 ECAD 3732 0.00000000 Panjit International Inc. - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 PJT7807 MOSFET （金属 o化物） 350MW（TA） SOT-363 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 3757-PJT7807_R1_00001TR Ear99 8541.21.0095 3,000 2（p 通道（双） 20V 500mA（ta） 1.2OHM @ 500mA，4.5V 1V @ 250µA 1.4NC @ 4.5V 38pf @ 10V -
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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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