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FET，MOSFET（6056）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs （ciss）（最大（ciss） @ vds fet
FDMA1025P onsemi FDMA1025P 0.7100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Onmi PowerTrench® （CT） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-vdfn裸露的垫子 FDMA1025 MOSFET （金属 o化物） 700MW 6-microfet（2x2） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 1 2（p 通道（双） 20V 3.1a 155mohm @ 3.1a，4.5V 1.5V @ 250µA 4.8NC @ 4.5V 450pf @ 10V 逻辑级别门
PJL9850_R2_00001 Panjit International Inc. PJL9850_R2_00001 0.5000
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Panjit International Inc. - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） PJL9850 MOSFET （金属 o化物） 1.7W（TA） 8-sop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 3757-PJL9850_R2_00001CT Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（双） 40V 5.4A（ta） 32MOHM @ 5A，10V 2.5V @ 250µA 4.4NC @ 4.5V 425pf @ 25V -
DMG4800LSD-13 Diodes Incorporated DMG4800LSD-13 0.5500
RFQ
 ECAD 24 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） DMG4800 MOSFET （金属 o化物） 1.17W 8-so 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（双） 30V 7.5a 16mohm @ 9a，10v 1.6V @ 250µA 8.56nc @ 5V 798pf @ 10V 逻辑级别门
DMN2008LFU-7 Diodes Incorporated DMN2008LFU-7 0.6200
RFQ
 ECAD 689 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-UFDFN暴露垫 DMN2008 MOSFET （金属 o化物） 1W U-DFN2030-6（B型） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双）公共排水 20V 14.5a 5.4MOHM @ 5.5A，4.5V 1.5V @ 250a 42.3nc @ 10V 1418pf @ 10V -
UM6K1N-TP Micro Commercial Co UM6K1N-TP -
RFQ
 ECAD 9550 0.00000000 微商业公司 - 大部分 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 UM6K1 MOSFET （金属 o化物） 150MW SOT-363 下载 353-UM6K1N-TP Ear99 8541.21.0095 1 2 n 通道（双） 30V 100mA 8ohm @ 10mA，4V 1.5V @ 100µA - 13pf @ 5V -
APTC60AM45B1G Microchip Technology APTC60AM45B1G 88.3600
RFQ
 ECAD 9646 0.00000000 微芯片技术 coolmos™ 大部分 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 SP1 APTC60 MOSFET （金属 o化物） 250W SP1 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 3 n通道（相腿 +升压斩波器） 600V 49a 45MOHM @ 24.5A，10V 3.9V @ 3mA 150nc @ 10V 7200pf @ 25V -
HP8K22TB Rohm Semiconductor HP8K22TB 1.3600
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-POWERTDFN HP8K22 - 25W 8-hsop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（半桥） 30V 27a，57a 4.6mohm @ 20a，10v 2.5V @ 1mA 16.8nc @ 10V 1080pf @ 15V -
BUK9K5R1-30EX NXP USA Inc. BUK9K5R1-30EX -
RFQ
 ECAD 2017 0.00000000 NXP USA Inc. - 大部分 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 SOT-12205，8-LFPAK56 buk9k5 MOSFET （金属 o化物） 68W LFPAK56D 下载 Ear99 8541.29.0095 1 2 n 通道（双） 30V 40a 5.3MOHM @ 10a，5v 2.1V @ 1mA 26.7nc @ 5V 3065pf @ 25V 逻辑级别门
SI5515CDC-T1-GE3 Vishay Siliconix SI5515CDC-T1-GE3 0.8300
RFQ
 ECAD 7885 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-SMD，平坦的铅 SI5515 MOSFET （金属 o化物） 3.1W 1206-8 chipfet™ 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n和p通道 20V 4a 36mohm @ 6a，4.5V 800MV @ 250µA 11.3nc @ 5V 632pf @ 10V 逻辑级别门
QS8K13TCR Rohm Semiconductor QS8K13TCR 0.5704
RFQ
 ECAD 3494 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 8-SMD，平坦的铅 QS8K13 MOSFET （金属 o化物） 550MW TSMT8 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道（双） 30V 6a 28mohm @ 6a，10v 2.5V @ 1mA 20NC @ 10V 390pf @ 10V -
NTJD4152PT1 onsemi NTJD4152PT1 -
RFQ
 ECAD 2700 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 NTJD4152 MOSFET （金属 o化物） 272MW SC-88/SC70-6/SOT-363 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2（p 通道（双） 20V 880mA 260MOHM @ 880mA，4.5V 1.2V @ 250µA 2.2nc @ 4.5V 155pf @ 20V 逻辑级别门
SI7501DN-T1-E3 Vishay Siliconix SI7501DN-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 4503 0.00000000 Vishay Siliconix - （CT） 过时的 表面安装 POWERPAK®1212-8 SI7501 MOSFET （金属 o化物） 1.6W POWERPAK®1212-8 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n和p通道，普通排水 30V 5.4a，4.5a 35mohm @ 7.7A，10V 3V @ 250µA 14NC @ 10V - 逻辑级别门
AO6801E Alpha & Omega Semiconductor Inc. AO6801E -
RFQ
 ECAD 3598 0.00000000 Alpha＆欧米茄半导体公司 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SC-74，SOT-457 AO680 MOSFET （金属 o化物） 700MW 6-TSOP 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2（p 通道（双） 30V 2a 110MOHM @ 2A，10V 1.5V @ 250µA 12nc @ 10V 305pf @ 15V 逻辑级别门
CSD75208W1015T Texas Instruments CSD75208W1015T 1.1300
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Texas Instruments NexFet™ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-ufbga，DSBGA CSD75208 MOSFET （金属 o化物） 750MW 6-DSBGA（1x1.5） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 250 2（p 通道（双）共同来源 20V 1.6a 68mohm @ 1A，4.5V 1.1V @ 250µA 2.5NC @ 4.5V 410pf @ 10V 逻辑级别门
NVMFD5C462NT1G onsemi NVMFD5C462NT1G 2.6500
RFQ
 ECAD 6920 0.00000000 Onmi 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 8-POWERTDFN NVMFD5 MOSFET （金属 o化物） 3.2W（ta），50W（TC） 8-dfn（5x6）（SO8FL偶） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,500 2 n 通道（双） 40V 17.6a（ta），70a tc） 5.4mohm @ 25a，10v 3.5V @ 250µA 16NC @ 10V 1020pf @ 25V -
APTM20HM16FTG Microchip Technology APTM20HM16FTG 179.8000
RFQ
 ECAD 7332 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 SP4 APTM20 MOSFET （金属 o化物） 390W SP4 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 4（n n 通道（半桥） 200V 104a 19mohm @ 52a，10v 5V @ 2.5mA 140NC @ 10V 7220pf @ 25V -
NVMFD5C446NWFT1G onsemi NVMFD5C446NWFT1G 3.8300
RFQ
 ECAD 7278 0.00000000 Onmi 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 8-POWERTDFN NVMFD5 MOSFET （金属 o化物） 3.2W（TA），89W（tc） 8-dfn（5x6）（SO8FL偶） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,500 2 n 通道（双） 40V 24A（24A），127A （TC） 2.9MOHM @ 30a，10V 3.5V @ 250µA 38nc @ 10V 2450pf @ 25V -
SI4565ADY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4565ADY-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 1983 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） SI4565 MOSFET （金属 o化物） 3.1W 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n和p通道 40V 6.6a，5.6a 39mohm @ 5a，10v 2.2V @ 250µA 22nc @ 10V 625pf @ 20V -
IRF7317PBF Infineon Technologies IRF7317pbf -
RFQ
 ECAD 4696 0.00000000 Infineon技术 Hexfet® 管子 在sic中停产 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） IRF731 MOSFET （金属 o化物） 2W 8-so 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 95 n和p通道 20V 6.6a，5.3a 29MOHM @ 6A，4.5V 700MV @ 250µA 27nc @ 4.5V 900pf @ 15V 逻辑级别门
SI3909DV-T1-E3 Vishay Siliconix SI3909DV-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 2906 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-23-6薄，TSOT-23-6 SI3909 MOSFET （金属 o化物） 1.15W 6-TSOP 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2（p 通道（双） 20V - 200mohm @ 1.8A，4.5V 500mv @ 250µA（250µA）） 4NC @ 4.5V - 逻辑级别门
SI6969BDQ-T1-E3 Vishay Siliconix SI6969BDQ-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 6559 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度） SI6969 MOSFET （金属 o化物） 830MW 8-tssop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2（p 通道（双） 12V 4a 30mohm @ 4.6A，4.5V 800MV @ 250µA 25nc @ 4.5V - 逻辑级别门
DMP2040USD-13 Diodes Incorporated DMP2040USD-13 0.4400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） DMP2040 MOSFET （金属 o化物） 1.1W（TA） 8-so 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2（p 通道（双） 20V 6.5a（ta），12a（tc） 33mohm @ 8.9a，4.5V 1.5V @ 250µA 19nc @ 8v 834pf @ 10V -
IRF7311TR Infineon Technologies IRF7311TR -
RFQ
 ECAD 7610 0.00000000 Infineon技术 Hexfet® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） IRF731 MOSFET （金属 o化物） 2W 8-so 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 SP001562178 Ear99 8541.29.0095 4,000 2 n 通道（双） 20V 6.6a 29MOHM @ 6A，4.5V 700MV @ 250µA 27nc @ 4.5V 900pf @ 15V 逻辑级别门
VMM90-09F IXYS VMM90-09F -
RFQ
 ECAD 3411 0.00000000 ixys Hiperfet™ 盒子 过时的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 y3-li VMM90 MOSFET （金属 o化物） - y3-li 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2 2 n 通道（双） 900V 85a 76mohm @ 65a，10v 5V @ 30mA 960NC @ 10V - -
APTM20DHM16T3G Microsemi Corporation APTM20DHM16T3G -
RFQ
 ECAD 1995 0.00000000 Microsemi Corporation PowerMos7® 大部分 过时的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 SP3 APTM20 MOSFET （金属 o化物） 390W SP3 - （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 2 n 通道（双） 200V 104a 19mohm @ 52a，10v 5V @ 2.5mA 140NC @ 10V 7220pf @ 25V -
CSD87333Q3D Texas Instruments CSD87333Q3D 1.3000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Texas Instruments NexFet™ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 125°C（TJ） 表面安装 8-POWERTDFN CSD87333Q3 MOSFET （金属 o化物） 6W 8-VSON（3.3x3.3） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（双） 30V 15a 14.3MOHM @ 4A，8V 1.2V @ 250µA 4.6NC @ 4.5V 662pf @ 15V 逻辑水平门，5v驱动器
DMTH4014LPD-13 Diodes Incorporated DMTH4014LPD-13 0.8800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 二极管合并 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 8-POWERTDFN DMTH4014 MOSFET （金属 o化物） 2.41W（TA），42.8W（tc） PowerDI5060-8 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（双） 40V 10.6a（ta），43.6a（TC） 15mohm @ 20a，10v 3V @ 250µA 10.2nc @ 10V 733pf @ 20V -
FW256-TL-E Sanyo FW256-TL-E 0.9500
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Sanyo * 大部分 积极的 FW256 - - 不适用 （1 （无限） 供应商不确定 Ear99 8542.39.0001 1,000 -
DMNH6021SPD-13 Diodes Incorporated DMNH6021SPD-13 0.5250
RFQ
 ECAD 1924年 0.00000000 二极管合并 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 8-POWERTDFN DMNH6021 MOSFET （金属 o化物） 1.5W PowerDI5060-8 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（双） 60V 8.2a，32a 25mohm @ 15a，10v 3V @ 250µA 20.1nc @ 10V 1143pf @ 25V -
DMTH6015LPDWQ-13 Diodes Incorporated DMTH6015LPDWQ-13 0.3624
RFQ
 ECAD 2764 0.00000000 二极管合并 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 8-POWERTDFN DMTH6015 MOSFET （金属 o化物） 2.6W（TA），39.5W（tc） PowerDI5060-8（type UXD） 下载 到达不受影响 31-DMTH6015LPDWQ-13TR Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（双） 60V 9.4A（TA），36.3a tc） 20mohm @ 10a，10v 2.5V @ 250µA 14.3nc @ 10V 825pf @ 30V -
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    2000+

    每日平均RFQ量

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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