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FET，MOSFET（6056）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs （ciss）（最大（ciss） @ vds fet
XP0187800L Panasonic Electronic Components XP0187800L -
RFQ
 ECAD 6744 0.00000000 松下电子组件 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 表面安装 5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353 XP0187800 MOSFET （金属 o化物） 150MW smini5-g1 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道（双） 50V 100mA 12ohm @ 10mA，4V 1.5V @ 1µA - 12pf @ 3V 逻辑级别门
CAS380M17HM3 Wolfspeed, Inc. CAS380M17HM3 4.0000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Wolfspeed，Inc。 - 大部分 积极的 -40°C〜175°C（TJ） 底盘安装 模块 CAS380 （SIC） 50MW 模块 下载 不适用 Ear99 8541.21.0095 1 2 n 通道（双） 1700V（（1.7kV） 532a（TC） 3.74MOHM @ 380A，15V 3.6V @ 152mA 1494NC @ 15V 4700pf @ 1200V -
IPG20N04S408BATMA1 Infineon Technologies IPG20N04S408BATMA1 -
RFQ
 ECAD 9358 0.00000000 Infineon技术 汽车，AEC-Q101，Optimos™-T2 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装，可润湿的侧面 8-Powervdfn IPG20N MOSFET （金属 o化物） 65W（TC） PG-TDSON-8-10 - 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 5,000 2 n 通道（双） 40V 20A（TC） 7.6mohm @ 17a，10v 4V @ 30µA 36NC @ 10V 2940pf @ 25V -
SP8J1TB Rohm Semiconductor SP8J1TB -
RFQ
 ECAD 4227 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） SP8J1 MOSFET （金属 o化物） 2W 8-sop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2（p 通道（双） 30V 5a 42MOHM @ 5A，10V 2.5V @ 1mA 16nc @ 5V 1400pf @ 10V 逻辑级别门
AO8810 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AO8810 0.3091
RFQ
 ECAD 8234 0.00000000 Alpha＆欧米茄半导体公司 - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度） AO881 MOSFET （金属 o化物） 1.5W 8-tssop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双）公共排水 20V 7a 20mohm @ 7A，4.5V 1.1V @ 250µA 14NC @ 4.5V 1295pf @ 10V 逻辑级别门
AO4813_002 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AO4813_002 -
RFQ
 ECAD 8296 0.00000000 Alpha＆欧米茄半导体公司 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） AO481 MOSFET （金属 o化物） 2W 8-SOIC 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2（p 通道（双） 30V 7.1a（ta） 25mohm @ 7a，10v 2.5V @ 250µA 19nc @ 10V 1250pf @ 15V -
SI4565ADY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4565ADY-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 8321 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） SI4565 MOSFET （金属 o化物） 3.1W 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n和p通道 40V 6.6a，5.6a 39mohm @ 5a，10v 2.2V @ 250µA 22nc @ 10V 625pf @ 20V -
AON2801 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AON2801 0.2018
RFQ
 ECAD 9983 0.00000000 Alpha＆欧米茄半导体公司 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-WDFN暴露垫 AON280 MOSFET （金属 o化物） 1.5W 6-DFN（2x2） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2（p 通道（双） 20V 3a 120MOHM @ 3A，4.5V 1V @ 250µA 6.5nc @ 4.5V 700pf @ 10V 逻辑级别门
IRF7338TRPBF Infineon Technologies IRF7338TRPBF -
RFQ
 ECAD 5915 0.00000000 Infineon技术 Hexfet® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） IRF733 MOSFET （金属 o化物） 2W 8-so 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 4,000 n和p通道 12V 6.3a，3a 34mohm @ 6a，4.5V 1.5V @ 250µA 8.6nc @ 4.5V 640pf @ 9V 逻辑级别门
DMHC3025LSD-13 Diodes Incorporated DMHC3025LSD-13 0.8700
RFQ
 ECAD 6192 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） DMHC3025 MOSFET （金属 o化物） 1.5W 8-so 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2n和2p通道（半桥） 30V 6a，4.2a 25mohm @ 5A，10V 2V @ 250µA 11.7nc @ 10V 590pf @ 15V 逻辑级别门
NTJD4105CT2G onsemi NTJD4105CT2G 0.4200
RFQ
 ECAD 4305 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 NTJD4105 MOSFET （金属 o化物） 270MW SC-88/SC70-6/SOT-363 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 n和p通道 20V，8V 630mA，775mA 375MOHM @ 630mA，4.5V 1.5V @ 250µA 3NC @ 4.5V 46pf @ 20V 逻辑级别门
DMN3061SVT-13 Diodes Incorporated DMN3061SVT-13 0.1185
RFQ
 ECAD 6668 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-23-6薄，TSOT-23-6 DMN3061 MOSFET （金属 o化物） 880MW TSOT-26 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 31-DMN3061SVT-13TR Ear99 8541.21.0095 10,000 2 n 通道（双） 30V 3.4a（ta） 60mohm @ 3.1a，10v 1.8V @ 250µA 6.6nc @ 10V 278pf @ 15V -
FF3MR12KM1PHOSA1 Infineon Technologies FF3MR12KM1PHOSA1 -
RFQ
 ECAD 8312 0.00000000 Infineon技术 COOLSIC™ 托盘 过时的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 模块 FF3MR12 MOSFET （金属 o化物） - AG-62mm 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 8 2 n 通道（半桥） 1200V（1.2kV） 375a（TC） 2.83mohm @ 375a，15v 5.15V @ 168mA 1000NC @ 15V 29800pf @ 25V -
DMN2030UCA4-7 Diodes Incorporated DMN2030UCA4-7 0.1437
RFQ
 ECAD 3628 0.00000000 二极管合并 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 4-XFBGA，DSBGA DMN2030 MOSFET （金属 o化物） 1W（ta） X4-DSN1111-4 - 31-DMN2030UCA4-7 Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n通道 20V 6.3a（ta） 32MOHM @ 1.7A，4.5V 1.4V @ 160µA 5.6nc @ 10V 523pf @ 10V 标准
DMN2990UDJQ-7 Diodes Incorporated DMN2990UDJQ-7 0.4600
RFQ
 ECAD 1680年 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-963 DMN2990 MOSFET （金属 o化物） SOT-963 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 10,000 2 n 通道（双） 450mA（ta） 990MOHM @ 100mA，4.5V 1V @ 250µA 0.5NC @ 4.5V 27.6pf @ 16V -
DMTH45M5LPDWQ-13 Diodes Incorporated DMTH45M5LPDWQ-13 1.3100
RFQ
 ECAD 5030 0.00000000 二极管合并 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 8-POWERTDFN DMTH45M MOSFET （金属 o化物） （3W）（60W）（TC） PowerDI5060-8（type UXD） - rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（双） 40V 79A（TC） 5.5MOHM @ 25A，10V 2.3V @ 250µA 13.9nc @ 10V 978pf @ 20V 标准
CCB032M12FM3T Wolfspeed, Inc. CCB032M12FM3T 188.1800
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Wolfspeed，Inc。 - 盒子 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 模块 CCB032 （SIC） 10MW 模块 下载 不适用 1697-CCB032M12FM3T 18 6 n通道（3相桥） 1200V 40a（TJ） 42.6mohm @ 30a，15v 3.6V @ 11.5mA 118nc @ 15V 3400pf @ 800V （SIC）
MTM763200LBF Panasonic Electronic Components MTM763200LBF -
RFQ
 ECAD 7487 0.00000000 松下电子组件 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 表面安装 6-SMD，平坦的铅 MTM76320 MOSFET （金属 o化物） 700MW WSMINI6-F1-B 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 n和p通道 20V 1.9a，1.2a 105MOHM @ 1A，4V 1.3V @ 1mA - 280pf @ 10V -
PSMN028-100HSX Nexperia USA Inc. PSMN028-100HSX 1.8600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 SOT-12205，8-LFPAK56 PSMN028 MOSFET （金属 o化物） 64W（TA） LFPAK56D 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,500 2 n 通道（双） 100V 29a（ta） 27.5MOHM @ 5A，10V 4V @ 1mA 34NC @ 10V 2137pf @ 25V -
IPG20N06S2L-35AATMA1 Infineon Technologies IPG20N06S2L-35AATMA1 1.0000
RFQ
 ECAD 5780 0.00000000 Infineon技术 Optimos® 大部分 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装，可润湿的侧面 8-Powervdfn IPG20N MOSFET （金属 o化物） 65W（TC） PG-TDSON-8-10 下载 不适用 （1 （无限） 到达受影响 Ear99 8541.29.0095 1 2 n 通道（双） 55V 20A（TC） 35mohm @ 15a，10v 2V @ 27µA 23nc @ 10V 790pf @ 25V 逻辑级别门
PJQ5846-AU_R2_000A1 Panjit International Inc. PJQ5846-AU_R2_000A1 0.5346
RFQ
 ECAD 5364 0.00000000 Panjit International Inc. - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 8-POWERTDFN PJQ5846 MOSFET （金属 o化物） 2W（ta），38.5W（TC） DFN5060B-8 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 3757-PJQ5846-AU_R2_000A1TR Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 40V 9.5A（ta），40a （TC） 10.5MOHM @ 8A，10V 2.5V @ 250µA 22nc @ 10V 1258pf @ 25V -
SI6943BDQ-T1-E3 Vishay Siliconix SI6943BDQ-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 7976 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度） SI6943 MOSFET （金属 o化物） 800MW 8-tssop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2（p 通道（双） 12V 2.3a 80MOHM @ 2.5A，4.5V 800MV @ 250µA 10NC @ 4.5V - 逻辑级别门
SI6913DQ-T1-GE3 Vishay Siliconix SI6913DQ-T1-GE3 1.3000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度） SI6913 MOSFET （金属 o化物） 830MW 8-tssop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2（p 通道（双） 12V 4.9a 21MOHM @ 5.8A，4.5V 900MV @ 400µA 28nc @ 4.5V - 逻辑级别门
EFC2K102ANUZTDG onsemi efc2k102anuztdg 0.7700
RFQ
 ECAD 5716 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 10-SMD，没有铅 EFC2K102 MOSFET （金属 o化物） 3.1W（TA） 10-WLCSP （2.98x1.49） 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 5,000 2 n 通道（双） 12V 33A（TA） 2.75MOHM @ 5A，4.5V 1.3V @ 1mA 42nc @ 3.8V - -
AO4807L_102 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AO4807L_102 -
RFQ
 ECAD 4795 0.00000000 Alpha＆欧米茄半导体公司 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） AO480 MOSFET （金属 o化物） 2W（TA） 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 785-AO4807L_102TR Ear99 8541.29.0095 3,000 2（p 通道（双） 30V 6a（6a） 35mohm @ 6a，10v 2.4V @ 250µA 16NC @ 10V 760pf @ 15V -
FDMA1025P onsemi FDMA1025P 0.7100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Onmi PowerTrench® （CT） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-vdfn裸露的垫子 FDMA1025 MOSFET （金属 o化物） 700MW 6-microfet（2x2） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 1 2（p 通道（双） 20V 3.1a 155mohm @ 3.1a，4.5V 1.5V @ 250µA 4.8NC @ 4.5V 450pf @ 10V 逻辑级别门
PJL9850_R2_00001 Panjit International Inc. PJL9850_R2_00001 0.5000
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Panjit International Inc. - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） PJL9850 MOSFET （金属 o化物） 1.7W（TA） 8-sop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 3757-PJL9850_R2_00001CT Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（双） 40V 5.4A（ta） 32MOHM @ 5A，10V 2.5V @ 250µA 4.4NC @ 4.5V 425pf @ 25V -
DMG4800LSD-13 Diodes Incorporated DMG4800LSD-13 0.5500
RFQ
 ECAD 24 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） DMG4800 MOSFET （金属 o化物） 1.17W 8-so 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（双） 30V 7.5a 16mohm @ 9a，10v 1.6V @ 250µA 8.56nc @ 5V 798pf @ 10V 逻辑级别门
DMN2008LFU-7 Diodes Incorporated DMN2008LFU-7 0.6200
RFQ
 ECAD 689 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-UFDFN暴露垫 DMN2008 MOSFET （金属 o化物） 1W U-DFN2030-6（B型） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双）公共排水 20V 14.5a 5.4MOHM @ 5.5A，4.5V 1.5V @ 250a 42.3nc @ 10V 1418pf @ 10V -
UM6K1N-TP Micro Commercial Co UM6K1N-TP -
RFQ
 ECAD 9550 0.00000000 微商业公司 - 大部分 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 UM6K1 MOSFET （金属 o化物） 150MW SOT-363 下载 353-UM6K1N-TP Ear99 8541.21.0095 1 2 n 通道（双） 30V 100mA 8ohm @ 10mA，4V 1.5V @ 100µA - 13pf @ 5V -
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    每日平均RFQ量

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    标准产品单位

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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