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FET，MOSFET（6056）
| 参考图片 | 产品编号 | （（（） | 数量 | ECAD | 可用数量 | （kg） | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | （MSL） | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | （VDSS） | 电流 -id（ID） @ 25°C | RDS（最大值） @ ID，VGS | VGS（TH）（最大） @ ID | （QG））（最大） @ vgs | （ciss）（最大（ciss） @ vds | fet |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | FDD8424H_F085 | - |  | 3278 | 0.00000000 | Onmi | PowerTrench® | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | TO-252-5，DPAK（ + 4 +选项卡，TO-252AD | FDD8424 | MOSFET （金属 o化物） | 1.3W | TO-252（DPAK） | - | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n和p通道 | 40V | 9a，6.5a | 24mohm @ 9a，10v | 3V @ 250µA | 20NC @ 10V | 1000pf @ 20V | 逻辑级别门 | |||
 | CSD87334Q3DT | 1.6600 | | 7151 | 0.00000000 | Texas Instruments | NexFet™ | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-POWERTDFN | CSD87334Q3 | MOSFET （金属 o化物） | 6W | 8-VSON（3.3x3.3） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 250 | 2 n 通道（双） | 30V | - | 6mohm @ 12a，8v | 1.2V @ 250µA | 8.3nc @ 4.5V | 1260pf @ 15V | - | ||
 | IRF7335D1TR | - | | 4348 | 0.00000000 | Infineon技术 | Fetky™ | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 14- 材料（ 0.154英寸，宽度为3.90mm） | IRF733 | MOSFET （金属 o化物） | 2W | 14-Soic | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Q1902365 | Ear99 | 8541.29.0095 | 4,000 | 2 n 通道（双） | 30V | 10a | 17.5mohm @ 10a，4.5V | 1V @ 250µA | 20NC @ 4.5V | 1500pf @ 15V | 逻辑级别门 | |
 | NTLJD2105LTBG | - | | 2677 | 0.00000000 | Onmi | - | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 6-WDFN暴露垫 | NTLJD21 | MOSFET （金属 o化物） | 520MW | 6-WDFN（2x2） | 下载 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n和p通道 | 8V | 2.5a | 50mohm @ 4A，4.5V | 1V @ 250µA | - | - | - | |||
 | SQJ980AEP-T1_GE3 | 1.3100 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 汽车，AEC-Q101，Trenchfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C〜175°C（TA） | 表面安装 | POWERPAK®SO-8 | SQJ980 | MOSFET （金属 o化物） | 34W（TC） | POWERPAK®SO-8 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 通道（双） | 75V | 17a（TC） | 50MOHM @ 3.8A，10V | 2.5V @ 250µA | 21NC @ 10V | 790pf @ 35V | - | |||
 | APTC60HM70RT3G | 99.0200 | | 5180 | 0.00000000 | 微芯片技术 | coolmos™ | 大部分 | 积极的 | -40°C〜150°C（TJ） | SP3 | APTC60 | MOSFET （金属 o化物） | 250W | SP3 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 4 n 通道（半桥） +桥梁整流器 | 600V | 39a | 70mohm @ 39a，10v | 3.9V @ 2.7mA | 259nc @ 10V | 7000pf @ 25V | - | |||
 | PMDT670UPE，115 | 0.3700 | | 4 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 汽车，AEC-Q101，Trenchmos™ | 胶带和卷轴（（tr） | 不适合新设计 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | SOT-563，SOT-666 | PMDT670 | MOSFET （金属 o化物） | 330MW | SOT-666 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 4,000 | 2（p 通道（双） | 20V | 550mA | 850MOHM @ 400mA，4.5V | 1.3V @ 250µA | 1.14NC @ 4.5V | 87pf @ 10V | 逻辑级别门 | ||
 | NTMFD5C650NLT1G | 8.3800 | | 1126 | 0.00000000 | Onmi | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 表面安装 | 8-POWERTDFN | NTMFD5 | MOSFET （金属 o化物） | 3.5W（TA），125W（tc） | 8-dfn（5x6）（SO8FL偶） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,500 | 2 n 通道（双） | 60V | 21a（21a），111a（tc（TC） | 4.2MOHM @ 20A，10V | 2.2V @ 98µA | 37NC @ 10V | 2546pf @ 25V | - | ||
 | MSCSM120VR1M16CTPAG | 884.6700 | | 7837 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜175°C（TJ） | 底盘安装 | 模块 | MSCSM120 | （SIC） | 728W（TC） | - | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | 150-MSCSM120VR1M16CTPAG | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 6 n 通道（相腿） | 1200V（1.2kV） | 171a（TC） | 16mohm @ 80a，20v | 2.8V @ 6mA | 464NC @ 20V | 6040pf @ 1000V | - | |
 | MSCSM170DUM23T3AG | 189.6600 | | 6 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜175°C（TJ） | 底盘安装 | 模块 | MSCSM170 | （SIC） | 602W（TC） | SP3F | - | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | 150-MSCSM170DUM23T3AG | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 n 通道（双）公共来源 | 1700V（（1.7kV） | 124A（TC） | 22.5mohm @ 60a，20v | 3.2V @ 5mA | 356nc @ 20v | 6600pf @ 1000V | - | |
 | PJS6601_S2_00001 | 0.1333 | | 1799年 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - | 胶带和卷轴（（tr） | 不适合新设计 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | SOT-23-6 | PJS6601 | MOSFET （金属 o化物） | 1.25W（TA） | SOT-23-6 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | 3757-PJS6601_S2_00001TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 10,000 | n和p通道互补 | 20V | 4.1a（ta），3.1a（3.1a）（ta） | 56MOHM @ 4.1A，4.5V，100MOHM @ 3.1A，4.5V | 1.2V @ 250µA | 4.6NC @ 4.5V，5.4NC @ 4.5V | 350pf @ 10V，416pf @ 10V | - | |
 | UPA503T-T1-A | 0.3100 | | 12 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 大部分 | 过时的 | 表面安装 | SC-74A，SOT-753 | UPA503 | MOSFET （金属 o化物） | 300MW | SC-59-5，迷你模具 | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2（p 通道（双） | 50V | 100mA | 60ohm @ 10mA，10v | 2.5V @ 1µA | - | 17pf @ 5V | - | |||||
 | NTJD2152PT4G | - | | 7390 | 0.00000000 | Onmi | - | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | NTJD21 | MOSFET （金属 o化物） | 270MW | SC-88/SC70-6/SOT-363 | 下载 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 10,000 | 2（p 通道（双） | 8V | 775MA | 300MOHM @ 570mA，4.5V | 1V @ 250µA | 4NC @ 4.5V | 225pf @ 8V | 逻辑级别门 | |||
 | STL20DN10F7 | - | | 3274 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | DeepGate™，diplfet™VII | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Powervdfn | STL20 | MOSFET （金属 o化物） | 62.5W | PowerFlat™（5x6） | - | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 通道（双） | 100V | 20a | 67mohm @ 2.5a，10v | 4.5V @ 250µA | 7.8NC @ 10V | 408pf @ 50V | - | ||
 | BSL205NL6327HTSA1 | - | | 7332 | 0.00000000 | Infineon技术 | Optimos™ | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | SOT-23-6薄，TSOT-23-6 | BSL205 | MOSFET （金属 o化物） | 500MW | PG-TSOP6-6 | 下载 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2 n 通道（双） | 20V | 2.5a | 50mohm @ 2.5a，4.5V | 1.2V @ 11µA | 3.2nc @ 4.5V | 419pf @ 10V | 逻辑级别门 | |||
 | MMDF2C03HDR2G | - | | 3806 | 0.00000000 | Onmi | - | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | MMDF2 | MOSFET （金属 o化物） | 2W | 8-SOIC | 下载 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n和p通道 | 30V | 4.1a，3a | 70MOHM @ 3A，10V | 3V @ 250µA | 16NC @ 10V | 630pf @ 24V | 逻辑级别门 | |||
 | FX70KMJ-03 ＃B00 | 7.8600 | | 4 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | 大部分 | 积极的 | FX70KMJ | - | - | 不适用 | （1 （无限） | 供应商不确定 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | - | ||||||||||||||
 | STC5NF30V | - | | 7815 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | StripFet™II | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度） | STC5NF | MOSFET （金属 o化物） | 1.5W | 8-tssop | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 4,000 | 2 n 通道（双） | 30V | 5a | 31MOHM @ 2.5a，4.5V | 600mv @ 250µA | 11.5NC @ 4.5V | 460pf @ 15V | 逻辑级别门 | ||
| VKM40-06P1 | - | | 2551 | 0.00000000 | ixys | - | 盒子 | 过时的 | -40°C〜150°C（TJ） | 底盘安装 | Eco-PAC2 | VHM40 | MOSFET （金属 o化物） | - | Eco-PAC2 | - | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | 4（n n 通道（半桥） | 600V | 38a | 70mohm @ 25a，10v | 5.5V @ 3mA | 220NC @ 10V | - | - | ||
 | DMN2710UV-7 | 0.2900 | | 3 | 0.00000000 | 二极管合并 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | SOT-563，SOT-666 | DMN2710 | MOSFET （金属 o化物） | 500MW（TA） | SOT-563 | - | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2 n 通道（双） | 20V | 920mA（ta） | 450MOHM @ 600mA，4.5V | 1V @ 250µA | 0.6NC @ 4.5V | 42pf @ 16V | 标准 | |||
 | FDMA6023PZT | 0.8200 | | 2 | 0.00000000 | Onmi | PowerTrench® | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 6-udfn暴露垫 | FDMA6023 | MOSFET （金属 o化物） | 700MW | 6-microfet（2x2） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2（p 通道（双） | 20V | 3.6a | 60mohm @ 3.6A，4.5V | 1.5V @ 250µA | 17nc @ 4.5V | 885pf @ 10V | 逻辑级别门 | ||
 | BSS138DWK-7 | 0.0513 | | 7383 | 0.00000000 | 二极管合并 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | BSS138 | MOSFET （金属 o化物） | 330MW | SOT-363 | 下载 | 到达不受影响 | 31-BSS138DWK-7TR | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2 n 通道（双） | 50V | 310mA ta） | 2.6ohm @ 200mA，10v | 1.5V @ 250µA | 0.8NC @ 10V | 22pf @ 25V | - | |||
| FF8MR12W1M1HB70BPSA1 | 207.7600 | | 2878 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 积极的 | FF8MR12 | - | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 24 | - | |||||||||||||||||
 | SI7922DN-T1-GE3 | 1.7700 | | 45 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | POWERPAK®1212-8 | SI7922 | MOSFET （金属 o化物） | 1.3W | POWERPAK®1212-8 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 通道（双） | 100V | 1.8a | 195mohm @ 2.5a，10v | 3.5V @ 250µA | 8NC @ 10V | - | 逻辑级别门 | |||
| GWM160-0055X1-SMD | - | | 7591 | 0.00000000 | ixys | - | 管子 | 过时的 | -55°C〜175°C（TJ） | 表面安装 | 17-SMD，鸥翼 | GWM160 | MOSFET （金属 o化物） | - | ISOPLUS-DIL™ | 下载 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 28 | 6 n通道（3相桥） | 55V | 150a | 3.3MOHM @ 100A，10V | 4.5V @ 1mA | 105nc @ 10V | - | - | |||
 | DMN3012LEG-13 | 0.6416 | | 1736年 | 0.00000000 | 二极管合并 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Powerldfn | DMN3012 | MOSFET （金属 o化物） | 2.2W（TC） | POWERDI3333-8（d型） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达受影响 | DMN3012LEG-13DI | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 通道（双） | 30V | 10A（10A），20A （TC） | 12mohm @ 15a，5v，6mohm @ 15a，5v | 2.1V @ 250µA，1.15V @ 250µA | 6.1nc @ 4.5V，12.6nc @ 4.5V | 850pf @ 15V，1480pf @ 15V | - | |
 | SI3134KDWA-TP | 0.4100 | | 2 | 0.00000000 | 微商业公司 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | SI3134 | MOSFET （金属 o化物） | 150MW | SOT-363 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | 353-SI3134KDWA-TPCT | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2 n 通道（双） | 20V | 750mA | 300mohm @ 500mA，4.5V | 1.1V @ 250µA | 0.8NC @ 4.5V | 33pf @ 16V | - | |
 | SIA914DJ-T1-GE3 | - | | 6455 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | POWERPAK®SC-70-6双重 | SIA914 | MOSFET （金属 o化物） | 6.5W | POWERPAK®SC-70-6双重 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 通道（双） | 20V | 4.5a | 53MOHM @ 3.7A，4.5V | 1V @ 250µA | 11.5nc @ 8v | 400pf @ 10V | 逻辑级别门 | ||
 | AO6601L | - | | 8998 | 0.00000000 | Alpha＆欧米茄半导体公司 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | SC-74，SOT-457 | AO660 | MOSFET （金属 o化物） | 1.15W | 6-TSOP | - | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n和p通道 | 30V | 3.4a（ta），2.3a（ta） | 60mohm @ 3a，10v，135mohm @ 2.3a，10v | 1.4V @ 250µA | 4.34NC @ 4.5V，4.8NC @ 4.5V | 390pf @ 15V，409pf @ 15V | - | |||
| APTMC120AM09CT3AG | - | | 9212 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜150°C（TJ） | 底盘安装 | SP3 | APTMC120 | （SIC） | 1250W | SP3 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 n 通道（相腿） | 1200V（1.2kV） | 295a（TC） | 9MOHM @ 200a，20v | 2.4V @ 40mA ty（typ） | 644NC @ 20V | 11000pf @ 1000V | - |
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