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FET，MOSFET（6056）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet
SP8M3HZGTB	1.5600	RFQ	2	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SP8M3	MOSFET （金属 o化物）	2W（TA）	8-sop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n和p通道	30V	（5A）（ta），4.5a ta（ta）	51MOHM @ 5A，10V，56MOHM @ 4.5A，10V	2.5V @ 1mA	3.9nc @ 5v，8.5nc @ 5V	230pf @ 10V，850pf @ 10V	-
IRF7807ZPBFPRO	1.0000	RFQ	7202	国际整流器	*	大部分	积极的				IRF7807	-			-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定				1								-
NVMFD5877NLWFT1G-UM	-	RFQ	4586	Onmi	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN		MOSFET （金属 o化物）	3.2W（TA）	8-dfn（5x6）（SO8FL偶）	-				488-NVMFD5877NLWFT1G-UM			1	2 n通道	60V	6a（6a）	39mohm @ 7.5a，10v	3V @ 250µA	20NC @ 10V	540pf @ 25V	逻辑级别门
BSS8402DW-7-F-50	0.0848	RFQ	2647	二极管合并	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	BSS8402	MOSFET （金属 o化物）	200mw（ta）	SOT-363	下载		（1 （无限）		31-BSS8402DW-7-F-50	Ear99	8541.21.0095	3,000	n和p通道互补	60V，50V	115ma（ta），130mA（ta）	13.5ohm @ 500mA，10v，10ohm @ 100mA，5v	2.5V @ 250µA，2V @ 1mA	-	50pf @ 25V，45pf @ 25V	标准
BSZ15DC02KDHXTMA1	1.3100	RFQ	9356	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	BSZ15DC02	MOSFET （金属 o化物）	2.5W	PG-TSDSON-8-FL	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000	n和p通道互补	20V	5.1a，3.2a	55mohm @ 5.1a，4.5V	1.4V @ 110µA	2.8NC @ 4.5V	419pf @ 10V	逻辑水平门，2.5V
NXV08H350XT1	-	RFQ	6676	Onmi	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的	-40°C〜125°C（TA）	通过洞	17-PowerDip 模块（1.390英寸，35.30毫米）	NXV08	MOSFET （金属 o化物）	-	APM17-MDC	下载				488-NXV08H350XT1	Ear99	8542.39.0001	1		80V	-	0.762Mohm @ 160a，12v	4.6V @ 1mA	320NC @ 10V	24350pf @ 40V	-
FMP76-01T	-	RFQ	8626	ixys	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	isoplusi5-pak™	FMP76	MOSFET （金属 o化物）	89W，132W	ISOPLUS I4-PAC™	下载			到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25	n和p通道，普通排水	100V	54A（TC），62A （TC）	24mohm @ 38a，10v，11mohm @ 25a，10v	4V @ 250µA，4.5V @ 250µA	197NC @ 10V，104NC @ 10V	1370pf @ 25V，5080pf @ 25V	-
APTC80H15T3G	83.6600	RFQ	1643年	微芯片技术	-	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	SP3	APTC80	MOSFET （金属 o化物）	277W	SP3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	4（n n 通道（半桥）	800V	28a	150mohm @ 14a，10v	3.9V @ 2mA	180nc @ 10V	4507pf @ 25V	-
DMN4034SSD-13	0.8400	RFQ	50	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	DMN4034	MOSFET （金属 o化物）	1.8W	8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）	40V	4.8a	34mohm @ 6a，10v	3V @ 250µA	18NC @ 10V	453pf @ 20V	逻辑级别门
DMP2004VK-7	0.4500	RFQ	60	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-563，SOT-666	DMP2004	MOSFET （金属 o化物）	400MW	SOT-563	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	2（p 通道（双）	20V	530mA	900MOHM @ 430mA，4.5V	1V @ 250µA	-	175pf @ 16V	逻辑级别门
IPG20N06S2L65AATMA1	0.9900	RFQ	9576	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装，可润湿的侧面	8-Powervdfn	IPG20N	MOSFET （金属 o化物）	43W	PG-TDSON-8-10	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000	2 n 通道（双）	55V	20a	65mohm @ 15a，10v	2V @ 14µA	12nc @ 10V	410pf @ 25V	逻辑级别门
FDS3992	-	RFQ	3710	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	FDS39	MOSFET （金属 o化物）	2.5W	8-SOIC	下载					Ear99	8542.39.0001	1	2 n 通道（双）	100V	4.5a	62MOHM @ 4.5A，10V	4V @ 250µA	15nc @ 10V	750pf @ 25V	-
CMLDM7484 TR PBFRE	0.6300	RFQ	81	中央半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-563，SOT-666	CMLDM7484	MOSFET （金属 o化物）	150MW	SOT-563	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	n和p通道互补	30V	450mA	460MOHM @ 200MA，4.5V	1V @ 250µA	0.79NC @ 4.5V	45pf @ 25V	-
TSM2538CQ RFG	1.4300	RFQ	11	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-vdfn裸露的垫子	TSM2538	MOSFET （金属 o化物）	1.89W（ta），5W（（（（（（（（（（	6-DFN（2x2）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	n和p通道	20V	5.5a（5a），10a tc（10a tc），4.4a ta（8a tc）（8a tc）	40mohm @ 5.5A，4.5V，70MOHM @ 4.4A，4.5V	800MV @ 250µA	7.5NC @ 4.5V，9.4NC @ 4.5V	534pf @ 10V，909pf @ 10V	-
SSFK2219	0.4700	RFQ	6	好公园的半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363		MOSFET （金属 o化物）	278MW（TA）	SC-88 （SC-70-6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0080	3,000	2个p通道	20V	540ma（ta）	600MOHM @ 300mA，4.5V	1V @ 250µA	2NC @ 4.5V	78pf @ 10V	标准
DMN3006SCA6-7	0.3969	RFQ	5146	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-SMD，没有铅	DMN3006	MOSFET （金属 o化物）	800MW（TA）	X4-DSN3519-6	下载			到达不受影响	31-DMN3006SCA6-7TR	Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）公共排水	30V	13A（TA）	5.5MOHM @ 5A，10V	2.2V @ 1mA	17.7nc @ 4.5V	2235pf @ 15V	-
F423MR12W1M1PB11BPSA1	158.1500	RFQ	8	Infineon技术	EasyPack™	托盘	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块	F423MR12	MOSFET （金属 o化物）		Ag-Easy1b-2	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30	4 n通道	1200V	50a	22.5mohm @ 50a，15v	5.5V @ 20mA	124nc @ 15V	3.68nf @ 800V	-
FDME1024NZT	0.9200	RFQ	6407	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-UFDFN暴露垫	FDME1024	MOSFET （金属 o化物）	600MW	6-microfet（1.6x1.6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	5,000	2 n 通道（双）	20V	3.8a	66mohm @ 3.4a，4.5V	1V @ 250µA	4.2nc @ 4.5V	300pf @ 10V	逻辑级别门
IRFHM792TRPBF	-	RFQ	8591	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	IRFHM792	MOSFET （金属 o化物）	2.3W	8-PQFN （3.3x3.3），Power33	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000	2 n 通道（双）	100V	2.3a	195MOHM @ 2.9a，10V	4V @ 10µA	6.3nc @ 10V	251pf @ 25V	-
SQ1922EEH-T1_GE3	0.4900	RFQ	480	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	SQ1922	MOSFET （金属 o化物）	1.5W	SC-70-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）	20V	840ma（tc）	350MOHM @ 400mA，4.5V	1.5V @ 250µA	1.2nc @ 4.5V	50pf @ 10V	-
APTMC170AM30CT1AG	-	RFQ	3978	微芯片技术	-	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	SP1	APTMC170	（SIC）	700W	SP1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	2 n 通道（相腿）	1700V（（1.7kV）	100A（TC）	30mohm @ 100A，20V	2.3V @ 5mA（ty（typ）	380NC @ 20V	6160pf @ 1000V	-
DMC6040SSD-13	0.6600	RFQ	1502	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	DMC6040	MOSFET （金属 o化物）	1.24W	8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n和p通道	60V	5.1a，3.1a	40mohm @ 8a，10v	3V @ 250µA	20.8NC @ 10V	1130pf @ 15V	逻辑级别门
SI1025X-T1-GE3	0.5100	RFQ	61	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-563，SOT-666	SI1025	MOSFET （金属 o化物）	250MW	SC-89（SOT-563F）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	2（p 通道（双）	60V	190mA	4ohm @ 500mA，10v	3V @ 250µA	1.7nc @ 15V	23pf @ 25V	逻辑级别门
SP8M4HZGTB	2.4400	RFQ	2	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SP8M4	MOSFET （金属 o化物）	1.4W（TA）	8-sop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n和p通道	30V	（9a）（7a ta）（7a ta）	18mohm @ 9a，10v，28mohm @ 7a，10v	2.5V @ 1mA	15nc @ 5v，25nc @ 5v	1190pf @ 10V，2600pf @ 10V	-
BSS84AKW-B115	0.0500	RFQ	199	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的				BSS84	-			下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0095	3,000								-
FDS6875	1.3100	RFQ	6708	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	FDS68	MOSFET （金属 o化物）	900MW	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,500	2（p 通道（双）	20V	6a	30mohm @ 6a，4.5V	1.5V @ 250µA	31nc @ 5V	2250pf @ 10V	逻辑级别门
FDS6890A	-	RFQ	7131	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	FDS6890	MOSFET （金属 o化物）	900MW	8-SOIC	下载					Ear99	8542.39.0001	1	2 n 通道（双）	20V	7.5a	18mohm @ 7.5a，4.5V	1.5V @ 250µA	32nc @ 4.5V	2130pf @ 10V	逻辑级别门
CPH6340-TL-E	-	RFQ	8911	Sanyo	*	大部分	积极的				CPH6340	-			-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定				1								-
SI4388DY-T1-GE3	-	RFQ	2382	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4388	MOSFET （金属 o化物）	3.3W，3.5W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（半桥）	30V	10.7a，11.3a	16mohm @ 8a，10v	3V @ 250µA	27nc @ 10V	946pf @ 15V	-
SI4936CDY-T1-E3	0.2436	RFQ	6767	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4936	MOSFET （金属 o化物）	2.3W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）	30V	5.8a	40mohm @ 5a，10v	3V @ 250µA	9NC @ 10V	325pf @ 15V	逻辑级别门

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

FET，MOSFET（6056）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²