SIC
close

FET，MOSFET（6056）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs （ciss）（最大（ciss） @ vds fet
DMC2020USD-13 Diodes Incorporated DMC2020USD-13 0.7900
RFQ
 ECAD 9646 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） DMC2020 MOSFET （金属 o化物） 1.8W 8-so 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n和p通道 20V 7.8a，6.3a 20mohm @ 7A，4.5V 1.5V @ 250µA 11.6nc @ 4.5V 1149pf @ 10V 逻辑级别门
2SJ653-CB11-ON onsemi 2SJ653-CB11-ON 1.7400
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Onmi * 大部分 积极的 2SJ65 - 下载 不适用 （1 （无限） 供应商不确定 Ear99 8541.29.0095 1 -
NTLUD3191PZTAG onsemi NTLUD3191PZTAG -
RFQ
 ECAD 6404 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-UFDFN暴露垫 ntlud31 MOSFET （金属 o化物） 500MW 6-udfn（1.6x1.6） 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2（p 通道（双） 20V 1.1a 250MOHM @ 1.5A，4.5V 1V @ 250µA 3.5nc @ 4.5V 160pf @ 10V 逻辑级别门
IPG20N06S415ATMA1 Infineon Technologies IPG20N06S415ATMA1 -
RFQ
 ECAD 8826 0.00000000 Infineon技术 汽车，AEC-Q101，Optimos™ 胶带和卷轴（（tr） 在sic中停产 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 8-Powervdfn IPG20N MOSFET （金属 o化物） 50W PG-TDSON-8-4 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 5,000 2 n 通道（双） 60V 20a 15.5mohm @ 17a，10v 4V @ 20µA 29nc @ 10V 2260pf @ 25V -
IRF730U Harris Corporation IRF730U 0.5700
RFQ
 ECAD 3987 0.00000000 哈里斯公司 * 大部分 积极的 IRF73 - 下载 不适用 （1 （无限） 供应商不确定 Ear99 8542.39.0001 417 -
SSFK3220B Good-Ark Semiconductor SSFK3220B 0.3900
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 好公园的半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 MOSFET （金属 o化物） 275MW（TC） SC-88 （SC-70-6） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0080 3,000 n和p通道 20V 800mA（TC） 300mohm @ 500mA，4.5V 1V @ 250µA 2NC @ 4.5V 75pf @ 10V 逻辑级别门，1.5V
HUFA76407DK8T onsemi HUFA76407DK8T -
RFQ
 ECAD 7186 0.00000000 Onmi Ultrafet™ 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） HUFA76407 MOSFET （金属 o化物） 2.5W 8-SOIC 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（双） 60V - 90MOHM @ 3.8A，10V 3V @ 250µA 11.2nc @ 10V 330pf @ 25V 逻辑级别门
AON4807_101 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AON4807_101 -
RFQ
 ECAD 7562 0.00000000 Alpha＆欧米茄半导体公司 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-SMD，平坦的铅 AON480 MOSFET （金属 o化物） 1.9W 8-DFN （3x2） 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2（p 通道（双） 30V 4a 68mohm @ 4A，10V 2.3V @ 250µA 10NC @ 10V 290pf @ 15V -
DMC67D8UFDBQ-13 Diodes Incorporated DMC67D8UFDBQ-13 0.1124
RFQ
 ECAD 2985 0.00000000 二极管合并 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-udfn暴露垫 DMC67 MOSFET （金属 o化物） 580MW（TA） U-DFN2020-6（B型） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 DMC67D8UFDBQ-13DI Ear99 8541.21.0095 10,000 n和p通道互补 60V，20V 390mA（ta），2.9a（2.9a）（ta） 4ohm @ 500mA，10v，72Mohm @ 3.5A，4.5V 2.5V @ 250µA，1.25V @ 250µA 0.4pc @ 4.5V，7.3nc @ 4.5V 41pf @ 25V，443pf @ 16V -
AOCA32108E Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOCA32108E 0.8700
RFQ
 ECAD 1639年 0.00000000 Alpha＆欧米茄半导体公司 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 10-SMD，没有铅 AOCA32108 MOSFET （金属 o化物） 3.1W（TA） 10-Alphadfn（3.01x1.52） - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 8,000 2 n 通道（双）公共排水 12V 25A（TA） 3.8mohm @ 5A，4.5V 1.1V @ 250µA 32nc @ 4.5V - -
DMC4015SSD-13 Diodes Incorporated DMC4015SSD-13 1.0500
RFQ
 ECAD 13 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） DMC4015 MOSFET （金属 o化物） 1.2W 8-so 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n和p通道 40V 8.6a，6.2a 15mohm @ 3a，10v 3V @ 250µA 40NC @ 10V 1810pf @ 20V 逻辑级别门
APTM50TAM65FPG Microchip Technology APTM50TAM65FPG 279.4700
RFQ
 ECAD 7185 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 SP6 APTM50 MOSFET （金属 o化物） 390W sp6-p 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 6 n通道（3相桥） 500V 51a 78MOHM @ 25.5A，10V 5V @ 2.5mA 140NC @ 10V 7000pf @ 25V -
CAS175M12BM3 Wolfspeed, Inc. CAS175M12BM3 515.3000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Wolfspeed，Inc。 - 盒子 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 模块 CAS175 （SIC） - - 下载 不适用 Ear99 8541.29.0095 1 2 n 通道（双）公共来源 1200V（1.2kV） 228a（TC） 10.4mohm @ 175a，15v 3.6V @ 43mA 422nc @ 15V 12900pf @ 800V -
AOD607_001 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOD607_001 -
RFQ
 ECAD 5448 0.00000000 Alpha＆欧米茄半导体公司 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 TO-252-5，DPAK（ + 4 +选项卡，TO-252AD AOD60 MOSFET （金属 o化物） TO-252-4L 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n和p通道互补 30V 12A（TC） -
SI7901EDN-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7901EDN-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 8131 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 POWERPAK®1212-8 SI7901 MOSFET （金属 o化物） 1.3W POWERPAK®1212-8 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2（p 通道（双） 20V 4.3a 48mohm @ 6.3a，4.5V 1V @ 800µA 18NC @ 4.5V - 逻辑级别门
SQ4946EY-T1-E3 Vishay Siliconix SQ4946EY-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 1629年 0.00000000 Vishay Siliconix 汽车，AEC-Q101，Trenchfet® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） SQ4946 MOSFET （金属 o化物） 2.4W 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（双） 60V 4.5a 55MOHM @ 4.5A，10V 3V @ 250µA 30nc @ 10V - 逻辑级别门
APTC90DDA12T1G Microsemi Corporation APTC90DDA12T1G -
RFQ
 ECAD 2767 0.00000000 Microsemi Corporation coolmos™ 托盘 过时的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 SP1 APTC90 MOSFET （金属 o化物） 250W SP1 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 1 2 n 频道（双重斩波器） 900V 30a 120mohm @ 26a，10v 3.5V @ 3mA 270NC @ 10V 6800pf @ 100V 超交界处
SQJ912DEP-T1_GE3 Vishay Siliconix SQJ912DEP-T1_GE3 1.0500
RFQ
 ECAD 2950 0.00000000 Vishay Siliconix 汽车，AEC-Q101，Trenchfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 POWERPAK®SO-8 SQJ912 MOSFET （金属 o化物） 27W（TC） POWERPAK®SO-8 - rohs3符合条件 （1 （无限） 742-SQJ912DEP-T1_GE3TR Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 40V 30A（TC） 7.3MOHM @ 7A，10V 2.5V @ 250µA 36NC @ 10V - -
SK3065 Harris Corporation SK3065 1.7900
RFQ
 ECAD 295 0.00000000 哈里斯公司 - 大部分 积极的 - 通过洞 TO-206AF，TO-72-4金属可以 SK306 MOSFET （金属 o化物） 330MW 到72 下载 不适用 3（168）） 供应商不确定 Ear99 8541.21.0095 1 2 n 通道（双） 20V 50mA - - - - -
STL50DN6F7 STMicroelectronics STL50DN6F7 1.6900
RFQ
 ECAD 6270 0.00000000 Stmicroelectronics StripFet™ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 8-Powervdfn STL50 MOSFET （金属 o化物） 62.5W PowerFlat™（5x6） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 60V 57A（TC） 11MOHM @ 7.5A，10V 4V @ 250µA 17NC @ 10V 1035pf @ 30V -
AO4800 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AO4800 -
RFQ
 ECAD 4409 0.00000000 Alpha＆欧米茄半导体公司 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） AO480 MOSFET （金属 o化物） 2W 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 2 n 通道（双） 30V 6.9a 27mohm @ 6.9a，10v 1.5V @ 250µA 7NC @ 4.5V 630pf @ 15V -
STL60N32N3LL STMicroelectronics STL60N32N3LL -
RFQ
 ECAD 7975 0.00000000 Stmicroelectronics StripFet™ 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Powervdfn STL60 MOSFET （金属 o化物） 23W，50W PowerFlat™（5x6） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 30V 32a，60a 9.2MOHM @ 6.8a，10V 1V @ 1µA 6.6nc @ 4.5V 950pf @ 25V 逻辑级别门
IPG20N06S4L14ATMA1 Infineon Technologies IPG20N06S4L14ATMA1 -
RFQ
 ECAD 4474 0.00000000 Infineon技术 汽车，AEC-Q101，Optimos™ 胶带和卷轴（（tr） 在sic中停产 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 8-Powervdfn IPG20N MOSFET （金属 o化物） 50W PG-TDSON-8-4 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 SP000705540 Ear99 8541.29.0095 5,000 2 n 通道（双） 60V 20a 13.7MOHM @ 17A，10V 2.2V @ 20µA 39nc @ 10V 2890pf @ 25V 逻辑级别门
SI4816DY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4816DY-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 6633 0.00000000 Vishay Siliconix Littlefoot® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） SI4816 MOSFET （金属 o化物） 1W，1.25W 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（半桥） 30V 5.3a，7.7a 22mohm @ 6.3a，10v 2V @ 250µA 12nc @ 5V - 逻辑级别门
DMN2004DMK-7 Diodes Incorporated DMN2004DMK-7 0.4100
RFQ
 ECAD 224 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -65°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-23-6 DMN2004 MOSFET （金属 o化物） 225MW SOT-26 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道（双） 20V 540mA 550MOHM @ 540mA，4.5V 1V @ 250µA - 150pf @ 16V 逻辑级别门
BSS138DW-7-F-52 Diodes Incorporated BSS138DW-7-F-52 0.0642
RFQ
 ECAD 2030 0.00000000 二极管合并 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 BSS138 MOSFET （金属 o化物） 200mw（ta） SOT-363 下载 （1 （无限） 31-BSS138DW-7-F-52 Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n通道 50V 200ma（ta） 3.5OHM @ 220mA，10V 1.5V @ 250µA - 50pf @ 10V 标准
APTC80H29T3G Microchip Technology APTC80H29T3G 59.7800
RFQ
 ECAD 6572 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 SP3 APTC80 MOSFET （金属 o化物） 156W SP3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 4（n n 通道（半桥） 800V 15a 290MOHM @ 7.5A，10V 3.9V @ 1mA 90NC @ 10V 2254pf @ 25V -
FDMS8095AC onsemi FDMS8095AC 2.4838
RFQ
 ECAD 2924 0.00000000 Onmi PowerTrench® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Powerwdfn FDMS8095 MOSFET （金属 o化物） 2.3W 8-MLP（5x6），Power56 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n和p通道 150V 6.2a，1a 30mohm @ 6.2a，10v 4V @ 250µA 30nc @ 10V 2020pf @ 75V -
PHN210T,118 Nexperia USA Inc. PHN210T，118 -
RFQ
 ECAD 7109 0.00000000 Nexperia USA Inc. Trenchmos™ 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -65°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） PHN210 MOSFET （金属 o化物） 2W 8-so 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（双） 30V - 100mohm @ 2.2a，10v 2.8V @ 1mA 6NC @ 10V 250pf @ 20V 逻辑级别门
ALD110914PAL Advanced Linear Devices Inc. ALD110914PAL 5.7472
RFQ
 ECAD 7987 0.00000000 高级线性设备公司 epad® 管子 积极的 0°C 〜70°C（TJ） 通过洞 8 点点（0.300英寸，7.62mm） ALD110914 MOSFET （金属 o化物） 500MW 8-pdip 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 1014-1042 Ear99 8541.21.0095 50 2（n n 通道（双） 10.6V 12mA，3mA 500OHM @ 5.4V 1.42V @ 1µA - 2.5pf @ 5V -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

RFQ列表（0项）
购物车列表（0个项目）
Wishlist愿望清单（0个项目）
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

数量：1

比较列表（0项）
点击Enter进行搜索或ESC关闭