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FET，MOSFET（6056）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs （ciss）（最大（ciss） @ vds fet
PJT7600_R1_00001 Panjit International Inc. PJT7600_R1_00001 0.4900
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Panjit International Inc. - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 PJT7600 MOSFET （金属 o化物） 350MW（TA） SOT-363 - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 3757-PJT7600_R1_00001TR Ear99 8541.21.0095 3,000 n和p通道互补 20V （1A）（700mA ta）（ta） 150MOHM @ 1A，4.5V，325MOHM @ 700mA，4.5V 1V @ 250µA 1.6NC @ 4.5V，2.2NC @ 4.5V 92pf @ 10V，151pf @ 10V -
G120P03S2 Goford Semiconductor G120P03S2 0.8000
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 戈福德半导体 Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） G120 MOSFET （金属 o化物） 1.4W（TC） 8-sop 下载 Rohs符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.29.0000 4,000 30V 16A（TC） 14mohm @ 10a，10v 2.5V @ 250µA 35nc @ 10V 2835pf @ 15V 标准
TSM4953DCS Taiwan Semiconductor Corporation TSM4953DC 0.6389
RFQ
 ECAD 8135 0.00000000 台湾半导体公司 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） TSM4953 MOSFET （金属 o化物） 2.5W（TA） 8-sop 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 1801-TSM4953DCSTR Ear99 8541.29.0095 5,000 2个p通道 30V 4.9a（ta） 60mohm @ 4.9A，10V 3V @ 250µA 28nc @ 10V 745pf @ 15V 标准
FDMJ1023PZ Fairchild Semiconductor FDMJ1023PZ 0.3000
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Fairchild半导体 PowerTrench® 大部分 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-WFDFN暴露垫 FDMJ1023 MOSFET （金属 o化物） 700MW SC-75，Microfet 下载 rohs3符合条件 Ear99 8541.21.0095 3,000 2（p 通道（双） 20V 2.9a 112MOHM @ 2.9a，4.5V 1V @ 250µA 6.5nc @ 4.5V 400pf @ 10V 逻辑级别门
ITD50N04S4L07ATMA1 Infineon Technologies ITD50N04S4L07ATMA1 -
RFQ
 ECAD 8800 0.00000000 Infineon技术 Optimos™ 大部分 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 TO-252-5，DPAK（ + 4 +选项卡，TO-252AD ITD50 MOSFET （金属 o化物） 46W（TC） PG-TO252-5-311 下载 Ear99 8542.39.0001 363 2 n 通道（双） 40V 50A（TC） 7.2mohm @ 50a，10v 2.2V @ 18µA 33nc @ 10V 2480pf @ 25V 逻辑级别门
SI4834CDY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4834CDY-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 5791 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） SI4834 MOSFET （金属 o化物） 2.9W 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（双） 30V 8a 20mohm @ 8a，10v 3V @ 1mA 25nc @ 10V 950pf @ 15V -
FDW2601NZ Fairchild Semiconductor FDW2601NZ 0.4000
RFQ
 ECAD 3463 0.00000000 Fairchild半导体 PowerTrench® 大部分 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度） FDW26 MOSFET （金属 o化物） 1.6W 8-tssop 下载 rohs3符合条件 Ear99 8541.29.0095 26 2 n 通道（双）公共排水 30V 8.2a 15mohm @ 8.2a，4.5V 1.5V @ 250µA 30nc @ 4.5V 1840pf @ 15V 逻辑级别门
TSM6502CR Taiwan Semiconductor Corporation TSM6502CR 1.0450
RFQ
 ECAD 8870 0.00000000 台湾半导体公司 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-POWERTDFN TSM6502 MOSFET （金属 o化物） 40W 8-pdfn（5x6） 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 1801-TSM6502CRTR Ear99 8541.29.0095 5,000 n和p通道 60V 24A（TC），18A （TC） 34mohm @ 5.4a，10v，68mohm @ 4a，10v 2.5V @ 250µA 10.3nc @ 4.5V，9.5nc @ 4.5V 1159pf @ 30v，930pf @ 30V -
MSCSM120HM16CT3AG Microchip Technology MSCSM120HM16CT3AG 500.5900
RFQ
 ECAD 5926 0.00000000 微芯片技术 - 管子 积极的 -40°C〜175°C（TJ） 底盘安装 模块 MSCSM120 （SIC） 745W（TC） SP3F 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 150-MSCSM120HM16CT3AG Ear99 8541.29.0095 1 4 n通道 1200V（1.2kV） 173a（TC） 16mohm @ 80a，20v 2.8V @ 2mA 464NC @ 20V 6040pf @ 1000V -
APTMC170AM30CT1AG Microchip Technology APTMC170AM30CT1AG -
RFQ
 ECAD 3978 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 SP1 APTMC170 （SIC） 700W SP1 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 2 n 通道（相腿） 1700V（（1.7kV） 100A（TC） 30mohm @ 100A，20V 2.3V @ 5mA（ty（typ） 380NC @ 20V 6160pf @ 1000V -
ECH8651R-TL-H onsemi ECH8651R-TL-H -
RFQ
 ECAD 6001 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 表面安装 8-SMD，平坦的铅 ECH8651 MOSFET （金属 o化物） 1.5W 8-ech 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 24V 10a 14mohm @ 5A，4.5V - 24NC @ 10V - 逻辑级别门
FDS4895C onsemi FDS4895C -
RFQ
 ECAD 7243 0.00000000 Onmi PowerTrench® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） FDS48 MOSFET （金属 o化物） 900MW 8-SOIC 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 2,500 n和p通道 40V 5.5a，4.4a 39mohm @ 5.5A，10V 5V @ 250µA 10NC @ 10V 410pf @ 20V -
IRF7301PBF Infineon Technologies IRF7301pbf -
RFQ
 ECAD 1547年 0.00000000 Infineon技术 Hexfet® 管子 在sic中停产 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） IRF73 MOSFET （金属 o化物） 2W 8-so 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 95 2 n 通道（双） 20V 5.2a 50mohm @ 2.6a，4.5V 700MV @ 250µA 20NC @ 4.5V 660pf @ 15V 逻辑级别门
FDS4935A Fairchild Semiconductor FDS4935A -
RFQ
 ECAD 1025 0.00000000 Fairchild半导体 PowerTrench® 大部分 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） FDS49 MOSFET （金属 o化物） 900MW 8-SOIC 下载 Ear99 8542.39.0001 1 2（p 通道（双） 30V 7a 23mohm @ 7a，10v 3V @ 250µA 21nc @ 5V 1233pf @ 15V 逻辑级别门
EFC4626R-TR onsemi EFC4626R-Tr 0.4000
RFQ
 ECAD 3591 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 4-XFBGA EFC4626 MOSFET （金属 o化物） 1.4W 4-BGA（1x1） 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 8,000 2 n 通道（双）公共排水 - - - - 7.5NC @ 4.5V - 逻辑水平门，2.5V
BSS84DWQ-13 Diodes Incorporated BSS84DWQ-13 0.0986
RFQ
 ECAD 7654 0.00000000 二极管合并 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 BSS84 MOSFET （金属 o化物） 300MW（TA） SOT-363 下载 （1 （无限） 到达不受影响 31-BSS84DWQ-13TR Ear99 8541.21.0095 10,000 2（p 通道（双） 50V 130mA（ta） 10ohm @ 100mA，5v 2V @ 1mA - 45pf @ 25V -
SI6933DQ-T1-E3 Vishay Siliconix SI6933DQ-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 9427 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度） SI6933 MOSFET （金属 o化物） 1W 8-tssop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2（p 通道（双） 30V - 45MOHM @ 3.5A，10V 1V @ 250µA（250µA） 30nc @ 10V - 逻辑级别门
2N7002PS/ZLX Nexperia USA Inc. 2N7002PS/ZLX -
RFQ
 ECAD 1901年 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 2N7002 MOSFET （金属 o化物） 990MW 6-TSSOP 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道（双） 60V 320mA（TA） 1.6ohm @ 500mA，10v 2.4V @ 250µA 0.8NC @ 4.5V 50pf @ 10V 逻辑级别门
DMN2991UDJ-7A Diodes Incorporated DMN2991UDJ-7A 0.0473
RFQ
 ECAD 5442 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-963 DMN2991 MOSFET （金属 o化物） 400MW（TA） SOT-963 下载 （1 （无限） 到达不受影响 31-DMN2991UDJ-7ATR Ear99 8541.21.0095 10,000 2 n 通道（双） 20V 520mA（ta） 990MOHM @ 100mA，4.5V 1V @ 250µA 0.35nc @ 4.5V 21.5pf @ 15V -
BUK7K6R8-40E,115 Nexperia USA Inc. BUK7K6R8-40E，115 1.7300
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Nexperia USA Inc. 汽车，AEC-Q101，Trenchmos™ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 SOT-12205，8-LFPAK56 buk7k6 MOSFET （金属 o化物） 64W LFPAK56D 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,500 2 n 通道（双） 40V 40a 6.8mohm @ 20a，10v 4V @ 1mA 28.9nc @ 10V 1947pf @ 25V -
2N7002DWH6327XTSA1 Infineon Technologies 2N7002DWH6327XTSA1 0.5000
RFQ
 ECAD 66 0.00000000 Infineon技术 Optimos™ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-VSSOP，SC-88，SOT-363 2N7002 MOSFET （金属 o化物） 500MW PG-SOT363-PO 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道（双） 60V 300mA 3ohm @ 500mA，10v 2.5V @ 250µA 0.6NC @ 10V 20pf @ 25V 逻辑级别门
SI4388DY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4388DY-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 2382 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） SI4388 MOSFET （金属 o化物） 3.3W，3.5W 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（半桥） 30V 10.7a，11.3a 16mohm @ 8a，10v 3V @ 250µA 27nc @ 10V 946pf @ 15V -
BSS84AKW-B115 NXP USA Inc. BSS84AKW-B115 0.0500
RFQ
 ECAD 199 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 BSS84 - 下载 不适用 （1 （无限） 供应商不确定 Ear99 8541.21.0095 3,000 -
IRFHM792TRPBF Infineon Technologies IRFHM792TRPBF -
RFQ
 ECAD 8591 0.00000000 Infineon技术 Hexfet® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Powervdfn IRFHM792 MOSFET （金属 o化物） 2.3W 8-PQFN （3.3x3.3），Power33 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 4,000 2 n 通道（双） 100V 2.3a 195MOHM @ 2.9a，10V 4V @ 10µA 6.3nc @ 10V 251pf @ 25V -
DMC6040SSD-13 Diodes Incorporated DMC6040SSD-13 0.6600
RFQ
 ECAD 1502 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） DMC6040 MOSFET （金属 o化物） 1.24W 8-so 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n和p通道 60V 5.1a，3.1a 40mohm @ 8a，10v 3V @ 250µA 20.8NC @ 10V 1130pf @ 15V 逻辑级别门
SP8M4HZGTB Rohm Semiconductor SP8M4HZGTB 2.4400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） SP8M4 MOSFET （金属 o化物） 1.4W（TA） 8-sop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n和p通道 30V （9a）（7a ta）（7a ta） 18mohm @ 9a，10v，28mohm @ 7a，10v 2.5V @ 1mA 15nc @ 5v，25nc @ 5v 1190pf @ 10V，2600pf @ 10V -
SQ1922EEH-T1_GE3 Vishay Siliconix SQ1922EEH-T1_GE3 0.4900
RFQ
 ECAD 480 0.00000000 Vishay Siliconix 汽车，AEC-Q101，Trenchfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 SQ1922 MOSFET （金属 o化物） 1.5W SC-70-6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 20V 840ma（tc） 350MOHM @ 400mA，4.5V 1.5V @ 250µA 1.2nc @ 4.5V 50pf @ 10V -
FDS6875 onsemi FDS6875 1.3100
RFQ
 ECAD 6708 0.00000000 Onmi PowerTrench® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） FDS68 MOSFET （金属 o化物） 900MW 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 2,500 2（p 通道（双） 20V 6a 30mohm @ 6a，4.5V 1.5V @ 250µA 31nc @ 5V 2250pf @ 10V 逻辑级别门
SI1025X-T1-GE3 Vishay Siliconix SI1025X-T1-GE3 0.5100
RFQ
 ECAD 61 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-563，SOT-666 SI1025 MOSFET （金属 o化物） 250MW SC-89（SOT-563F） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2（p 通道（双） 60V 190mA 4ohm @ 500mA，10v 3V @ 250µA 1.7nc @ 15V 23pf @ 25V 逻辑级别门
FDME1024NZT onsemi FDME1024NZT 0.9200
RFQ
 ECAD 6407 0.00000000 Onmi PowerTrench® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-UFDFN暴露垫 FDME1024 MOSFET （金属 o化物） 600MW 6-microfet（1.6x1.6） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 5,000 2 n 通道（双） 20V 3.8a 66mohm @ 3.4a，4.5V 1V @ 250µA 4.2nc @ 4.5V 300pf @ 10V 逻辑级别门
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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