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FET，MOSFET（6056）
| 参考图片 | 产品编号 | （（（） | 数量 | ECAD | 可用数量 | （kg） | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | （MSL） | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | （VDSS） | 电流 -id（ID） @ 25°C | RDS（最大值） @ ID，VGS | VGS（TH）（最大） @ ID | （QG））（最大） @ vgs | （ciss）（最大（ciss） @ vds | fet |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | KFC4B22690L | 0.1620 |  | 1345 | 0.00000000 | Nuvoton Technology Corporation | 汽车，AEC-Q100 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | 150°C | 表面安装 | 4-XFLGA，CSP | KFC4 | MOSFET （金属 o化物） | 420MW（TA） | 4-CSP （1.1x1.1） | - | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | 816-KFC4B22690LTR | Ear99 | 8541.29.0095 | 20,000 | - | 20V | 3.4a（ta） | 32MOHM @ 1.7A，4.5V | 1.4V @ 160µA | 4.5NC @ 4V | 426pf @ 10V | 标准 | |
 | DMP3164LVT-7 | 0.4700 | | 785 | 0.00000000 | 二极管合并 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | SOT-23-6薄，TSOT-23-6 | DMP3164 | MOSFET （金属 o化物） | TSOT-26 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2（p 通道（双） | 2.8A（ta） | 95MOHM @ 2.7a，10V | 2.1V @ 250µA | - | ||||||
| MSCSM120HM083AG | 685.2500 | | 2170 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜175°C（TJ） | 底盘安装 | 模块 | MSCSM120 | （SIC） | 1.042kW（TC） | - | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | 150-MSCSM120HM083AG | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | （4 n 通道（全桥） | 1200V（1.2kV） | 251A（TC） | 10.4mohm @ 120A，20V | 2.8V @ 9mA | 696nc @ 20V | 9000pf @ 1000V | - | |
 | 2N7002DWL-TP | - | | 1980 | 0.00000000 | 微商业公司 | - | 大部分 | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | SOT-23-6 | 2N7002 | MOSFET （金属 o化物） | 225MW | SOT-23-6L | 下载 | 353-2N7002DWL-TP | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 2 n 通道（双） | 60V | 115mA | 4.5OHM @ 500mA，10V | 2.5V @ 250µA | - | 50pf @ 25V | - | ||||
 | MCQ7328-TP | 0.7000 | | 39 | 0.00000000 | 微商业公司 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | MCQ7328 | MOSFET （金属 o化物） | 1.4W | 8-sop | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 4,000 | 2（p 通道（双） | 30V | 8a | 21mohm @ 8a，10v | 2.5V @ 250µA | 78nc @ 10V | 2675pf @ 25V | - | ||
| AO4801AS | - | | 4157 | 0.00000000 | Alpha＆欧米茄半导体公司 | * | 大部分 | 过时的 | - | - | AO480 | - | - | - | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | - | ||||||||||||
 | SI4804BDY-T1-GE3 | - | | 9473 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | SI4804 | MOSFET （金属 o化物） | 1.1W | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 n 通道（双） | 30V | 5.7a | 22mohm @ 7.5a，10v | 3V @ 250µA | 11NC @ 4.5V | - | 逻辑级别门 | ||
 | DMC2053UFDBQ-7 | 0.1262 | | 8199 | 0.00000000 | 二极管合并 | 汽车，AEC-Q101 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 6-udfn暴露垫 | DMC2053 | MOSFET （金属 o化物） | 820MW（TA） | U-DFN2020-6（B型） | 下载 | 到达不受影响 | 31-DMC2053UFDBQ-7TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n和p通道 | 20V | 4.6a（ta），3.1a（ta） | 35MOHM @ 5A，4.5V，75MOHM @ 3.5A，4.5V | 1V @ 250µA | 7.7nc @ 10v，12.7nc @ 8v | 369pf @ 10V，440pf @ 10V | - | |||
 | AO4801AL_001 | - | | 1173 | 0.00000000 | Alpha＆欧米茄半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | AO480 | MOSFET （金属 o化物） | 2W | 8-SOIC | 下载 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 2（p 通道（双） | 30V | 5a | 48mohm @ 5a，10v | 1.3V @ 250µA | 9NC @ 4.5V | 780pf @ 15V | 逻辑级别门 | |||
 | FDS6984S | 1.3800 | | 115 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | PoterTrench®，SyncFet™ | 大部分 | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | FDS69 | MOSFET （金属 o化物） | 900MW | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8541.21.0095 | 2,500 | 2 n 通道（双） | 30V | 5.5a，8.5a | 19mohm @ 8.5a，10v | 3V @ 250µA | 12nc @ 5V | 1233pf @ 15V | 逻辑级别门 | ||||
 | SH8K10SGZETB | 1.3800 | | 2 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | 150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | SH8K10 | MOSFET （金属 o化物） | 1.4W（TA） | 8-sop | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 n 通道（双） | 30V | （7A）（ta），8.5A（8.5A） | 24mohm @ 7a，10v，19.6mohm @ 8.5a，10v | 2.5V @ 1mA | 16.8nc @ 5v，17.8nc @ 5v | 660pf @ 10V，830pf @ 10V | - | ||
| CTLDM7181-M832D TR | - | | 7360 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-tdfn暴露垫 | CTLDM7181 | MOSFET （金属 o化物） | 1.65W | TLM832D | 下载 | 1514-CTLDM7181-M832DTR | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 n 通道（双） | 20V | 1a | 100mohm @ 500mA，4.5V | 1.2V @ 1mA | 2.4NC @ 4.5V | 220pf @ 10V | - | ||||
| GMM3X100-01X1-SMDSAM | - | | 1276 | 0.00000000 | ixys | - | 管子 | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 表面安装 | 24-smd，海鸥翼 | GMM3x100 | MOSFET （金属 o化物） | - | 24-SMD | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 6 n通道（3相桥） | 100V | 90a | - | 4.5V @ 1mA | 90NC @ 10V | - | - | ||
 | SIR770DP-T1-GE3 | 1.1800 | | 7601 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | POWERPAK®SO-8 | Sir770 | MOSFET （金属 o化物） | 17.8W | POWERPAK®SO-8 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 通道（双） | 30V | 8a | 21mohm @ 8a，10v | 2.8V @ 250µA | 21NC @ 10V | 900pf @ 15V | 逻辑级别门 | |||
| EM6J1T2CR | - | | 2540 | 0.00000000 | Rohm半导体 | * | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | EM6J1 | - | - | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | 846-EM6J1T2CRTR | Ear99 | 8541.21.0095 | 8,000 | - | |||||||||||||
 | DMTH6016LSDQ-13 | 1.1400 | | 16 | 0.00000000 | 二极管合并 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | DMTH6016 | MOSFET （金属 o化物） | 1.4W，1.9W | 8-so | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 n 通道（双） | 60V | 7.6a（ta） | 19.5mohm @ 10a，10v | 2.5V @ 250µA | 17NC @ 10V | 864pf @ 30V | - | ||
| FMM150-0075p | - | | 7089 | 0.00000000 | ixys | - | 管子 | 过时的 | -55°C〜175°C（TJ） | 通过洞 | I4-PAC™-5 | FMM | MOSFET （金属 o化物） | - | ISOPLUS I4-PAC™ | 下载 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 24 | 2 n 通道（双） | 75V | 150a | 4.2MOHM @ 120A，10V | 4V @ 1mA | 225nc @ 10V | - | - | |||
| SP8M3HZGTB | 1.5600 | | 2 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | 150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | SP8M3 | MOSFET （金属 o化物） | 2W（TA） | 8-sop | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n和p通道 | 30V | （5A）（ta），4.5a ta（ta） | 51MOHM @ 5A，10V，56MOHM @ 4.5A，10V | 2.5V @ 1mA | 3.9nc @ 5v，8.5nc @ 5V | 230pf @ 10V，850pf @ 10V | - | ||
| NVMFD5877NLWFT1G-UM | - | | 4586 | 0.00000000 | Onmi | 汽车，AEC-Q101 | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 表面安装 | 8-POWERTDFN | MOSFET （金属 o化物） | 3.2W（TA） | 8-dfn（5x6）（SO8FL偶） | - | 488-NVMFD5877NLWFT1G-UM | 1 | 2 n通道 | 60V | 6a（6a） | 39mohm @ 7.5a，10v | 3V @ 250µA | 20NC @ 10V | 540pf @ 25V | 逻辑级别门 | |||||||
 | BSS8402DW-7-F-50 | 0.0848 | | 2647 | 0.00000000 | 二极管合并 | 汽车，AEC-Q101 | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | BSS8402 | MOSFET （金属 o化物） | 200mw（ta） | SOT-363 | 下载 | （1 （无限） | 31-BSS8402DW-7-F-50 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n和p通道互补 | 60V，50V | 115ma（ta），130mA（ta） | 13.5ohm @ 500mA，10v，10ohm @ 100mA，5v | 2.5V @ 250µA，2V @ 1mA | - | 50pf @ 25V，45pf @ 25V | 标准 | |||
 | BSZ15DC02KDHXTMA1 | 1.3100 | | 9356 | 0.00000000 | Infineon技术 | 汽车，AEC-Q101，Hexfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 表面安装 | 8-POWERTDFN | BSZ15DC02 | MOSFET （金属 o化物） | 2.5W | PG-TSDSON-8-FL | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 5,000 | n和p通道互补 | 20V | 5.1a，3.2a | 55mohm @ 5.1a，4.5V | 1.4V @ 110µA | 2.8NC @ 4.5V | 419pf @ 10V | 逻辑水平门，2.5V | ||
| NXV08H350XT1 | - | | 6676 | 0.00000000 | Onmi | 汽车，AEC-Q101 | 大部分 | 积极的 | -40°C〜125°C（TA） | 通过洞 | 17-PowerDip 模块（1.390英寸，35.30毫米） | NXV08 | MOSFET （金属 o化物） | - | APM17-MDC | 下载 | 488-NXV08H350XT1 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 80V | - | 0.762Mohm @ 160a，12v | 4.6V @ 1mA | 320NC @ 10V | 24350pf @ 40V | - | |||||
| FMP76-01T | - | | 8626 | 0.00000000 | ixys | - | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 通过洞 | isoplusi5-pak™ | FMP76 | MOSFET （金属 o化物） | 89W，132W | ISOPLUS I4-PAC™ | 下载 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | n和p通道，普通排水 | 100V | 54A（TC），62A （TC） | 24mohm @ 38a，10v，11mohm @ 25a，10v | 4V @ 250µA，4.5V @ 250µA | 197NC @ 10V，104NC @ 10V | 1370pf @ 25V，5080pf @ 25V | - | ||||
| APTC80H15T3G | 83.6600 | | 1643年 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜150°C（TJ） | 底盘安装 | SP3 | APTC80 | MOSFET （金属 o化物） | 277W | SP3 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 4（n n 通道（半桥） | 800V | 28a | 150mohm @ 14a，10v | 3.9V @ 2mA | 180nc @ 10V | 4507pf @ 25V | - | ||
| DMN4034SSD-13 | 0.8400 | | 50 | 0.00000000 | 二极管合并 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | DMN4034 | MOSFET （金属 o化物） | 1.8W | 8-so | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 n 通道（双） | 40V | 4.8a | 34mohm @ 6a，10v | 3V @ 250µA | 18NC @ 10V | 453pf @ 20V | 逻辑级别门 | ||
 | DMP2004VK-7 | 0.4500 | | 60 | 0.00000000 | 二极管合并 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | SOT-563，SOT-666 | DMP2004 | MOSFET （金属 o化物） | 400MW | SOT-563 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2（p 通道（双） | 20V | 530mA | 900MOHM @ 430mA，4.5V | 1V @ 250µA | - | 175pf @ 16V | 逻辑级别门 | ||
 | IPG20N06S2L65AATMA1 | 0.9900 | | 9576 | 0.00000000 | Infineon技术 | 汽车，AEC-Q101，Optimos™ | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 表面安装，可润湿的侧面 | 8-Powervdfn | IPG20N | MOSFET （金属 o化物） | 43W | PG-TDSON-8-10 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 5,000 | 2 n 通道（双） | 55V | 20a | 65mohm @ 15a，10v | 2V @ 14µA | 12nc @ 10V | 410pf @ 25V | 逻辑级别门 | ||
| FDS3992 | - | | 3710 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | PowerTrench® | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | FDS39 | MOSFET （金属 o化物） | 2.5W | 8-SOIC | 下载 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 2 n 通道（双） | 100V | 4.5a | 62MOHM @ 4.5A，10V | 4V @ 250µA | 15nc @ 10V | 750pf @ 25V | - | |||||
 | CMLDM7484 TR PBFRE | 0.6300 | | 81 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | SOT-563，SOT-666 | CMLDM7484 | MOSFET （金属 o化物） | 150MW | SOT-563 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n和p通道互补 | 30V | 450mA | 460MOHM @ 200MA，4.5V | 1V @ 250µA | 0.79NC @ 4.5V | 45pf @ 25V | - | ||
| TSM2538CQ RFG | 1.4300 | | 11 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 6-vdfn裸露的垫子 | TSM2538 | MOSFET （金属 o化物） | 1.89W（ta），5W（（（（（（（（（（ | 6-DFN（2x2） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n和p通道 | 20V | 5.5a（5a），10a tc（10a tc），4.4a ta（8a tc）（8a tc） | 40mohm @ 5.5A，4.5V，70MOHM @ 4.4A，4.5V | 800MV @ 250µA | 7.5NC @ 4.5V，9.4NC @ 4.5V | 534pf @ 10V，909pf @ 10V | - |
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