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FET，MOSFET（6056）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet
AO4886	0.7000	RFQ	1	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	AO488	MOSFET （金属 o化物）	2W	8-SOIC	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）	100V	3.3a	80mohm @ 3a，10v	2.7V @ 250µA	20NC @ 10V	942pf @ 50V	逻辑级别门
SQJQ960EL-T1_GE3	2.4400	RFQ	5774	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®8x8二元	SQJQ960	MOSFET （金属 o化物）	71W	PowerPak®8x8二元	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,000	2 n 通道（双）	60V	63A（TC）	9mohm @ 10a，10v	2.5V @ 250µA	24NC @ 10V	1950pf @ 25V	-
SI3588DV-T1-GE3	-	RFQ	6467	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	SI3588	MOSFET （金属 o化物）	830MW，83MW	6-TSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	n和p通道	20V	2.5a，570mA	80MOHM @ 3A，4.5V	450mv @ 250µA（250µA））	7.5NC @ 4.5V	-	逻辑级别门
SI5905BDC-T1-E3	-	RFQ	6081	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅	SI5905	MOSFET （金属 o化物）	3.1W	1206-8 chipfet™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2（p 通道（双）	8V	4a	80mohm @ 3.3a，4.5V	1V @ 250µA	11NC @ 8V	350pf @ 4V	逻辑级别门
DMT6015LPDW-13	0.2970	RFQ	9287	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	DMT6015	MOSFET （金属 o化物）	2.4W（TA），7.9W（TC）	PowerDI5060-8（type UXD）	下载			到达不受影响	31-DMT6015LPDW-13TR	Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）	60V	9.4A（TA），17.1A （TC）	18mohm @ 10a，10v	2.5V @ 250µA	15.7nc @ 10V	808pf @ 30V	-
AON6970	-	RFQ	4292	Alpha＆欧米茄半导体公司	SRFET™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	AON697	MOSFET （金属 o化物）	5W，4.1W	8-DFN（5x6）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（半桥）	30V	24a，42a	5.4mohm @ 20a，10v	2.3V @ 250µA	23nc @ 10V	1171pf @ 15V	逻辑级别门
HUF7554S3S	1.3800	RFQ	839	哈里斯公司	*	大部分	积极的				HUF7554	-			-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	1								-
SI4599DY-T1-GE3	0.9100	RFQ	4	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4599	MOSFET （金属 o化物）	3W，3.1W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500	n和p通道	40V	6.8a，5.8a	35.5MOHM @ 5A，10V	3V @ 250µA	20NC @ 10V	640pf @ 20V	逻辑级别门
IRF7309pbf	-	RFQ	2632	国际整流器	Hexfet®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IRF73	MOSFET （金属 o化物）	1.4W（TA）	8-so	-	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	3,800	n和p通道	30V	（4A）（3A）（3a ta）	50mohm @ 2.4a，10v，100mohm @ 1.8A，10V	1V @ 250µA	25nc @ 4.5V	520pf，440pf @ 15V	-
FDMS3600S	-	RFQ	6104	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	FDMS3600	MOSFET （金属 o化物）	2.2W（2.2W），2.5W（ta）	8-pqfn（5x6）	下载					Ear99	8542.39.0001	1	2 n 通道（双）	25V	（15a）（30a tc）（30a tc），30a ta（30a），40a tc（TC）	5.6mohm @ 15a，10v，1.6Mohm @ 30a，10v	2.7V @ 250µA，3V @ 1mA	27nc @ 10v，82nc @ 10v	1680pf @ 13V，5375pf @ 13V	-
DMNH6065SPDW-13	0.3833	RFQ	4161	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装，可润湿的侧面	8-POWERTDFN	DMNH6065	MOSFET （金属 o化物）	2.4W（TA），68W（tc）	PowerDi5060-8（R r r r r）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响	DMNH6065SPDW-13DI	Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）	60V	27a（TC）	65mohm @ 15a，10v	3V @ 250µA	9.5NC @ 10V	466pf @ 25V	-
FDU6670AS	0.7200	RFQ	3	Fairchild半导体	*	大部分	积极的				FDU6670	-			-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	1								-
QH8MB5TCR	0.9600	RFQ	2245	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅	QH8MB5	MOSFET （金属 o化物）	1.1W（TA）	TSMT8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	n和p通道	40V	4.5A（5a），5a（ta）	44mohm @ 4.5A，10V，41MOHM @ 5A，10V	2.5V @ 1mA	3.5nc @ 10v，17.2nc @ 10v	150pf @ 20v，920pf @ 20V	-
SQS944ENW-T1_GE3	0.9600	RFQ	1520	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装，可润湿的侧面	PowerPak®1212-8W双重	SQS944	MOSFET （金属 o化物）	27.8W（TC）	PowerPak®1212-8W双重	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）	40V	6A（TC）	25mohm @ 1.25A，10V	2.5V @ 250µA	10NC @ 10V	615pf @ 25V	-
ZXMC3A16DN8TC	1.3900	RFQ	14	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	ZXMC3	MOSFET （金属 o化物）	1.25W	8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n和p通道	30V	4.9a，4.1a	35mohm @ 9a，10v	1V @ 250µA（250µA）	17.5nc @ 10V	796pf @ 25V	逻辑级别门
APTC60TDUM35PG	257.8900	RFQ	2746	微芯片技术	-	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	SP6	APTC60	MOSFET （金属 o化物）	416W	sp6-p	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	6 n通道（3相桥）	600V	72a	35mohm @ 72a，10v	3.9V @ 5.4mA	518nc @ 10V	14000pf @ 25V	-
SIA777EDJ-T1-GE3	-	RFQ	8542	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®SC-70-6双重	SIA777	MOSFET （金属 o化物）	5W，7.8W	POWERPAK®SC-70-6双重	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	n和p通道	20V，12V	1.5a，4.5a	225mohm @ 1.6A，4.5V	1V @ 250µA	2.2nc @ 5V	-	逻辑级别门
SQ1902EAL-T1_GE3	-	RFQ	6841	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®SC-70-6双重	SQ1902	MOSFET （金属 o化物）	430MW	POWERPAK®SC-70-6双重	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.21.0095	3,000	2 n 通道（双）	20V	780ma（tc）	415MOHM @ 660mA，4.5V	1.5V @ 250µA	1.2nc @ 4.5V	75pf @ 10V	-
ISL6605CR-TR5151	1.6200	RFQ	6	Intersil	*	大部分	积极的				ISL6605	-			-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	6,000								-
DMC3025LDV-7	0.2190	RFQ	5825	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	DMC3025	MOSFET （金属 o化物）		PowerDI3333-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000	n和p通道		15A（TC）	25mohm @ 7a，10v	2.4V @ 250µA	4.6nc @ 4.5V，9.5NC @ 4.5V	500pf @ 15V，1188pf @ 15V	-
NDS8936	0.7800	RFQ	8	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	NDS893	MOSFET （金属 o化物）	900MW	8-SOIC	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0095	2,500	2 n 通道（双）	30V	5.3a	35mohm @ 5.3a，10v	2.8V @ 250µA	30nc @ 10V	720pf @ 15V	逻辑级别门
SI7540DP-T1-E3	-	RFQ	9589	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®SO-8	SI7540	MOSFET （金属 o化物）	1.4W	POWERPAK®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	n和p通道	12V	7.6a，5.7a	17mohm @ 11.8a，4.5V	1.5V @ 250µA	17nc @ 4.5V	-	逻辑级别门
DMP31D7LDWQ-13	0.0565	RFQ	5059	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	DMP31	MOSFET （金属 o化物）	290MW（TA）	SOT-363	下载			到达不受影响	31-DMP31D7LDWQ-13TR	Ear99	8541.21.0095	10,000	2（p 通道（双）	30V	550mA（ta）	900MOHM @ 420mA，10V	2.6V @ 250µA	0.8NC @ 10V	19pf @ 15V	-
ISL6605CB-TS2495	0.7700	RFQ	2	Intersil	*	大部分	积极的				ISL6605	-			-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	2,500								-
SIZF920DT-T1-GE3	1.9000	RFQ	2	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	SIZF920	MOSFET （金属 o化物）	3.9W（TA），28W tc（TC），4.5W（ta（74W ta）（74W tc）	8-Powerpair®（6x5）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双），肖特基	30V	28a（28a），76a （TC），49A（ta（197a t c）（TC）	3.07mohm @ 10a，10v，1.05Mohm @ 10a，10v	2.4V @ 250µA，2.2V @ 250µA	29nc @ 10v，125nc @ 10V	1300pf @ 15V，5230pf @ 15V	-
SI5504DC-T1-GE3	-	RFQ	9316	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅	SI5504	MOSFET （金属 o化物）	1.1W	1206-8 chipfet™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	n和p通道	30V	2.9a，2.1a	85mohm @ 2.9a，10v	1V @ 250µA（250µA）	7.5NC @ 10V	-	逻辑级别门
DMN63D8LDWQ-7	0.3900	RFQ	330	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	DMN63	MOSFET （金属 o化物）	300MW	SOT-363	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	2 n 通道（双）	30V	220mA	2.8ohm @ 250mA，10v	1.5V @ 250µA	0.87NC @ 10V	22pf @ 25V	-
AON6812	-	RFQ	4479	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅裸垫	AON681	MOSFET （金属 o化物）	4.1W	8-DFN-EP（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）公共排水	30V	27a	4mohm @ 20a，10v	2.2V @ 250µA	34NC @ 10V	1720pf @ 15V	逻辑级别门
APTC60AM242G	-	RFQ	9968	Microsemi Corporation	coolmos™	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块	APTC60	MOSFET （金属 o化物）	462W		-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	2 n 通道（半桥）	600V	95a	24mohm @ 47.5A，10V	3.9V @ 5mA	300NC @ 10V	14400pf @ 25V	-
CMLDM7484 TR PBFRE	0.6300	RFQ	81	中央半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-563，SOT-666	CMLDM7484	MOSFET （金属 o化物）	150MW	SOT-563	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	n和p通道互补	30V	450mA	460MOHM @ 200MA，4.5V	1V @ 250µA	0.79NC @ 4.5V	45pf @ 25V	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

FET，MOSFET（6056）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²