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FET，MOSFET（6056）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs （ciss）（最大（ciss） @ vds fet
DMN63D8LDW-13 Diodes Incorporated DMN63D8LDW-13 0.3100
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 DMN63 MOSFET （金属 o化物） 300MW SOT-363 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 10,000 2 n 通道（双） 30V 220mA 2.8ohm @ 250mA，10v 1.5V @ 250µA 0.87NC @ 10V 22pf @ 25V 逻辑级别门
NVMFWD016N06CT1G onsemi NVMFWD016N06CT1G 1.2195
RFQ
 ECAD 9923 0.00000000 Onmi 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 8-POWERTDFN NVMFWD016 MOSFET （金属 o化物） 3.1W（TA），36W（TC） 8-dfn（5x6）（SO8FL偶） - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 488-NVMFWD016N06CT1GTR Ear99 8541.29.0095 1,500 2 n 通道（双） 60V （9A）（ta），32a （TC） 16.3mohm @ 5A，10V 4V @ 25µA 6.9nc @ 10V 489pf @ 30V -
SP8M8FU6TB Rohm Semiconductor SP8M8FU6TB -
RFQ
 ECAD 7477 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） SP8M8 MOSFET （金属 o化物） 2W 8-sop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n和p通道 30V 6a，4.5a 30mohm @ 6a，10v 2.5V @ 1mA 10.1NC @ 5V 520pf @ 10V 逻辑级别门
MSCSM120AM042T6LIAG Microchip Technology MSCSM120AM042T6LIAG 771.2600
RFQ
 ECAD 9051 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 -40°C〜175°C（TJ） 底盘安装 模块 MSCSM120 （SIC） 2.031kW（TC） - 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 150-MSCSM120AM042T6LIAG Ear99 8541.29.0095 1 2 n 通道（相腿） 1200V（1.2kV） 495a（TC） 5.2MOHM @ 240A，20V 2.8V @ 18mA 1392NC @ 20V 18100pf @ 1000V -
IRF7303PBF Infineon Technologies IRF7303PBF -
RFQ
 ECAD 7134 0.00000000 Infineon技术 Hexfet® 管子 在sic中停产 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） IRF73 MOSFET （金属 o化物） 2W 8-so 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 SP001563422 Ear99 8541.29.0095 95 2 n 通道（双） 30V 4.9a 50mohm @ 2.4a，10v 1V @ 250µA 25nc @ 10V 520pf @ 25V -
BUK7K89-100E/1X Nexperia USA Inc. BUK7K89-100E/1X -
RFQ
 ECAD 8331 0.00000000 Nexperia USA Inc. 汽车，AEC-Q101 大部分 上次购买 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 SOT-12205，8-LFPAK56 BUK7K89 38W（TA） LFPAK56D - 1727-BUK7K89-100E/1X Ear99 8541.29.0095 1 100V 13A（TA） 82.5MOHM @ 5A，10V 4V @ 1mA 13.6nc @ 10V 811pf @ 25V 标准
ALD210814SCL Advanced Linear Devices Inc. ALD210814SCL 5.7256
RFQ
 ECAD 8896 0.00000000 高级线性设备公司 EPAD®，零阈值™ 管子 积极的 - 表面安装 16-Soic（0.154英寸，宽度为3.90mm） ALD210814 MOSFET （金属 o化物） 500MW 16-Soic - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 50 4 n n通道，匹配对 10.6V 80mA - 20mv @ 10µA - - 逻辑级别门
MMBT7002KDW-AQ Diotec Semiconductor MMBT7002KDW-AQ -
RFQ
 ECAD 7856 0.00000000 diotec半导体 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-VSSOP，SC-88，SOT-363 MOSFET （金属 o化物） 295MW SOT-363 - 不适用 不适用 供应商不确定 2796-MMBT7002KDW-AQTR 8541.21.0000 1 2 n通道 60V 300mA 3ohm @ 500mA，10v 1.75V @ 250µA 440pc @ 4.5V 21pf @ 25V 逻辑级别门
NTJD4105CT2 onsemi NTJD4105CT2 -
RFQ
 ECAD 8411 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 NTJD4105 MOSFET （金属 o化物） 270MW SC-88/SC70-6/SOT-363 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 n和p通道 20V，8V 630mA，775mA 375MOHM @ 630mA，4.5V 1.5V @ 250µA 3NC @ 4.5V 46pf @ 20V 逻辑级别门
DMN2024UFU-7 Diodes Incorporated DMN2024UFU-7 0.1832
RFQ
 ECAD 2440 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-UFDFN暴露垫 DMN2024 MOSFET （金属 o化物） 810MW（TA） U-DFN2030-6（B型） 下载 到达不受影响 31-DMN2024UFU-7TR Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双）公共来源 20V 7.5A（ta），21a（tc） 20.2MOHM @ 6.5A，4.5V 950mv @ 250µA 14.8nc @ 10V 647pf @ 10V -
IRF7389TR Infineon Technologies IRF7389Tr -
RFQ
 ECAD 5948 0.00000000 Infineon技术 Hexfet® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） IRF738 MOSFET （金属 o化物） 2.5W 8-so 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 4,000 n和p通道 30V - 29mohm @ 5.8A，10V 1V @ 250µA 33nc @ 10V 650pf @ 25V 逻辑级别门
PMDPB95XNE2X NXP Semiconductors PMDPB95XNE2X 0.0900
RFQ
 ECAD 8729 0.00000000 NXP半导体 * 大部分 积极的 PMDPB95 - 下载 供应商不确定 到达不受影响 2156-PMDPB95XNE2X-954 1 -
STS1DNF20 STMicroelectronics STS1DNF20 -
RFQ
 ECAD 3343 0.00000000 Stmicroelectronics - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 - - - sts1d - - - - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 - - - - - - - -
FDG6306P onsemi FDG6306P 0.6000
RFQ
 ECAD 7643 0.00000000 Onmi PowerTrench® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 FDG6306 MOSFET （金属 o化物） 300MW SC-88 （SC-70-6） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2（p 通道（双） 20V 600mA 420MOHM @ 600mA，4.5V 1.5V @ 250µA 2NC @ 4.5V 114pf @ 10V 逻辑级别门
IRF6802SDTR1PBF Infineon Technologies IRF6802SDTR1PBF -
RFQ
 ECAD 6271 0.00000000 Infineon技术 Hexfet® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜150°C（TJ） 表面安装 DirectFet™等距SA IRF6802 MOSFET （金属 o化物） 1.7W DirectFet™SA 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 2 n 通道（双） 25V 16a 4.2MOHM @ 16a，10v 2.1V @ 35µA 13nc @ 4.5V 1350pf @ 13V 逻辑级别门
DMN63D0LT-7 Diodes Incorporated DMN63D0LT-7 0.3600
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 DMN63 - - Rohs符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 -
G4614 Goford Semiconductor G4614 0.4700
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） MOSFET （金属 o化物） 1.9W（TC），2.66W（tc） 8-sop 下载 Rohs符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0000 4,000 n和p通道 40V 6A（TC），7A （TC） 35mohm @ 3a，10v，35mohm @ 2a，10v 2.5V @ 250µA，3V @ 250µA 15nc @ 10v，25nc @ 10V 523pf @ 20v，1217pf @ 20V 标准
UP0187B00L Panasonic Electronic Components UP0187B00L -
RFQ
 ECAD 4464 0.00000000 松下电子组件 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 125°C（TJ） 表面安装 SOT-665 UP0187 MOSFET （金属 o化物） 125MW SSMINI5-F2 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 8,000 2 n 通道（双） 30V 100mA 8ohm @ 10mA，4V 1.5V @ 1µA - 12pf @ 3V 逻辑级别门
NDC7002N_SB9G007 onsemi NDC7002N_SB9G007 -
RFQ
 ECAD 6205 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-23-6薄，TSOT-23-6 NDC7002 MOSFET （金属 o化物） 700MW SuperSot™-6 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道（双） 50V 510mA 2ohm @ 510mA，10v 2.5V @ 250µA 1NC @ 10V 20pf @ 25V 逻辑级别门
FDW2601NZ onsemi FDW2601NZ -
RFQ
 ECAD 1453 0.00000000 Onmi PowerTrench® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度） FDW26 MOSFET （金属 o化物） 1.6W 8-tssop 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（双）公共排水 30V 8.2a 15mohm @ 8.2a，4.5V 1.5V @ 250µA 30nc @ 4.5V 1840pf @ 15V 逻辑级别门
2N7002PS/ZLX NXP Semiconductors 2N7002PS/ZLX 0.2800
RFQ
 ECAD 35 0.00000000 NXP半导体 - 大部分 不适合新设计 150°C（TJ） 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 2N7002 MOSFET （金属 o化物） 6-TSSOP 下载 （1 （无限） 到达不受影响 2156-2N7002PS/ZLX-954 Ear99 8541.21.0095 1 2 n 通道（双） 60V 320mA 1.6ohm @ 500mA，10v 2.4V @ 250µA 0.8NC @ 4.5V 50pf @ 10V 逻辑级别门
SI5902DC-T1-E3 Vishay Siliconix SI5902DC-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 7164 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-SMD，平坦的铅 SI5902 MOSFET （金属 o化物） 1.1W 1206-8 chipfet™ 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 30V 2.9a 85mohm @ 2.9a，10v 1V @ 250µA（250µA） 7.5NC @ 10V - 逻辑级别门
SI5906DU-T1-GE3 Vishay Siliconix SI5906DU-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 9745 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 POWERPAK®CHIPFET™双重 SI5906 MOSFET （金属 o化物） 10.4W PowerPak®Chipfet双重 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 30V 6a 31MOHM @ 4.8A，10V 2.2V @ 250µA 8.6nc @ 10V 300pf @ 15V 逻辑级别门
AO4850L Alpha & Omega Semiconductor Inc. AO4850L -
RFQ
 ECAD 7413 0.00000000 Alpha＆欧米茄半导体公司 - 大部分 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） AO485 MOSFET （金属 o化物） 1.1W 8-SOIC - （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 2 n 通道（双） 75V 2.3a 130mohm @ 3.1a，10v 3V @ 250µA 7NC @ 10V 380pf @ 30V 逻辑级别门
NVLJD4007NZTAG onsemi NVLJD4007NZTAG -
RFQ
 ECAD 6549 0.00000000 Onmi 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-WDFN暴露垫 NVLJD4007 MOSFET （金属 o化物） 755MW 6-WDFN（2x2） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道（双） 30V 245mA 7ohm @ 125mA，4.5V 1.5V @ 100µA 0.75nc @ 4.5V 20pf @ 5V 逻辑级别门
PJL9809_R2_00001 Panjit International Inc. PJL9809_R2_00001 0.1992
RFQ
 ECAD 5105 0.00000000 Panjit International Inc. - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） PJL9809 MOSFET （金属 o化物） 1.25W（TA） 8-sop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 3757-PJL9809_R2_00001TR Ear99 8541.29.0095 2,500 2（p 通道（双） 30V 5.3a（ta） 30mohm @ 4A，10V 2.5V @ 250µA 7.8NC @ 4.5V 870pf @ 15V -
DMN63D1LDW-7 Diodes Incorporated DMN63D1LDW-7 0.0840
RFQ
 ECAD 2453 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 DMN63 MOSFET （金属 o化物） 310MW SOT-363 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道（双） 60V 250mA 2ohm @ 500mA，10v 2.5V @ 1mA 0.3NC @ 4.5V 30pf @ 25V -
DF23MR12W1M1B67BPSA1 Infineon Technologies DF23MR12W1M1B67BPSA1 -
RFQ
 ECAD 5829 0.00000000 Infineon技术 - 托盘 过时的 DF23MR12 - - 过时的 1 -
EFC2J017NUZTDG onsemi EFC2J017NUZTDG -
RFQ
 ECAD 8684 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 表面安装 6-XFBGA，WLCSP EFC2J017 MOSFET （金属 o化物） 2.5W 6-WLCSP（（1.77x3.05） - （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 5,000 2 n 通道（双）公共排水 - - - 1.3V @ 1mA 95nc @ 4.5V - 逻辑水平门，2.5V
VQ1006P-2 Vishay Siliconix VQ1006P-2 -
RFQ
 ECAD 5878 0.00000000 Vishay Siliconix - 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 - VQ1006 MOSFET （金属 o化物） 2W 14浸 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 25 4 n通道 90V 400mA 4.5OHM @ 1A，10V 2.5V @ 1mA - 60pf @ 25V 逻辑级别门
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

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    2800+

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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