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FET，MOSFET（6056）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs （ciss）（最大（ciss） @ vds fet
SIZ926DT-T1-GE3 Vishay Siliconix SIZ926DT-T1-GE3 1.3000
RFQ
 ECAD 221 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet®Geniv 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Powerwdfn SIZ926 MOSFET （金属 o化物） 20.2W，40W 8-Powerpair®（6x5） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 25V 40a（TC），60a tc（TC） 4.8mohm @ 5A，10V，2.2Mohm @ 8a，10v 2.2V @ 250µA 19nc @ 10v，41nc @ 10V 925pf @ 10V，2150pf @ 10V -
APTM10TDUM19PG Microsemi Corporation APTM10TDUM19PG -
RFQ
 ECAD 9406 0.00000000 Microsemi Corporation - 大部分 过时的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 SP6 APTM10 MOSFET （金属 o化物） 208W sp6-p 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 6 n通道（3相桥） 100V 70a 21mohm @ 35a，10v 4V @ 1mA 200NC @ 10V 5100pf @ 25V -
SI4670DY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4670DY-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 2066 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） SI4670 MOSFET （金属 o化物） 2.8W 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（双） 25V 8a 23mohm @ 7a，10v 2.2V @ 250µA 18NC @ 10V 680pf @ 13V 逻辑级别门
UPA677TB-T1-A Renesas Electronics America Inc UPA677TB-T1-A -
RFQ
 ECAD 4907 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - （CT） 上次购买 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 UPA677 MOSFET （金属 o化物） 200MW SC-88 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道（双） 20V 350mA 570MOHM @ 300mA，4.5V - - 28pf @ 10V 逻辑级别门
IRF7328TRPBF Infineon Technologies IRF7328TRPBF 1.8100
RFQ
 ECAD 71 0.00000000 Infineon技术 Hexfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） IRF732 MOSFET （金属 o化物） 2W 8-so 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 4,000 2（p 通道（双） 30V 8a 21mohm @ 8a，10v 2.5V @ 250µA 78nc @ 10V 2675pf @ 25V 逻辑级别门
AUIRF7303Q Infineon Technologies AUIRF7303Q -
RFQ
 ECAD 5128 0.00000000 Infineon技术 Hexfet® 管子 过时的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） AUIRF7103 MOSFET （金属 o化物） 2.4W 8-SOIC 下载 （1 （无限） 到达不受影响 SP001517242 Ear99 8541.29.0095 95 2 n 通道（双） 30V 5.3a 50mohm @ 2.7a，10v 3V @ 100µA 21NC @ 10V 515pf @ 25V 逻辑级别门
AON6908A Alpha & Omega Semiconductor Inc. AON6908A -
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 ECAD 7528 0.00000000 Alpha＆欧米茄半导体公司 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Powervdfn AON6908 MOSFET （金属 o化物） 1.9W，2.1W 8-DFN（5x6） 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（半桥） 30V 11.5a，17a 8.9mohm @ 11.5a，10v 2.4V @ 250µA 15nc @ 10V 1110pf @ 15V 逻辑级别门
IRF7379 Infineon Technologies IRF7379 -
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 ECAD 2239 0.00000000 Infineon技术 Hexfet® 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） IRF737 MOSFET （金属 o化物） 2.5W 8-so 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 *IRF7379 Ear99 8541.29.0095 95 n和p通道 30V 5.8a，4.3a 45MOHM @ 5.8A，10V 1V @ 250µA 25nc @ 10V 520pf @ 25V -
SI6969DQ-T1-E3 Vishay Siliconix SI6969DQ-T1-E3 -
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 ECAD 4252 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度） SI6969 MOSFET （金属 o化物） 1.1W 8-tssop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2（p 通道（双） 12V - 34mohm @ 4.6A，4.5V 450mv @ 250µA（250µA）） 40NC @ 4.5V - 逻辑级别门
ZXMC4559DN8TA Diodes Incorporated ZXMC4559DN8TA 1.2100
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 ECAD 3793 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） ZXMC4559 MOSFET （金属 o化物） 1.25W 8-so 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 500 n和p通道 60V 3.6a，2.6a 55MOHM @ 4.5A，10V 1V @ 250µA（250µA） 20.4NC @ 10V 1063pf @ 30V 逻辑级别门
SSM6N35AFE,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N35AFE，LF 0.4000
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 ECAD 43 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C 表面安装 SOT-563，SOT-666 SSM6N35 MOSFET （金属 o化物） 250MW ES6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 4,000 2 n 通道（双） 20V 250mA（ta） 1.1OHM @ 150mA，4.5V 1V @ 100µA 0.34NC @ 4.5V 36pf @ 10V 逻辑级别门，1.2V驱动器
SI1026X-T1-E3 Vishay Siliconix SI1026X-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 7760 0.00000000 Vishay Siliconix - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-563，SOT-666 SI1026 MOSFET （金属 o化物） 250MW SC-89（SOT-563F） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道（双） 60V 305mA 1.4OHM @ 500mA，10V 2.5V @ 250µA 0.6NC @ 4.5V 30pf @ 25V 逻辑级别门
BSO615CGXUMA1 Infineon Technologies BSO615CGXUMA1 1.1900
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 Infineon技术 Sipmos® 胶带和卷轴（（tr） 上次购买 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） BSO615 MOSFET （金属 o化物） 2W（TA） PG-DSO-8 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n和p通道 60V 3.1a（ta），2a（ta） 110mohm @ 3.1a，10v，300mohm @ 2a，10v 2V @ 20µA，2V @ 450µA 22.5nc @ 10v，20nc @ 10v 380pf @ 25V，460pf @ 25V 逻辑级别门
NVMD6N04R2G onsemi NVMD6N04R2G -
RFQ
 ECAD 9864 0.00000000 Onmi 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 过时的 - 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） NVMD6 MOSFET （金属 o化物） 1.29W 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（双） 40V 4.6a 34mohm @ 5.8A，10V 3V @ 250µA 30nc @ 10V 900pf @ 32V -
APTM08TDUM04PG Microsemi Corporation APTM08TDUM04PG -
RFQ
 ECAD 5382 0.00000000 Microsemi Corporation - 大部分 过时的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 SP6 APTM08 MOSFET （金属 o化物） 138W sp6-p 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 6 n通道（3相桥） 75V 120a 4.5mohm @ 60a，10v 4V @ 1mA 153nc @ 10V 4530pf @ 25V -
SH8K5TB1 Rohm Semiconductor SH8K5TB1 0.4190
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 ECAD 1361 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） SH8K5 MOSFET （金属 o化物） 2W 8-sop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（双） 30V 3.5a 83mohm @ 3.5A，10V 2.5V @ 1mA 3.5nc @ 5V 140pf @ 10V 逻辑级别门
CTLDM8120-M832DS TR Central Semiconductor Corp CTLDM8120-M832DS TR -
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 ECAD 9338 0.00000000 中央半导体公司 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -65°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-tdfn暴露垫 CTLDM8120 MOSFET （金属 o化物） 1.65W TLM832DS 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 2（p 通道（双） 20V 860ma（ta） 150MOHM @ 950mA，4.5V 1V @ 250µA 3.56NC @ 4.5V 200pf @ 16V -
SI5933DC-T1-E3 Vishay Siliconix SI5933DC-T1-E3 -
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 ECAD 6428 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-SMD，平坦的铅 SI5933 MOSFET （金属 o化物） 1.1W 1206-8 chipfet™ 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2（p 通道（双） 20V 2.7a 110MOHM @ 2.7a，4.5V 1V @ 250µA 7.7nc @ 4.5V - 逻辑级别门
FS50UM-3 Renesas Electronics America Inc FS50UM-3 4.4400
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 ECAD 8 0.00000000 Renesas Electronics America Inc * 大部分 积极的 FS50UM - 下载 不适用 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 0000.00.0000 1 -
FDMC8097AC onsemi FDMC8097AC 4.2900
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 ECAD 2 0.00000000 Onmi PowerTrench® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Powerwdfn FDMC8097 MOSFET （金属 o化物） 1.9W 8-Power33（3x3） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n和p通道 150V 2.4a（ta），900mA（TC） 155mohm @ 2.4a，10v 4V @ 250µA 6.2nc @ 10V 395pf @ 75V -
FDG6304P_D87Z onsemi FDG6304P_D87Z -
RFQ
 ECAD 2374 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 FDG6304 MOSFET （金属 o化物） 300MW SC-88 （SC-70-6） 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 10,000 2（p 通道（双） 25V 410mA 1.1OHM @ 410mA，4.5V 1.5V @ 250µA 1.5NC @ 4.5V 62pf @ 10V 逻辑级别门
2SJ662-DL-E Sanyo 2SJ662-DL-E 1.1600
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 ECAD 480 0.00000000 Sanyo * 大部分 积极的 2SJ662 - - 不适用 （1 （无限） 供应商不确定 0000.00.0000 1 -
NVMFD5485NLT3G onsemi NVMFD5485NLT3G -
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 ECAD 2733 0.00000000 Onmi 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 8-POWERTDFN NVMFD5483 MOSFET （金属 o化物） 2.9W 8-dfn（5x6）（SO8FL偶） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 5,000 2 n 通道（双） 60V 5.3a 44mohm @ 15a，10v 2.5V @ 250µA 20NC @ 10V 560pf @ 25V 逻辑级别门
DMP2110UFDB-7 Diodes Incorporated DMP2110UFDB-7 0.1038
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 ECAD 6993 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-udfn暴露垫 DMP2110 MOSFET （金属 o化物） 820MW（TA） U-DFN2020-6（B型） 下载 到达不受影响 31-DMP2110UFDB-7TR Ear99 8541.29.0095 3,000 2（p 通道（双） 20V 3.2A（ta） 75MOHM @ 2.8a，4.5V 1V @ 250µA 12.7nc @ 8v 443pf @ 10V -
UPA2380T1P-E4-A Renesas Electronics America Inc UPA2380T1P-E4-A -
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 ECAD 7543 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C 表面安装 4-xflga UPA2380 MOSFET （金属 o化物） 1.15W（TA） 4-eflip-lga（1.11x1.11） - （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 5,000 2 n 通道（双）公共排水 12V 4A（ta） 32.5MOHM @ 2A，4.5V 1.5V @ 1mA 6.3nc @ 4V 615pf @ 10V 逻辑水平门，2.5V
ZXMHC3F381N8TC Diodes Incorporated ZXMHC3F381N8TC 1.0400
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 ECAD 126 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） ZXMHC3F381 MOSFET （金属 o化物） 870MW 8-so 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 2,500 2n和2p通道（半桥） 30V 3.98a，3.36a 33mohm @ 5A，10V 3V @ 250µA 9NC @ 10V 430pf @ 15V 逻辑级别门
SSM6N39TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N39TU，LF 0.4900
RFQ
 ECAD 7160 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C 表面安装 6-SMD，平坦的铅 SSM6N39 MOSFET （金属 o化物） 500MW UF6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道（双） 20V 1.6a（ta） 119MOHM @ 1A，4V 1V @ 1mA 7.5nc @ 4V 260pf @ 10V -
ALD1106SBL Advanced Linear Devices Inc. ALD1106SBL 6.0100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 高级线性设备公司 - 管子 积极的 0°C 〜70°C（TJ） 表面安装 14- 材料（ 0.154英寸，宽度为3.90mm） ALD1106 MOSFET （金属 o化物） 500MW 14-Soic 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 1014-1013 Ear99 8541.21.0095 50 4 n n通道，匹配对 10.6V - 500OHM @ 5V 1V @ 1µA - 3pf @ 5V -
STM1683411 ADI STM1683411 1.0000
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 ECAD 1951年 0.00000000 模拟设备公司 * 大部分 积极的 STM16834 - - 不适用 3（168）） 供应商不确定 Ear99 8542.39.0001 1 -
CSD86356Q5DT Texas Instruments CSD86356Q5DT 2.8700
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 ECAD 8743 0.00000000 Texas Instruments NexFet™ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-POWERTDFN CSD86356 MOSFET （金属 o化物） 12W（ta） 8-VSON-CLIP（5x6） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 250 2 n 通道（半桥） 25V 40a（ta） 4.5MOHM @ 20a，5v，0.8Mohm @ 20a，5v 1.85V @ 250µA，1.5V @ 250µA 7.9nc @ 4.5V，19.3nc @ 4.5V 1040pf @ 12.5V，2510pf @ 12.5V 逻辑水平门，5v驱动器
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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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