SIC
close

FET，MOSFET（6056）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs （ciss）（最大（ciss） @ vds fet
STS4DPF20L STMicroelectronics STS4DPF20L 1.7600
RFQ
 ECAD 125 0.00000000 Stmicroelectronics StripFet™ 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） STS4D MOSFET （金属 o化物） 1.6W 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2（p 通道（双） 20V 4a 80mohm @ 2a，10v 2.5V @ 250µA 16nc @ 5V 1350pf @ 25V 逻辑级别门
ALD212908PAL Advanced Linear Devices Inc. ALD212908PAL 5.6826
RFQ
 ECAD 7632 0.00000000 高级线性设备公司 EPAD®，零阈值™ 管子 积极的 0°C 〜70°C（TJ） 通过洞 8 点点（0.300英寸，7.62mm） ALD212908 MOSFET （金属 o化物） 500MW 8-pdip 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 50 2（n n 通道（双） 10.6V 80mA - 20mv @ 10µA - - 逻辑级别门
AON6936 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AON6936 -
RFQ
 ECAD 2571 0.00000000 Alpha＆欧米茄半导体公司 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Powervdfn AON693 MOSFET （金属 o化物） 3.6W，4.3W 8-DFN（5x6） 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（半桥） 30V 22a，40a 4.9mohm @ 20a，10v 2.5V @ 250µA 24NC @ 10V 984pf @ 15V 逻辑级别门
SQ1922AEEH-T1_GE3 Vishay Siliconix SQ1922AEEH-T1_GE3 0.4600
RFQ
 ECAD 27 0.00000000 Vishay Siliconix 汽车，AEC-Q101，Trenchfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 SQ1922 MOSFET （金属 o化物） 1.5W（TC） SC-70-6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 20V 850mA（TC） 300MOHM @ 400mA，4.5V 2.5V @ 250µA 1.2nc @ 4.5V 60pf @ 10V -
SH8M41TB1 Rohm Semiconductor SH8M41TB1 1.6300
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） SH8M41 MOSFET （金属 o化物） 2W 8-sop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n和p通道 80V 3.4a，2.6a 130MOHM @ 3.4A，10V 2.5V @ 1mA 9.2nc @ 5V 600pf @ 10V 逻辑级别门
NTTD1P02R2G onsemi NTTD1P02R2G -
RFQ
 ECAD 2896 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-tssop，8-msop（0.118英寸，3.00mm宽度） NTTD1 MOSFET （金属 o化物） 500MW 8-msop 下载 （1 （无限） 到达不受影响 NTTD1P02R2GOS Ear99 8541.21.0095 4,000 2（p 通道（双） 20V 1.45a 160MOHM @ 1.45a，4.5V 1.4V @ 250µA 10NC @ 4.5V 265pf @ 16V 逻辑级别门
APTM120A15FG Microchip Technology APTM120A15FG 377.7625
RFQ
 ECAD 8870 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 SP6 APTM120 MOSFET （金属 o化物） 1250W SP6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 2 n 通道（半桥） 1200V（1.2kV） 60a 175mohm @ 30a，10v 5V @ 10mA 748nc @ 10V 20600pf @ 25V -
STM168026V ADI STM168026V -
RFQ
 ECAD 9749 0.00000000 模拟设备公司 * 大部分 积极的 STM168026 - - 不适用 3（168）） 供应商不确定 Ear99 8542.39.0001 1 -
PJQ5866A_R2_00001 Panjit International Inc. PJQ5866A_R2_00001 0.8700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Panjit International Inc. - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-POWERTDFN PJQ5866 MOSFET （金属 o化物） 1.7W（TA），56W（tc） DFN5060B-8 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 60V （7a ta），40a（tc） 17mohm @ 20a，10v 2.5V @ 250µA 13.5nc @ 4.5V 1574pf @ 25V -
DMN63D1LDW-13 Diodes Incorporated DMN63D1LDW-13 -
RFQ
 ECAD 4629 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 DMN63 MOSFET （金属 o化物） 310MW SOT-363 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 10,000 2 n 通道（双） 60V 250mA 2ohm @ 500mA，10v 2.5V @ 1mA 0.3NC @ 4.5V 30pf @ 25V -
SH8J65TB1 Rohm Semiconductor SH8J65TB1 1.8600
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） SH8J65 MOSFET （金属 o化物） 2W 8-sop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2（p 通道（双） 30V 7a 29mohm @ 7a，10v 2.5V @ 1mA 18NC @ 5V 1200pf @ 10V 逻辑级别门
KFC4B22690L Nuvoton Technology Corporation KFC4B22690L 0.1620
RFQ
 ECAD 1345 0.00000000 Nuvoton Technology Corporation 汽车，AEC-Q100 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C 表面安装 4-XFLGA，CSP KFC4 MOSFET （金属 o化物） 420MW（TA） 4-CSP （1.1x1.1） - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 816-KFC4B22690LTR Ear99 8541.29.0095 20,000 - 20V 3.4a（ta） 32MOHM @ 1.7A，4.5V 1.4V @ 160µA 4.5NC @ 4V 426pf @ 10V 标准
DMP3164LVT-7 Diodes Incorporated DMP3164LVT-7 0.4700
RFQ
 ECAD 785 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-23-6薄，TSOT-23-6 DMP3164 MOSFET （金属 o化物） TSOT-26 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2（p 通道（双） 2.8A（ta） 95MOHM @ 2.7a，10V 2.1V @ 250µA -
MSCSM120HM083AG Microchip Technology MSCSM120HM083AG 685.2500
RFQ
 ECAD 2170 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 -40°C〜175°C（TJ） 底盘安装 模块 MSCSM120 （SIC） 1.042kW（TC） - 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 150-MSCSM120HM083AG Ear99 8541.29.0095 1 （4 n 通道（全桥） 1200V（1.2kV） 251A（TC） 10.4mohm @ 120A，20V 2.8V @ 9mA 696nc @ 20V 9000pf @ 1000V -
2N7002DWL-TP Micro Commercial Co 2N7002DWL-TP -
RFQ
 ECAD 1980 0.00000000 微商业公司 - 大部分 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-23-6 2N7002 MOSFET （金属 o化物） 225MW SOT-23-6L 下载 353-2N7002DWL-TP Ear99 8541.21.0095 1 2 n 通道（双） 60V 115mA 4.5OHM @ 500mA，10V 2.5V @ 250µA - 50pf @ 25V -
MCQ7328-TP Micro Commercial Co MCQ7328-TP 0.7000
RFQ
 ECAD 39 0.00000000 微商业公司 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） MCQ7328 MOSFET （金属 o化物） 1.4W 8-sop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 4,000 2（p 通道（双） 30V 8a 21mohm @ 8a，10v 2.5V @ 250µA 78nc @ 10V 2675pf @ 25V -
AO4801AS Alpha & Omega Semiconductor Inc. AO4801AS -
RFQ
 ECAD 4157 0.00000000 Alpha＆欧米茄半导体公司 * 大部分 过时的 - - AO480 - - - （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 -
SI4804BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4804BDY-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 9473 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） SI4804 MOSFET （金属 o化物） 1.1W 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（双） 30V 5.7a 22mohm @ 7.5a，10v 3V @ 250µA 11NC @ 4.5V - 逻辑级别门
DMC2053UFDBQ-7 Diodes Incorporated DMC2053UFDBQ-7 0.1262
RFQ
 ECAD 8199 0.00000000 二极管合并 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-udfn暴露垫 DMC2053 MOSFET （金属 o化物） 820MW（TA） U-DFN2020-6（B型） 下载 到达不受影响 31-DMC2053UFDBQ-7TR Ear99 8541.29.0095 3,000 n和p通道 20V 4.6a（ta），3.1a（ta） 35MOHM @ 5A，4.5V，75MOHM @ 3.5A，4.5V 1V @ 250µA 7.7nc @ 10v，12.7nc @ 8v 369pf @ 10V，440pf @ 10V -
AO4801AL_001 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AO4801AL_001 -
RFQ
 ECAD 1173 0.00000000 Alpha＆欧米茄半导体公司 - 大部分 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） AO480 MOSFET （金属 o化物） 2W 8-SOIC 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 2（p 通道（双） 30V 5a 48mohm @ 5a，10v 1.3V @ 250µA 9NC @ 4.5V 780pf @ 15V 逻辑级别门
FDS6984S Fairchild Semiconductor FDS6984S 1.3800
RFQ
 ECAD 115 0.00000000 Fairchild半导体 PoterTrench®，SyncFet™ 大部分 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） FDS69 MOSFET （金属 o化物） 900MW 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 Ear99 8541.21.0095 2,500 2 n 通道（双） 30V 5.5a，8.5a 19mohm @ 8.5a，10v 3V @ 250µA 12nc @ 5V 1233pf @ 15V 逻辑级别门
ALD110908PAL Advanced Linear Devices Inc. ALD110908PAL 5.7472
RFQ
 ECAD 9978 0.00000000 高级线性设备公司 epad® 管子 积极的 0°C 〜70°C（TJ） 通过洞 8 点点（0.300英寸，7.62mm） ALD110908 MOSFET （金属 o化物） 500MW 8-pdip 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 1014-1040 Ear99 8541.21.0095 50 2（n n 通道（双） 10.6V 12mA，3mA 500OHM @ 4.8V 820mv @ 1µA - 2.5pf @ 5V -
SH8K10SGZETB Rohm Semiconductor SH8K10SGZETB 1.3800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） SH8K10 MOSFET （金属 o化物） 1.4W（TA） 8-sop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（双） 30V （7A）（ta），8.5A（8.5A） 24mohm @ 7a，10v，19.6mohm @ 8.5a，10v 2.5V @ 1mA 16.8nc @ 5v，17.8nc @ 5v 660pf @ 10V，830pf @ 10V -
CTLDM7181-M832D TR Central Semiconductor Corp CTLDM7181-M832D TR -
RFQ
 ECAD 7360 0.00000000 中央半导体公司 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -65°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-tdfn暴露垫 CTLDM7181 MOSFET （金属 o化物） 1.65W TLM832D 下载 1514-CTLDM7181-M832DTR Ear99 8541.29.0095 1 2 n 通道（双） 20V 1a 100mohm @ 500mA，4.5V 1.2V @ 1mA 2.4NC @ 4.5V 220pf @ 10V -
GMM3X100-01X1-SMDSAM IXYS GMM3X100-01X1-SMDSAM -
RFQ
 ECAD 1276 0.00000000 ixys - 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 24-smd，海鸥翼 GMM3x100 MOSFET （金属 o化物） - 24-SMD 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 6 n通道（3相桥） 100V 90a - 4.5V @ 1mA 90NC @ 10V - -
SIR770DP-T1-GE3 Vishay Siliconix SIR770DP-T1-GE3 1.1800
RFQ
 ECAD 7601 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 POWERPAK®SO-8 Sir770 MOSFET （金属 o化物） 17.8W POWERPAK®SO-8 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 30V 8a 21mohm @ 8a，10v 2.8V @ 250µA 21NC @ 10V 900pf @ 15V 逻辑级别门
EM6J1T2CR Rohm Semiconductor EM6J1T2CR -
RFQ
 ECAD 2540 0.00000000 Rohm半导体 * 胶带和卷轴（（tr） 积极的 EM6J1 - - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 846-EM6J1T2CRTR Ear99 8541.21.0095 8,000 -
DMTH6016LSDQ-13 Diodes Incorporated DMTH6016LSDQ-13 1.1400
RFQ
 ECAD 16 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） DMTH6016 MOSFET （金属 o化物） 1.4W，1.9W 8-so 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（双） 60V 7.6a（ta） 19.5mohm @ 10a，10v 2.5V @ 250µA 17NC @ 10V 864pf @ 30V -
FMM150-0075P IXYS FMM150-0075p -
RFQ
 ECAD 7089 0.00000000 ixys - 管子 过时的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 I4-PAC™-5 FMM MOSFET （金属 o化物） - ISOPLUS I4-PAC™ 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 24 2 n 通道（双） 75V 150a 4.2MOHM @ 120A，10V 4V @ 1mA 225nc @ 10V - -
ECH8654-TL-H onsemi ECH8654-TL-H 0.7900
RFQ
 ECAD 196 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 8-SMD，平坦的铅 ECH8654 MOSFET （金属 o化物） 1.5W 8-ech 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2（p 通道（双） 20V 5a 38mohm @ 3A，4.5V - 11NC @ 4.5V 960pf @ 10V 逻辑级别门
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

RFQ列表（0项）
购物车列表（0个项目）
Wishlist愿望清单（0个项目）
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

数量：1

比较列表（0项）
点击Enter进行搜索或ESC关闭