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FET，MOSFET（6056）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs （ciss）（最大（ciss） @ vds fet
APTC60AM83BC1G Microsemi Corporation APTC60AM83BC1G -
RFQ
 ECAD 8492 0.00000000 Microsemi Corporation coolmos™ 托盘 过时的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 SP1 APTC60 MOSFET （金属 o化物） 250W SP1 - （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 3 n通道（相腿 +升压斩波器） 600V 36a 83MOHM @ 24.5A，10V 5V @ 3mA 250NC @ 10V 7200pf @ 25V 超交界处
SSM6P49NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6P49NU，LF 0.4200
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 6-WDFN暴露垫 SSM6P49 MOSFET （金属 o化物） 1W 6-udfn （2x2） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 2（p 通道（双） 20V 4a 45MOHM @ 3.5A，10V 1.2V @ 1mA 6.74NC @ 4.5V 480pf @ 10V 逻辑级别门
SI4830CDY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4830CDY-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 2801 0.00000000 Vishay Siliconix Littlefoot® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） SI4830 MOSFET （金属 o化物） 2.9W 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（半桥） 30V 8a 20mohm @ 8a，10v 3V @ 1mA 25nc @ 10V 950pf @ 15V 逻辑级别门
MSCSM170AM058CT6AG Microchip Technology MSCSM170AM058CT6AG 996.4300
RFQ
 ECAD 1888年 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 -40°C〜175°C（TJ） 底盘安装 模块 MSCSM170 （SIC） 1.642kW（TC） - 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 150-MSCSM170AM058CT6AG Ear99 8541.29.0095 1 2 n 通道（相腿） 1700V（（1.7kV） 353A（TC） 7.5MOHM @ 180a，20V 3.3V @ 15mA 1068nc @ 20V 19800pf @ 1000V -
DMC3025LSDQ-13 Diodes Incorporated DMC3025LSDQ-13 0.6600
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 ECAD 3 0.00000000 二极管合并 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） DMC3025 MOSFET （金属 o化物） 1.2W（TA） 8-so 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n和p通道 30V 6.5A（ta），4.2a（ta） 20mohm @ 7.4a，10v，45mohm @ 5.2a，10v 2V @ 250µA 4.6NC @ 4.5V，5.1NC @ 4.5V 501pf @ 15V，590pf @ 25V -
IRF7901D1TR Infineon Technologies IRF7901D1TR -
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 ECAD 5097 0.00000000 Infineon技术 Fetky™ 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） IRF7901 MOSFET （金属 o化物） 2W 8-so 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 4,000 2 n 通道（双） 30V 6.2a 38mohm @ 5A，4.5V 1V @ 250µA 10.5NC @ 5V 780pf @ 16V 逻辑级别门
FDMS7602S onsemi FDMS7602S 1.5800
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 ECAD 8 0.00000000 Onmi PowerTrench® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Powerwdfn FDMS7602 MOSFET （金属 o化物） 1W Power56 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 30V 12a，17a 7.5mohm @ 12a，10v 3V @ 250µA 28nc @ 10V 1750pf @ 15V 逻辑级别门
ALD111910PAL Advanced Linear Devices Inc. ALD111910PAL -
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 ECAD 4901 0.00000000 高级线性设备公司 - 管子 过时的 - - - ALD111910 - - - - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 1014-1220 Ear99 8541.29.0095 50 - - - - - - - -
2N7002HSX Nexperia USA Inc. 2N7002HSX 0.4200
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 ECAD 7 0.00000000 Nexperia USA Inc. 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜150°C（TA） 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 2N7002 - 420MW 6-TSSOP 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道（双） 60V 320mA（TA） 1.6ohm @ 500mA，10v 2.5V @ 250µA 0.5NC @ 4.5V 34pf @ 10V -
FDMS7620S-F106 onsemi FDMS7620S-F106 0.5342
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 ECAD 3656 0.00000000 Onmi PowerTrench® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 8-Powerwdfn FDMS7620 MOSFET （金属 o化物） 1W Power56 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（半桥） 30V 10.1a，12.4a 20mohm @ 10.1a，10v 3V @ 250µA 11NC @ 10V 608pf @ 15V -
AO4801HL Alpha & Omega Semiconductor Inc. AO4801HL -
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 ECAD 9406 0.00000000 Alpha＆欧米茄半导体公司 * 大部分 过时的 - - AO480 - - - （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 -
SP8K32TB1 Rohm Semiconductor SP8K32TB1 -
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 ECAD 8956 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） SP8K32 MOSFET （金属 o化物） 2W（TA） 8-sop - rohs3符合条件 （1 （无限） 846-SP8K32TB1TR Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（双） 60V 4.5A（ta） 65mohm @ 4.5A，10V 2.5V @ 1mA 10NC @ 5V 500pf @ 10V 逻辑水平门，4V驱动器
FDD8426H onsemi FDD8426H -
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 ECAD 6901 0.00000000 Onmi PowerTrench® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-252-5，DPAK（ + 4 +选项卡，TO-252AD FDD8426 MOSFET （金属 o化物） 1.3W TO-252（DPAK） 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n和p通道 40V 12a，10a 12MOHM @ 12A，10V 3V @ 250µA 53nc @ 10V 2735pf @ 20V 逻辑级别门
IRF7509TR Infineon Technologies IRF7509Tr -
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 ECAD 7299 0.00000000 Infineon技术 Hexfet® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-tssop，8-msop（0.118英寸，3.00mm宽度） IRF7509 MOSFET （金属 o化物） 1.25W micro8™ 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 4,000 n和p通道 30V 2.7a，2a 110MOHM @ 1.4A，10V 1V @ 250µA 12nc @ 10V 210pf @ 25V 逻辑级别门
BSO615CT Infineon Technologies BSO615CT -
RFQ
 ECAD 8787 0.00000000 Infineon技术 Sipmos® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） BSO615 MOSFET （金属 o化物） 2W PG-DSO-8 下载 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n和p通道 60V 3.1a，2a 110MOHM @ 3.1A，10V 2V @ 20µA 22.5nc @ 10V 380pf @ 25V 逻辑级别门
MCH6663-TL-H onsemi MCH6663-TL-H -
RFQ
 ECAD 3918 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-SMD，平坦的铅 MCH6663 MOSFET （金属 o化物） 800MW 6-MCPH 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 n和p通道 30V 1.8a，1.5a 188mohm @ 900mA，10v - 2NC @ 10V 88pf @ 10V 逻辑级别门
SI4920DY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4920DY-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 6681 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） SI4920 MOSFET （金属 o化物） 2W 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（双） 30V - 25mohm @ 6.9a，10v 1V @ 250µA（250µA） 23nc @ 5V - 逻辑级别门
IRF8313TRPBF International Rectifier IRF8313TRPBF -
RFQ
 ECAD 9989 0.00000000 国际整流器 Hexfet® 大部分 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） IRF8313 MOSFET （金属 o化物） 2W 8-so 下载 0000.00.0000 1 2 n 通道（双） 30V 9.7a 15.5MOHM @ 9.7A，10V 2.35V @ 25µA 9NC @ 4.5V 760pf @ 15V 逻辑级别门
IPG20N04S4L11ATMA1 Infineon Technologies IPG20N04S4L11ATMA1 1.5300
RFQ
 ECAD 18 0.00000000 Infineon技术 汽车，AEC-Q101，Optimos™ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 8-Powervdfn IPG20N MOSFET （金属 o化物） 41W PG-TDSON-8-4 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 5,000 2 n 通道（双） 40V 20a 11.6mohm @ 17a，10v 2.2V @ 15µA 26NC @ 10V 1990pf @ 25V 逻辑级别门
DMC3025LNS-7 Diodes Incorporated DMC3025LNS-7 0.2138
RFQ
 ECAD 4325 0.00000000 二极管合并 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Powervdfn DMC3025 MOSFET （金属 o化物） 1.2W（TA） PowerDI3333-8 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,000 n和p通道互补 30V 7.2A（ta），6.8a ta（6.8a） 25mohm @ 7a，10v，28mohm @ 7a，10v 2V @ 250µA 4.6nc @ 4.5V，9.5NC @ 4.5V 500pf @ 15V，1188pf @ 15V -
TSM110NB04DCR RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM110NB04DCR RLG 2.6000
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 ECAD 15 0.00000000 台湾半导体公司 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜155°C（TJ） 表面安装 8-POWERTDFN TSM110 MOSFET （金属 o化物） 2W（TA），48W（tc） 8-pdfn（5x6） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（双） 40V 10a（10A），48a tc（TC） 11mohm @ 10a，10v 4V @ 250µA 25nc @ 10V 1506pf @ 20V -
PSMN013-60HLX Nexperia USA Inc. PSMN013-60HLX 1.9000
RFQ
 ECAD 100 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 SOT-12205，8-LFPAK56 PSMN013 MOSFET （金属 o化物） 64W（TA） LFPAK56D 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,500 2 n 通道（双） 60V 40a（ta） 12.5MOHM @ 10A，5V 2.1V @ 1mA 22.4NC @ 5V 2953pf @ 25V -
FDMB3800N onsemi FDMB3800N 1.3400
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 Onmi PowerTrench® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Powerwdfn FDMB3800 MOSFET （金属 o化物） 750MW 8-MLP，微型FOFET （3x1.9） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道（双） 30V 4.8a 40mohm @ 4.8A，10V 3V @ 250µA 5.6nc @ 5V 465pf @ 15V 逻辑级别门
NXH040F120MNF1PTG onsemi NXH040F120MNF1PTG 122.7500
RFQ
 ECAD 8588 0.00000000 Onmi - 托盘 积极的 -40°C〜175°C（TJ） 底盘安装 模块 NXH040 （SIC） 74W（TJ） 22-PIM （33.8x42.5） 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 488-NXH040F120MNF1PTG Ear99 8541.29.0095 28 4 n通道 1200V（1.2kV） 30A（TC） 56mohm @ 25a，20v 4.3V @ 10mA 122.1NC @ 20V 1505pf @ 800V -
VN0606M Siliconix VN0606M 0.3900
RFQ
 ECAD 26 0.00000000 硅 * 大部分 积极的 VN0606 - 下载 不适用 （1 （无限） 供应商不确定 Ear99 0000.00.0000 1 -
BSO330N02KG Infineon Technologies BSO330N02KG 0.2300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Infineon技术 Optimos™ 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） BSO330N02 MOSFET （金属 o化物） 1.4W PG-DSO-8 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（双） 20V 5.4a 30mohm @ 6.5a，4.5V 1.2V @ 20µA 4.9nc @ 4.5V 730pf @ 10V 逻辑级别门
FQP3N50CTF Fairchild Semiconductor FQP3N50CTF 0.3700
RFQ
 ECAD 1431 0.00000000 Fairchild半导体 * 大部分 积极的 fqp3n - - 不适用 （1 （无限） 供应商不确定 724 -
G4953S Goford Semiconductor G4953S 0.0970
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） G4953 MOSFET （金属 o化物） 2.5W（TC） 8-sop 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 4,000 2（p 通道（双） 30V 5A（TC） 60mohm @ 5a，10v 3V @ 250µA 11NC @ 10V 520pf @ 15V -
FQPF6N50C Fairchild Semiconductor FQPF6N50C 0.6600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Fairchild半导体 * 大部分 积极的 FQPF6N - - 不适用 （1 （无限） 供应商不确定 1 -
ALD212908SAL Advanced Linear Devices Inc. ALD212908SAL 5.6228
RFQ
 ECAD 5921 0.00000000 高级线性设备公司 EPAD®，零阈值™ 管子 积极的 0°C 〜70°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） ALD212908 MOSFET （金属 o化物） 500MW 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 50 2（n n 通道（双） 10.6V 80mA - 20mv @ 10µA - - 逻辑级别门
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196-LFBGA裸露的垫子

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