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FET，MOSFET（6056）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs （ciss）（最大（ciss） @ vds fet
ALD110808APCL Advanced Linear Devices Inc. ALD110808APCL 9.9446
RFQ
 ECAD 5951 0.00000000 高级线性设备公司 epad® 管子 积极的 0°C 〜70°C（TJ） 通过洞 16 浸（0.300英寸，7.62mm） ALD110808 MOSFET （金属 o化物） 500MW 16-PDIP 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 1014-1024 Ear99 8541.21.0095 50 4 n n通道，匹配对 10.6V 12mA，3mA 500OHM @ 4.8V 810mv @ 1µA - 2.5pf @ 5V -
EAB450M12XM3 Wolfspeed, Inc. EAB450M12XM3 1.0000
RFQ
 ECAD 8202 0.00000000 Wolfspeed，Inc。 - 盒子 积极的 -40°C〜175°C（TJ） 底盘安装 模块 EAB450 （SIC） 50MW - 下载 不适用 1697-EAB450M12XM3 Ear99 8541.29.0095 1 2 n 通道（半桥） 1200V（1.2kV） 450a（TC） 3.7MOHM @ 450a，15v 3.6V @ 132mA 1330nc @ 15V 38000pf @ 800V -
DF8MR12W2M1C03BOMA1 Infineon Technologies DF8MR12W2M1C03BOMA1 -
RFQ
 ECAD 2097 0.00000000 Infineon技术 - 托盘 过时的 DF8MR12 - - 过时的 1 -
2SK2631-E Sanyo 2SK2631-E 0.3600
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Sanyo * 大部分 积极的 2SK2631 - - 不适用 （1 （无限） 供应商不确定 902 -
DF23MR12W1M1PB11BPSA1 Infineon Technologies DF23MR12W1M1PB11BPSA1 88.2400
RFQ
 ECAD 24 0.00000000 Infineon技术 EasyPack™ 托盘 过时的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 模块 DF23MR12 （SIC） 20mw Ag-Easy1b-2 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 2156-DF23MR12W1M1PB11BPSA1-448 Ear99 8541.21.0095 30 2 n 通道（双） 1200V（1.2kV） 25A（TJ） 45mohm @ 25a，15v 5.55V @ 10mA 62nc @ 15V 1840pf @ 800V -
FF6MR12KM1BOSA1 Infineon Technologies FF6MR12KM1BOSA1 -
RFQ
 ECAD 6333 0.00000000 Infineon技术 COOLSIC™ 托盘 过时的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 模块 FF6MR12 MOSFET （金属 o化物） - AG-62mm 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 10 2 n 通道（半桥） 1200V（1.2kV） 250A（TC） 5.81MOHM @ 250A，15V 5.15V @ 80mA 496nc @ 15V 14700pf @ 800V -
SIZ988DT-T1-GE3 Vishay Siliconix SIZ988DT-T1-GE3 1.2800
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Powerwdfn SIZ988 MOSFET （金属 o化物） 20.2W，40W 8-PowerPair® 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 30V 40a（TC），60a tc（TC） 7.5mohm @ 10a，10v，4.1Mohm @ 19a，10v 2.4V @ 250µA，2.2V @ 250µA 10.5nc @ 4.5V，23.1nc @ 4.5V 1000pf @ 15V，2425pf @ 15V -
DMN63D8LDWQ-7 Diodes Incorporated DMN63D8LDWQ-7 0.3900
RFQ
 ECAD 330 0.00000000 二极管合并 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 DMN63 MOSFET （金属 o化物） 300MW SOT-363 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道（双） 30V 220mA 2.8ohm @ 250mA，10v 1.5V @ 250µA 0.87NC @ 10V 22pf @ 25V -
G120P03S2 Goford Semiconductor G120P03S2 0.8000
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 ECAD 4 0.00000000 戈福德半导体 Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） G120 MOSFET （金属 o化物） 1.4W（TC） 8-sop 下载 Rohs符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.29.0000 4,000 30V 16A（TC） 14mohm @ 10a，10v 2.5V @ 250µA 35nc @ 10V 2835pf @ 15V 标准
PJT7600_R1_00001 Panjit International Inc. PJT7600_R1_00001 0.4900
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Panjit International Inc. - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 PJT7600 MOSFET （金属 o化物） 350MW（TA） SOT-363 - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 3757-PJT7600_R1_00001TR Ear99 8541.21.0095 3,000 n和p通道互补 20V （1A）（700mA ta）（ta） 150MOHM @ 1A，4.5V，325MOHM @ 700mA，4.5V 1V @ 250µA 1.6NC @ 4.5V，2.2NC @ 4.5V 92pf @ 10V，151pf @ 10V -
FQB12N50TM Fairchild Semiconductor FQB12N50TM 1.0700
RFQ
 ECAD 24 0.00000000 Fairchild半导体 * 大部分 积极的 FQB12N - - 不适用 （1 （无限） 供应商不确定 Ear99 8542.39.0001 800 -
DMTH10H038SPDWQ-13 Diodes Incorporated DMTH10H038SPDWQ-13 0.4154
RFQ
 ECAD 4671 0.00000000 二极管合并 汽车，AEC-Q101 大部分 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 8-POWERTDFN DMTH10 MOSFET （金属 o化物） 2.7W（TA），39W（tc） PowerDI5060-8（type UXD） 下载 31-DMTH10H038SPDWQ-13 Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n通道 100V 25A（TC） 33mohm @ 10a，10v 4V @ 250µA 8NC @ 10V 544pf @ 50V 标准
GWM220-004P3-SMD SAM IXYS GWM220-004P3-SMD SAM -
RFQ
 ECAD 6011 0.00000000 ixys - 管子 过时的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 17-SMD，鸥翼 GWM220 MOSFET （金属 o化物） - ISOPLUS-DIL™ 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 6 n通道（3相桥） 40V 180a - 4V @ 1mA 94NC @ 10V - -
AON6812 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AON6812 -
RFQ
 ECAD 4479 0.00000000 Alpha＆欧米茄半导体公司 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-SMD，平坦的铅裸垫 AON681 MOSFET （金属 o化物） 4.1W 8-DFN-EP（5x6） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双）公共排水 30V 27a 4mohm @ 20a，10v 2.2V @ 250µA 34NC @ 10V 1720pf @ 15V 逻辑级别门
APTC60AM242G Microsemi Corporation APTC60AM242G -
RFQ
 ECAD 9968 0.00000000 Microsemi Corporation coolmos™ 大部分 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 模块 APTC60 MOSFET （金属 o化物） 462W - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 2 n 通道（半桥） 600V 95a 24mohm @ 47.5A，10V 3.9V @ 5mA 300NC @ 10V 14400pf @ 25V -
SP8K32FRATB Rohm Semiconductor SP8K32FRATB 0.7343
RFQ
 ECAD 8020 0.00000000 Rohm半导体 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） SP8K32 MOSFET （金属 o化物） 2W 8-sop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（双） 60V 4.5A（ta） 65mohm @ 4.5A，10V 2.5V @ 1mA 10NC @ 5V 500pf @ 10V -
DMTH4011SPDQ-13 Diodes Incorporated DMTH4011SPDQ-13 1.0200
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 二极管合并 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 8-POWERTDFN DMTH4011 MOSFET （金属 o化物） 2.6W（ta） PowerDI5060-8 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（双） 40V 11.1A（TA），42A （TC） 15mohm @ 20a，10v 4V @ 250µA 10.6nc @ 10V 805pf @ 20V -
CTLDM7120-M832DS TR Central Semiconductor Corp CTLDM7120-M832DS TR -
RFQ
 ECAD 6730 0.00000000 中央半导体公司 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -65°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-tdfn暴露垫 CTLDM7120 MOSFET （金属 o化物） 1.65W TLM832DS 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 20V 1A（1A） 100mohm @ 500mA，4.5V 1.2V @ 1mA 2.4NC @ 4.5V 220pf @ 10V 逻辑级别门
SI5943DU-T1-GE3 Vishay Siliconix SI5943DU-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 5749 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 POWERPAK®CHIPFET™双重 SI5943 MOSFET （金属 o化物） 8.3W PowerPak®Chipfet双重 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2（p 通道（双） 12V 6a 64mohm @ 3.6A，4.5V 1V @ 250µA 15nc @ 8V 460pf @ 6V 逻辑级别门
DMN2991UDR4-7R Diodes Incorporated DMN2991UDR4-7R 0.2300
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-xfdfn暴露垫 MOSFET （金属 o化物） 380MW X2-DFN1010-6（UXC） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 5,000 2 n通道 20V 500mA（ta） 990MOHM @ 100mA，4.5V 1V @ 250µA 280pc @ 4.5V 14.6pf @ 16V 标准
SI1034CX-T1-GE3 Vishay Siliconix SI1034CX-T1-GE3 0.3700
RFQ
 ECAD 129 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-563，SOT-666 SI1034 MOSFET （金属 o化物） 220MW SC-89（SOT-563F） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道（双） 20V 610ma（ta） 396MOHM @ 500mA，4.5V 1V @ 250µA 2NC @ 8V 43pf @ 10V 逻辑级别门
ALD1102BSAL Advanced Linear Devices Inc. ALD1102BSAL 6.6082
RFQ
 ECAD 7427 0.00000000 高级线性设备公司 - 管子 积极的 0°C 〜70°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） ALD1102 MOSFET （金属 o化物） 500MW 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 1014-1256 Ear99 8541.21.0095 50 2（p 通道（双） 10.6V - - - - - -
SQ3989EV-T1_GE3 Vishay Siliconix SQ3989EV-T1_GE3 0.6000
RFQ
 ECAD 2652 0.00000000 Vishay Siliconix 汽车，AEC-Q101，Trenchfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 SOT-23-6薄，TSOT-23-6 SQ3989 MOSFET （金属 o化物） 1.67W 6-TSOP 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 2（p 通道（双） 30V 2.5A（TC） 155mohm @ 400mA，10v 1.5V @ 250µA 11.1nc @ 10V - -
DMN2710UDWQ-7 Diodes Incorporated DMN2710UDWQ-7 0.0706
RFQ
 ECAD 6818 0.00000000 二极管合并 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 DMN2710 - 360MW（TA） SOT-363 下载 到达不受影响 31-DMN2710UDWQ-7TR Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道（双） 20V 800mA（ta） 450MOHM @ 600mA，4.5V 1V @ 250µA 0.6NC @ 4.5V 42pf @ 16V -
FDZ2553NZ Fairchild Semiconductor FDZ2553NZ 0.6000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Fairchild半导体 PowerTrench® 大部分 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 18-WFBGA FDZ25 MOSFET （金属 o化物） 2.1W 18-BGA（2.5x4） 下载 Rohs不合规 Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 20V 9.6a 14mohm @ 9.6a，4.5V 1.5V @ 250µA 18NC @ 5V 1240pf @ 10V 逻辑级别门
NTTFD018N08LC onsemi NTTFD018N08LC 1.6142
RFQ
 ECAD 8398 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 12-PowerWQFN NTTFD018 MOSFET （金属 o化物） 1.7W（ta），26W（26W）TC） 12-wqfn（3.3x3.3） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 488-NTTFD018N08LCTR Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 80V 6A（6A），26A （TC） 18mohm @ 7.8a，10v 2.5V @ 44µA 12.4NC @ 10V 856pf @ 40V -
FDC6020C onsemi FDC6020C -
RFQ
 ECAD 8831 0.00000000 Onmi PowerTrench® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-SSOT平高，Supersot™-6 FLMP FDC6020 MOSFET （金属 o化物） 1.2W supersot™-6 flmp 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n和p通道 20V 5.9a，4.2a 27mohm @ 5.9a，4.5V 1.5V @ 250µA 8NC @ 4.5V 677pf @ 10V 逻辑级别门
PSMN013-40VLDX Nexperia USA Inc. PSMN013-40VLDX 1.4300
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 SOT-12205，8-LFPAK56 PSMN013 MOSFET （金属 o化物） 46W（ta） LFPAK56D 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,500 2 n 通道（半桥） 40V 42a（ta） 13.6mohm @ 10a，10v 2.2V @ 1mA 19.4NC @ 10V 1160pf @ 25V -
SH8K51GZETB Rohm Semiconductor SH8K51GZETB -
RFQ
 ECAD 6567 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） SH8K51 MOSFET （金属 o化物） 1.4W（TA） 8-sop - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（双） 35V 4A（ta） 58mohm @ 4A，10V 2.8V @ 1mA 5.6nc @ 5V 300pf @ 10V -
SH8K2TB1 Rohm Semiconductor SH8K2TB1 0.5586
RFQ
 ECAD 6554 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 8-SMD，鸥翼 SH8K2 MOSFET （金属 o化物） 2W 8-SOP（5.0x6.0） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（双） 30V 6a 30mohm @ 6a，10v 2.5V @ 1mA 10.1NC @ 5V 520pf @ 10V 逻辑级别门
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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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