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FET，MOSFET（6056）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs （ciss）（最大（ciss） @ vds fet
SSM6N36FE,LM Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N36FE，LM 0.4300
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 SOT-563，SOT-666 SSM6N36 MOSFET （金属 o化物） 150MW ES6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 4,000 2 n 通道（双） 20V 500mA 630mohm @ 200ma，5v 1V @ 1mA 1.23nc @ 4V 46pf @ 10V 逻辑级别门
PJX8804_R1_00001 Panjit International Inc. PJX8804_R1_00001 0.1185
RFQ
 ECAD 7507 0.00000000 Panjit International Inc. - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-563，SOT-666 PJX8804 MOSFET （金属 o化物） 300MW（TA） SOT-563 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 3757-PJX8804_R1_00001TR Ear99 8541.21.0095 4,000 2 n 通道（双） 30V 600mA（TA） 220MOHM @ 600mA，4,5V 1.3V @ 250µA 1.5NC @ 4.5V 93pf @ 15V -
UPA1602GS-E1-A Renesas UPA1602GS-E1-A 1.5500
RFQ
 ECAD 62 0.00000000 肾脏 - 大部分 过时的 -40°C〜85°C 表面安装 16-SOIC （0.220英寸，5.59mm） UPA1602 MOSFET （金属 o化物） 1W（ta） 16 SOP - Rohs不合规 到达不受影响 2156-UPA1602GS-E1-A Ear99 8542.39.0001 1 7 n通道 30V 430ma（ta） 5.3OHM @ 150mA，4.5V 1V @ 150mA - 10pf -
SI6913DQ-T1-BE3 Vishay Siliconix SI6913DQ-T1-BE3 2.1400
RFQ
 ECAD 8472 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度） SI6913 MOSFET （金属 o化物） 830MW（TA） 8-tssop 下载 （1 （无限） 742-SI6913DQ-T1-BE3TR Ear99 8541.21.0095 3,000 2（p 通道（双） 12V 4.9a（ta） 21MOHM @ 5.8A，4.5V 900MV @ 400µA 28nc @ 4.5V - -
ZXMC10A816N8TC Diodes Incorporated ZXMC10A816N8TC 0.9700
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） ZXMC10 MOSFET （金属 o化物） 1.8W 8-so 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n和p通道 100V 2a 230MOHM @ 1A，10V 2.4V @ 250µA 9.2nc @ 10V 497pf @ 50V 逻辑级别门
SP8K33HZGTB Rohm Semiconductor SP8K33HZGTB 1.9700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm半导体 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） SP8K33 MOSFET （金属 o化物） 2W（TA） 8-sop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（双） 60V 5A（5A） 48mohm @ 5a，10v 2.5V @ 1mA 12nc @ 5V 620pf @ 10V -
DMC1015UPD-13-52 Diodes Incorporated DMC1015UPD-13-52 0.2900
RFQ
 ECAD 4154 0.00000000 二极管合并 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-POWERTDFN DMC1015 MOSFET （金属 o化物） 2.3W（ta） PowerDI5060-8 下载 31-DMC1015UPD-13-52 Ear99 8541.29.0095 2,500 n和p通道 12V，20V 9.5A（ta），6.8a ta） 17mohm @ 11.8a，4.5V，35mohm @ 8.9a，4.5V 1.5V @ 250µA 15.6nc @ 4.5V，15.4NC @ 4.5V 1495pf @ 6v，1745pf @ 10V 标准
RJM0306JSP-01#J0 Renesas Electronics America Inc RJM0306JSP-01＃j0 -
RFQ
 ECAD 7201 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 管子 积极的 - 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） RJM0306 MOSFET （金属 o化物） 2.2W 8-sop - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2n和2p通道（半桥） 30V 3.5a 65mohm @ 2a，10v - 5NC @ 10V 290pf @ 10V 逻辑水平门，4V驱动器
DMN63D1LV-13 Diodes Incorporated DMN63D1LV-13 0.1295
RFQ
 ECAD 6080 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-563，SOT-666 DMN63 MOSFET （金属 o化物） 940MW SOT-563 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 10,000 2 n 通道（双） 60V 550mA（ta） 2ohm @ 500mA，10v 2.5V @ 1mA 0.392NC @ 4.5V 30pf @ 25V -
SH8M5TB1 Rohm Semiconductor SH8M5TB1 1.8500
RFQ
 ECAD 163 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） SH8M5 MOSFET （金属 o化物） 2W 8-sop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n和p通道 30V 6a，7a 30mohm @ 6a，10v 2.5V @ 1mA 7.2nc @ 5V 520pf @ 10V 逻辑级别门
TSM110NB04LDCR RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM110NB04LDCR RLG 1.0500
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 台湾半导体公司 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-POWERTDFN TSM110 MOSFET （金属 o化物） 2W（TA），48W（tc） 8-pdfn（5x6） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（双） 40V 10a（10A），48a tc（TC） 11mohm @ 10a，10v 2.5V @ 250µA 23nc @ 10V 1269pf @ 20V -
SP8K52HZGTB Rohm Semiconductor SP8K52HZGTB 1.8000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） SP8K52 MOSFET （金属 o化物） 2W（TA） 8-sop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（双） 100V 3A（3A） 170MOHM @ 3A，10V 2.5V @ 1mA 8.5nc @ 5V 610pf @ 25V -
DMP2900UV-7 Diodes Incorporated DMP2900UV-7 0.0974
RFQ
 ECAD 8254 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-563，SOT-666 DMP2900 MOSFET （金属 o化物） 500MW（TA） SOT-563 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 DMP2900UV-7DI Ear99 8541.21.0095 3,000 2（p 通道（双） 20V 850mA（ta） 750MOHM @ 430mA，4.5V 1V @ 250µA 0.7NC @ 4.5V 49pf @ 16V -
SIA917DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix SIA917DJ-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 2807 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 POWERPAK®SC-70-6双重 SIA917 MOSFET （金属 o化物） 6.5W POWERPAK®SC-70-6双重 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2（p 通道（双） 20V 4.5a 110MOHM @ 2.5a，4.5V 1.5V @ 250µA 9NC @ 10V 250pf @ 10V 逻辑级别门
MSCSM170TLM15CAG Microchip Technology MSCSM170TLM15CAG 725.1800
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 -40°C〜175°C（TJ） 底盘安装 模块 MSCSM170 （SIC） 843w（tc） SP6C - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 150-MSCSM170TLM15CAG Ear99 8541.29.0095 1 （4 n 通道（三级逆变器） 1700V（（1.7kV） 179a（TC） 15mohm @ 90a，20v 3.2V @ 7.5mA 534NC @ 20V 9900pf @ 1000V -
DMTH10H038SPDW-13 Diodes Incorporated DMTH10H038SPDW-13 0.3728
RFQ
 ECAD 8937 0.00000000 二极管合并 - 大部分 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 8-POWERTDFN DMTH10 MOSFET （金属 o化物） 2.7W（TA），39W（tc） PowerDI5060-8（type UXD） 下载 31-DMTH10H038SPDW-13 Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n通道 100V 25A（TC） 33mohm @ 10a，10v 4V @ 250µA 8NC @ 10V 544pf @ 50V 标准
IAUC60N04S6N031HATMA1 Infineon Technologies IAUC60N04S6N031HATMA1 2.5900
RFQ
 ECAD 5217 0.00000000 Infineon技术 汽车，AEC-Q101，Optimos™ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 8-Powervdfn IAUC60 MOSFET （金属 o化物） 75W（TC） PG-TDSON-8-56 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 5,000 2 n 通道（半桥） 40V 60a（TJ） 3.1MOHM @ 30a，10v 3V @ 25µA 30nc @ 10V 1922pf @ 25V -
DMC62D0SVQ-13 Diodes Incorporated DMC62D0SVQ-13 0.1384
RFQ
 ECAD 1395年 0.00000000 二极管合并 * 胶带和卷轴（（tr） 积极的 DMC62 - - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 10,000 -
GSFQ6806 Good-Ark Semiconductor GSFQ6806 0.6600
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 好公园的半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -50°C〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） MOSFET （金属 o化物） 2.1W（TC） 8-sop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0080 3,000 2 n通道 60V 20A（TC） 28mohm @ 20a，10v 2.5V @ 250µA 42NC @ 10V 2440pf @ 20V 标准
DMC25D0UVT-13 Diodes Incorporated DMC25D0UVT-13 0.1276
RFQ
 ECAD 5589 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-23-6薄，TSOT-23-6 DMC25 MOSFET （金属 o化物） 1.2W TSOT-23-6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 DMC25D0UVT-13DI Ear99 8541.29.0095 10,000 n和p通道 25V，30V 400mA，3.2a 4ohm @ 400mA，4.5V 1.5V @ 250µA 0.7NC @ 8V 26.2pf @ 10V -
FDG6304P onsemi FDG6304P 0.5800
RFQ
 ECAD 133 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 FDG6304 MOSFET （金属 o化物） 300MW SC-88 （SC-70-6） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2（p 通道（双） 25V 410mA 1.1OHM @ 410mA，4.5V 1.5V @ 250µA 1.5NC @ 4.5V 62pf @ 10V 逻辑级别门
DMNH6021SPDQ-13 Diodes Incorporated DMNH6021SPDQ-13 1.5100
RFQ
 ECAD 8598 0.00000000 二极管合并 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 8-POWERTDFN DMNH6021 MOSFET （金属 o化物） 1.5W PowerDI5060-8 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（双） 60V 8.2a，32a 25mohm @ 15a，10v 3V @ 250µA 20.1nc @ 10V 1143pf @ 25V -
FDMA2002NZ_F130 onsemi FDMA2002NZ_F130 -
RFQ
 ECAD 5393 0.00000000 Onmi PowerTrench® 大部分 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-vdfn裸露的垫子 FDMA2002 MOSFET （金属 o化物） 650MW 6-microfet（2x2） - 不适用 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 1 2 n 通道（双） 30V 2.9a 123mohm @ 2.9a，4.5V 1.5V @ 250µA 3NC @ 4.5V 220pf @ 15V 逻辑级别门
BUK9K5R1-30EX NXP USA Inc. BUK9K5R1-30EX -
RFQ
 ECAD 2017 0.00000000 NXP USA Inc. - 大部分 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 SOT-12205，8-LFPAK56 buk9k5 MOSFET （金属 o化物） 68W LFPAK56D 下载 Ear99 8541.29.0095 1 2 n 通道（双） 30V 40a 5.3MOHM @ 10a，5v 2.1V @ 1mA 26.7nc @ 5V 3065pf @ 25V 逻辑级别门
SI5999EDU-T1-GE3 Vishay Siliconix SI5999EDU-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 9313 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 POWERPAK®CHIPFET™双重 SI5999 MOSFET （金属 o化物） 10.4W PowerPak®Chipfet双重 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 2（p 通道（双） 20V 6a 59MOHM @ 3.5A，4.5V 1.5V @ 250µA 20NC @ 10V 496pf @ 10V 逻辑级别门
MTM684100LBF Panasonic Electronic Components MTM684100LBF -
RFQ
 ECAD 2382 0.00000000 松下电子组件 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C 〜85°C（TJ） 表面安装 8-SMD，平坦的铅 MTM68410 MOSFET （金属 o化物） 1W WMINI8-F1 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 2（p 通道（双） 12V 4.8a 42MOHM @ 1A，4V 1V @ 1mA - 1200pf @ 10V -
PMT280ENEA,115 Nexperia USA Inc. PMT280ENEA，115 -
RFQ
 ECAD 4346 0.00000000 Nexperia USA Inc. * 大部分 积极的 PMT280 - 下载 不适用 （1 （无限） 供应商不确定 1 -
SI5515CDC-T1-GE3 Vishay Siliconix SI5515CDC-T1-GE3 0.8300
RFQ
 ECAD 7885 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-SMD，平坦的铅 SI5515 MOSFET （金属 o化物） 3.1W 1206-8 chipfet™ 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n和p通道 20V 4a 36mohm @ 6a，4.5V 800MV @ 250µA 11.3nc @ 5V 632pf @ 10V 逻辑级别门
SI4936CDY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4936CDY-T1-E3 0.2436
RFQ
 ECAD 6767 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） SI4936 MOSFET （金属 o化物） 2.3W 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（双） 30V 5.8a 40mohm @ 5a，10v 3V @ 250µA 9NC @ 10V 325pf @ 15V 逻辑级别门
BUK7K89-100E/1X Nexperia USA Inc. BUK7K89-100E/1X -
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 ECAD 8331 0.00000000 Nexperia USA Inc. 汽车，AEC-Q101 大部分 上次购买 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 SOT-12205，8-LFPAK56 BUK7K89 38W（TA） LFPAK56D - 1727-BUK7K89-100E/1X Ear99 8541.29.0095 1 100V 13A（TA） 82.5MOHM @ 5A，10V 4V @ 1mA 13.6nc @ 10V 811pf @ 25V 标准
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

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    全球制造商

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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