SIC
close

FET，MOSFET（6056）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs （ciss）（最大（ciss） @ vds fet
TPCP8401(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TPCP8401（TE85L，F） -
RFQ
 ECAD 5604 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 表面安装 8-SMD，平坦的铅 TPCP8401 MOSFET （金属 o化物） 1W PS-8（2.9x2.4） 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 n和p通道 20V，12V 100mA，5.5a 3ohm @ 10mA，4V 1.1V @ 100µA - 9.3pf @ 3V 逻辑级别门
NX3020NAKV,115 Nexperia USA Inc. NX3020NAKV，115 0.4000
RFQ
 ECAD 248 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-563，SOT-666 NX3020 MOSFET （金属 o化物） 375MW SOT-666 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 4,000 2 n 通道（双） 30V 200mA 4.5Ohm @ 100mA，10v 1.5V @ 250µA 0.44NC @ 4.5V 13pf @ 10V 逻辑级别门
HAT2038RWS-E Renesas Electronics America Inc HAT2038RWS-E -
RFQ
 ECAD 4858 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） HAT2038 MOSFET （金属 o化物） （3W）（TA） 8-sop - （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（双） 60V 5A（5A） 58mohm @ 3a，10v 2.2V @ 1mA - 520pf @ 10V 逻辑水平门，4V驱动器
FW274-TL-E onsemi FW274-TL-E -
RFQ
 ECAD 9436 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 表面安装 8-SOIC （0.173“，4.40mm宽度） FW274 MOSFET （金属 o化物） 2.2W 8-sop 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 2 n 通道（双） 30V 6a 37mohm @ 6a，10v 2.6V @ 1mA 9.1nc @ 10V 490pf @ 10V 逻辑级别门
TSM4953DCS Taiwan Semiconductor Corporation TSM4953DC 0.6389
RFQ
 ECAD 8135 0.00000000 台湾半导体公司 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） TSM4953 MOSFET （金属 o化物） 2.5W（TA） 8-sop 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 1801-TSM4953DCSTR Ear99 8541.29.0095 5,000 2个p通道 30V 4.9a（ta） 60mohm @ 4.9A，10V 3V @ 250µA 28nc @ 10V 745pf @ 15V 标准
SI4834CDY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4834CDY-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 5791 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） SI4834 MOSFET （金属 o化物） 2.9W 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（双） 30V 8a 20mohm @ 8a，10v 3V @ 1mA 25nc @ 10V 950pf @ 15V -
FDW2601NZ Fairchild Semiconductor FDW2601NZ 0.4000
RFQ
 ECAD 3463 0.00000000 Fairchild半导体 PowerTrench® 大部分 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度） FDW26 MOSFET （金属 o化物） 1.6W 8-tssop 下载 rohs3符合条件 Ear99 8541.29.0095 26 2 n 通道（双）公共排水 30V 8.2a 15mohm @ 8.2a，4.5V 1.5V @ 250µA 30nc @ 4.5V 1840pf @ 15V 逻辑级别门
MCB20P1200LB-TUB IXYS MCB20P1200LB-tub -
RFQ
 ECAD 3363 0.00000000 ixys MCB20P1200LB 管子 积极的 - 表面安装 9-PowersMD MCB20P1200 （SIC） - 9-SMPD-B - rohs3符合条件 到达不受影响 238-MCB20P1200LB-TUB Ear99 8541.29.0095 20 4（n n 通道（半桥） 1200V（1.2kV） - - - - - -
NVMFD5489NLWFT1G onsemi NVMFD5489NLWFT1G -
RFQ
 ECAD 8649 0.00000000 Onmi 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 8-POWERTDFN NVMFD5483 MOSFET （金属 o化物） 3W 8-dfn（5x6）（SO8FL偶） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,500 2 n 通道（双） 60V 4.5a 65mohm @ 15a，10v 2.5V @ 250µA 12.4NC @ 10V 330pf @ 25V 逻辑级别门
TSM6502CR Taiwan Semiconductor Corporation TSM6502CR 1.0450
RFQ
 ECAD 8870 0.00000000 台湾半导体公司 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-POWERTDFN TSM6502 MOSFET （金属 o化物） 40W 8-pdfn（5x6） 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 1801-TSM6502CRTR Ear99 8541.29.0095 5,000 n和p通道 60V 24A（TC），18A （TC） 34mohm @ 5.4a，10v，68mohm @ 4a，10v 2.5V @ 250µA 10.3nc @ 4.5V，9.5nc @ 4.5V 1159pf @ 30v，930pf @ 30V -
FDMJ1023PZ Fairchild Semiconductor FDMJ1023PZ 0.3000
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Fairchild半导体 PowerTrench® 大部分 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-WFDFN暴露垫 FDMJ1023 MOSFET （金属 o化物） 700MW SC-75，Microfet 下载 rohs3符合条件 Ear99 8541.21.0095 3,000 2（p 通道（双） 20V 2.9a 112MOHM @ 2.9a，4.5V 1V @ 250µA 6.5nc @ 4.5V 400pf @ 10V 逻辑级别门
ITD50N04S4L07ATMA1 Infineon Technologies ITD50N04S4L07ATMA1 -
RFQ
 ECAD 8800 0.00000000 Infineon技术 Optimos™ 大部分 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 TO-252-5，DPAK（ + 4 +选项卡，TO-252AD ITD50 MOSFET （金属 o化物） 46W（TC） PG-TO252-5-311 下载 Ear99 8542.39.0001 363 2 n 通道（双） 40V 50A（TC） 7.2mohm @ 50a，10v 2.2V @ 18µA 33nc @ 10V 2480pf @ 25V 逻辑级别门
CMS2010-HF Comchip Technology CMS2010-HF -
RFQ
 ECAD 4456 0.00000000 comchip技术 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度） CMS2010 MOSFET （金属 o化物） 1.5W（TA） 8-tssop - 641-CMS2010-HFTR Ear99 8541.29.0095 1 2 n 通道（双）公共排水 20V 7a（ta） 18mohm @ 6.5a，4.5V 900mv @ 250µA 15nc @ 4.5V 1150pf @ 10V -
MSCSM120HRM163AG Microchip Technology MSCSM120HRM163AG 282.3100
RFQ
 ECAD 3105 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 -40°C〜175°C（TJ） 底盘安装 模块 （SIC） - - 150-MSCSM120HRM163AG 1 （4 n 通道（三级逆变器） （SIC）
PMDPB70XP,115 Nexperia USA Inc. PMDPB70XP，115 0.4900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-UFDFN暴露垫 PMDPB70 MOSFET （金属 o化物） 490MW 6-Huson（2x2） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2（p 通道（双） 30V 2.9a 87MOHM @ 2.9a，4.5V 1V @ 250µA 7.8NC @ 5V 680pf @ 15V 逻辑级别门
SH8M51GZETB Rohm Semiconductor SH8M51GZETB 1.7100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） SH8M51 MOSFET （金属 o化物） 1.4W（TA） 8-sop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n和p通道 100V 3A（3A），2.5A（2.5A） 170MOHM @ 3A，10V，290MOHM @ 2.5A，10V 2.5V @ 1mA 8.5nc @ 5v，12.5nc @ 5v 610pf @ 25V，1550pf @ 25V -
CTLDM7120-M832D BK Central Semiconductor Corp CTLDM7120-M832D BK -
RFQ
 ECAD 8278 0.00000000 中央半导体公司 - 大部分 过时的 -65°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-tdfn暴露垫 CTLDM7120 MOSFET （金属 o化物） 1.65W TLM832D 下载 1514-CTLDM7120-M832DBK Ear99 8541.29.0095 1 2 n 通道（双） 20V 1a 100mohm @ 500mA，4.5V 1.2V @ 1mA 2.4NC @ 4.5V 220pf @ 10V 逻辑级别门
AON6992 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AON6992 1.1800
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Alpha＆欧米茄半导体公司 - 胶带和卷轴（（tr） 上次购买 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Powerwdfn AON699 MOSFET （金属 o化物） 3.1W 8-DFN（5x6） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 30V 19a，31a 5.2MOHM @ 20A，10V 2.2V @ 250µA 13nc @ 10V 820pf @ 15V 逻辑级别门
SI7252DP-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7252DP-T1-GE3 2.1700
RFQ
 ECAD 5432 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 POWERPAK®SO-8 SI7252 MOSFET （金属 o化物） 46W POWERPAK®SO-8 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 100V 36.7a 18mohm @ 15a，10v 3.5V @ 250µA 27nc @ 10V 1170pf @ 50V 逻辑级别门
EFC4626R-TR onsemi EFC4626R-Tr 0.4000
RFQ
 ECAD 3591 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 4-XFBGA EFC4626 MOSFET （金属 o化物） 1.4W 4-BGA（1x1） 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 8,000 2 n 通道（双）公共排水 - - - - 7.5NC @ 4.5V - 逻辑水平门，2.5V
MSCSM120DUM08T3AG Microchip Technology MSCSM120DUM08T3AG 395.6500
RFQ
 ECAD 1707年 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 -40°C〜175°C（TJ） 底盘安装 模块 MSCSM120 （SIC） 1409W（TC） SP3F - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 150-MSCSM120DUM08T3AG Ear99 8541.29.0095 1 2 n 通道（双）公共来源 1200V（1.2kV） 337a（TC） 7.8mohm @ 80a，20v 2.8V @ 4mA 928nc @ 20V 12100pf @ 1000V -
MTI200WX75GD-SMD IXYS MTI200WX75GD-SMD 38.1415
RFQ
 ECAD 8229 0.00000000 ixys - 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 ISOPLUS-DIL™ MTI200 MOSFET （金属 o化物） - ISOPLUS-DIL™ - rohs3符合条件 到达不受影响 238-MTI200WX75GD-SMD Ear99 8541.29.0095 13 6 n通道（3相桥） 75V 255A（TC） 1.3MOHM @ 100A，10V 3.8V @ 275µA 155nc @ 10V 14400pf @ 38V -
FDS4895C onsemi FDS4895C -
RFQ
 ECAD 7243 0.00000000 Onmi PowerTrench® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） FDS48 MOSFET （金属 o化物） 900MW 8-SOIC 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 2,500 n和p通道 40V 5.5a，4.4a 39mohm @ 5.5A，10V 5V @ 250µA 10NC @ 10V 410pf @ 20V -
IRF7301PBF Infineon Technologies IRF7301pbf -
RFQ
 ECAD 1547年 0.00000000 Infineon技术 Hexfet® 管子 在sic中停产 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） IRF73 MOSFET （金属 o化物） 2W 8-so 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 95 2 n 通道（双） 20V 5.2a 50mohm @ 2.6a，4.5V 700MV @ 250µA 20NC @ 4.5V 660pf @ 15V 逻辑级别门
BSS84DWQ-13 Diodes Incorporated BSS84DWQ-13 0.0986
RFQ
 ECAD 7654 0.00000000 二极管合并 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 BSS84 MOSFET （金属 o化物） 300MW（TA） SOT-363 下载 （1 （无限） 到达不受影响 31-BSS84DWQ-13TR Ear99 8541.21.0095 10,000 2（p 通道（双） 50V 130mA（ta） 10ohm @ 100mA，5v 2V @ 1mA - 45pf @ 25V -
BUK7K6R8-40E,115 Nexperia USA Inc. BUK7K6R8-40E，115 1.7300
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Nexperia USA Inc. 汽车，AEC-Q101，Trenchmos™ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 SOT-12205，8-LFPAK56 buk7k6 MOSFET （金属 o化物） 64W LFPAK56D 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,500 2 n 通道（双） 40V 40a 6.8mohm @ 20a，10v 4V @ 1mA 28.9nc @ 10V 1947pf @ 25V -
2N7002DWH6327XTSA1 Infineon Technologies 2N7002DWH6327XTSA1 0.5000
RFQ
 ECAD 66 0.00000000 Infineon技术 Optimos™ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-VSSOP，SC-88，SOT-363 2N7002 MOSFET （金属 o化物） 500MW PG-SOT363-PO 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道（双） 60V 300mA 3ohm @ 500mA，10v 2.5V @ 250µA 0.6NC @ 10V 20pf @ 25V 逻辑级别门
AON6973A Alpha & Omega Semiconductor Inc. aon6973a -
RFQ
 ECAD 7940 0.00000000 Alpha＆欧米茄半导体公司 SRFET™ 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Powervdfn AON697 MOSFET （金属 o化物） 3.6W，4.3W 8-DFN（5x6） 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（半桥） 30V 22a，30a 5.2MOHM @ 20A，10V 2.2V @ 250µA 22nc @ 10V 1037pf @ 15V 逻辑级别门
DMN2991UDJ-7A Diodes Incorporated DMN2991UDJ-7A 0.0473
RFQ
 ECAD 5442 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-963 DMN2991 MOSFET （金属 o化物） 400MW（TA） SOT-963 下载 （1 （无限） 到达不受影响 31-DMN2991UDJ-7ATR Ear99 8541.21.0095 10,000 2 n 通道（双） 20V 520mA（ta） 990MOHM @ 100mA，4.5V 1V @ 250µA 0.35nc @ 4.5V 21.5pf @ 15V -
ISL6605CR-TR5151 Intersil ISL6605CR-TR5151 1.6200
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Intersil * 大部分 积极的 ISL6605 - - 不适用 （1 （无限） 供应商不确定 Ear99 8542.39.0001 6,000 -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

RFQ列表（0项）
购物车列表（0个项目）
Wishlist愿望清单（0个项目）
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

数量：1

比较列表（0项）
点击Enter进行搜索或ESC关闭