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FET，MOSFET（6056）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs （ciss）（最大（ciss） @ vds fet
STC5NF30V STMicroelectronics STC5NF30V -
RFQ
 ECAD 7815 0.00000000 Stmicroelectronics StripFet™II 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度） STC5NF MOSFET （金属 o化物） 1.5W 8-tssop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 4,000 2 n 通道（双） 30V 5a 31MOHM @ 2.5a，4.5V 600mv @ 250µA 11.5NC @ 4.5V 460pf @ 15V 逻辑级别门
GWM160-0055X1-SMD IXYS GWM160-0055X1-SMD -
RFQ
 ECAD 7591 0.00000000 ixys - 管子 过时的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 17-SMD，鸥翼 GWM160 MOSFET （金属 o化物） - ISOPLUS-DIL™ 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 28 6 n通道（3相桥） 55V 150a 3.3MOHM @ 100A，10V 4.5V @ 1mA 105nc @ 10V - -
BSS138DWK-7 Diodes Incorporated BSS138DWK-7 0.0513
RFQ
 ECAD 7383 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 BSS138 MOSFET （金属 o化物） 330MW SOT-363 下载 到达不受影响 31-BSS138DWK-7TR Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道（双） 50V 310mA ta） 2.6ohm @ 200mA，10v 1.5V @ 250µA 0.8NC @ 10V 22pf @ 25V -
NTLJD2105LTBG onsemi NTLJD2105LTBG -
RFQ
 ECAD 2677 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-WDFN暴露垫 NTLJD21 MOSFET （金属 o化物） 520MW 6-WDFN（2x2） 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 n和p通道 8V 2.5a 50mohm @ 4A，4.5V 1V @ 250µA - - -
SIA517DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix SIA517DJ-T1-GE3 0.6400
RFQ
 ECAD 26 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 POWERPAK®SC-70-6双重 SIA517 MOSFET （金属 o化物） 6.5W POWERPAK®SC-70-6双重 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 n和p通道 12V 4.5a 29mohm @ 5A，4.5V 1V @ 250µA 15nc @ 8V 500pf @ 6V 逻辑级别门
IRFI4212H-117P International Rectifier IRFI4212H-117P 1.0000
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 ECAD 8719 0.00000000 国际整流器 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-5 IRFI4212 MOSFET （金属 o化物） 18W TO-220-5 下载 0000.00.0000 1 2 n 通道（双） 100V 11a 72.5MOHM @ 6.6a，10V 5V @ 250µA 18NC @ 10V 490pf @ 50V -
DMN2008LFU-7 Diodes Incorporated DMN2008LFU-7 0.6200
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 ECAD 689 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-UFDFN暴露垫 DMN2008 MOSFET （金属 o化物） 1W U-DFN2030-6（B型） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双）公共排水 20V 14.5a 5.4MOHM @ 5.5A，4.5V 1.5V @ 250a 42.3nc @ 10V 1418pf @ 10V -
DMG4800LSD-13 Diodes Incorporated DMG4800LSD-13 0.5500
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 ECAD 24 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） DMG4800 MOSFET （金属 o化物） 1.17W 8-so 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（双） 30V 7.5a 16mohm @ 9a，10v 1.6V @ 250µA 8.56nc @ 5V 798pf @ 10V 逻辑级别门
PJL9850_R2_00001 Panjit International Inc. PJL9850_R2_00001 0.5000
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Panjit International Inc. - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） PJL9850 MOSFET （金属 o化物） 1.7W（TA） 8-sop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 3757-PJL9850_R2_00001CT Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（双） 40V 5.4A（ta） 32MOHM @ 5A，10V 2.5V @ 250µA 4.4NC @ 4.5V 425pf @ 25V -
UM6K1N-TP Micro Commercial Co UM6K1N-TP -
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 ECAD 9550 0.00000000 微商业公司 - 大部分 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 UM6K1 MOSFET （金属 o化物） 150MW SOT-363 下载 353-UM6K1N-TP Ear99 8541.21.0095 1 2 n 通道（双） 30V 100mA 8ohm @ 10mA，4V 1.5V @ 100µA - 13pf @ 5V -
RM8205F Rectron USA RM8205F 0.0680
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 ECAD 8238 0.00000000 美国直发 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 SOT-23-6 RM8205 MOSFET （金属 o化物） 1.14W（TA） SOT-23-6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 2516-RM8205FTR 8541.10.0080 30,000 2 n 通道（双） 20V 6a（6a） 17mohm @ 1A，4.5V，20mohm @ 6a，4.5V 1.2V @ 250µA - 1035pf @ 20V -
2SK4085LS-CB11 onsemi 2SK4085LS-CB11 2.6100
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 ECAD 2 0.00000000 Onmi * 大部分 积极的 2SK4085 - 下载 不适用 （1 （无限） 供应商不确定 Ear99 8541.29.0095 1 -
DMN3061SVT-13 Diodes Incorporated DMN3061SVT-13 0.1185
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 ECAD 6668 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-23-6薄，TSOT-23-6 DMN3061 MOSFET （金属 o化物） 880MW TSOT-26 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 31-DMN3061SVT-13TR Ear99 8541.21.0095 10,000 2 n 通道（双） 30V 3.4a（ta） 60mohm @ 3.1a，10v 1.8V @ 250µA 6.6nc @ 10V 278pf @ 15V -
NTJD4105CT2G onsemi NTJD4105CT2G 0.4200
RFQ
 ECAD 4305 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 NTJD4105 MOSFET （金属 o化物） 270MW SC-88/SC70-6/SOT-363 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 n和p通道 20V，8V 630mA，775mA 375MOHM @ 630mA，4.5V 1.5V @ 250µA 3NC @ 4.5V 46pf @ 20V 逻辑级别门
IRF7335D1TR Infineon Technologies IRF7335D1TR -
RFQ
 ECAD 4348 0.00000000 Infineon技术 Fetky™ 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 14- 材料（ 0.154英寸，宽度为3.90mm） IRF733 MOSFET （金属 o化物） 2W 14-Soic 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Q1902365 Ear99 8541.29.0095 4,000 2 n 通道（双） 30V 10a 17.5mohm @ 10a，4.5V 1V @ 250µA 20NC @ 4.5V 1500pf @ 15V 逻辑级别门
ISL6605CRR5151 Intersil ISL6605CRR5151 -
RFQ
 ECAD 6678 0.00000000 Intersil * 大部分 积极的 ISL6605 - - 不适用 （1 （无限） 供应商不确定 214 -
SI5920DC-T1-GE3 Vishay Siliconix SI5920DC-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 9081 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-SMD，平坦的铅 SI5920 MOSFET （金属 o化物） 3.12W 1206-8 chipfet™ 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 8V 4a 32mohm @ 6.8a，4.5V 1V @ 250µA 12nc @ 5V 680pf @ 4V 逻辑级别门
EFC8822R-TF onsemi EFC8822R-TF -
RFQ
 ECAD 5806 0.00000000 Onmi * 胶带和卷轴（（tr） 过时的 EFC8822 - - （1 （无限） 到达不受影响 过时的 0000.00.0000 5,000 -
DI7A6N04SQ2 Diotec Semiconductor DI7A6N04SQ2 -
RFQ
 ECAD 5341 0.00000000 diotec半导体 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） MOSFET （金属 o化物） 3.1W（TC） 8-so 下载 不适用 （1 （无限） 供应商不确定 2796-DI7A6N04SQ2TR 8541.29.0000 1 2 n通道 40V 7.6A（TC） 28mohm @ 7a，10v 1.6V @ 250µA 18NC @ 10V 870pf @ 20V 标准
CAS380M17HM3 Wolfspeed, Inc. CAS380M17HM3 4.0000
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 ECAD 1 0.00000000 Wolfspeed，Inc。 - 大部分 积极的 -40°C〜175°C（TJ） 底盘安装 模块 CAS380 （SIC） 50MW 模块 下载 不适用 Ear99 8541.21.0095 1 2 n 通道（双） 1700V（（1.7kV） 532a（TC） 3.74MOHM @ 380A，15V 3.6V @ 152mA 1494NC @ 15V 4700pf @ 1200V -
IPG20N04S408BATMA1 Infineon Technologies IPG20N04S408BATMA1 -
RFQ
 ECAD 9358 0.00000000 Infineon技术 汽车，AEC-Q101，Optimos™-T2 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装，可润湿的侧面 8-Powervdfn IPG20N MOSFET （金属 o化物） 65W（TC） PG-TDSON-8-10 - 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 5,000 2 n 通道（双） 40V 20A（TC） 7.6mohm @ 17a，10v 4V @ 30µA 36NC @ 10V 2940pf @ 25V -
FDS6990A onsemi FDS6990A -
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 ECAD 6423 0.00000000 Onmi PowerTrench® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） FDS6990 MOSFET （金属 o化物） 900MW 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 2,500 2 n 通道（双） 30V 7.5a 18mohm @ 7.5a，10v 3V @ 250µA 17NC @ 5V 1235pf @ 15V 逻辑级别门
SP8J1TB Rohm Semiconductor SP8J1TB -
RFQ
 ECAD 4227 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） SP8J1 MOSFET （金属 o化物） 2W 8-sop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2（p 通道（双） 30V 5a 42MOHM @ 5A，10V 2.5V @ 1mA 16nc @ 5V 1400pf @ 10V 逻辑级别门
DMN2040LSD-13 Diodes Incorporated DMN2040LSD-13 -
RFQ
 ECAD 5303 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） DMN2040 MOSFET （金属 o化物） 2W 8-sop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（双） 20V 7a 26mohm @ 6a，4.5V 1.2V @ 250µA - 562pf @ 10V 逻辑级别门
SQJ500EPTR onsemi SQJ500EPTR -
RFQ
 ECAD 6209 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 - - - SQJ500 - - - - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 - - - - - - - -
ECH8667-TL-HX-SA Sanyo ECH8667-TL-HX-SA 0.3300
RFQ
 ECAD 39 0.00000000 Sanyo * 大部分 积极的 ECH8667 - - 不适用 （1 （无限） 供应商不确定 Ear99 8541.29.0095 3,000 -
SI4542DY onsemi SI4542DY -
RFQ
 ECAD 5850 0.00000000 Onmi PowerTrench® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） SI4542 MOSFET （金属 o化物） 1W 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n和p通道 30V 6a 28mohm @ 6a，10v 3V @ 250µA 13nc @ 5V 830pf @ 15V -
AO4862 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AO4862 0.1473
RFQ
 ECAD 4389 0.00000000 Alpha＆欧米茄半导体公司 alphamos 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） AO486 MOSFET （金属 o化物） 1.7W 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 30V 4.5a 50MOHM @ 4.5A，10V 2.5V @ 250µA 10NC @ 10V 200pf @ 15V 逻辑级别门
BSM600D12P3G001 Rohm Semiconductor BSM600D12P3G001 1.0000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm半导体 - 大部分 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 模块 BSM600 （SIC） 2450W（TC） 模块 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 846-BSM600D12P3G001 Ear99 8541.29.0095 4 2 n 通道（半桥） 1200V（1.2kV） 600A（TC） - 5.6V @ 182mA - 31000pf @ 10V -
SIZF300DT-T1-GE3 Vishay Siliconix SIZF300DT-T1-GE3 1.2000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet®Geniv 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Powerwdfn SIZF300 MOSFET （金属 o化物） 3.8W（TA），48w（tc），4.3W（ta（74W）（74W（tc） 8-Powerpair®（6x5） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 30V 23A（23A），75A（tc（34a ta），141a （TC） 4.5MOHM @ 10A，10V，1.84MOHM @ 10A，10V 2.2V @ 250µA 22nc @ 10v，62nc @ 10V 1100pf @ 15V，3150pf @ 15V -
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    2000+

    每日平均RFQ量

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    30,000,000

    标准产品单位

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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