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FET，MOSFET（6056）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs （ciss）（最大（ciss） @ vds fet
AO4838 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AO4838 0.7600
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 Alpha＆欧米茄半导体公司 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） AO483 MOSFET （金属 o化物） 2W 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 30V 11a 9.6mohm @ 11a，10v 2.6V @ 250µA 22nc @ 10V 1300pf @ 15V 逻辑级别门
SI4670DY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4670DY-T1-GE3 0.4998
RFQ
 ECAD 1913年 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） SI4670 MOSFET （金属 o化物） 2.8W 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（双） 25V 8a 23mohm @ 7a，10v 2.2V @ 250µA 18NC @ 10V 680pf @ 13V 逻辑级别门
NTLJD4150PTBG onsemi NTLJD4150PTBG -
RFQ
 ECAD 1475 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-WDFN暴露垫 NTLJD41 MOSFET （金属 o化物） 700MW 6-WDFN（2x2） 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2（p 通道（双） 30V 1.8a 135mohm @ 4A，10V 2V @ 250µA 4.5NC @ 4.5V 300pf @ 15V 逻辑级别门
UPA2670T1R-E2-AX Renesas Electronics America Inc UPA2670T1R-E2-AX -
RFQ
 ECAD 6950 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 表面安装 6-WFDFN暴露垫 UPA2670 MOSFET （金属 o化物） 2.3W 6-Huson（2x2） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2（p 通道（双） 20V 3a 79mohm @ 1.5A，4.5V - 5.1nc @ 4.5V 473pf @ 10V 逻辑水平门，1.8V
BSL205NL6327HTSA1 Infineon Technologies BSL205NL6327HTSA1 -
RFQ
 ECAD 7332 0.00000000 Infineon技术 Optimos™ 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-23-6薄，TSOT-23-6 BSL205 MOSFET （金属 o化物） 500MW PG-TSOP6-6 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道（双） 20V 2.5a 50mohm @ 2.5a，4.5V 1.2V @ 11µA 3.2nc @ 4.5V 419pf @ 10V 逻辑级别门
NTJD2152PT4G onsemi NTJD2152PT4G -
RFQ
 ECAD 7390 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 NTJD21 MOSFET （金属 o化物） 270MW SC-88/SC70-6/SOT-363 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 10,000 2（p 通道（双） 8V 775MA 300MOHM @ 570mA，4.5V 1V @ 250µA 4NC @ 4.5V 225pf @ 8V 逻辑级别门
NVMFD5C680NLWFT1G onsemi NVMFD5C680NLWFT1G 1.6900
RFQ
 ECAD 3725 0.00000000 Onmi 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 8-POWERTDFN NVMFD5 MOSFET （金属 o化物） 3W（TA），19w（tc） 8-dfn（5x6）（SO8FL偶） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,500 2 n 通道（双） 60V 7.5a（ta），26a（tc） 28mohm @ 5a，10v 2.2V @ 13µA 2NC @ 4.5V 350pf @ 25V -
STL20DN10F7 STMicroelectronics STL20DN10F7 -
RFQ
 ECAD 3274 0.00000000 Stmicroelectronics DeepGate™，diplfet™VII 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Powervdfn STL20 MOSFET （金属 o化物） 62.5W PowerFlat™（5x6） - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 100V 20a 67mohm @ 2.5a，10v 4.5V @ 250µA 7.8NC @ 10V 408pf @ 50V -
FDMA6023PZT onsemi FDMA6023PZT 0.8200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Onmi PowerTrench® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-udfn暴露垫 FDMA6023 MOSFET （金属 o化物） 700MW 6-microfet（2x2） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2（p 通道（双） 20V 3.6a 60mohm @ 3.6A，4.5V 1.5V @ 250µA 17nc @ 4.5V 885pf @ 10V 逻辑级别门
DMN2710UV-7 Diodes Incorporated DMN2710UV-7 0.2900
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-563，SOT-666 DMN2710 MOSFET （金属 o化物） 500MW（TA） SOT-563 - rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道（双） 20V 920mA（ta） 450MOHM @ 600mA，4.5V 1V @ 250µA 0.6NC @ 4.5V 42pf @ 16V 标准
MMDF2C03HDR2G onsemi MMDF2C03HDR2G -
RFQ
 ECAD 3806 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） MMDF2 MOSFET （金属 o化物） 2W 8-SOIC 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n和p通道 30V 4.1a，3a 70MOHM @ 3A，10V 3V @ 250µA 16NC @ 10V 630pf @ 24V 逻辑级别门
VKM40-06P1 IXYS VKM40-06P1 -
RFQ
 ECAD 2551 0.00000000 ixys - 盒子 过时的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 Eco-PAC2 VHM40 MOSFET （金属 o化物） - Eco-PAC2 - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 25 4（n n 通道（半桥） 600V 38a 70mohm @ 25a，10v 5.5V @ 3mA 220NC @ 10V - -
FF8MR12W1M1HB70BPSA1 Infineon Technologies FF8MR12W1M1HB70BPSA1 207.7600
RFQ
 ECAD 2878 0.00000000 Infineon技术 - 托盘 积极的 FF8MR12 - - rohs3符合条件 到达不受影响 24 -
SI7922DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7922DN-T1-GE3 1.7700
RFQ
 ECAD 45 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 POWERPAK®1212-8 SI7922 MOSFET （金属 o化物） 1.3W POWERPAK®1212-8 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 100V 1.8a 195mohm @ 2.5a，10v 3.5V @ 250µA 8NC @ 10V - 逻辑级别门
DMN3012LEG-13 Diodes Incorporated DMN3012LEG-13 0.6416
RFQ
 ECAD 1736年 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Powerldfn DMN3012 MOSFET （金属 o化物） 2.2W（TC） POWERDI3333-8（d型） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达受影响 DMN3012LEG-13DI Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 30V 10A（10A），20A （TC） 12mohm @ 15a，5v，6mohm @ 15a，5v 2.1V @ 250µA，1.15V @ 250µA 6.1nc @ 4.5V，12.6nc @ 4.5V 850pf @ 15V，1480pf @ 15V -
AO6601L Alpha & Omega Semiconductor Inc. AO6601L -
RFQ
 ECAD 8998 0.00000000 Alpha＆欧米茄半导体公司 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SC-74，SOT-457 AO660 MOSFET （金属 o化物） 1.15W 6-TSOP - （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n和p通道 30V 3.4a（ta），2.3a（ta） 60mohm @ 3a，10v，135mohm @ 2.3a，10v 1.4V @ 250µA 4.34NC @ 4.5V，4.8NC @ 4.5V 390pf @ 15V，409pf @ 15V -
FX70KMJ-03#B00 Renesas Electronics America Inc FX70KMJ-03 ＃B00 7.8600
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Renesas Electronics America Inc * 大部分 积极的 FX70KMJ - - 不适用 （1 （无限） 供应商不确定 Ear99 8542.39.0001 1 -
STC5NF30V STMicroelectronics STC5NF30V -
RFQ
 ECAD 7815 0.00000000 Stmicroelectronics StripFet™II 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度） STC5NF MOSFET （金属 o化物） 1.5W 8-tssop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 4,000 2 n 通道（双） 30V 5a 31MOHM @ 2.5a，4.5V 600mv @ 250µA 11.5NC @ 4.5V 460pf @ 15V 逻辑级别门
GWM160-0055X1-SMD IXYS GWM160-0055X1-SMD -
RFQ
 ECAD 7591 0.00000000 ixys - 管子 过时的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 17-SMD，鸥翼 GWM160 MOSFET （金属 o化物） - ISOPLUS-DIL™ 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 28 6 n通道（3相桥） 55V 150a 3.3MOHM @ 100A，10V 4.5V @ 1mA 105nc @ 10V - -
BSS138DWK-7 Diodes Incorporated BSS138DWK-7 0.0513
RFQ
 ECAD 7383 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 BSS138 MOSFET （金属 o化物） 330MW SOT-363 下载 到达不受影响 31-BSS138DWK-7TR Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道（双） 50V 310mA ta） 2.6ohm @ 200mA，10v 1.5V @ 250µA 0.8NC @ 10V 22pf @ 25V -
NTLJD2105LTBG onsemi NTLJD2105LTBG -
RFQ
 ECAD 2677 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-WDFN暴露垫 NTLJD21 MOSFET （金属 o化物） 520MW 6-WDFN（2x2） 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 n和p通道 8V 2.5a 50mohm @ 4A，4.5V 1V @ 250µA - - -
SIA517DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix SIA517DJ-T1-GE3 0.6400
RFQ
 ECAD 26 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 POWERPAK®SC-70-6双重 SIA517 MOSFET （金属 o化物） 6.5W POWERPAK®SC-70-6双重 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 n和p通道 12V 4.5a 29mohm @ 5A，4.5V 1V @ 250µA 15nc @ 8V 500pf @ 6V 逻辑级别门
IRFI4212H-117P International Rectifier IRFI4212H-117P 1.0000
RFQ
 ECAD 8719 0.00000000 国际整流器 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-5 IRFI4212 MOSFET （金属 o化物） 18W TO-220-5 下载 0000.00.0000 1 2 n 通道（双） 100V 11a 72.5MOHM @ 6.6a，10V 5V @ 250µA 18NC @ 10V 490pf @ 50V -
DMN2008LFU-7 Diodes Incorporated DMN2008LFU-7 0.6200
RFQ
 ECAD 689 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-UFDFN暴露垫 DMN2008 MOSFET （金属 o化物） 1W U-DFN2030-6（B型） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双）公共排水 20V 14.5a 5.4MOHM @ 5.5A，4.5V 1.5V @ 250a 42.3nc @ 10V 1418pf @ 10V -
DMG4800LSD-13 Diodes Incorporated DMG4800LSD-13 0.5500
RFQ
 ECAD 24 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） DMG4800 MOSFET （金属 o化物） 1.17W 8-so 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（双） 30V 7.5a 16mohm @ 9a，10v 1.6V @ 250µA 8.56nc @ 5V 798pf @ 10V 逻辑级别门
PJL9850_R2_00001 Panjit International Inc. PJL9850_R2_00001 0.5000
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Panjit International Inc. - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） PJL9850 MOSFET （金属 o化物） 1.7W（TA） 8-sop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 3757-PJL9850_R2_00001CT Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（双） 40V 5.4A（ta） 32MOHM @ 5A，10V 2.5V @ 250µA 4.4NC @ 4.5V 425pf @ 25V -
UM6K1N-TP Micro Commercial Co UM6K1N-TP -
RFQ
 ECAD 9550 0.00000000 微商业公司 - 大部分 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 UM6K1 MOSFET （金属 o化物） 150MW SOT-363 下载 353-UM6K1N-TP Ear99 8541.21.0095 1 2 n 通道（双） 30V 100mA 8ohm @ 10mA，4V 1.5V @ 100µA - 13pf @ 5V -
RM8205F Rectron USA RM8205F 0.0680
RFQ
 ECAD 8238 0.00000000 美国直发 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 SOT-23-6 RM8205 MOSFET （金属 o化物） 1.14W（TA） SOT-23-6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 2516-RM8205FTR 8541.10.0080 30,000 2 n 通道（双） 20V 6a（6a） 17mohm @ 1A，4.5V，20mohm @ 6a，4.5V 1.2V @ 250µA - 1035pf @ 20V -
2SK4085LS-CB11 onsemi 2SK4085LS-CB11 2.6100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Onmi * 大部分 积极的 2SK4085 - 下载 不适用 （1 （无限） 供应商不确定 Ear99 8541.29.0095 1 -
DMN3061SVT-13 Diodes Incorporated DMN3061SVT-13 0.1185
RFQ
 ECAD 6668 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-23-6薄，TSOT-23-6 DMN3061 MOSFET （金属 o化物） 880MW TSOT-26 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 31-DMN3061SVT-13TR Ear99 8541.21.0095 10,000 2 n 通道（双） 30V 3.4a（ta） 60mohm @ 3.1a，10v 1.8V @ 250µA 6.6nc @ 10V 278pf @ 15V -
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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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