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FET，MOSFET（6056）
| 参考图片 | 产品编号 | （（（） | 数量 | ECAD | 可用数量 | （kg） | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | （MSL） | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | （VDSS） | 电流 -id（ID） @ 25°C | RDS（最大值） @ ID，VGS | VGS（TH）（最大） @ ID | （QG））（最大） @ vgs | （ciss）（最大（ciss） @ vds | fet |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | FDQ7238AS | - |  | 9386 | 0.00000000 | Onmi | PowerTrench® | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 14- 材料（ 0.154英寸，宽度为3.90mm） | FDQ72 | MOSFET （金属 o化物） | 1.3W，1.1W | 14-Soic | 下载 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 n 通道（双） | 30V | 14a，11a | 13.2MOHM @ 11A，10V | 3V @ 250µA | 24NC @ 10V | 920pf @ 15V | 逻辑级别门 | |||
 | MSCSM170HRM451AG | 149.6700 | | 9909 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜175°C（TJ） | 底盘安装 | 模块 | （SIC） | 319W（TC），395W（tc） | - | - | 150-MSCSM170HRM451AG | 1 | （4 n 通道（三级逆变器） | 1700V（（1.7kV），1200V（1.2kV） | 64A（TC），89A （TC） | 45mohm @ 30a，20v，31mohm @ 40a，20v | 3.2V @ 2.5mA，2.8V @ 3mA | 178nc @ 20v，232nc @ 20V | 3300pf @ 1000V，3020pf @ 1000V | （SIC） | |||||||
 | FDMB2308PZ | 2.1200 | | 17 | 0.00000000 | Onmi | PowerTrench® | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 6-WDFN暴露垫 | FDMB2308 | MOSFET （金属 o化物） | 800MW | 6-MLP（2x3） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2（p 通道（双）公共排水 | - | - | 36mohm @ 5.7A，4.5V | 1.5V @ 250µA | 30nc @ 10V | 3030pf @ 10V | 逻辑级别门 | ||
 | ALD110900PAL | 6.4900 | | 53 | 0.00000000 | 高级线性设备公司 | EPAD®，零阈值™ | 管子 | 积极的 | 0°C 〜70°C（TJ） | 通过洞 | 8 点点（0.300英寸，7.62mm） | ALD110900 | MOSFET （金属 o化物） | 500MW | 8-pdip | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | 1014-1032 | Ear99 | 8541.21.0095 | 50 | 2（n n 通道（双） | 10.6V | - | 500OHM @ 4V | 20mv @ 1µA | - | 2.5pf @ 5V | - | |
 | QH8MA3TCR | 0.7800 | | 6604 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | 150°C（TJ） | 表面安装 | 8-SMD，平坦的铅 | QH8MA3 | MOSFET （金属 o化物） | 1.5W | TSMT8 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n和p通道 | 30V | 7a，5.5a | 29mohm @ 7a，10v | 2.5V @ 1mA | 7.2nc @ 10V | 300pf @ 15V | - | ||
 | FDD8424H-F085A | - | | 4631 | 0.00000000 | Onmi | PowerTrench® | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | TO-252-5，DPAK（ + 4 +选项卡，TO-252AD | FDD8424 | MOSFET （金属 o化物） | 1.3W | TO-252（DPAK） | 下载 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n和p通道 | 40V | 9a，6.5a | 24mohm @ 9a，10v | 3V @ 250µA | 20NC @ 10V | 1000pf @ 20V | 逻辑级别门 | |||
 | UPA602T-T2-A | 0.1600 | | 51 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 大部分 | 过时的 | 150°C（TJ） | 表面安装 | SC-59-6 | UPA602 | MOSFET （金属 o化物） | 300MW | SC-59 | 下载 | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 2 n 通道（双） | 50V | 100mA | 25ohm @ 10mA，10v | 1.8V @ 1µA | - | 16pf @ 5V | 逻辑级别门 | |||||
 | SI3981DV-T1-GE3 | - | | 5843 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | SOT-23-6薄，TSOT-23-6 | SI3981 | MOSFET （金属 o化物） | 800MW | 6-TSOP | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2（p 通道（双） | 20V | 1.6a | 185mohm @ 1.9a，4.5V | 1.1V @ 250µA | 5NC @ 4.5V | - | 逻辑级别门 | ||
 | CSD88539NDT | 1.0000 | | 12 | 0.00000000 | Texas Instruments | NexFet™ | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | CSD88539 | MOSFET （金属 o化物） | 2.1W | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 250 | 2 n 通道（双） | 60V | 15a | 28mohm @ 5a，10v | 3.6V @ 250µA | 9.4NC @ 10V | 741pf @ 30V | 逻辑级别门 | ||
 | SH8K37GZETB | 1.6100 | | 2 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | 150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | SH8K37 | MOSFET （金属 o化物） | 1.4W（TA） | 8-sop | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 n 通道（双） | 60V | 5.5A（ta） | 46mohm @ 5.5A，10V | 2.7V @ 100µA | 9.7nc @ 10V | 500pf @ 30V | - | ||
 | IRF8513PBF | - | | 7116 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 管子 | 过时的 | -55°C〜175°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | IRF8513 | MOSFET （金属 o化物） | 1.5W，2.4W | 8-so | 下载 | （1 （无限） | 到达不受影响 | SP001555762 | Ear99 | 8541.29.0095 | 95 | 2 n 通道（双） | 30V | 8a，11a | 15.5MOHM @ 8A，10V | 2.35V @ 25µA | 8.6nc @ 4.5V | 766pf @ 15V | 逻辑级别门 | ||
| aonp38324 | 0.5451 | | 1114 | 0.00000000 | Alpha＆欧米茄半导体公司 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Powervdfn | aonp383 | MOSFET （金属 o化物） | 3.2W（69w（ta）（3.2W（ta）（46W（ta）TC） | 8-DFN-EP（3.3x3.3） | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 785-AONP38324TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 通道（双） | 30V | 29A（ta），134a （TC），29a（ta（110a t c） | 2.4mohm @ 20a，10v，2.3Mohm @ 20a，10v | 1.8V @ 250µA，1.9V @ 250µA | 38nc @ 10V | 1940pf @ 15V，1890pf @ 15V | 标准 | ||
 | GSFQ6808 | 0.5800 | | 6 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | MOSFET （金属 o化物） | 1.47W（TA），3.6W（tc） | 8-sop | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | 2 n通道 | 30V | （5a ta），10a（tc） | 34mohm @ 10a，10v | 2.5V @ 250µA | 24NC @ 10V | 1720pf @ 30V | 标准 | |||
 | SI6953DQ | 0.3000 | | 1 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | PowerTrench® | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度） | SI6953 | MOSFET （金属 o化物） | 600MW（TA） | 8-tssop | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 供应商不确定 | Ear99 | 8541.21.0095 | 2,500 | 2（p 通道（双） | 20V | 1.9a（ta） | 170MOHM @ 1.9A，10V | 3V @ 250µA | 10NC @ 10V | 218pf @ 10V | - | ||
 | DMN5L06DWK-7-79 | - | | 3097 | 0.00000000 | 二极管合并 | - | 大部分 | 过时的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | DMN5L06 | MOSFET （金属 o化物） | 250MW（TA） | SOT-363 | - | 31-DMN5L06DWK-7-79 | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 2 n 通道（双） | 50V | 305mA（ta） | 2ohm @ 50mA，5v | 1V @ 250µA | 0.4NC @ 4.5V | 50pf @ 25V | - | ||||
| DMC3032LFDB-7 | 0.1431 | | 8081 | 0.00000000 | 二极管合并 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 6-udfn暴露垫 | DMC3032 | MOSFET （金属 o化物） | 800MW | U-DFN2020-6（B型） | 下载 | 31-DMC3032LFDB-7 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n和p通道互补 | 30V | 5.3a（ta），3.4a（ta） | 30mohm @ 5.8a，10v，70mohm @ 3.8a，10v | 2V @ 250µA，2.1V @ 250µA | 10.6nc @ 10V，7.8NC @ 10V | 500pf @ 15V，336pf @ 25V | 标准 | ||||
 | NTMFD024N06CT1G | 1.3418 | | 8505 | 0.00000000 | Onmi | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 表面安装 | 8-POWERTDFN | NTMFD024 | MOSFET （金属 o化物） | 3.1W（TA），28W（tc） | 8-dfn（5x6）（SO8FL偶） | - | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | 488-NTMFD024N06CT1GTR | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,500 | 2 n 通道（双） | 60V | 8a（8a ta），24a （TC） | 22.6mohm @ 3a，10v | 4V @ 20µA | 5.7nc @ 10V | 333pf @ 30V | - | |
| DMTH4008LPDW-13 | 0.2900 | | 6661 | 0.00000000 | 二极管合并 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 表面安装 | 8-POWERTDFN | DMTH4008 | MOSFET （金属 o化物） | 2.67W（TA），39.4W（tc） | PowerDI5060-8（type UXD） | 下载 | 到达不受影响 | 31-DMTH4008LPDW-13TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 n 通道（双） | 40V | 10A（10A），46.2A（TC） | 12.3mohm @ 20a，10v | 2.3V @ 250µA | 12.3nc @ 10V | 881pf @ 20V | - | |||
 | IRF7752TRPBF | - | | 2410 | 0.00000000 | Infineon技术 | Hexfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度） | IRF775 | MOSFET （金属 o化物） | 1W | 8-tssop | 下载 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 4,000 | 2 n 通道（双） | 30V | 4.6a | 30mohm @ 4.6A，10V | 2V @ 250µA | 9NC @ 4.5V | 861pf @ 25V | 逻辑级别门 | |||
| APTC80DDA29T3G | - | | 2160 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 大部分 | 过时的 | -40°C〜150°C（TJ） | 底盘安装 | SP3 | APTC80 | MOSFET （金属 o化物） | 156W | SP3 | 下载 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 n 通道（双） | 800V | 15a | 290MOHM @ 7.5A，10V | 3.9V @ 1mA | 90NC @ 10V | 2254pf @ 25V | - | |||
 | SI1913EDH-T1-E3 | - | | 9757 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | SI1913 | MOSFET （金属 o化物） | 570MW | SC-70-6 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2（p 通道（双） | 20V | 880mA | 490MOHM @ 880mA，4.5V | 450mv @ 100µA | 1.8NC @ 4.5V | - | 逻辑级别门 | ||
 | SI4562DY-T1-E3 | - | | 3507 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | SI4562 | MOSFET （金属 o化物） | 2W | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n和p通道 | 20V | - | 25mohm @ 7.1a，4.5V | 1.6V @ 250µA | 50nc @ 4.5V | - | 逻辑级别门 | ||
 | TC6321T-V/9U | 1.4500 | | 3318 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜175°C | 表面安装 | 8-vdfn暴露垫 | TC6321 | MOSFET （金属 o化物） | - | 8-vdfn（6x5） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,300 | n和p通道 | 200V | 2A（TA） | 7ohm @ 1a，10v，8ohm @ 1a，10v | 2V @ 1mA，2.4V @ 1MA | - | 110pf @ 25V，200pf @ 25V | 逻辑级别门 | ||
| APTC90AM602G | - | | 5744 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | coolmos™ | 托盘 | 过时的 | -40°C〜150°C（TJ） | 底盘安装 | SP2 | APTC90 | MOSFET （金属 o化物） | 462W | SP2 | 下载 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 n 通道（半桥） | 900V | 59a | 60mohm @ 52a，10v | 3.5V @ 6mA | 540NC @ 10V | 13600pf @ 100V | 超交界处 | |||
 | NX7002BKW，115 | - | | 6511 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | * | 大部分 | 积极的 | NX7002 | - | 下载 | 不适用 | （1 （无限） | 供应商不确定 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | - | ||||||||||||||
 | SSM6L40TU，LF | 0.4900 | | 62 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | 150°C | 表面安装 | 6-SMD，平坦的铅 | SSM6L40 | MOSFET （金属 o化物） | 500MW（TA） | UF6 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n和p通道 | 30V | 1.6A（ta），1.4a（ta） | 122MOHM @ 1A，10V，226MOHM @ 1A，10V | 2.6V @ 1MA，2V @ 1MA | 5.1nc @ 10v，2.9nc @ 10V | 180pf @ 15V，120pf @ 15V | 逻辑水平门，4V驱动器 | |||
 | PHN210,118 | - | | 1226 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos™ | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | PHN210 | MOSFET （金属 o化物） | 2W | 8-so | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 10,000 | 2 n 通道（双） | 30V | - | 100mohm @ 2.2a，10v | 2.8V @ 1mA | 6NC @ 10V | 250pf @ 20V | 逻辑级别门 | ||
 | TSM150NB04DCR RLG | 2.2400 | | 423 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-POWERTDFN | TSM150 | MOSFET （金属 o化物） | 2W（TA），40W（TC） | 8-pdfn（5x6） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 n 通道（双） | 40V | 8a（8a ta），38a tc） | 15mohm @ 8a，10v | 4V @ 250µA | 18NC @ 10V | 1132pf @ 20V | - | ||
| IRF7351pbf | - | | 9320 | 0.00000000 | Infineon技术 | Hexfet® | 管子 | 在sic中停产 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | IRF7351pbf | MOSFET （金属 o化物） | 2W | 8-so | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | SP001570426 | Ear99 | 8541.29.0095 | 95 | 2 n 通道（双） | 60V | 8a | 17.8mohm @ 8a，10v | 4V @ 50µA | 36NC @ 10V | 1330pf @ 30V | 逻辑级别门 | |
| NXH020U90MNF2PTG | 258.0600 | | 20 | 0.00000000 | Onmi | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜175°C（TJ） | 底盘安装 | 模块 | NXH020 | （SIC） | 352W（TJ） | - | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | 488-NXH020U90MNF2PTG | Ear99 | 8541.29.0095 | 20 | 2 n 通道（双） | 900V | 149a（TC） | 14mohm @ 100a，15v | 4.3V @ 40mA | 546.4NC @ 15V | 7007pf @ 450V | - |
2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
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