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FET，MOSFET（6056）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs （ciss）（最大（ciss） @ vds fet
DMN4026SSDQ-13 Diodes Incorporated DMN4026SSDQ-13 0.8700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） DMN4026 MOSFET （金属 o化物） 1.3W 8-so 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（双） 40V 7a 24mohm @ 6a，10v 3V @ 250µA 19.1nc @ 10V 1060pf @ 20V 逻辑级别门
IRF7103Q Infineon Technologies IRF7103Q -
RFQ
 ECAD 3804 0.00000000 Infineon技术 Hexfet® 管子 过时的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） IRF71 MOSFET （金属 o化物） 2.4W 8-so 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 95 2 n 通道（双） 50V 3a 130MOHM @ 3A，10V 3V @ 250µA 15nc @ 10V 255pf @ 25V -
SIA921EDJ-T4-GE3 Vishay Siliconix SIA921EDJ-T4-GE3 0.2467
RFQ
 ECAD 2159 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 POWERPAK®SC-70-6双重 SIA921 MOSFET （金属 o化物） 7.8W POWERPAK®SC-70-6双重 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 2（p 通道（双） 20V 4.5a 59mohm @ 3.6A，4.5V 1.4V @ 250µA 23nc @ 10V - 逻辑级别门
FDS8958 onsemi FDS8958 -
RFQ
 ECAD 7563 0.00000000 Onmi PowerTrench® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） FDS89 MOSFET （金属 o化物） 2W 8-SOIC 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n和p通道 30V 7a，5a 28mohm @ 7a，10v 3V @ 250µA 26NC @ 10V 789pf @ 10V 逻辑级别门
IRF7555TRPBF Infineon Technologies IRF7555553TRPBF -
RFQ
 ECAD 2102 0.00000000 Infineon技术 Hexfet® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-tssop，8-msop（0.118英寸，3.00mm宽度） IRF7555 MOSFET （金属 o化物） 1.25W micro8™ 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 4,000 2（p 通道（双） 20V 4.3a 55MOHM @ 4.3A，4.5V 1.2V @ 250µA 15nc @ 5V 1066pf @ 10V 逻辑级别门
DMN3032LFDB-13 Diodes Incorporated DMN3032LFDB-13 0.1234
RFQ
 ECAD 5234 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-udfn暴露垫 DMN3032 MOSFET （金属 o化物） 1W U-DFN2020-6（B型） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 10,000 2 n 通道（双） 30V 6.2a 30mohm @ 5.8A，10V 2V @ 250µA 10.6nc @ 10V 500pf @ 15V -
2N7002K36 Rectron USA 2N7002K36 0.0450
RFQ
 ECAD 2683 0.00000000 美国直发 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 - 表面安装 SOT-23-6 2N7002 MOSFET （金属 o化物） 350MW（TA） SOT-23-6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 2516-2N7002K36TR 8541.10.0080 30,000 2 n 通道（双） 60V 250mA（ta） 3ohm @ 500mA，10v 1.9V @ 250µA - - -
SQJB70EP-T1_GE3 Vishay Siliconix SQJB70EP-T1_GE3 0.9600
RFQ
 ECAD 8970 0.00000000 Vishay Siliconix 汽车，AEC-Q101，Trenchfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 POWERPAK®SO-8 SQJB70 MOSFET （金属 o化物） 27W（TC） POWERPAK®SO-8 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 100V 11.3A（TC） 95MOHM @ 4A，10V 3.5V @ 250µA 7NC @ 10V 220pf @ 25V -
NTHD3100CT3 onsemi NTHD3100CT3 -
RFQ
 ECAD 3767 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-SMD，平坦的铅 NTHD3100 MOSFET （金属 o化物） 1.1W chipfet™ 下载 Rohs不合规 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 10,000 n和p通道 20V 2.9a，3.2a 80MOHM @ 2.9a，4.5V 1.2V @ 250µA 2.3nc @ 4.5V 165pf @ 10V 逻辑级别门
MCH3360-TL-E-ON onsemi MCH3360-TL-E-ON -
RFQ
 ECAD 7675 0.00000000 Onmi * 大部分 积极的 MCH3360 - - 不适用 （1 （无限） 供应商不确定 3,000 -
CPH3418-TL-H Sanyo CPH3418-TL-H 0.1500
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 Sanyo * 大部分 积极的 CPH3418 - - 不适用 （1 （无限） 供应商不确定 0000.00.0000 3,000 -
GE17045EEA3 GE Aerospace GE17045EEA3 3.0000
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 GE航空航天 sic力量 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TC） 底盘安装 模块 GE17045 （SIC） 1250W（TC） - 下载 Rohs不合规 不适用 供应商不确定 4014-GE17045EEA3 Ear99 8541.29.0095 1 6 n通道（3相桥） 1700V（（1.7kV） 425a（TC） 4.45MOHM @ 425a，20V 4.5V @ 160mA 1207nc @ 18V 29100pf @ 900V -
FDMC8200 onsemi FDMC8200 1.2500
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Onmi PowerTrench® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Powerwdfn FDMC82 MOSFET （金属 o化物） 700MW，900MW 8-Power33（3x3） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道（双） 30V 8a，12a 20mohm @ 6a，10v 3V @ 250µA 10NC @ 10V 660pf @ 15V 逻辑级别门
FDC6420C onsemi FDC6420C 0.6400
RFQ
 ECAD 4030 0.00000000 Onmi PowerTrench® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-23-6薄，TSOT-23-6 FDC6420 MOSFET （金属 o化物） 700MW SuperSot™-6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 n和p通道 20V 3a，2.2a 70MOHM @ 3A，4.5V 1.5V @ 250µA 4.6NC @ 4.5V 324pf @ 10V 逻辑级别门
FF1MR12KM1H Infineon Technologies FF1MR12KM1H -
RFQ
 ECAD 5591 0.00000000 Infineon技术 - 托盘 积极的 FF1MR12 - - rohs3符合条件 到达不受影响 448-FF1MR12KM1H Ear99 8541.29.0095 1 -
DMP2060UFDB-7 Diodes Incorporated DMP2060UFDB-7 0.8300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-udfn暴露垫 DMP2060 MOSFET （金属 o化物） 1.4W U-DFN2020-6（B型） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2（p 通道（双） 20V 3.2a 90MOHM @ 2.9a，4.5V 1.4V @ 250µA 18NC @ 8V 881pf @ 10V -
IRLHS6376TRPBF Infineon Technologies IRLHS6376TRPBF 0.6700
RFQ
 ECAD 159 0.00000000 Infineon技术 Hexfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-vdfn裸露的垫子 IRLHS6376 MOSFET （金属 o化物） 1.5W 6-PQFN （2x2） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 4,000 2 n 通道（双） 30V 3.6a 63mohm @ 3.4a，4.5V 1.1V @ 10µA 2.8NC @ 4.5V 270pf @ 25V 逻辑级别门
SI4943CDY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4943CDY-T1-E3 1.7000
RFQ
 ECAD 8274 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -50°C〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） SI4943 MOSFET （金属 o化物） 3.1W 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 2,500 2（p 通道（双） 20V 8a 19.2MOHM @ 8.3a，10V 3V @ 250µA 62NC @ 10V 1945pf @ 10V 逻辑级别门
AON5802B Alpha & Omega Semiconductor Inc. AON5802B -
RFQ
 ECAD 6842 0.00000000 Alpha＆欧米茄半导体公司 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-WFDFN暴露垫 AON5802 MOSFET （金属 o化物） 1.6W 6-DFN-EP（2x5） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 5,000 2 n 通道（双）公共排水 30V 7.2a 19mohm @ 7a，4.5V 1.5V @ 250µA 24NC @ 10V 1150pf @ 15V 逻辑级别门
AOC2870 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOC2870 0.9800
RFQ
 ECAD 2791 0.00000000 Alpha＆欧米茄半导体公司 alphamos 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 4-XDFN AOC287 MOSFET （金属 o化物） 1.4W 4-DFN（1.7x1.7） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双）公共排水 - - - 1.3V @ 250µA 11.5NC @ 4.5V - -
GMM3X160-0055X2-SMD IXYS GMM3X160-0055X2-SMD -
RFQ
 ECAD 8483 0.00000000 ixys - 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 24-smd，海鸥翼 GMM3x160 MOSFET （金属 o化物） - 24-SMD 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 6 n通道（3相桥） 55V 150a - 4V @ 1mA 110NC @ 10V - -
NDS9952A-F011 onsemi NDS9952A-F011 -
RFQ
 ECAD 2858 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） NDS995 MOSFET （金属 o化物） 900MW（TA） 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n和p通道 30V 2.9a 80MOHM @ 1A，10V 2.8V @ 250µA 27nc @ 10v，5nc @ 10v 320pf @ 10V -
FDS9945 Fairchild Semiconductor FDS9945 -
RFQ
 ECAD 2555 0.00000000 Fairchild半导体 PowerTrench® 大部分 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） FDS99 MOSFET （金属 o化物） 1W（ta） 8-SOIC 下载 Ear99 8542.39.0001 1 2 n 通道（双） 60V 3.5A（ta） 100mohm @ 3.5a，10v 3V @ 250µA 13nc @ 5V 420pf @ 30V 逻辑级别门
DMN3022LFG-7 Diodes Incorporated DMN3022LFG-7 0.3891
RFQ
 ECAD 5647 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Powerldfn DMN3022 MOSFET （金属 o化物） 1.96W（TA） POWERDI3333-8（d型） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 2 n 通道（双） 30V 7.6a（ta），15a（tc） 22mohm @ 10a，5v，8mohm @ 10a，5v 2.1V @ 250µA，1.2V @ 250µA 3.7nc @ 4.5V，8NC @ 4.5V 481pf @ 15V，996pf @ 15V -
SI4816BDY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4816BDY-T1-E3 1.6400
RFQ
 ECAD 4884 0.00000000 Vishay Siliconix Littlefoot® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） SI4816 MOSFET （金属 o化物） 1W，1.25W 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（半桥） 30V 5.8a，8.2a 18.5mohm @ 6.8a，10v 3V @ 250µA 10NC @ 5V - 逻辑级别门
DMN63D8LDW-7 Diodes Incorporated DMN63D8LDW-7 0.3100
RFQ
 ECAD 176 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 DMN63 MOSFET （金属 o化物） 300MW SOT-363 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道（双） 30V 220mA 2.8ohm @ 250mA，10v 1.5V @ 250µA 0.87NC @ 10V 22pf @ 25V 逻辑级别门
DMC2700UDM-7 Diodes Incorporated DMC2700UDM-7 0.4000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-23-6 DMC2700 MOSFET （金属 o化物） 1.12W SOT-26 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n和p通道 20V 1.34a，1.14a 400mohm @ 600mA，4.5V 1V @ 250µA 0.74NC @ 4.5V 60.67pf @ 16V 逻辑级别门
AO4620 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AO4620 0.2619
RFQ
 ECAD 3701 0.00000000 Alpha＆欧米茄半导体公司 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） AO462 MOSFET （金属 o化物） 2W 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n和p通道 30V - 24mohm @ 7.2a，10v 2.6V @ 250µA 11NC @ 10V 448pf @ 15V 逻辑级别门
SI3552DV-T1-GE3 Vishay Siliconix SI3552DV-T1-GE3 0.8300
RFQ
 ECAD 553 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-23-6薄，TSOT-23-6 SI3552 MOSFET （金属 o化物） 1.15W 6-TSOP 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 n和p通道 30V 2.5a 105mohm @ 2.5a，10v 1V @ 250µA（250µA） 3.2nc @ 5V - 逻辑级别门
IRF9952TR Infineon Technologies IRF9952TR -
RFQ
 ECAD 9552 0.00000000 Infineon技术 Hexfet® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） IRF995 MOSFET （金属 o化物） 2W 8-so 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 4,000 n和p通道 30V 3.5a，2.3a 100mohm @ 2.2a，10v 1V @ 250µA 14NC @ 10V 190pf @ 15V 逻辑级别门
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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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