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FET，MOSFET（6056）
| 参考图片 | 产品编号 | （（（） | 数量 | ECAD | 可用数量 | 重量（ kg） | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | （MSL） | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | （VDSS） | 电流 -id（ID） @ 25°C | RDS（最大值） @ ID，VGS | VGS（TH）（最大） @ ID | （QG））（最大） @ vgs | （ciss）（最大（ciss） @ vds | fet |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | FF2MR12KM1PHOSA1 | - |  | 5563 | 0.00000000 | Infineon技术 | COOLSIC™ | 托盘 | 过时的 | -40°C〜150°C（TJ） | 底盘安装 | 模块 | FF2MR12 | MOSFET （金属 o化物） | - | AG-62mm | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 8 | 2 n 通道（半桥） | 1200V（1.2kV） | 500A（TC） | 2.13MOHM @ 500A，15V | 5.15V @ 224mA | 1340nc @ 15V | 39700pf @ 800V | - | |||
 | DMN15M3UCA6-7 | 0.3540 | | 5470 | 0.00000000 | 二极管合并 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 6-SMD，没有铅 | DMN15 | - | 1W | X3-DSN2718-6 | 下载 | 到达不受影响 | 31-DMN15M3UCA6-7TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 通道（双）公共来源 | 14V | 16.5A（TA） | 5.8MOHM @ 3A，4.5V | 1.3V @ 1mA | 35.2NC @ 4.5V | 2360pf @ 6V | - | |||
 | 2N7002KV-TP | 0.4300 | | 3 | 0.00000000 | 微商业公司 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | SOT-563，SOT-666 | 2N7002 | MOSFET （金属 o化物） | 150MW | SOT-563 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2 n 通道（双） | 60V | 340mA | 5ohm @ 500mA，10v | 2.5V @ 1mA | - | 40pf @ 10V | - | ||
 | SQJ912AEP-T1_GE3 | - | | 5227 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 汽车，AEC-Q101，Trenchfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C〜175°C（TJ） | 表面安装 | POWERPAK®SO-8 | SQJ912 | MOSFET （金属 o化物） | 48W | POWERPAK®SO-8 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 通道（双） | 40V | 30a | 9.3mohm @ 9.7a，10v | 2.5V @ 250µA | 38nc @ 10V | 1835pf @ 20V | - | |||
 | NVMFD5C478NLWFT1G | 1.6600 | | 3242 | 0.00000000 | Onmi | 汽车，AEC-Q101 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 表面安装 | 8-POWERTDFN | NVMFD5 | MOSFET （金属 o化物） | 3.1W（TA），23W（tc） | 8-dfn（5x6）（SO8FL偶） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,500 | 2 n 通道（双） | 40V | 10.5A（ta），29a（tc） | 14.5MOHM @ 7.5A，10V | 2.2V @ 20µA | 8.1nc @ 10V | 420pf @ 25V | - | ||
 | VMK90-02T2 | - | | 7703 | 0.00000000 | ixys | - | 盒子 | 过时的 | -40°C〜150°C（TJ） | 底盘安装 | TO-240AA | VMK90 | MOSFET （金属 o化物） | 380W | TO-240AA | 下载 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.29.0095 | 6 | 2 n 通道（双） | 200V | 83a | 25mohm @ 500mA，10v | 4V @ 3mA | 450NC @ 10V | 15000pf @ 25V | - | ||||
 | DMN33D8LV-7 | 0.4600 | | 6522 | 0.00000000 | 二极管合并 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | SOT-563，SOT-666 | DMN33 | MOSFET （金属 o化物） | 430MW（TA） | SOT-563 | 下载 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2 n 通道（双） | 30V | 350mA（ta） | 2.4OHM @ 250mA，10V | 1.5V @ 100µA | 1.23nc @ 10V | 48pf @ 5V | - | ||||
 | PJQ5844-AU_R2_000A1 | 0.4410 | | 1751年 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 表面安装 | 8-POWERTDFN | PJQ5844 | MOSFET （金属 o化物） | 2W（ta），38.5W（TC） | DFN5060B-8 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | 3757-PJQ5844-AU_R2_000A1TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 通道（双） | 40V | 10a（10A），45a（tc） | 8mohm @ 15a，10v | 2.5V @ 250µA | 17nc @ 4.5V | 1759pf @ 25V | - | |
 | NTMD6N04R2G | - | | 5230 | 0.00000000 | Onmi | - | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | NTMD6 | MOSFET （金属 o化物） | 1.29W | 8-SOIC | 下载 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 n 通道（双） | 40V | 4.6a | 34mohm @ 5.8A，10V | 3V @ 250µA | 30nc @ 10V | 900pf @ 32V | 逻辑级别门 | |||
 | APTM10HM19FT3G | 89.0600 | | 9756 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜150°C（TJ） | 底盘安装 | SP3 | APTM10 | MOSFET （金属 o化物） | 208W | SP3 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 4（n n 通道（半桥） | 100V | 70a | 21mohm @ 35a，10v | 4V @ 1mA | 200NC @ 10V | 5100pf @ 25V | - | ||
 | SIA533EDJ-T1-GE3 | 0.6200 | | 5188 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | POWERPAK®SC-70-6双重 | SIA533 | MOSFET （金属 o化物） | 7.8W | POWERPAK®SC-70-6双重 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n和p通道 | 12V | 4.5a | 34mohm @ 4.6A，4.5V | 1V @ 250µA | 15nc @ 10V | 420pf @ 6V | 逻辑级别门 | |||
| DMP31D7LVQ-13 | 0.4500 | | 10 | 0.00000000 | 二极管合并 | 汽车，AEC-Q101 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | SOT-563，SOT-666 | DMP31 | MOSFET （金属 o化物） | 500MW（TA） | SOT-563 | - | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.21.0095 | 10,000 | 2（p 通道（双） | 30V | 620mA（ta） | 900MOHM @ 420mA，10V | 2.6V @ 250µA | 0.8NC @ 10V | 19pf @ 15V | 标准 | |||
 | EM5K5T2R | 0.5200 | | 42 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 不适合新设计 | - | 表面安装 | 6-SMD（5条线），平坦的铅 | EM5K5 | MOSFET （金属 o化物） | 150MW | EMT5 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 8,000 | 2 n 通道（双） | 30V | 300mA | 600MOHM @ 300mA，4.5V | - | - | - | - | ||
 | FDS8949-F085 | - | | 4581 | 0.00000000 | Onmi | 汽车，AEC-Q101，PowerTrench® | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | FDS89 | MOSFET （金属 o化物） | 2W | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 n 通道（双） | 40V | 6a | 29mohm @ 6a，10v | 3V @ 250µA | 11NC @ 5V | 955pf @ 20V | 逻辑级别门 | ||
 | DMN1003UCA6-7 | 0.3655 | | 5271 | 0.00000000 | 二极管合并 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 6-SMD，没有铅 | DMN1003 | MOSFET （金属 o化物） | 2.67W | X3-DSN3518-6 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 通道（双） | - | - | - | 1.3V @ 1mA | 56.5nc @ 4.5V | 3315pf @ 6V | - | ||
 | SQ4949EY-T1_BE3 | 1.6100 | | 7212 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 汽车，AEC-Q101，Trenchfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | SQ4949 | MOSFET （金属 o化物） | 3.3W（TC） | 8-SOIC | 下载 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2（p 通道（双） | 30V | 7.5A（TC） | 35mohm @ 5.9a，10v | 2.5V @ 250µA | 30nc @ 10V | 1020pf @ 25V | - | ||||
 | FDZ2554P | 1.2000 | | 89 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | PowerTrench® | 大部分 | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 18-WFBGA | FDZ25 | MOSFET （金属 o化物） | 2.1W | 18-BGA（2.5x4） | 下载 | Rohs不合规 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2（p 通道（双） | 20V | 6.5a | 28mohm @ 6.5a，4.5V | 1.5V @ 250µA | 20NC @ 4.5V | 1900pf @ 10V | 逻辑级别门 | ||||
| FDY4001CZCT | - | | 6907 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | * | 大部分 | 积极的 | FDY40 | - | - | 不适用 | （1 （无限） | 供应商不确定 | 2,101 | - | ||||||||||||||||
| FF8MR12W1M1HS4PB11BPSA1 | 229.0000 | | 30 | 0.00000000 | Infineon技术 | COOLSIC™ | 托盘 | 积极的 | -40°C〜150°C（TJ） | 底盘安装 | 模块 | FF8MR12 | （SIC） | 20mw | ag-easy1b | - | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | 30 | 2 n通道 | 1200V | 100A（TJ） | 8.1MOHM @ 100A，18V | 5.15V @ 40mA | 297nc @ 18V | 8800pf @ 800V | （SIC） | ||||
| APTML602U12R020T3AG | - | | 9807 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜150°C（TJ） | 底盘安装 | SP3 | APTML602 | MOSFET （金属 o化物） | 568W | SP3 | - | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 n 通道（双） | 600V | 45a | 150MOHM @ 22.5A，10V | 4V @ 2.5mA | - | 7600pf @ 25V | - | ||
 | NTMC083NP10M5L | 0.9600 | | 4055 | 0.00000000 | Onmi | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | NTMC083 | MOSFET （金属 o化物） | 1.6W（TA），3.1W（TC） | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n和p通道 | 100V | 2.9a（2.9a），4.1a（4.1a tc），2.4a ta（3.3a ta）（TC）TC） | 83MOHM @ 1.5A，10V，131MOHM @ 1.5A，10V | 5NC @ 10V，8.4NC @ 10V | 222pf @ 50V，525pf @ 50V | - | |||
 | RF1S40N10LE | 1.4200 | | 1 | 0.00000000 | 哈里斯公司 | * | 大部分 | 积极的 | RF1 | - | - | Rohs不合规 | （1 （无限） | 供应商不确定 | Ear99 | 0000.00.0000 | 1 | - | ||||||||||||||
| SQJ951EP-T1_GE3 | 1.6100 | | 1355 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 汽车，AEC-Q101，Trenchfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 表面安装 | POWERPAK®SO-8 | SQJ951 | MOSFET （金属 o化物） | 56W | POWERPAK®SO-8 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2（p 通道（双） | 30V | 30a | 17mohm @ 7.5a，10v | 2.5V @ 250µA | 50NC @ 10V | 1680pf @ 10V | - | |||
 | DMC2990UDJQ-7B | 0.0814 | | 5372 | 0.00000000 | 二极管合并 | 汽车，AEC-Q101 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | SOT-963 | DMC2990 | MOSFET （金属 o化物） | 350MW（TA） | SOT-963 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 10,000 | n和p通道互补 | 20V | 450mA（ta），310mA（ta） | 990MOHM @ 100mA，4.5V，1.9OHM @ 100mA，4.5V | 1V @ 250µA | 0.5NC @ 4.5V，0.4NC @ 4.5V | 27.6pf @ 15V，28.7pf @ 15V | - | ||
 | NX7002AKS，115 | 0.3900 | | 6 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | NX7002 | MOSFET （金属 o化物） | 220MW | 6-TSSOP | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2 n 通道（双） | 60V | 170mA | 4.5Ohm @ 100mA，10v | 2.1V @ 250µA | 0.43nc @ 4.5V | 17pf @ 10V | 逻辑级别门 | ||
| NDS9933A | - | | 9116 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | - | 大部分 | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | NDS993 | MOSFET （金属 o化物） | 900MW | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8541.21.0095 | 930 | 2（p 通道（双） | 20V | 2.8a | 140MOHM @ 2.8a，4.5V | 1V @ 250µA | 8.5nc @ 4.5V | 405pf @ 10V | 逻辑级别门 | ||||
| NXH010P120MNF1PNG | 194.4600 | | 7823 | 0.00000000 | Onmi | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜175°C（TJ） | 底盘安装 | 模块 | NXH010 | （SIC） | 250W（TJ） | - | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | 488-NXH010P120MNF1PNG | Ear99 | 8541.29.0095 | 28 | 2 n 通道（双） | 1200V（1.2kV） | 114a（TC） | 14mohm @ 100a，20v | 4.3V @ 40mA | 454NC @ 20V | 4707pf @ 800V | - | |
| SI4941DODY-T1-E3 | - | | 3427 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | SI4941 | MOSFET （金属 o化物） | 3.6W | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2（p 通道（双） | 30V | 10a | 21mohm @ 8.3a，10v | 2.8V @ 250µA | 70NC @ 10V | - | 逻辑级别门 | ||
| UPA2374T1P-E1-A | - | | 6577 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | - | - | - | UPA2374 | - | - | - | - | （1 （无限） | Ear99 | 8541.29.0095 | 5,000 | - | - | - | - | - | - | - | - | ||||
| MSCSM70XM75CTYZBNMG | - | | 2650 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 底盘安装 | 模块 | （SIC） | 90W（TC），141W（tc） | - | 下载 | rohs3符合条件 | 1 | 6 n通道（3相桥） | 700V | 31a（TC），52a（tc） | 75mohm @ 20a，20v，44mohm @ 30a，20v | 2.4V @ 1MA，2.7V @ 2mA | 56nc @ 20v，99nc @ 20v | 1175pf @ 700V，2010pf @ 700V | （SIC） |
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